JP5998460B2 - 半導体レーザダイオードとその製造方法 - Google Patents
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本発明に係る他の半導体レーザダイオードは、レーザ光を出射する前端面と、該前端面と反対側の端面である後端面を有する半導体レーザダイオードであって、基板と、該基板の上方に形成された活性層と、該活性層の外縁に沿った部分の上にプロトン注入することで環状に形成された高抵抗部と、該高抵抗部の内側で該活性層の上に設けられた電流注入部と、を有する半導体層と、該高抵抗部と該電流注入部に接触するように、該半導体層の上に形成された電極と、を備え、該電極は該前端面の両端の少なくとも一方だけで該前端面と同一平面を形成し、かつ該後端面の両端の少なくとも一方だけで該後端面と同一平面を形成し、該高抵抗部の直下の該活性層は無秩序化されていないことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザダイオードの斜視図である。本発明の実施の形態1に係る半導体レーザダイオード10は、プレーナ形ワイドストライプ高出力レーザダイオードで形成されている。半導体レーザダイオード10は、レーザ光を出射する前端面12aと、前端面12aと反対側の端面である後端面12bを有している。半導体レーザダイオード10は、GaAsで形成された基板14を有している。基板14の上にはGaAsで形成されたバッファ層16を有している。バッファ層16の上にはAlGaInPで形成された下クラッド層18を有している。下クラッド層18の上には活性層26が形成されている。活性層26は、下層側から、InGaPで形成されたガイド層20、GaAsPで形成されたウェル層22、InGaPで形成されたガイド層24を有している。このように基板14の上方には活性層26が形成されている。
本発明の実施の形態2の説明では、実施の形態1に係る半導体レーザダイオードと同一の構成要素については説明を省略する。図9は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザダイオードの斜視図である。半導体レーザダイオード50は、電極52を備えている。電極52は、前端面12aの両端だけで前端面12aと同一平面を形成している。前端面12aの中央部分には電極52が形成されていない。そのため、電極52は、前端面12aから見たときに凹部を有している。
本発明の実施の形態3の説明では、実施の形態1に係る半導体レーザダイオードと同一の構成要素については説明を省略する。図15は、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザダイオードの斜視図である。半導体レーザダイオード60は、アレイレーザダイオードで形成されているため、実施の形態1、2の場合と比べて前端面12aと後端面12bの幅が広くなっている。電極62は、実施の形態2の場合と同様に、前端面12aの両端及び後端面12bの両端だけでこれらの端面と同一平面を形成している。これによりアレイレーザダイオードにおいても端面に欠けが生じることを抑制できる。図16は、図15の半導体レーザダイオードの半導体層を示す図である。半導体層28には活性層26に電流を流すための電流注入部28iが複数形成されている。
Claims (7)
- レーザ光を出射する前端面と、前記前端面と反対側の端面である後端面を有する半導体レーザダイオードであって、
基板と、
前記基板の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された半導体層と、
プロトン注入により前記半導体層のうち前記前端面を含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる前端面高抵抗部と、
プロトン注入により前記半導体層のうち前記後端面を含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる後端面高抵抗部と、
前記前端面高抵抗部の上に形成された前端面絶縁層と、
前記後端面高抵抗部の上に形成された後端面絶縁層と、
前記半導体層、前記前端面絶縁層、及び前記後端面絶縁層の上に形成された電極と、を備え、
前記前端面絶縁層と前記電極は、前記前端面の幅全体にわたって接触し、
前記後端面絶縁層と前記電極は、前記後端面の幅全体にわたって接触し、
前記前端面高抵抗部の直下の前記活性層は無秩序化されず、
前記後端面高抵抗部の直下の前記活性層は無秩序化されていないことを特徴とする半導体レーザダイオード。 - 前記半導体層は、前記前端面高抵抗部と前記後端面高抵抗部を含み環状に形成された高抵抗部と、前記高抵抗部に囲まれた電流注入部と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオード。
- レーザ光を出射する前端面と、前記前端面と反対側の端面である後端面を有する半導体レーザダイオードであって、
基板と、
前記基板の上方に形成された活性層と、
前記活性層の外縁に沿った部分の上にプロトン注入することで環状に形成された高抵抗部と、前記高抵抗部の内側で前記活性層の上に設けられた電流注入部と、を有する半導体層と、
前記高抵抗部と前記電流注入部に接触するように、前記半導体層の上に形成された電極と、を備え、
前記電極は前記前端面の両端の少なくとも一方だけで前記前端面と同一平面を形成し、かつ前記後端面の両端の少なくとも一方だけで前記後端面と同一平面を形成し、
前記高抵抗部の直下の前記活性層は無秩序化されていないことを特徴とする半導体レーザダイオード。 - 前記半導体層のうち上方に前記電極が形成されていない部分に形成された保護層を備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザダイオード。
- 前記前端面の端から前記高抵抗部の上面が露出する部分までの距離は、前記前端面の端から前記電流注入部までの距離より小さいことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザダイオード。
- 基板の上方に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に半導体層を形成する工程と、
前記活性層を無秩序化することなく、前記半導体層の一部にプロトンを注入して高抵抗部を形成する工程と、
前記高抵抗部の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層、及び前記半導体層の上に電極を形成する工程と、
前記絶縁層の形成された部分が劈開面に表れるように、前記基板、前記活性層、前記高抵抗部、前記絶縁層、及び前記電極を劈開する工程と、を備え、
前記劈開により、前記絶縁層と前記電極の接触する部分が前端面の幅全体にわたって表れ、前記絶縁層と前記電極の接触する部分が後端面の幅全体にわたって表れることを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。 - 基板の上方に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に半導体層を形成する工程と、
前記活性層を無秩序化することなく、前記半導体層の一部にプロトンを注入して高抵抗部を形成する工程と、
前記高抵抗部の上に開口を有するように、前記半導体層の上に電極を形成する工程と、
劈開面が前記開口を横断するように前記基板、前記活性層、前記高抵抗部、及び前記電極を劈開する工程と、を備え、
前記劈開により前記電極は前端面の両端の少なくとも一方だけで前記前端面と同一平面を形成し、かつ後端面の両端の少なくとも一方だけで前記後端面と同一平面を形成することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。
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