JP5997295B2 - ホールセンサおよびセンサ配列体 - Google Patents
ホールセンサおよびセンサ配列体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5997295B2 JP5997295B2 JP2014555100A JP2014555100A JP5997295B2 JP 5997295 B2 JP5997295 B2 JP 5997295B2 JP 2014555100 A JP2014555100 A JP 2014555100A JP 2014555100 A JP2014555100 A JP 2014555100A JP 5997295 B2 JP5997295 B2 JP 5997295B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall sensor
- terminals
- ext
- sensor
- hall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0094—Sensor arrays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
- G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
- G01R33/075—Hall devices configured for spinning current measurements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
- G01R33/077—Vertical Hall-effect devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
ここで、所定の動作点での感度S0は、以下のように、ホールセンサの電源電圧VINまたは電源電流IINと電圧に基づく感度SVまたは電流に基づく感度SIによって決定される。
S0=VIN・SV=IIN・SI
ここで、IFEは、増幅器に供給される電流であり、RFE(IFE)は、IFEに依存する等価雑音抵抗である。
IHは、ホールセンサの電源電流であり、必要な総電流Itotは、
Itot=2・IH+2・IFE
である。
総電流Itotは、
となる。
であり、これは、従来の手法と比較してまだ少ない。
Claims (14)
- ホールセンサ(HS)を接続するための少なくとも4つのセンサ端子(EXT_A、EXT_B、EXT_C、EXT_D)と、一緒に接続された少なくとも2つの同種のホールセンサ素子(11、12、…、44)とを備え、前記ホールセンサ素子(11、12、…、44)の素子端子(A、B、C、D)は、信号端子または供給端子として使用される端子であって、当該素子端子(A、B、C、D)が、前記センサ端子(EXT_A、EXT_B、EXT_C、EXT_D)の間に接続されるホールセンサ(HS)であって、
各々の前記ホールセンサ素子(11、12、…、44)は、当該ホールセンサ素子の素子端子(A、B、C、D)のうちの2つの間で、個々のセンサ値をもたらすように構成され、
前記少なくとも2つのホールセンサ素子(11、12、…、44)は、等分された2つの部分(B1、B2)に基本的に等しく分配され、
前記等分された2つの部分(B1、B2)の全てのホールセンサ素子で電源電流が同一方向に流れるように、それぞれのホールセンサ素子の2つの素子端子(A,C)が同一の極性を伴って接続され、
前記等分された2つの部分(B1、B2)の一方の部分(B1)のホールセンサ素子の前記2つの素子端子(A,C)以外の2つの素子端子(B,D)と、前記等分された2つの部分(B1、B2)の他方の部分(B2)のホールセンサ素子の前記2つの素子端子(A,C)以外の2つの素子端子(B,D)とは、互いに逆極性で直列となる逆直列の形態で接続されて、差値が前記センサ端子(EXT_A、EXT_B、EXT_C、EXT_D)のうちの2つのセンサ端子(EXT_B、EXT_D)の間で、それぞれの個々のセンサ値から生じて、電気的に生成されるように接続され、
前記等分された一方の部分(B1)の前記個々のセンサ値が、前記差値の被減数を形成し、前記等分された他方の部分(B2)の前記個々のセンサ値が、前記差値の減数を形成し、同一の強度および同一の方向の均一の磁界が、等分された両方の部分(B1、B2)に印加された場合、前記被減数および前記減数は、互いに打ち消すようになっている、
ことを特徴とするホールセンサ(HS)。 - 前記一方の部分(B 1 )の信号端子の接続と前記他方の部分(B 2 )の信号端子の接続とが逆並列の形態で接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のホールセンサ。
- 前記一方の部分(B 1 )の信号端子の接続と前記他方の部分(B 2 )の信号端子の接続とが逆直列の形態で接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のホールセンサ。
- 前記ホールセンサ(HS)は、当該ホールセンサの動作時に、相互接続された前記ホールセンサ素子(11,12,...,44)が前記センサ端子(EXT_A、EXT_B、EXT_C、EXT_D)を介して単一のホールセンサとして接続することができることを特徴とする、請求項1に記載のホールセンサ。
- 前記ホールセンサ素子(11、12、…、44)の前記素子端子(A、B、C、D)は、信号端子または電源端子として使用されるように構成され、
前記ホールセンサ(HS)は、前記差値が前記2つのセンサ端子(EXT_B、EXT_D)の間で電気的に生成されるように、連続する動作フェーズ内でそれぞれのセンサ端子(EXT_A、EXT_A'、EXT_C、EXT_C')への前記電源端子の接続を変更し、前記連続する動作フェーズ内で前記2つのセンサ端子(EXT_B、EXT_D)の間で前記信号端子の接続を変更するように構成されたスイッチングネットワークをさらに含むことを特徴とする、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 前記等分された一方の部分(B1)の前記ホールセンサ素子は、前記ホールセンサ(HS)の第1隣接領域に配置され、前記等分された他方の部分(B2)の前記ホールセンサ素子は、前記第1隣接領域と重なり合わない、前記ホールセンサ(HS)の第2隣接領域に配置されることを特徴とする、
請求項1乃至5のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 前記第1隣接領域および前記第2隣接領域は、類似する形状を有し、離隔して配置されることを特徴とする、
請求項6に記載のホールセンサ(HS)。 - 前記ホールセンサ素子(11、12、…、44)のすべては、横方向ホールセンサ素子として形成されており、特にホールプレートとして形成されていることを特徴とする、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 前記ホールセンサ素子(11、12、…、44)のすべては、縦方向ホールセンサ素子として形成されていることを特徴とする、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 前記ホールセンサ素子(11、12、…、44)のすべては、同様に構成されていることを特徴とする、
請求項1乃至9のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 前記等分された2つの部分(B1、B2)の前記差値は、同じ瞬間にすなわち同時に生成されることを特徴とする、
請求項1乃至10のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 全ての前記ホールセンサ素子(11,12,...,44)は、1つの共通な半導体基体に設けられていることを特徴とする、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載のホールセンサ(HS)と、前記ホールセンサ(HS)に接続されたバイアス回路(BIAS)と、前記2つのセンサ端子の間に生成される前記差値に基づいて増幅された差信号(SB12)を生成するために前記ホールセンサの前記2つの端子に接続された増幅器(AMP)と、を備えることを特徴とするセンサ配列体。
- 前記バイアス回路(BIAS),前記増幅器(AMP),および前記ホールセンサ(HS)は、全ての前記ホールセンサ素子(11,12,...,44)と共に、1つの共通な半導体基体に設けられていることを特徴とする、
請求項13に記載のセンサ配列体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP12153493.7 | 2012-02-01 | ||
EP12153493.7A EP2624001B1 (en) | 2012-02-01 | 2012-02-01 | Hall sensor and sensor arrangement |
PCT/EP2012/072503 WO2013113418A1 (en) | 2012-02-01 | 2012-11-13 | Hall sensor and sensor arrangement |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016132964A Division JP6431004B2 (ja) | 2012-02-01 | 2016-07-05 | ホールセンサおよびセンサ配列体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015507192A JP2015507192A (ja) | 2015-03-05 |
JP5997295B2 true JP5997295B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=47172636
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014555100A Expired - Fee Related JP5997295B2 (ja) | 2012-02-01 | 2012-11-13 | ホールセンサおよびセンサ配列体 |
JP2016132964A Expired - Fee Related JP6431004B2 (ja) | 2012-02-01 | 2016-07-05 | ホールセンサおよびセンサ配列体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016132964A Expired - Fee Related JP6431004B2 (ja) | 2012-02-01 | 2016-07-05 | ホールセンサおよびセンサ配列体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10042010B2 (ja) |
EP (1) | EP2624001B1 (ja) |
JP (2) | JP5997295B2 (ja) |
CN (1) | CN104285158B (ja) |
WO (1) | WO2013113418A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016194527A (ja) * | 2012-02-01 | 2016-11-17 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトams AG | ホールセンサおよびセンサ配列体 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2778704B1 (en) | 2013-03-11 | 2015-09-16 | Ams Ag | Magnetic field sensor system |
WO2014187729A1 (en) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | Aktiebolaget Skf | Sensor assembly for use in sensor bearings |
KR102174724B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2020-11-06 | 주식회사 해치텍 | 복수의 홀 센서그룹을 이용한 센싱 시스템 및 이를 이용한 장치 |
EP3118640B1 (en) | 2015-07-13 | 2021-06-23 | ams AG | Hall sensor |
EP3312567B1 (en) * | 2016-10-18 | 2019-12-04 | ams AG | Rotary sensor arrangement and method for determining a failure status of such arrangement |
CN106646316B (zh) * | 2017-01-24 | 2019-06-14 | 上海麦歌恩微电子股份有限公司 | 开关型霍尔传感器噪声的测试方法 |
JP6841692B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2021-03-10 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ回路 |
US10534045B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-01-14 | Texas Instruments Incorporated | Vertical hall-effect sensor for detecting two-dimensional in-plane magnetic fields |
JP6436265B1 (ja) * | 2018-04-04 | 2018-12-12 | 大日本印刷株式会社 | 保護フィルム、電解液注入口の周囲に電解液が付着することを防止する方法、及び電池の製造方法 |
US11163019B1 (en) * | 2020-08-05 | 2021-11-02 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensors having stray field rejection |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2942177A (en) * | 1955-05-06 | 1960-06-21 | Siemens Ag | Method and means for measuring magnetic field strength |
GB822210A (en) | 1957-03-29 | 1959-10-21 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to instruments for making magnetic measurements |
US2987669A (en) | 1959-01-19 | 1961-06-06 | Gulton Ind Inc | Hall effect electromechanical sensing device |
DE1194971B (de) | 1963-04-25 | 1965-06-16 | Siemens Ag | Magnetfeld-Messsonde mit Hallgenerator |
JPS4980130U (ja) * | 1972-10-28 | 1974-07-11 | ||
JPS5748265A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-19 | Rohm Co Ltd | Magnetic coupler |
JPS58154263A (ja) | 1982-03-09 | 1983-09-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | ホ−ルic |
US4737710A (en) * | 1983-01-27 | 1988-04-12 | Trw Inc. | Hall-effect array for sensing second spatial derivative of magnetic field |
DE3435455A1 (de) * | 1984-09-27 | 1986-03-27 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Vorrichtung mit zwei hallgeneratoren zur messung der gradienten magnetischer felder |
DE3870879D1 (de) | 1988-10-13 | 1992-06-11 | Siemens Ag | Anordnung zur beruehrungsfreien erfassung der drehzahl eines rotierenden zahnrades. |
US5241270A (en) | 1990-04-02 | 1993-08-31 | Kim Kwee Ng | Electronic compass using hall-effect sensors |
DE59108800D1 (de) | 1991-12-21 | 1997-08-28 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Offsetkompensierter Hallsensor |
DE4422868C2 (de) | 1994-06-30 | 1997-08-21 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Vorrichtung zum Bestimmen eines Drehwinkels eines Magneten |
DE59609727D1 (de) | 1996-03-02 | 2002-10-31 | Micronas Gmbh | Monolithisch integrierte Sensorschaltung |
DE19943128A1 (de) | 1999-09-09 | 2001-04-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Hall-Sensoranordnung zur Offset-kompensierten Magnetfeldmessung |
DE10150955C1 (de) | 2001-10-16 | 2003-06-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Vertikaler Hall-Sensor |
NL1024114C1 (nl) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Systematic Design Holding B V | Werkwijze en inrichting voor het verrichten van metingen aan magnetische velden met gebruik van een hall-sensor. |
JP4698959B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-06-08 | 東北電力株式会社 | 電線の導体欠陥検知用センサ |
JP4798102B2 (ja) | 2004-03-30 | 2011-10-19 | 株式会社デンソー | 縦型ホール素子 |
DE102005014509B4 (de) * | 2005-03-30 | 2007-09-13 | Austriamicrosystems Ag | Sensoranordnung und Verfahren zur Bestimmung eines Drehwinkels |
US7902820B2 (en) * | 2005-05-03 | 2011-03-08 | Imec | Method and apparatus for detecting spatially varying and time-dependent magnetic fields |
DE102006037226B4 (de) | 2006-08-09 | 2008-05-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Im Messbetrieb kalibrierbarer magnetischer 3D-Punktsensor |
WO2008054056A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Chosun University | Magnetic sensor array and apparatus for detecting defect using the magnetic sensor array |
US20100182002A1 (en) * | 2007-02-23 | 2010-07-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic sensor device with field generator and sensor element |
CN101802631B (zh) * | 2007-09-10 | 2014-10-22 | Ntn株式会社 | 传感器组件 |
GB0724240D0 (en) | 2007-12-12 | 2008-01-30 | Melexis Nv | Twin vertical hall sensor |
DE102008000943B4 (de) * | 2008-04-02 | 2015-02-19 | Zf Friedrichshafen Ag | Diagnostizierbarer Hallsensor und Verfahren zur Funktionsdiagnose einer Hall-Sensoreinrichtung |
CN201628764U (zh) * | 2010-01-30 | 2010-11-10 | 大连恒森微波电子有限公司 | 一种霍尔效应集成传感器 |
US8760149B2 (en) | 2010-04-08 | 2014-06-24 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
JP5609326B2 (ja) | 2010-07-01 | 2014-10-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | クロック分周回路 |
DE102011017096A1 (de) | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Austriamicrosystems Ag | Hall-Sensor-Halbleiterbauelement und Verfahren zum Betrieb des Hall-Sensor-Halbleiterbauelementes |
US9007060B2 (en) * | 2011-07-21 | 2015-04-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic device with ring-connected hall effect regions |
DE102011115566A1 (de) * | 2011-10-10 | 2013-04-11 | Austriamicrosystems Ag | Hall-Sensor |
US8922207B2 (en) * | 2011-11-17 | 2014-12-30 | Infineon Technologies Ag | Electronic device comprising hall effect region with three contacts |
EP2624001B1 (en) * | 2012-02-01 | 2015-01-07 | ams AG | Hall sensor and sensor arrangement |
EP2682762A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-08 | Senis AG | Current transducer for measuring an electrical current, magnetic transducer and current leakage detection system and method |
-
2012
- 2012-02-01 EP EP12153493.7A patent/EP2624001B1/en not_active Revoked
- 2012-11-13 JP JP2014555100A patent/JP5997295B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-13 WO PCT/EP2012/072503 patent/WO2013113418A1/en active Application Filing
- 2012-11-13 US US14/374,521 patent/US10042010B2/en active Active
- 2012-11-13 CN CN201280068703.7A patent/CN104285158B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-05 JP JP2016132964A patent/JP6431004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016194527A (ja) * | 2012-02-01 | 2016-11-17 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトams AG | ホールセンサおよびセンサ配列体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2624001A1 (en) | 2013-08-07 |
CN104285158A (zh) | 2015-01-14 |
US20140361766A1 (en) | 2014-12-11 |
EP2624001B1 (en) | 2015-01-07 |
CN104285158B (zh) | 2017-02-22 |
JP2016194527A (ja) | 2016-11-17 |
US10042010B2 (en) | 2018-08-07 |
WO2013113418A1 (en) | 2013-08-08 |
JP2015507192A (ja) | 2015-03-05 |
JP6431004B2 (ja) | 2018-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6431004B2 (ja) | ホールセンサおよびセンサ配列体 | |
US9063187B2 (en) | Hall sensor element and method for measuring a magnetic field | |
US9575141B2 (en) | Hall sensor with hall sensor elements that respectively comprise element terminals and are interconnected in a circuit lattice | |
US7782050B2 (en) | Hall effect device and method | |
US10312286B2 (en) | Magnetic sensor including resistor array including a plurality of resistive element sections each having magnetoresistance element | |
JP6474822B2 (ja) | 高感度プッシュプルブリッジ磁気センサ | |
JP5679906B2 (ja) | ホールセンサ | |
JP6509231B2 (ja) | 強磁場用のシングルチップ基準ブリッジ磁気センサ | |
KR101697895B1 (ko) | 자기장 센서 시스템 | |
US9651635B2 (en) | Bias circuit for stacked hall devices | |
JP2017502298A5 (ja) | ||
CN109212439A (zh) | 磁场传感器 | |
CN210400415U (zh) | 霍尔传感器 | |
US9851419B2 (en) | Hall sensor | |
TW201407180A (zh) | 霍爾感測器 | |
US20190242955A1 (en) | Hall sensor apparatus and method for measuring a magnetic field | |
TW201401594A (zh) | 霍爾感測器 | |
JP2019219293A (ja) | 磁気センサ | |
JP7341454B2 (ja) | 磁気センサ | |
Krasyukov et al. | Investigation of magnetotransistors with new topology | |
JP2016142651A (ja) | 電力センサー | |
UA73816C2 (en) | Magnetic field strength transducer | |
BG66714B1 (bg) | Трикомпонентен микросензор за магнитно поле | |
UA72832C2 (en) | Magnetic field strength transducer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150701 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160803 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5997295 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |