JPS58154263A - ホ−ルｉｃ - Google Patents
ホ−ルｉｃInfo
- Publication number
- JPS58154263A JPS58154263A JP57036982A JP3698282A JPS58154263A JP S58154263 A JPS58154263 A JP S58154263A JP 57036982 A JP57036982 A JP 57036982A JP 3698282 A JP3698282 A JP 3698282A JP S58154263 A JPS58154263 A JP S58154263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall
- voltage
- electrodes
- strain
- distortion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホール！Ｏの基［Ｋ生じたひずみによりホー
ル素子のホール電極間に発生するひずみ電圧を打ち消す
構成のホールＸＯに関ず′る。
ル素子のホール電極間に発生するひずみ電圧を打ち消す
構成のホールＸＯに関ず′る。
従来、結晶性基板上に設けられ究ホール素子に＊ イー
ｃ ｄ 、素子のダイポンデン１ｉｌＫ！Ｉｆに入った
ひずみによるひずみ電圧のためホール電極間のオフセッ
ト電圧か叢化し、実装後ＫＷＡ路基板共々不曳品になる
ケースが多かった。従来例である第１図はホール素子１
０ホール電極４と５の間に基板のひずみにより発生する
このような電圧をｅｅで示している。なおｇ１図におい
て２及び３はホール素子の駆動電極でＴｏす、７は電源
、６はホール電極４及び６０間の電圧を検出するための
増幅器である。一般に上記ひずみ電圧を消去するために
１素子のダイボンデング後に約１５０℃位の温度での長
時間子ニール等により、基板へのひずみを軽減するとい
うような対策がとられ１いたが、ホール素子の実装後の
歩留９を同上させる上で十分とは言い難い状況にあった
。
ｃ ｄ 、素子のダイポンデン１ｉｌＫ！Ｉｆに入った
ひずみによるひずみ電圧のためホール電極間のオフセッ
ト電圧か叢化し、実装後ＫＷＡ路基板共々不曳品になる
ケースが多かった。従来例である第１図はホール素子１
０ホール電極４と５の間に基板のひずみにより発生する
このような電圧をｅｅで示している。なおｇ１図におい
て２及び３はホール素子の駆動電極でＴｏす、７は電源
、６はホール電極４及び６０間の電圧を検出するための
増幅器である。一般に上記ひずみ電圧を消去するために
１素子のダイボンデング後に約１５０℃位の温度での長
時間子ニール等により、基板へのひずみを軽減するとい
うような対策がとられ１いたが、ホール素子の実装後の
歩留９を同上させる上で十分とは言い難い状況にあった
。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、九
とえホール素子基板に実装によるひずみが残っていたと
しても、それらのひずみにより発生した電圧を打ち消す
回路構成のホールｘＣを提供する事を目的とする。
とえホール素子基板に実装によるひずみが残っていたと
しても、それらのひずみにより発生した電圧を打ち消す
回路構成のホールｘＣを提供する事を目的とする。
以下図面に従い本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例を示すもので、同１基板上に
２個のホール素子が、ホール素子１１に流れる電流の向
きとホール素子２１に流れる電流の向きは逆方向になる
よう隣接して配置されている。
２個のホール素子が、ホール素子１１に流れる電流の向
きとホール素子２１に流れる電流の向きは逆方向になる
よう隣接して配置されている。
又ホール素子１１及び２１Ｋかかるひず番が同一である
とした時、ホール素子１１０ホール電極１４と１５に発
生するひずみ電圧１．０で表示〕がホール素子２１０ホ
ール電極スと２５に発生するひずみ電圧と打ち消し合う
ように、ホール電極１５と６を接続し、ホール電極１４
及び為からの出力を増幅器６に入力する回路構成になっ
ている。従ってホール素子１１及び１２に全く同じひず
みが加わっているとすればホール電極１４と冴とからな
る出力端子にはひずみ電圧に帰因するオフセット電圧は
現われない。
とした時、ホール素子１１０ホール電極１４と１５に発
生するひずみ電圧１．０で表示〕がホール素子２１０ホ
ール電極スと２５に発生するひずみ電圧と打ち消し合う
ように、ホール電極１５と６を接続し、ホール電極１４
及び為からの出力を増幅器６に入力する回路構成になっ
ている。従ってホール素子１１及び１２に全く同じひず
みが加わっているとすればホール電極１４と冴とからな
る出力端子にはひずみ電圧に帰因するオフセット電圧は
現われない。
一方磁界Ｂによるホール電圧はホール素子１１と２１に
流れる電流が互いに逆方向であるため二つのホール素子
１１．２１には互に逆方向のホール電圧（田、日で表示
）が発生し、ホール電極１４と冴とからなる出力端子か
ｂＦｌ、上記２つのホール電圧が加算される方向で出力
されるた込、極めてひずみによる影響の少ないホール電
圧を取り出すことがで自る。
流れる電流が互いに逆方向であるため二つのホール素子
１１．２１には互に逆方向のホール電圧（田、日で表示
）が発生し、ホール電極１４と冴とからなる出力端子か
ｂＦｌ、上記２つのホール電圧が加算される方向で出力
されるた込、極めてひずみによる影響の少ないホール電
圧を取り出すことがで自る。
第３図は第２図の２個のホール素子を縦から横へ並び換
えを行なった他の実施例である。
えを行なった他の実施例である。
第４図は同一基板上に４個のホール素子を設け、縦に並
んだ２個のホール素子１１と３１の基板に加わるひずみ
はほぼ同じでＴｏり、横に並んだ２個のホール素子２１
と４１の基板に加わるひずみが同じであるとした場合に
、それらひずみにより発生する電圧（Φ、θで表示〕は
互に打ち消し合って増幅器６へ出力されないようにホー
ル電極を結線し、他方磁場Ｂにより個々のホール素子に
現われるホール電圧（田１日で表示］は加算される方向
圧なるよう駆動電極を結線した実施例である。このよう
に４個のホール素子を同一基板上に対称性よく配置する
ととＫより基板に加わるひずみの均一性のが多少悪くな
っても又ひずみが素子が配電の対称軸に対してかなりず
れたとじ又も容易にひず与により発生する１電圧の出力
電圧ＶＯ〜ｔへの影響を：１．′、１ 軽減することが可能となる。
んだ２個のホール素子１１と３１の基板に加わるひずみ
はほぼ同じでＴｏり、横に並んだ２個のホール素子２１
と４１の基板に加わるひずみが同じであるとした場合に
、それらひずみにより発生する電圧（Φ、θで表示〕は
互に打ち消し合って増幅器６へ出力されないようにホー
ル電極を結線し、他方磁場Ｂにより個々のホール素子に
現われるホール電圧（田１日で表示］は加算される方向
圧なるよう駆動電極を結線した実施例である。このよう
に４個のホール素子を同一基板上に対称性よく配置する
ととＫより基板に加わるひずみの均一性のが多少悪くな
っても又ひずみが素子が配電の対称軸に対してかなりず
れたとじ又も容易にひず与により発生する１電圧の出力
電圧ＶＯ〜ｔへの影響を：１．′、１ 軽減することが可能となる。
なお、上記実施例におけるホール素子は基板のバルクを
利用した場合について示したが、基板の表面移動度を用
いたＭｏ１ｔ型のホール素子においても同様の効果が見
られることはもちろんである以上述べたように１本発明
によればホールエ０の基板に１！債等の工１１において
ひずみが加わったとしても、ひずみ電圧によるホール電
圧の変動を防ぐ改良されたホールＩＯを提供することが
できる。
利用した場合について示したが、基板の表面移動度を用
いたＭｏ１ｔ型のホール素子においても同様の効果が見
られることはもちろんである以上述べたように１本発明
によればホールエ０の基板に１！債等の工１１において
ひずみが加わったとしても、ひずみ電圧によるホール電
圧の変動を防ぐ改良されたホールＩＯを提供することが
できる。
第１図は従来の単一のホール素子におけるひずみによ多
発生するホール出力電圧の変動を示す図、纂２図は本発
明の一実施例に係るひずみによるホール出力変動ｔｌ！
滅したホールエ０を示す図、ｗ４３図及び第４図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す図である。 １．１１，２１，３１．４１ 、 、ホール素子２．１
２，２２．、負極側のホール素子駆動電極３．１３，２
３．、正１ｉｌＩのホール素子駆動電極４ 、５．１４
，１５，２４，２５． 、ホール電極６０．増幅器、７
０．電源 以上第 １ 図 算 ２ 図
発生するホール出力電圧の変動を示す図、纂２図は本発
明の一実施例に係るひずみによるホール出力変動ｔｌ！
滅したホールエ０を示す図、ｗ４３図及び第４図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す図である。 １．１１，２１，３１．４１ 、 、ホール素子２．１
２，２２．、負極側のホール素子駆動電極３．１３，２
３．、正１ｉｌＩのホール素子駆動電極４ 、５．１４
，１５，２４，２５． 、ホール電極６０．増幅器、７
０．電源 以上第 １ 図 算 ２ 図
Claims (1)
- 同一基板上に少な（とも２個以上のホール素子を設け、
上記ホール素子のホール電極間に上記基板のひずみＫよ
り発生するひずみ電圧はそれぞれ打ち消し合い、一方磁
場によ〕発生するホール電圧は加算される方向に上記ホ
ール素子の駆動電極間及びホール電極間の接続をしたこ
とを特徴とするホールＸａ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036982A JPS58154263A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | ホ−ルｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036982A JPS58154263A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | ホ−ルｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154263A true JPS58154263A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12484951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57036982A Pending JPS58154263A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | ホ−ルｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154263A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369285A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Sharp Corp | 感磁性半導体装置 |
| US4829352A (en) * | 1986-04-29 | 1989-05-09 | Lgz Landis & Gyr Zug Ag | Integrable Hall element |
| US5583367A (en) * | 1991-06-04 | 1996-12-10 | Deutsche Itt Industries Gmbh | Monolithic integrated sensor circuit in CMOS technology |
| EP1830162A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-09-05 | Ntn Corporation | Rotation detecting apparatus and bearing provided with same |
| JP2007248389A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | オフセットキャンセル方法及びその回路並びに磁気センサ |
| WO2012140074A1 (de) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Ams Ag | Hall-sensor-halbleiterbauelement und verfahren zum betrieb des hall-sensor-halbleiterbauelementes |
| US20130015853A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Roiy Raz | Hall sensor |
| DE102012212594A1 (de) * | 2011-07-21 | 2013-11-14 | Infineon Technologies Ag | Elektronische vorrichtung mit ringverbundenen hall-effekt-regionen |
| JP2014529081A (ja) * | 2011-10-10 | 2014-10-30 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトａｍｓ ＡＧ | ホールセンサ |
| US8988072B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-03-24 | Infineon Technologies Ag | Vertical hall sensor with high electrical symmetry |
| US20160097826A1 (en) * | 2014-10-03 | 2016-04-07 | Infineon Technologies Ag | Three 3-contact vertical hall sensor elements connected in a ring and related devices, systems, and methods |
| US9312472B2 (en) | 2012-02-20 | 2016-04-12 | Infineon Technologies Ag | Vertical hall device with electrical 180 degree symmetry |
| US10042010B2 (en) | 2012-02-01 | 2018-08-07 | Ams Ag | Hall sensor and sensor arrangement |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125688A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Toshiba Corp | Hall effect device |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57036982A patent/JPS58154263A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125688A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Toshiba Corp | Hall effect device |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829352A (en) * | 1986-04-29 | 1989-05-09 | Lgz Landis & Gyr Zug Ag | Integrable Hall element |
| JPS6369285A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Sharp Corp | 感磁性半導体装置 |
| US5583367A (en) * | 1991-06-04 | 1996-12-10 | Deutsche Itt Industries Gmbh | Monolithic integrated sensor circuit in CMOS technology |
| EP1830162A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-09-05 | Ntn Corporation | Rotation detecting apparatus and bearing provided with same |
| EP1830162A4 (en) * | 2004-12-14 | 2013-07-17 | Ntn Toyo Bearing Co Ltd | ROTATION DETECTION DEVICE AND ACCORDINGLY EQUIPPED STORAGE |
| JP2007248389A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | オフセットキャンセル方法及びその回路並びに磁気センサ |
| WO2012140074A1 (de) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Ams Ag | Hall-sensor-halbleiterbauelement und verfahren zum betrieb des hall-sensor-halbleiterbauelementes |
| US9349943B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-05-24 | Ams Ag | Hall sensor semiconductor component and method for operating the hall sensor semiconductor component |
| JP2014515823A (ja) * | 2011-04-14 | 2014-07-03 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフト | ホールセンサ半導体デバイスおよびホールセンサ半導体デバイスの駆動方法 |
| US20130015853A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Roiy Raz | Hall sensor |
| US9097753B2 (en) * | 2011-07-15 | 2015-08-04 | Micronas Gmbh | Hall sensor having serially connected hall elements |
| US8988072B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-03-24 | Infineon Technologies Ag | Vertical hall sensor with high electrical symmetry |
| US9784801B2 (en) | 2011-07-21 | 2017-10-10 | Infineon Technologies Ag | Vertical hall sensor with high electrical symmetry |
| US9007060B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-04-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic device with ring-connected hall effect regions |
| DE102012212594A1 (de) * | 2011-07-21 | 2013-11-14 | Infineon Technologies Ag | Elektronische vorrichtung mit ringverbundenen hall-effekt-regionen |
| US9425386B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-08-23 | Infineon Technologies Ag | Electronic device with ring-connected hall effect regions |
| JP2014529081A (ja) * | 2011-10-10 | 2014-10-30 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトａｍｓ ＡＧ | ホールセンサ |
| US20140327435A1 (en) * | 2011-10-10 | 2014-11-06 | Ams Ag | Hall sensor |
| JP2016148673A (ja) * | 2011-10-10 | 2016-08-18 | アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトａｍｓ ＡＧ | ホールセンサ |
| US9575141B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-02-21 | Ams Ag | Hall sensor with hall sensor elements that respectively comprise element terminals and are interconnected in a circuit lattice |
| US10042010B2 (en) | 2012-02-01 | 2018-08-07 | Ams Ag | Hall sensor and sensor arrangement |
| US9312472B2 (en) | 2012-02-20 | 2016-04-12 | Infineon Technologies Ag | Vertical hall device with electrical 180 degree symmetry |
| US20160097826A1 (en) * | 2014-10-03 | 2016-04-07 | Infineon Technologies Ag | Three 3-contact vertical hall sensor elements connected in a ring and related devices, systems, and methods |
| US9671474B2 (en) * | 2014-10-03 | 2017-06-06 | Infineon Technologies Ag | Three 3-contact vertical hall sensor elements connected in a ring and related devices, systems, and methods |
| US11205748B2 (en) | 2014-10-03 | 2021-12-21 | Infineon Technologies Ag | 3-contact vertical hall sensor elements connected in a ring and related devices, systems, and methods |
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