JP5991284B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
上記のように、炭素汚染を防ぐことができるシリコンウェーハの熱処理方法が求められている。
SiC(s)+3/2O2(g)→SiO2(s)+CO(g)
直径300mmの窒素ドープP型シリコンウェーハ(抵抗率:8〜12Ωcm、酸素濃度:15ppma(JEIDA(日本電子工業振興協会規格))、窒素濃度5×1013atoms/cm3)を用意した。このウェーハに熱処理前洗浄を行ってから、SiC治具に載置して、700℃で熱処理炉内に投入した。1200℃に昇温し、1時間保持する熱処理を行い、700℃まで降温した。昇温、保持、降温は全て100%アルゴン雰囲気で行った。その後100%アルゴン雰囲気から100%酸素雰囲気に切り替え30秒間酸素を供給し、その後0.6%酸素雰囲気下にて約10分間パージしてから100%アルゴン雰囲気に切り替え、100%アルゴン雰囲気下にてウェーハを取り出した。
これによりSiC治具に約1.2nmの酸化膜を形成した。このとき、ウェーハ表面には均一な酸化膜(約2nm)が形成され、ヘイズは発生していなかった。また、このとき、ウェーハ表面の酸化膜が薄いため、特許文献1のような酸化膜除去工程は必要ない。
上記実施例とウェーハの投入から搬出までの工程をすべてアルゴン雰囲気下で行った以外は実施例と同じ条件で行った比較例について炭素濃度分析を行った。図4は実施例と比較例の炭素濃度プロファイル(SIMSで測定したウェーハ表層の炭素汚染のレベルを示す。)の結果を示す図である。図4の縦軸は、シリコンウェーハの表層の炭素濃度(atoms/cm3)を示し、横軸は、ウェーハ表面からの深さ(μm)を示す。
比較例(従来のアニールウェーハ)では、最も炭素濃度の高いところで、4×1016atoms/cm3の炭素を検出しているのに対して、実施例(短時間酸素雰囲気処理を行ったシリコンウェーハ)では、炭素はほぼ検出限界(7×1015atoms/cm3)以下にまで大幅に減少した。これは、アルゴン雰囲気で熱処理中に、SiC治具から雰囲気中への炭素の外方拡散が抑制されたことによると考えられる。
Claims (3)
- SiC治具にシリコンウェーハを載置して熱処理炉内に投入する工程と、
前記熱処理炉内で前記シリコンウェーハを第一の非酸化性雰囲気下にて熱処理する工程と、
前記シリコンウェーハを前記熱処理炉内から搬出可能な温度まで降温する工程と、
前記シリコンウェーハを前記熱処理炉内から搬出する工程とを有するシリコンウェーハの熱処理方法であって、
前記降温工程において、前記搬出可能な温度まで降温した後、前記第一の非酸化性雰囲気を酸素含有雰囲気に切り替え、前記酸素含有雰囲気下にて前記SiC治具の表面に厚さ1〜10nmの酸化膜を形成し、その後前記酸素含有雰囲気を第二の非酸化性雰囲気に切り替えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記酸素含有雰囲気を、まず第一の酸素含有雰囲気とした後、前記第一の酸素含有雰囲気より酸素分圧の低い第二の酸素含有雰囲気とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記酸化膜の形成を、前記第一の酸素含有雰囲気下にて温度800℃以下、時間5分以下の熱処理条件で行うことを特徴とする請求項2に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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