JP5983006B2 - セラミック電子部品及び電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック電子部品及びそれを備える電子装置に関する。

従来、例えばモバイル通信端末などの種々の電子装置に、セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品が用いられている。例えば、一対の電極が誘電体セラミック層を介して対向しているセラミック電子部品においては、電圧印加時に、セラミック層の電界誘起歪みに起因してセラミック電子部品が変形する。このセラミック電子部品の変形に起因して、セラミック電子部品が実装された基板が振動し、音が生じる場合がある。この現象は、「鳴き」と呼ばれる。特にＰＷＭ方式による調光回路などに用いられるコンデンサであって、シャント接続に用いられるセラミックコンデンサでは、鳴きが生じやすい。

鳴きが生じると、セラミック電子部品が搭載された電子装置の使用者等に不快感を与えることから、特許文献１などにおいて、鳴きを抑制し得る技術が種々提案されている。

特開２００９−７１１０６号公報

近年、鳴きをさらに抑制したいという要望が高まってきている。

本発明は、鳴きを抑制し得るセラミック電子部品を提供することを主な目的とする。

本発明に係る第１のセラミック電子部品は、半田を用いて実装されるセラミック電子部品である。本発明に係る第１のセラミック電子部品は、セラミック素体と、第１の外部電極と、第２の外部電極と、第１の保護層と、第２の保護層とを備える。セラミック素体は、第１及び第２の主面並びに第１〜第４の側面を有する。第１の外部電極は、セラミック素体の第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆っている。第１の外部電極は、第１の主面に至る。第２の外部電極は、セラミック素体の第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆っている。第２の外部電極は、第１の主面に至る。第１の保護層は、第１の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されている。第１の保護層は、第１の外部電極の第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させている。第２の保護層は、第２の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されている。第２の保護層は、第２の外部電極の第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させている。第１の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第１の保護層側の表層が、半田よりも融点が高い材料により構成されている。第２の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第２の保護層側の表層が、半田よりも融点が高い材料により構成されている。

本発明に係る第２のセラミック電子部品は、セラミック素体と、第１の外部電極と、第２の外部電極と、第１の保護層と、第２の保護層とを備える。セラミック素体は、第１及び第２の主面並びに第１〜第４の側面を有する。第１の外部電極は、セラミック素体の第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆っている。第１の外部電極は、第１の主面に至る。第２の外部電極は、セラミック素体の第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆っている。第２の外部電極は、第１の主面に至る。第１の保護層は、第１の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されている。第１の保護層は、第１の外部電極の第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させている。第２の保護層は、第２の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されている。第２の保護層は、第２の外部電極の第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させている。第１の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第１の保護層側の表層の融点が２６０℃以上である。第２の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第２の保護層側の表層の融点が２６０℃以上である。

本発明に係る第２のセラミック電子部品のある特定の局面では、第１の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第１の保護層側の表層の融点が３００℃以上である。第２の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第２の保護層側の表層の融点が３００℃以上である。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのある特定の局面では、第１及び第２の保護層は、半田と合金化しない材料により構成されている。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれの別の特定の局面では、第１の保護層の半田の融液に対する濡れ性が、第１の外部電極の半田の融液に対する濡れ性よりも低い。第２の保護層の半田の融液に対する濡れ性が、第２の外部電極の半田の融液に対する濡れ性よりも低い。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれの他の特定の局面では、第１及び第２の保護層が、樹脂により構成されている。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのさらに他の特定の局面では、第１及び第２の保護層が、無機酸化物により構成されている。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのさらに別の特定の局面では、第１及び第２の保護層が、酸化ニッケルを含む。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのまた他の特定の局面では、第１の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第１の保護層側の表層がＡｕを含む。第２の外部電極の第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の第２の保護層側の表層がＡｕを含む。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのまた別の特定の局面では、セラミック電子部品は、セラミック素体内に配されており、第１及び第２の外部電極の一方に接続されている、第１の主面に平行な内部電極をさらに備える。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのさらにまた他の特定の局面では、セラミック電子部品は、セラミック素体内に内部電極とセラミック層を介して対向するように配されている別の内部電極をさらに備える。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのさらにまた別の特定の局面では、セラミック素体が、強誘電体セラミックスを含む。

本発明に係る第１及び第２のセラミック電子部品のそれぞれのまたさらに他の特定の局面では、セラミック素体が、チタン酸バリウムを含む。

本発明に係る電子装置は、本発明に係る第１または第２のセラミック電子部品と、基板と、半田とを備える。基板には、セラミック電子部品が実装されている。半田は、基板と、セラミック電子部品の第１の外部電極とを接合している。

本発明によれば、鳴きを抑制し得るセラミック電子部品を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。 本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品の幅方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。 本発明の一実施形態における電子装置の一部分の長さ方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

図１は、本実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。図２は、本実施形態に係るセラミック電子部品の幅方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。

図１及び図２に示されるように、セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、略直方体状である。セラミック素体１０は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びる第３及び第４の側面１０ｃ、１０ｄ（図２を参照）と、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びる第１及び第２の側面１０ｅ、１０ｆ（図１を参照）とを有する。

なお、「略直方体」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。

セラミック素体１０は、適宜のセラミック材料により構成することができる。セラミック素体１０は、例えば、強誘電体セラミックスを含んでいることが好ましい。強誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。セラミック素体１０には、適宜のセラミック材料に加えて、例えば、Ｍｎ化合物、Ｃｏ化合物、希土類化合物、Ｓｉ化合物などの副成分を適宜添加されていてもよい。

図１及び図２に示されるように、セラミック素体１０の内部には、第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。すなわち、第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいてセラミック層１０ｇを介して対向している。

第１の内部電極１１は、第１の側面１０ｅに引き出されている。第１の内部電極１１は、第１の側面１０ｅから長さ方向Ｌに沿って延びている。第１の内部電極１１は、第２の側面１０ｆ並びに第３及び第４の側面１０ｃ、１０ｄには引き出されていない。

第２の内部電極１２は、第２の側面１０ｆに引き出されている。第２の内部電極１２は、第２の側面１０ｆから長さ方向Ｌに沿って延びている。第２の内部電極１２は、第１の側面１０ｅ並びに第３及び第４の側面１０ｃ、１０ｄには引き出されていない。

第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、適宜の導電材料により構成することができる。具体的には、第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓｎなどの少なくとも一種により構成することができる。

第１の内部電極１１は、図１に示される第１の外部電極１３に接続されている。第１の外部電極１３は、第１の側面１０ｅの少なくとも一部を覆い、第１の主面１０ａに至っている。すなわち、第１の外部電極１３は、第１の側面１０ｅの実質的に全体を覆う第１の部分１３ａと、第１の主面１０ａの上に設けられた第２の部分１３ｂとを有する。第１の外部電極１３は、第２の主面１０ｂ上に設けられた第３の部分１３ｃをさらに有する。なお、第１の外部電極１３は、第３及び第４の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上にも設けられていてもよい。

第２の内部電極１２は、第２の外部電極１４に接続されている。第２の外部電極１４は、第２の側面１０ｆの少なくとも一部を覆い、第１の主面１０ａに至っている。すなわち、第２の外部電極１４は、第２の側面１０ｆの実質的に全体を覆う第１の部分１４ａと、第１の主面１０ａの上に設けられた第２の部分１４ｂとを有する。第２の外部電極１４は、第２の主面１０ｂの上に設けられた第３の部分１４ｃをさらに有する。なお、第２の外部電極１４は、第３及び第４の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上にも設けられていてもよい。

第１の外部電極１３の上には、第１の保護層１５ａが設けられている。第１の保護層１５ａは、第１の外部電極１３の第１の部分１３ａの上に配されており、第２及び第３の部分１３ｂ、１３ｃのそれぞれの少なくとも一部を露出させている。具体的には、本実施形態では、第１の保護層１５ａは、第１の部分１３ａの上に設けられている。第１の保護層１５ａは、第１の部分１３ａの厚み方向Ｔにおける中央部を少なくとも覆っている。第１の保護層１５ａは、第１の部分１３ａと稜線部及び角部の上に設けられていてもよい。

第２の外部電極１４の上には、第２の保護層１５ｂが設けられている。第２の保護層１５ｂは、第２の外部電極１４の第１の部分１４ａの上に配されており、第２及び第３の部分１４ｂ、１４ｃのそれぞれの少なくとも一部を露出させている。具体的には、本実施形態では、第２の保護層１５ｂは、第１の部分１４ａのみの上に設けられている。第２の保護層１５ｂは、第１の部分１４ａの厚み方向Ｔにおける中央部を少なくとも覆っている。

図３に、セラミック電子部品１を備える電子装置２の一部分の長さ方向及び厚み方向に沿った略図的断面図を示す。

電子装置２は、セラミック電子部品１が実装された基板１７を備える。セラミック電子部品１と基板１７とは、半田１６ａ、１６ｂにより接合されている。具体的には、半田１６ａは、セラミック電子部品１の第１の外部電極１３と、基板１７に設けられた電極パッド１７ａとを接合している。半田１６ｂは、セラミック電子部品１の第２の外部電極１４と、基板１７に設けられた電極パッド１７ｂとを接合している。半田１６ａ、１６ｂは、第１または第２の外部電極１３，１４の保護層１５ａ、１５ｂにより覆われている部分には接合されていない。

セラミック電子部品１では、外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に設けられている第１の部分１３ａ、１４ａの少なくとも一部の上に保護層１５ａ、１５ｂが設けられている。外部電極１３，１４の保護層１５ａ、１５ｂにより覆われた部分には、半田１６ａ、１６ｂは接合されない。また、外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分の保護層１５ａ、１５ｂ側の表層が、半田１６ａ、１６ｂよりも融点が高い材料により構成されている。すなわち、外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分の保護層１５ａ、１５ｂ側の表層の融点が半田１６ａ、１６ｂの融点よりも高い。このため、半田１６ａ、１６ｂによる接合時に、外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分の保護層１５ａ、１５ｂ側の表層が融解しにくいので、保護層１５ａ、１５ｂと第１の部分１３ａ、１４ａとの間に半田が侵入しにくい。従って、セラミック電子部品１の主として伸縮する厚み方向Ｔにおける中央部に半田が接合されていないので、セラミック電子部品１の伸縮が半田を介して基板に伝達しにくく、鳴きが生じにくい。

この効果を、以下の実験により実際に確認した。

まず、外部電極の表層がＳｎめっき膜により構成されており、保護層が設けられていないセラミック電子部品が半田により基板上に実装された電子装置（比較例１）と、アルキド樹脂からなる保護層が設けられていること以外は比較例１に係る電子装置と実質的に同様の構成を有する電子装置（比較例２）と、外部電極の表層がＡｕめっき膜により構成されていること以外は比較例２に係る電子装置と実質的に同様の構成を有する電子装置（実施例）を各５つずつ作製した。

実施例及び比較例１，２のそれぞれについて作製した電子部品のそれぞれの鳴きの音量を測定し、平均値を求めた。その結果、保護膜が設けられていない比較例１に係る電子装置では、鳴きの平均音量は、７６．２ｄＢであった。保護膜が設けられているものの、外部電極の表層がＳｎめっき膜により構成されている比較例２に係る電子装置では、鳴きの平均音量は、６８．４ｄＢであった。保護膜が設けられており、かつ、外部電極の表層がＡｕめっき膜により構成されている実施例に係る電子装置では、鳴きの平均音量は、６２．５ｄＢであった。以上の結果から、保護膜を設け、外部電極の保護膜側の表層が高い融点を有する場合に、鳴きを抑制できることが分かる。

鳴きをより効果的に抑制する観点からは、外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分の保護層１５ａ、１５ｂ側の表層の融点が半田１６ａ、１６ｂの融点よりも４０℃以上高いことが好ましい。外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分の保護層１５ａ、１５ｂ側の表層の融点は、２６０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましい。外部電極１３，１４の側面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分の保護層１５ａ、１５ｂ側の表層は、Ａｕを含むことが好ましく、実質的にＡｕからなることがより好ましい。

具体的には、本実施形態では、外部電極１３，１４は、第１の電極層１３Ａ，１４Ａと、最外層を構成している第２の電極層１３Ｂ，１４Ｂとを有する。第２の電極層１３Ｂ，１４Ｂが、ＡｕまたはＡｕ合金からなるめっき膜により構成されている。このため、半田融液に対して溶解しにくく、かつ半田１６ａ、１６ｂと第２の電極層１３Ｂ，１４Ｂとの接合強度も高い。第１の電極層１３Ａ，１４Ａは、例えば、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉなどの少なくとも一種の金属により構成されている。第１の電極層１３Ａ，１４Ａは、導電性ペーストの焼き付け層により構成されていてもよいし、めっき膜により構成されていてもよい。

保護層１５ａ、１５ｂは、半田融液に侵食されにくい材料からなることが好ましい。具体的には、保護層１５ａ、１５ｂは、半田１６ａ、１６ｂと合金化しない材料により構成されていることが好ましい。保護層１５ａ、１５ｂは、半田１６ａ、１６ｂの融液に対する濡れ性が外部電極１３，１４の最外層の半田１６ａ、１６ｂの融液に対する濡れ性よりも低いことが好ましい。従って、保護層１５ａ、１５ｂは、例えば樹脂や無機酸化物により構成されていることが好ましい。保護層１５ａ、１５ｂの構成材料として好ましく用いられる樹脂の具体例としては、例えば、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。保護層１５ａ、１５ｂの構成材料として好ましく用いられる無機酸化物の具体例としては、例えば、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化亜鉛等が挙げられる。保護層１５ａ、１５ｂを無機酸化物により構成する場合は、外部電極１３，１４の表層を酸化させることにより保護層１５ａ、１５ｂを形成してもよい。

なお、半田融液に対する濡れ性は、濡れ性を評価しようとする部材と同じ材料からなる膜を基板上に形成し、その膜の上に配した半田融液の液滴を硬化させた後に、半田硬化物と膜との接触角を測定することにより評価することができる。接触角が小さいほど濡れ性が高く、接触角が大きいほど濡れ性が低い。

なお、本実施形態では、第１の外部電極１３が第１の側面１０ｅ上に設けられており、第２の外部電極１４が第２の側面１０ｆ上に設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第１及び第２の外部電極が、同じ側面の上に設けられていてもよいし、隣り合う側面の上に設けられていてもよい。

また、セラミック電子部品は、複数の素子部を有していてもよい。

１…セラミック電子部品
２…電子装置
１０…セラミック素体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第３の側面
１０ｄ…第４の側面
１０ｅ…第１の側面
１０ｆ…第２の側面
１０ｇ…セラミック層
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１４…第２の外部電極
１３Ａ，１４Ａ…第１の電極層
１３Ｂ，１４Ｂ…第２の電極層
１３ａ、１４ａ…第１の部分
１３ｂ、１４ｂ…第２の部分
１３ｃ、１４ｃ…第３の部分
１５ａ…第１の保護層
１５ｂ…第２の保護層
１６ａ、１６ｂ…半田
１７…基板
１７ａ、１７ｂ…電極パッド

Claims (13)

1. 半田を用いて実装されるセラミック電子部品であって、
   第１及び第２の主面並びに第１〜第４の側面を有するセラミック素体と、
   前記セラミック素体の前記第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆い、前記第１の主面に至る第１の外部電極と、
   前記セラミック素体の前記第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆い、前記第１の主面に至る第２の外部電極と、
   前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されており、前記第１の外部電極の前記第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させる第１の保護層と、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されており、前記第２の外部電極の前記第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させる第２の保護層と、
   を備え、
   前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第１の保護層側の表層が、前記半田よりも融点が高い材料により構成されており、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第２の保護層側の表層が、前記半田よりも融点が高い材料により構成されており、
   前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第１の保護層側の表層がＡｕを含み、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第２の保護層側の表層がＡｕを含む、セラミック電子部品。
2. 第１及び第２の主面並びに第１〜第４の側面を有するセラミック素体と、
   前記セラミック素体の前記第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆い、前記第１の主面に至る第１の外部電極と、
   前記セラミック素体の前記第１〜第４の側面のいずれかの少なくとも一部を覆い、前記第１の主面に至る第２の外部電極と、
   前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されており、前記第１の外部電極の前記第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させる第１の保護層と、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の上に配されており、前記第２の外部電極の前記第１の主面の上に位置する部分の少なくとも一部を露出させる第２の保護層と、
   を備え、
   前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第１の保護層側の表層の融点が２６０℃以上であり、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第２の保護層側の表層の融点が２６０℃以上であり、
   前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第１の保護層側の表層がＡｕを含み、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第２の保護層側の表層がＡｕを含む、セラミック電子部品。
3. 前記第１の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第１の保護層側の表層の融点が３００℃以上であり、
   前記第２の外部電極の前記第１〜第４の側面のいずれかの上に位置する部分の前記第２の保護層側の表層の融点が３００℃以上である、請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記第１及び第２の保護層は、前記半田と合金化しない材料により構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
5. 前記第１の保護層の前記半田の融液に対する濡れ性が、前記第１の外部電極の前記半田の融液に対する濡れ性よりも低く、
   前記第２の保護層の前記半田の融液に対する濡れ性が、前記第２の外部電極の前記半田の融液に対する濡れ性よりも低い、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
6. 前記第１及び第２の保護層が、樹脂により構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
7. 前記第１及び第２の保護層が、無機酸化物により構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
8. 前記第１及び第２の保護層が、酸化ニッケルを含む、請求項７に記載のセラミック電子部品。
9. 前記セラミック素体内に配されており、前記第１及び第２の外部電極の一方に接続されている、前記第１の主面に平行な内部電極をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
10. 前記セラミック素体内に前記内部電極とセラミック層を介して対向するように配されている別の内部電極をさらに備える、請求項９に記載のセラミック電子部品。
11. 前記セラミック素体が、強誘電体セラミックスを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
12. 前記セラミック素体が、チタン酸バリウムを含む、請求項１１に記載のセラミック電子部品。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載のセラミック電子部品と、
    前記セラミック電子部品が実装された基板と、
    前記基板と、前記セラミック電子部品の前記第１の外部電極とを接合している半田と、
    を備える、電子装置。

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