JP5976290B2 - ガラス板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ダウンドロー法によるガラス板の製造方法に関する。

液晶ディスプレイやプラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ（以下、「ＦＰＤ」という。）に用いるガラス基板には、厚さが例えば０．５〜０．７ｍｍと薄いガラス板が用いられている。このＦＰＤ用ガラス基板は、例えば第１世代では３００×４００ｍｍのサイズであるが、第１０世代では２８５０×３０５０ｍｍのサイズになっている。

このような第８世代以降の大きなサイズのＦＰＤ用ガラス基板を製造するには、オーバーフローダウンドロー法が最もよく使用される。オーバーフローダウンドロー法は、成形炉において溶融ガラスを成形体の上部から溢れさせることにより成形体の下方においてシート状ガラスを成形する工程と、シート状ガラスを徐冷炉において徐冷する工程と、を含む。徐冷炉は、対になったローラ間にシート状ガラスを引き込むことにより所望の厚さに引き伸ばした後、シート状ガラスの内部歪や熱収縮を低減するように、シート状ガラスを徐冷する。この後、シート状ガラスは、所定の寸法に切断されてガラス板とされて他のガラス板上に積層されて保管される。あるいはガラス板は次工程に搬送される。オーバーフローダウンドロー法については、例えば、下記特許文献１に記載されている。

下記特許文献１のガラス板の製造装置では、室内が高温雰囲気となる成形炉の室内を囲む炉壁が設けられる。当該製造装置は、上記炉壁を設けることにより、成形体を含む成形炉を加熱するための発熱体の熱を一旦炉壁に伝え、この炉壁の均熱効果によって放たれる均質な熱輻射によって成形体及び成形体を流れる溶融ガラスを均質に加熱することができる。炉壁には、熱伝導率が高い部材としてＳｉＣの板部材が用いられる。

登録実用新案第２５３００６０号公報

しかし、成形炉の炉壁は、長期間、例えば１年半程度の期間、成形炉を連続的に使用することが望まれるものの、成形炉を短期間、例えば数１０時間、使用しただけで、炉壁にひびが入ったり、場合によっては炉壁の板部材が割れる場合がある。これは、炉壁の壁面からＳｉＣの板部材の酸化が内部に進行することによって、壁面側が膨張し、この結果板部材が炉壁の室内に凸形状となって変形することに起因する。

そこで、本発明は、長期間、成形炉を連続的に使用しても、成形炉の炉壁にひびが入ったり、炉壁の板部材が割れることなく、安定して長期間ガラス板を製造することができるガラス板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、ガラス板を製造するガラス板の製造方法である。当該製造方法は、ガラス原料を熔解して溶融ガラスをつくる熔解工程と、
成形炉の室内に設けられた成形体を用いて、前記溶融ガラスからダウンドロー法でシート状ガラスを成形する成形工程と、
成形された前記シート状ガラスを徐冷する徐冷工程と、
徐冷した前記シート状ガラスを切断する切断工程と、を含む。
前記成形炉の室内及び前記成形炉の室外の雰囲気のいずれか一方に接する前記成形炉の壁面に、ＳｉＣ焼結体の表面が用いられ、前記壁面となる前記ＳｉＣ焼結体の表面には、酸素を含む雰囲気中で前記ＳｉＣ焼結体を加熱することによって形成されたＳｉＯ₂を５０質量％以上含有する酸化皮膜が形成されており、
前記製造方法は、さらに、１２５０℃以上の加熱温度で８時間以上、前記ＳｉＣ焼結体の加熱処理を行う加熱工程を含み、
前記加熱工程は、前記成形炉組み立て前、及び、前記成形炉の組み立て後、前記シート状ガラスの成形前に行う工程であり、
前記酸化皮膜は、前記加熱工程において大気雰囲気で加熱されることで、前記ＳｉＣ焼結体の加熱処理を行うことにより前記ＳｉＣ焼結体に形成される。

上記形態のガラス板の製造方法では、成形炉を連続的に使用しても、成形炉の炉壁にひびが入ったり、炉壁の板部材が割れることなく、安定して長期間ガラス板を製造することができる。

本実施形態のガラス板の製造方法の工程図である。 本実施形態の熔解工程〜切断工程を行う装置を模式的に示す図である。 本実施形態の成形装置の成形炉を中心とした構成を説明する図ある。 （ａ），（ｂ）は、図３に示す成形炉に用いるＳｉＣ部材と酸化皮膜を説明する図である。 （ａ），（ｂ）は、加熱処理後のＳｉＣ部材のサンプルのキャスト面の画像を示す図である。

以下、本実施形態のガラス板の製造方法について説明する。

（ガラス板の製造方法の全体概要）
ガラス板の製造方法は、熔解工程（ＳＴ１）と、清澄工程（ＳＴ２）と、均質化工程（ＳＴ３）と、供給工程（ＳＴ４）と、成形工程（ＳＴ５）と、徐冷工程（ＳＴ６）と、切断工程（ＳＴ７）と、を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有し、梱包工程で積層された複数のガラス板は、納入先の業者に搬送される。

図２は、熔解工程（ＳＴ１）〜切断工程（ＳＴ７）を行う装置を模式的に示す図である。当該装置は、図２に示すように、主に熔解装置２００と、成形装置３００と、切断装置４００と、を有する。熔解装置２００は、熔解槽２０１と、清澄槽２０２と、攪拌槽２０３と、第１配管２０４と、第２配管２０５と、を有する。

熔解工程（ＳＴ１）では、熔解槽２０１内に供給されたガラス原料を、図示されない火焔および電気ヒータで加熱して熔解することで溶融ガラスを得る。
清澄工程（ＳＴ２）は、清澄槽２０２において行われ、清澄槽２０２内の溶融ガラスを加熱することにより、溶融ガラス中に含まれるＯ₂等の気泡が、清澄剤の酸化還元反応により成長し液面に浮上して放出される、あるいは、気泡中のガス成分が溶融ガラス中に吸収されて、気泡が消滅する。
均質化工程（ＳＴ３）では、第１配管２０４を通って供給された攪拌槽２０３内の溶融ガラスを、スターラを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。
供給工程（ＳＴ４）では、第２配管２０５を通して溶融ガラスが成形装置３００に供給される。

成形装置３００では、成形工程（ＳＴ５）及び徐冷工程（ＳＴ６）が行われる。
成形工程（ＳＴ５）では、溶融ガラスＭＧをシート状ガラスＧ（図３参照）に成形し、シート状ガラスＧの流れを作る。本実施形態では、後述する成形体１４を用いたオーバーフローダウンドロー法を用いる。徐冷工程（ＳＴ６）では、成形されて流れるシート状ガラスＧが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、熱収縮率が大きくならないように、冷却される。
切断工程（ＳＴ７）では、切断装置４００において、成形装置３００から供給されたシート状ガラスＧを所定の長さに切断することで、板状のガラス板を得る。切断されたガラス板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス板を作る。この後、ガラス板の端面の研削、研磨が行われ、ガラス板の洗浄が行われ、さらに、気泡や脈理等の異常欠陥の有無が検査された後、検査合格品のガラス板が最終製品として梱包される。

（成形装置の成形炉）
図３は、本実施形態の成形装置３００の成形炉１２を中心とした構成を説明する図ある。
成形炉１２は、成形体１４が室内に設けられ、オーバーダウンドロー法を用いた成形工程を行う炉である。成形炉１２で成形されるガラス板は、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板、有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板、カバーガラスに好適に用いられる。その他、携帯端末機器などのディスプレイや筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。特に、ポリシリコンＴＦＴを用いた液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。
成形炉１２は、図示されるように、ＳｉＣ焼結体からなる板状の３つのＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃを用いて組み立てられている。ＳｉＣ部材１６ａは、成形炉１２の天井面の部材として、ＳｉＣ部材１６ｂ，１６ｃは、成形炉１２の側壁の面の部材として用いられる。成形炉１２の室内１２ａは、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、間仕切り板２０と、によって囲まれて形成されている。ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、ＳｉＣが７０質量％以上含まれているセラミック焼結体をいう。

成形体１４は、図３に示すように断面が略５角形状あるいはくさび状を成し、図３の紙面に垂直方向に延びる細長い部材である。成形体１４の上面に、溶融ガラスＭＧを流す供給溝１８が設けられている。供給溝１８は、第２配管２０５と接続されている。
成形体１４は、図３の紙面に垂直方向の奥側から手前側に、成形体１４の上部に設けられた供給溝１８を通って溶融ガラスＭＧが流れるように、傾斜して配置されている。供給溝１８は、図３の紙面手前側で閉塞するとともに、この閉塞位置に近づくに従って供給溝１８の溝深さは浅くなっている。このため、供給溝１８に供給された溶融ガラスＭＧは、供給溝１８の両側からあふれ出して、二手に分かれ、成形体１４の両側の上面１４ａ，１４ａ、側面１４ｂ，１４ｂ及び下降傾斜面１４ｃ，１４ｃを通る。そして、二手に分かれた溶融ガラスＭＧは成形体１４の最下端稜線１４ｄで合流する。これにより、溶融ガラスＭＧは１つのシート状ガラスＧとなる。また、成形体１４には、溶融ガラスＭＧが上面１４ａ，１４ａ、側面１４ｂ，１４ｂ及び下降傾斜面１４ｃ，１４ｃを通るとき、溶融ガラスＭＧが上面１４ａ，１４ａ、側面１４ｂ，１４ｂ及び下降傾斜面１４ｃ，１４ｃからはみ出さないように、溶融ガラスＭＧをガイドする、図示されない土手状のガイド部が設けられている。

成形体１４の下方には、間仕切り板２０が設けられている。間仕切り板２０には、成形炉１２の室内１２ａの温度を一定に保つように断熱特性の優れた板状に固めた断熱部材あるいは断熱板が用いられている。間仕切り板２０の下方には、冷却ローラ２２が設けられ、この冷却ローラ２２は、間仕切り板２０の隙間を通過したシート状ガラスＧの両側端部を挟んで冷却するとともに、シート状ガラスＧを下方に引っ張るように構成されている。
また、図３の冷却ローラ２２の下方には、図示されない駆動ローラが設けられ、シート状ガラスＧを引っ張りながら徐冷する。このため、成形体１４の最下端稜線１４ｄで合流してできたシート状ガラスＧは、冷却ローラ２２と図示されない駆動ローラとによって下方に引っ張られながら、シート状ガラスＧの厚さが目標値になり、板厚がばらつかず一定に揃い、かつ、シート状ガラスＧに反りが生じないように調整される。すなわち、シート状ガラスＧは、炉内の雰囲気温度及びシート状ガラスＧの搬送速度が制御されて、適切に徐冷される。

成形炉１２の周りには、成形炉１２を取り囲むように外部炉壁２４が設けられている。外部炉壁１２は、耐火レンガを重ねて組み立てられている。成形炉１２の室外であり、外側炉壁１２により囲まれた外側室内には、外側室内を区画する隔壁２６ａ〜２６ｄが設けられ、隔壁２６ａ〜２６ｄで区切られた各空間には、発熱体２８が設けられている。発熱体２８により、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃを通して、成形炉１２の室内１２ａが設定された温度に加熱される。隔壁２６ａ〜２６ｄで区切られた成形炉１２の室外の各空間および成形炉１２の室内の空間の雰囲気は、いずれも酸素を含む。

（酸化皮膜）
上述の成形炉１２では、成形炉１２の室内及び成形炉１２の室外に接する雰囲気、すなわち成形炉１２の室内及び外側室内の雰囲気に接する成形炉１２の壁面に、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面が用いられる。このＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面には、ＳｉＣ焼結体の表面の酸化によりＳｉＯ₂を主成分とする酸化皮膜が形成されている。この酸化皮膜は、蛍光Ｘ線分析による定量分析で確認され得、ＳｉＯ₂の含有率は例えば７０質量％である。なお、上記主成分とは、含有率が５０質量％以上をいう。一方、上記酸化皮膜は、外観観察により、光沢のあるガラス状の皮膜として観察される。上記酸化皮膜はガラス状の皮膜であるので、気孔率が小さい。このため、酸化皮膜は酸素を遮断してＳｉＣ焼結体の内部酸化を抑制することが考えられる。なお、ＳｉＣ焼結体を加熱することにより形成した酸化皮膜のサンプルのＸ線回折の分析結果から、酸化皮膜の主成分であるＳｉＯ₂にはクリストバライトが含まれていることが確認されている。したがって、本実施形態の酸化皮膜には、クリストバライトが含まれてもよい。この場合、上述のガラス状の皮膜にクリストバライトが含まれる。
この酸化皮膜は、シート状ガラスＧを成形する成形工程時には、すでにＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面に形成されている。上記酸化皮膜は、ガラス板の製造のために行う成形炉１２の昇温の少なくとも前に、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの加熱処理が施されることにより形成される。
ガラス板の製造のために行う成形炉１２の昇温とは、溶融ガラスＭＧを流してシート状ガラスＧを成形するときに行う昇温である。具体的には、ガラス板の製造は、一端開始すると熔解装置２００、成形装置３００及び切断装置４００の修理、補修、あるいは取替えのためにガラス板の製造を中断するまで、連続的に行われる。例えば、成形装置３００の成形炉１２の取替えは必要となって、成形炉１２の取替えを行う場合、外部炉壁２４が取り外されて、成形炉１２が解体されて、再度成形炉１２がＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃで組み立てられて、最後に外部炉壁２４が組み立てられる。この後、ガラス板の製造のために行う成形炉１２の昇温、例えば、約１２００℃への昇温が行われる。
本実施形態では、ガラス板の製造のために行う成形炉１２の昇温の前に、成形炉１２の炉壁のうち、成形炉１２の室内の雰囲気に接する成形炉１２の壁面（この壁面を成形炉１２の内壁面という）、及び成形炉１２の外側室内の雰囲気に接する成形炉１２の壁面（この壁面を成形炉１２の外壁面という）にＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの酸化皮膜が形成されるように加熱処理が施される。すなわち、本実施形態では、成形炉１２の内壁面及び外壁面には、成形炉１２の組み立て後、ガラス板の製造のために行う成形炉１２の昇温の前に加熱処理が行われる。

このように、ガラス板の製造のために行う成形炉１２の昇温の前に、成形炉１２の内壁面及び外壁面であるＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面にＳｉＣ焼結体の酸化皮膜が形成されるのは、成形炉１２を連続的に使用しても、成形炉１２の炉壁にひびが入ったり、炉壁であるＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃが割れることなく、安定して長期間ガラス板を製造することができるためである。
成形炉１２の昇温の前に、成形炉１２の内壁面及び外壁面にＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの酸化皮膜が形成されない場合、数１０時間といった短時間で、成形炉１２の炉壁にひびが入ったり割れが発生する場合もある。すなわち、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの酸化皮膜が形成されない場合、成形工程時における成形炉１２内の雰囲気中でＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの酸化が内部に進行する。この酸化の進行によって生じる膨張によってＳｉＣ部材が変形してひびが入り、あるいは割れる。

ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、例えば、図４（ａ）に示すように、鋳造後焼成された長方形の板部材であるが、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃに施す加熱処理により意図的に酸化皮膜を形成することで、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、成形工程時における成形炉１２内の室内及び室外の雰囲気中で起こる酸化の進行を抑制することができる。上記加熱処理は、再焼成処理とも呼ばれる。
したがって、図４（ｂ）に示すように、成形炉１２のガラス板の製造のための昇温の前に、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面にＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの酸化皮膜３０が形成される。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの断面を示す図である。

また、酸化皮膜が形成される加熱処理は、成形炉１２の組み立て前に行う処理であり、この加熱処理では、大気雰囲気で加熱されることで、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面に酸化皮膜３０が形成されてもよい。この場合、酸化皮膜３０が形成された面を成形炉１２の内壁面及び外壁面に向けて組み立てるとよい。組み立て前のＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃのそれぞれに酸化皮膜を形成する加熱処理を施すことにより、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの表面全体に確実に酸化皮膜３０を形成させることができる。

このような加熱処理により形成される酸化皮膜は、セラミック焼結体であるＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃが鋳造及び焼成にて製造されるとき、表面に形成された皮膜にさらに付加して意図的に形成された皮膜である。したがって、加熱処理により得られる酸化皮膜は、セラミック焼結体が製造されたときに形成された酸化皮膜に比べて膜厚は厚い。

本実施形態では、成形炉１２の室内及び室外の双方の雰囲気に接する表面（成形炉１２の内壁面及び外壁面）に酸化皮膜３０を形成するが、成形炉１２の室内及び室外の一方の表面（成形炉１２の内壁面及び外壁面の一方の表面）、より好ましくは、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの内部への酸化の進行の早い方の表面に、酸化皮膜３０を形成してもよい。

なお、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、１２５０℃以上の温度雰囲気で、８時間以上加熱されることにより、酸化皮膜３０が形成されることが、後述する実施例からわかるように、好ましい。
酸化皮膜３０は、成形工程における成形炉１２の壁面（内壁面及び外壁面）の温度より高い温度で加熱処理されることにより、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃに形成されることが好ましい。成形工程時の成形炉１２壁面の温度より高い温度で酸化皮膜３０を形成することにより、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃ中の酸化の進行の程度をより強く抑制することができる。
また、ＳｉＣ部材は鋳込み成形品であり、このとき、鋳込み成形品のキャスト面が成形炉１２の内壁面及び外壁面の少なくとも一方に用いられることが好ましい。キャスト面は、鋳型と接する面であり、気孔率が低く、キャスト面の近傍には、ＳｉＣ焼結体が密に存在する。このため、キャスト面には、上記加熱処理により、ＳｉＣの酸化の進行をより強く抑制する酸化皮膜を形成することができる。
また、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの気孔率は２０％以下であることが好ましい。気孔率を２０％以下とすることにより、ＳｉＣ焼結体が密に存在するため、上記加熱処理により、ＳｉＣの酸化の進行をより強く抑制する酸化皮膜を形成することができる。なお、気孔率は、ＪＩＳ Ｒ ２２０５：１９９２に準拠して計測される。

［実施例１］
本実施形態のＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃに酸化皮膜を形成する加熱処理の好ましい条件を調べるために、ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃのサンプルを用いて、加熱温度と加熱時間の条件を種々変化させて酸化皮膜の形成の有無を調べた。サンプルは５０ｍｍ×５０ｍｍ×２５ｍｍの形状寸法を有する。
ＳｉＣ部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃのサンプルとして、ＳｉＣ含有率が７４質量％で気孔率が１４％、嵩比重が２．５７ｇ／ｃｍ³、熱膨張係数３．５×１０^-6Ｋ^-1の市販の板状のＳｉＣ焼結体を用いた。サンプルは、キャスト面を有するようにＳｉＣ板部材から切り出した。
まず、１０００℃の炉に投入する前に、熱衝撃によるサンプルの破損を避けるために、４００℃でサンプルを予備加熱した。その後、後述する各加熱温度まで、１．２℃／分の速度で昇温した。

酸化皮膜の形成の有無は、サンプルのキャスト面を１８０倍の光学顕微鏡で拡大して表面観察を行うことで判断した。具体的には、キャスト面全体が光沢のある面となっている場合、酸化皮膜が全面に形成されている、と判断した。それ以外の場合、酸化皮膜は形成されないと判断した。
図５（ａ）は、１２７０℃（加熱温度）、８時間（加熱時間）の条件で加熱処理したキャスト面の画像である。図５（ｂ）は、１２００℃（加熱温度）、８時間（加熱時間）の条件で加熱処理したキャスト面の画像である。図５（ａ），（ｂ）では、判別され難いが、光沢の有り無しが見られる。

下記表１は、加熱時間を８時間に固定して、加熱温度を１１７０℃〜１４５０℃の範囲で変化させたときの、酸化皮膜の形成の有無の結果を示す。

上記表１より、１２５０℃以上の加熱温度により酸化皮膜が形成されることがわかる。１２５０〜１４５０℃において酸化皮膜が形成されていることがわかる。１４５０℃以上の加熱温度は、工業的に価値がないが、特性上、１４５０℃以上であっても酸化皮膜を形成することができるといえる。

下記表２は、加熱温度を１２５０℃に固定して、加熱時間を３〜１８時間の範囲で変化させたときの、酸化皮膜の形成の有無の結果を示す。

上記表２より、１２５０℃の加熱温度で８時間以上の加熱温度により酸化皮膜が形成されることがわかる。加熱時間８〜１８時間において酸化皮膜が形成されていることがわかる。１８時間以上の加熱時間は、工業的に価値がないが、特性上、１８時間以上の加熱時間であっても酸化皮膜を形成することができるといえる。

以上より、１２５０℃（加熱温度）及び８時間（加熱時間）の条件で、図２，３に示す装置を用いてガラス板を連続製造したところ、成形炉１２は、１年６月経ても内壁面にひびや割れは見られなかった。１１００℃（加熱温度）及び７２時間（加熱時間）の条件で、図２，３に示す装置を用いてガラス板を連続製造したところ、成形炉１２は、２日後に壁にヒビが見られた。
これより、本実施形態で形成される酸化皮膜は、１２５０℃（加熱温度）、８時間（加熱時間）の条件で加熱処理をすることが好ましいことがわかる。

以上、本発明のガラス板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１２ 成形炉
１２ａ 室内
１４ 成形体
１４ａ 上面
１４ｂ 側面
１４ｃ 下降傾斜面
１４ｄ 最下端稜線
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ ＳｉＣ部材
１８ 供給溝
２０ 間仕切り板
２２ 冷却ローラ
２４ 外部炉壁
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ 隔壁
２８ 発熱体
３０ 酸化皮膜
２００ 熔解装置
２０１ 熔解槽
２０２ 清澄槽
２０３ 攪拌槽
２０４ 第１配管
２０５ 第２配管
３００ 成形装置
４００ 切断装置

Claims (5)

1. ガラス板を製造するガラス板の製造方法であって、
   ガラス原料を熔解して溶融ガラスをつくる熔解工程と、
   成形炉の室内に設けられた成形体を用いて、前記溶融ガラスからダウンドロー法でシート状ガラスを成形する成形工程と、
   成形された前記シート状ガラスを徐冷する徐冷工程と、
   徐冷した前記シート状ガラスを切断する切断工程と、を含み、
   前記成形炉の室内及び前記成形炉の室外の雰囲気のいずれか一方に接する前記成形炉の壁面に、ＳｉＣ焼結体の表面が用いられ、前記壁面となる前記ＳｉＣ焼結体の表面には、酸素を含む雰囲気中で前記ＳｉＣ焼結体を加熱することによって形成されたＳｉＯ₂を５０質量％以上含有する酸化皮膜が形成されており、
   前記製造方法は、さらに、１２５０℃以上の加熱温度で８時間以上、前記ＳｉＣ焼結体の加熱処理を行う加熱工程を含み、
   前記加熱工程は、前記成形炉組み立て前、及び、前記成形炉の組み立て後、前記シート状ガラスの成形前に行う工程であり、
   前記酸化皮膜は、前記加熱工程において大気雰囲気で加熱されることで、前記ＳｉＣ焼結体の加熱処理を行うことにより前記ＳｉＣ焼結体に形成されることを特徴とするガラス板の製造方法。
2. 前記酸化皮膜は、クリストバライトを含んでいる、請求項１に記載のガラス板の製造方法。
3. 前記酸化皮膜は、前記成形工程における前記室内あるいは前記室外の雰囲気に接する前記成形炉の壁面の温度より高い温度で加熱処理されることにより、前記ＳｉＣ焼結体に形成される、請求項１または２に記載のガラス板の製造方法。
4. 前記ＳｉＣ焼結体は鋳込み成形品であり、前記鋳込み成形品のキャスト面が前記室内あるいは前記室外の雰囲気に接する前記成形炉の壁面に用いられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
5. 前記ＳｉＣ焼結体の気孔率が２０％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。

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