JP5961974B2 - 虚像現出装飾体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、規則的に配設された画素ユニットと、画素ユニットを覆う位置に規則的に配設されたレンズ状の集光素とを備え、画素ユニットに形成されている画像が拡大された虚像を現出させる虚像現出装飾体の製造方法に関する。

従来から、規則的に配設された画素ユニットと、画素ユニットを覆う位置に規則的に配設されたレンズ状の集光素とを備え、画素ユニットに形成されている画像が拡大された虚像を現出させる虚像現出装飾体が知られている。
また、液状体を吐出する吐出ヘッドを備え、吐出した液滴を被描画媒体の任意の位置に着弾させることによって、被描画媒体上に任意の画像などを描画する描画装置（液滴吐出装置）が知られている。例えばインクジェット方式の吐出ヘッドを備える描画装置（液滴吐出装置）は、所定の量のインクを所定の位置に精度よく配置することができる。配置したインクを硬化させることによって、精密な形状を有する機能膜や、微細な画像などを形成することができる。光学材料を含む液状体を吐出して、レンズを形成することもできる。

特許文献１には、格子状に配列されたレンズ状の集光素からなる平凸レンズ状集光層と、集光素の格子の枡目の大きさに対して２０〜８０％の大きさに形成された画素（画素ユニット）からなる画像（ユニット集合体）を形成することで、いかなる文字列も虚像として上方又は下方に現出させることができるとする虚像現出装飾体が開示されている。

特開２００５−７５９３号公報

画素ユニットと集光素とが配設されており、画素ユニットの画像の拡大虚像が形成される画像表示領域には、配設された集光素の間に、透過する光が集光されない部分が存在する。当該部分を集光素間部と表記する。集光素を透過することで集光される光によって虚像が形成される。集光素間部を透過した光は、虚像の階調に影響をあたえる。集光素間部を透過する光は、画素ユニットにおける集光素を介して視認できる部分以外の部分からの光であり、その光量は画素ユニットの画像を構成する画素ドットにおける集光素を介して視認できる部分以外の部分に配設された画素ドットの影響を受ける。虚像の画像部分は、集光素を介して視認される画素ドットであり、虚像の画像部分の階調は、略画素ドット自体の階調である。虚像の背景部分は、集光素を介して視認される画素ユニットの背景部分であり、虚像の背景部分の階調は、略画素ユニットの背景部分の階調である。多くの場合、画素ユニットの画像は、薄い階調の背景色の中に濃い階調の画素ドットを配置して形成される。このため、集光素間部を透過した光の影響による虚像の階調差は、虚像の中の背景部分に顕著に現れる。したがって、画像表示領域に形成される虚像の背景部分の階調は、当該画像表示領域の画素ユニットにおける画素ドットの数によって、異なる階調となる。
しかしながら、複数の画像表示領域を備える虚像現出装飾体において、隣り合う画像表示領域に形成される虚像は同じ虚像とは限らない。異なる虚像が並ぶ場合、各虚像の背景濃度が不均一になるという課題があった。例えば文字の虚像を形成する場合には、文字の背景の階調が、文字を構成している画素ドットの数によって影響を受ける。文字を構成する画素ドットの数は文字ごとに異なる。このため、異なる文字が並ぶ場合、各文字の背景濃度が不均一になるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法は、画素ユニットが規則的に２次元配列されたユニット集合体と、複数のレンズ体のそれぞれのレンズ体が前記画素ユニットの位置と関連付けられた位置に配設されたレンズ集合体と、を備える画像表示部を備える虚像現出装飾体の製造方法であって、前記画素ユニットは、所定の位置関係に配置された画素ドットを備え、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を、基準とする前記ユニット集合体である基準ユニット集合体における前記画素ドットの総数に近づけるように補正する補正工程を有することを特徴とする。

本適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法によれば、補正工程において、ユニット集合体における画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけるように補正する。
画像表示部には、配設されたレンズ体の間に、透過する光が集光されない部分が存在する。当該部分をレンズ体間部と表記する。レンズ体を透過することで集光される光によって、画素ユニットの虚像が形成される。レンズ体間部を透過した光は、虚像の階調に影響をあたえる。レンズ体間部を透過する光は、画素ユニットにおけるレンズ体を介して視認できる部分以外の部分からの光である。レンズ体間部を透過する光の光量は、画素ユニットの画像を構成する画素ドットにおけるレンズ体を介して視認できる部分以外の部分に配設された画素ドットの影響を受ける。虚像の画像部分は、レンズ体を介して視認される画素ドットであり、虚像の画像部分の階調は、略画素ドット自体の階調である。虚像の背景部分は、レンズ体を介して視認される画素ユニットの背景部分であり、虚像の背景部分の階調は、略画素ユニットの背景部分の階調である。多くの場合、画素ユニットの画像は、薄い階調の背景色の中に濃い階調の画素ドットを配置して形成される。このため、レンズ体間部を透過した光の影響による虚像の階調差は、虚像の中の背景部分に顕著に現れる。したがって、虚像の背景部分の階調は、画素ユニットにおける画素ドットの数によって、異なる階調となる。言い換えると、画像表示部に形成される虚像の階調は、当該画像表示部のユニット集合体を構成する画素ドットの総数に依存して定まる階調となる。
ユニット集合体における画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけるように補正することで、画像表示部に形成される虚像の階調を、基準ユニット集合体を備える画像表示部に形成される虚像の階調に近づけることができる。

［適用例２］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、前記虚像現出装飾体は複数の前記画像表示部を備え、前記補正工程においては、前記虚像現出装飾体が備える複数の前記画像表示部のひとつが備える前記ユニット集合体を、前記基準ユニット集合体として、前記画素ドットの総数を補正することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、虚像現出装飾体が備える画像表示部のひとつが備えるユニット集合体を基準ユニット集合体として、画素ドットの総数を補正する。基準ユニット集合体においては、画素ドットの総数を補正することが不要であるため、虚像現出装飾体における補正工程を効率よく実施することができる。

［適用例３］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、前記ユニット集合体に、追加画素ドットを配置することで、前記ユニット集合体における前記画素ドットの数を増加させることによって、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を補正することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、ユニット集合体に、追加画素ドットを配置することで、画素ドットの数を増加させることによって、ユニット集合体における画素ドットの総数を補正する。基準ユニット集合体にくらべて画素ドットの総数が少ないユニット集合体に、追加画素ドットを配置することで、当該ユニット集合体における画素ドットの数を増加させて、画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけることができる。

［適用例４］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、前記ユニット集合体が備える前記画素ユニットの一部を、前記画素ユニットを構成する前記画素ドットの一部が削除された画素減少ユニットにすることで、前記ユニット集合体における前記画素ドットの数を減少させることによって、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を補正することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、画素ユニットを構成する画素ドットの中の、削減画素ドットとして選択された画素ドット以外の画素ドットによって画素ユニットを構成することで、ユニット集合体における画素ドットの数を減少させることによって、ユニット集合体における画素ドットの総数を補正する。すなわち、画素ドットの中から削減画素ドットを選択し、削減画素ドットを削除した画素ユニットを構成する。基準ユニット集合体にくらべて画素ドットの総数が多いユニット集合体において、削減画素ドットを削除した画素ユニットを構成することで、当該ユニット集合体における画素ドットの数を減少させて、画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけることができる。

［適用例５］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、前記虚像現出装飾体は３個以上の前記画像表示部を備え、３個以上の前記画像表示部における、少なくともひとつの前記画像表示部においては、前記ユニット集合体に、追加画素ドットを配置することで、前記ユニット集合体における前記画素ドットの数を増加させることによって、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を補正し、少なくともひとつの前記画像表示部においては、前記ユニット集合体が備える前記画素ユニットの一部を、前記画素ユニットを構成する前記画素ドットの一部が削除された画素減少ユニットにすることで、前記画素ドットの数を減少させることによって前記画素ドットの総数を補正することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、虚像現出装飾体において、画素ドットの数を増加させることによって画素ドットの総数を補正するユニット集合体と、画素ドットの数を減少させることによって画素ドットの総数を補正するユニット集合体とが、存在する。したがって、基準ユニット集合体における画素ドットの総数の数値は、虚像現出装飾体が備える３個以上のユニット集合体のそれぞれにおける画素ドットの総数の数値の中の、中間の数値である。基準ユニット集合体における画素ドットの総数の数値を中間の数値にすることで、基準ユニット集合体における画素ドットの総数の数値を最大又は最小の数値にする場合にくらべて、ユニット集合体において増加させる追加画素ドットの数の、虚像現出装飾体における最大値を小さくすることができる。また、ユニット集合体において、削減画素ドットとして選択され、形成される画素ドットから除外される画素ドットの数の、虚像現出装飾体における最大値を小さくすることができる。さらに、追加画素ドットの数と、削減画素ドットとして選択される数との和を小さくすることができる。
これらにより、ユニット集合体における画素ドットの総数を補正することによる画素ドットの総数の変化を、少なくすることができる。すなわち、ユニット集合体における画素ドットの総数を補正することによる、画像表示部に現出する虚像の階調の変化量を小さくすることができる。

［適用例６］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、前記追加画素ドットの前記ユニット集合体における配設位置、又は前記削減画素ドットとして選択する前記画素ドットの前記ユニット集合体における位置の少なくとも一方を、ランダムディザパターンに基づいて決定することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、追加画素ドットの配設位置、又は削減画素ドットとして選択する画素ドットの位置を、ランダムディザパターンに基づいて決定する。これにより、追加画素ドットの配設位置、又は削減画素ドットとして選択する画素ドットの位置が、規則性を有する位置になることを抑制することができる。
追加画素ドットは、単独で存在する状態では、レンズ体を介しても視認され難い。しかし、近くに位置する画素ユニットにおいて、略同じ位置に追加画素ドットが配設されると、複数の追加画素ドットがかたまって見えるため、視認されやすくなる。画素ユニットは規則的に配列されているため、追加画素ドットが規則的に配列されると、画素ユニットにおいて、略同じ位置に追加画素ドットが配設される可能性が高くなる。追加画素ドットが規則的に配列されることを抑制することで、追加画素ドットが規則的に配列されることに起因して追加画素ドットが視認されやすくなることを、抑制することができる。
削減画素ドットとして選択されて画素ドットが省略された部分は、単独で存在する状態では、レンズ体を介しても視認され難い。しかし、近くに位置する画素ユニットにおいて、略同じ位置の画素ドットが省略されると、画素ドットが省略された部分がかたまって見えるため、視認されやすくなる。画素ユニットは規則的に配列されているため、削減画素ドットの位置が規則的に選択されると、複数の画素ユニットにおいて、略同じ位置の画素ドットが省略される可能性が高くなる。削減画素ドットの位置が規則的に選択されることを抑制することで、削減画素ドットの位置が規則的に選択されることに起因して画素ドットが省略された部分が視認されやすくなることを、抑制することができる。

［適用例７］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、前記追加画素ドットの前記ユニット集合体における配設位置、又は前記削減画素ドットとして選択する前記画素ドットの前記ユニット集合体における位置の少なくとも一方を、フィボナッチ数列に基づくパターンによって決定することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、追加画素ドットの配設位置、又は削減画素ドットとして選択する画素ドットの位置を、フィボナッチ数列に基づくパターンによって決定する。これにより、追加画素ドットの配設位置、又は削減画素ドットとして選択する画素ドットの位置が、規則性を有する位置になることを抑制することができる。
追加画素ドットは、単独で存在する状態では、レンズ体を介しても視認され難い。しかし、近くに位置する画素ユニットにおいて、略同じ位置に追加画素ドットが配設されると、複数の追加画素ドットがかたまって見えるため、視認されやすくなる。画素ユニットは規則的に配列されているため、追加画素ドットが規則的に配列されると、画素ユニットにおいて、略同じ位置に追加画素ドットが配設される可能性が高くなる。追加画素ドットが規則的に配列されることを抑制することで、追加画素ドットが規則的に配列されることに起因して追加画素ドットが視認されやすくなることを、抑制することができる。
削減画素ドットとして選択されて画素ドットが省略された部分は、単独で存在する状態では、レンズ体を介しても視認され難い。しかし、近くに位置する画素ユニットにおいて、略同じ位置の画素ドットが省略されると、画素ドットが省略された部分がかたまって見えるため、視認されやすくなる。画素ユニットは規則的に配列されているため、削減画素ドットの位置が規則的に選択されると、複数の画素ユニットにおいて、略同じ位置の画素ドットが省略される可能性が高くなる。削減画素ドットの位置が規則的に選択されることを抑制することで、削減画素ドットの位置が規則的に選択されることに起因して画素ドットが省略された部分が視認されやすくなることを、抑制することができる。

［適用例８］上記適用例にかかる虚像現出装飾体の製造方法において、液状体を液滴として吐出し、被描画媒体上に着弾させることによって、前記被描画媒体上に前記液状体を配置する液滴吐出装置を用いて、前記画素ドットの材料を配置することが好ましい。

この虚像現出装飾体の製造方法によれば、液滴吐出装置を用いて、画素ドットの材料を配置する。すなわち、液滴吐出装置を用いて、所定の位置関係に配置された画素ドットを備える画素ユニットを描画する。これにより、正確な大きさの画素ドットが正確な位置関係に配置された画素ユニットを形成することができる。

［適用例９］本適用例にかかる虚像現出装飾体は、画素ユニットが規則的に２次元配列されたユニット集合体と、複数のレンズ体のそれぞれのレンズ体が前記画素ユニットの位置と関連付けられた位置に配設されたレンズ集合体と、を備える画像表示部を備える虚像現出装飾体であって、前記画素ユニットは、所定の位置関係に配置された画素ドットを備え、前記ユニット集合体には、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を、基準とする前記ユニット集合体である基準ユニット集合体における前記画素ドットの総数に近づけるように補正するための追加画素ドットが配設されていることを特徴とする。

本適用例にかかる虚像現出装飾体によれば、ユニット集合体には、ユニット集合体における画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけるように補正するための追加画素ドットが配設されている。
画像表示部には、配設されたレンズ体の間に、透過する光が集光されない部分が存在する。当該部分をレンズ体間部と表記する。レンズ体を透過することで集光される光によって、画素ユニットの虚像が形成される。レンズ体間部を透過した光は、虚像の階調に影響をあたえる。レンズ体間部を透過する光は、画素ユニットにおけるレンズ体を介して視認できる部分以外の部分からの光である。レンズ体間部を透過する光の光量は、画素ユニットの画像を構成する画素ドットにおけるレンズ体を介して視認できる部分以外の部分に配設された画素ドットの影響を受ける。虚像の画像部分は、レンズ体を介して視認される画素ドットであり、虚像の画像部分の階調は、略画素ドット自体の階調である。虚像の背景部分は、レンズ体を介して視認される画素ユニットの背景部分であり、虚像の背景部分の階調は、略画素ユニットの背景部分の階調である。多くの場合、画素ユニットの画像は、薄い階調の背景色の中に濃い階調の画素ドットを配置して形成される。このため、レンズ体間部を透過した光の影響による虚像の階調差は、虚像の中の背景部分に顕著に現れる。したがって、虚像の背景部分の階調は、画素ユニットにおける画素ドットの数によって、異なる階調となる。このように、画像表示部に形成される虚像の階調は、当該画像表示部のユニット集合体を構成する画素ドットの総数に依存して定まる階調となる。
ユニット集合体には、ユニット集合体における画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけるように補正するための追加画素ドットが配設されている。追加画素ドットを配設して、ユニット集合体における画素ドットの総数を、基準ユニット集合体における画素ドットの総数に近づけるように補正することで、画像表示部に形成される虚像の階調を、基準ユニット集合体を備える画像表示部に形成される虚像の階調に近づけることができる。

［適用例１０］本適用例にかかる虚像現出装飾体は、画素ユニットが規則的に２次元配列されたユニット集合体と、複数のレンズ体のそれぞれのレンズ体が前記画素ユニットの位置と関連付けられた位置に配設されたレンズ集合体と、を備える画像表示部を備える虚像現出装飾体であって、前記画素ユニットは、所定の位置関係に配置された画素ドットを備え、前記ユニット集合体は、前記画素ユニットを構成する前記画素ドットから、一部の前記画素ドットが削除された画素減少ユニットを含むことを特徴とする。

本適用例にかかる虚像現出装飾体によれば、ユニット集合体は、画素ユニットを構成する画素ドットから、一部の画素ドットが削除された画素減少ユニットを含んでいる。
画像表示部には、配設されたレンズ体の間に、透過する光が集光されない部分が存在する。当該部分をレンズ体間部と表記する。レンズ体を透過することで集光される光によって、画素ユニットの虚像が形成される。レンズ体間部を透過した光は、虚像の階調に影響をあたえる。レンズ体間部を透過する光は、画素ユニットにおけるレンズ体を介して視認できる部分以外の部分からの光である。レンズ体間部を透過する光の光量は、画素ユニットの画像を構成する画素ドットにおけるレンズ体を介して視認できる部分以外の部分に配設された画素ドットの影響を受ける。多くの場合、画素ユニットの画像は、薄い階調の背景色の中に濃い階調の画素ドットを配置して形成される。したがって、画素ドットの数が減少すると、画素ユニットに形成される虚像の階調は、より薄い階調となる。
一部の画素ドットが削除された画素減少ユニットが存在するユニット集合体では、画素減少ユニットが存在しないユニット集合体にくらべて、レンズ体を介して視認できる部分以外の部分に配設された画素ドットの数が減少する。これにより、画素減少ユニットが存在することで、画素減少ユニットが存在しない場合にくらべて、画像表示部に形成される虚像の階調を、より薄い階調にすることができる。ユニット集合体に含まれる画素減少ユニットの数によって、画像表示部に形成される虚像の階調を調整することができる。

（ａ）は、液滴吐出装置全体の概略構成を示す外観斜視図。（ｂ）は、液滴吐出装置が備える液滴吐出ヘッドの概略構成を示す外観斜視図。 （ａ）は、吐出ノズルの配置位置を示す説明図。（ｂ）は、液滴をノズル列の延在方向に直線状に着弾させた状態を示す説明図。（ｃ）は、液滴を吐出走査方向に直線状に着弾させた状態を示す説明図。（ｄ）は、液滴を面状に着弾させた状態を示す説明図。 （ａ）は、虚像現出装飾体の構成の要部を示す断面図。（ｂ）は、虚像現出装飾体に形成される虚像を示す模式平面図。 （ａ）は、虚像現出装飾体のレンズアレイの構成を示す平面図。（ｂ）は、レンズアレイの拡大平面図。（ｃ）は、虚像現出装飾体の画素集合体の構成を示す平面図。（ｄ）は、画素集合体の拡大平面図。（ｅ）は、虚像現出装飾体のレンズアレイと画素集合体との構成を示す平面図。（ｆ）は、レンズアレイと画素集合体との拡大平面図。 （ａ）は、虚像現出装飾体における、画素ユニットを備える画素集合体の構成を示す平面図。（ｂ）は、画素集合体における、画素ユニットの構成を示す平面図。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、画素ユニットを画素ドットで示した説明図。（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、及び（ｈ）は、画素ユニットを画素ドット区画で示した説明図。 （ａ）は、画素ドット数補正工程を示すフローチャート。（ｂ）は、画素ドット数を補正する過程で用いる画素ドットの数などを示す図。 （ａ）は、ランダムディザマスクの例を示す図。（ｂ）は、（ａ）に示したランダムディザマスクの拡大図。（ｃ）は、フィボナッチ数列を用いた非重複螺旋配置の例を示す図。 （ａ）は、基準画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図。（ｂ）は、画素ドットを減少させた画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図。（ｃ）は、画素ドットを増加させた画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図。（ｄ）は、画素ドットを減少させた画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図。

以下、本発明に係る虚像現出装飾体の製造方法、及び虚像現出装飾体の一実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態は、インクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、虚像現出装飾体が備える画像表示部が備えるユニット集合体を構成する画素ユニットの画素ドットを描画することによって、画像表示部を形成する工程を例にして説明する。液滴吐出装置は、液滴吐出ヘッドと被描画媒体とを相対移動させると共に、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから機能液の液滴を吐出して、被描画媒体上の所定の位置に着弾させることによって、所定の画像などを形成する装置である。なお、以下の説明において参照する図面では、図示の便宜上、部材又は部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。

＜液滴吐出装置＞
最初に、液滴吐出装置１について、図１を参照して説明する。図１は、液滴吐出装置の概略構成を示す外観斜視図である。図１（ａ）は、液滴吐出装置全体の概略構成を示す外観斜視図であり、図１（ｂ）は、液滴吐出装置が備える液滴吐出ヘッドの概略構成を示す外観斜視図である。

図１に示すように、液滴吐出装置１は、ヘッド機構部２と、ワーク機構部３と、機能液供給部４と、メンテナンス装置部５と、吐出装置制御部７と、を備えている。ヘッド機構部２は、機能液を液滴として吐出する液滴吐出ヘッド２０を備えている。ヘッド機構部２は、また、図示省略した紫外線照射部を有している。ワーク機構部３は、液滴吐出ヘッド２０から吐出された液滴の吐出対象（描画対象物）であるワークＷを載置するワーク載置台３３を備えている。機能液供給部４は、液滴吐出ヘッド２０へ機能液を供給する。メンテナンス装置部５は、液滴吐出ヘッド２０の保守を行う。吐出装置制御部７は、これら各機構部などを総括的に制御する。さらに、液滴吐出装置１は、床上に設置された複数の支持脚８と、支持脚８の上側に設置された定盤９とを備えている。

定盤９の上面には、ワーク機構部３が配設されている。ワーク機構部３は、定盤９の長手方向（Ｘ軸方向）に延在している。ワーク機構部３の上方には、定盤９に固定された２本の支持柱で支持されているヘッド機構部２が配設されている。ヘッド機構部２は、ワーク機構部３と略直交する方向（Ｙ軸方向）に延在している。定盤９の傍らには、ヘッド機構部２の液滴吐出ヘッド２０に連通する供給管を有する機能液供給部４の機能液タンクなどが配置されている。ヘッド機構部２の一方の支持柱の近傍には、メンテナンス装置部５がワーク機構部３と並んでＸ軸方向に延在して配設されている。さらに、定盤９の下側に、吐出装置制御部７が収容されている。

ヘッド機構部２は、液滴吐出ヘッド２０を有するヘッドユニット２１と、ヘッドユニット２１を支持するヘッドキャリッジ２２とを備えている。ヘッドキャリッジ２２をＹ軸方向に移動させることで、液滴吐出ヘッド２０をＹ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。ワーク機構部３は、ワーク載置台３３をＸ軸方向に移動させることで、ワーク載置台３３に載置されたワークＷをＸ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。

液滴吐出ヘッド２０を、Ｙ軸方向の吐出位置まで移動させて停止させ、下方にあるワークＷのＸ軸方向の移動に同調させて、機能液を液滴として吐出させる。液滴吐出ヘッド２０からの機能液の吐出をともなう、液滴吐出ヘッド２０とワークＷとの相対移動方向（走査方向）であるＸ軸方向を、吐出走査方向と表記する。
Ｘ軸方向に移動させるワークＷと、Ｙ軸方向に移動させる液滴吐出ヘッド２０とを相対的に制御することにより、ワークＷ上の任意の位置に液滴を着弾させることで、所望する描画などを行うことが可能である。

図１（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド２０は、ノズル基板２５を備えている。ノズル基板２５には、多数の吐出ノズル２４が略一直線状に並んだノズル列２４Ａが２列形成されている。吐出ノズル２４から機能液を液滴として吐出し、対向する位置にあるワークＷなどに着弾させることで、当該位置に機能液を配置する。ノズル列２４Ａは、液滴吐出ヘッド２０が液滴吐出装置１に装着された状態で、図１（ａ）に示したＹ軸方向に延在している。ノズル列２４Ａにおいて吐出ノズル２４は等間隔のノズルピッチで並んでおり、２列のノズル列２４Ａ間で、吐出ノズル２４の位置がＹ軸方向に半ノズルピッチずれている。したがって、液滴吐出ヘッド２０としては、Ｙ軸方向に半ノズルピッチ間隔で機能液の液滴を配置することができる。

Ｙ軸方向の描画範囲を広げるためには、液滴吐出ヘッド２０をＹ軸方向に連ねてもよいし、液滴吐出ヘッド２０をＹ軸方向に移動させて、液滴吐出ヘッド２０のＹ軸方向における位置ごとに、ワークＷのＸ軸方向の移動と液滴吐出ヘッド２０からの吐出を実施してもよい。
Ｙ軸方向の液滴の配置ピッチを小さくするためには、複数の液滴吐出ヘッド２０を、Ｙ軸方向における吐出ノズル２４の位置を互いにずらしてＸ軸方向に並べてもよいし、３列以上のノズル列を備える液滴吐出ヘッドを用いてもよい。もちろん、製造可能な範囲であれば、ノズルピッチが小さい液滴吐出ヘッドを用いることもできる。

＜着弾位置＞
次に、液滴吐出ヘッド２０の吐出ノズル２４と、それぞれの吐出ノズル２４から吐出された液滴の着弾位置と、の関係について、図２を参照して説明する。図２は、吐出ノズルと、それぞれの吐出ノズルから吐出された液滴の着弾位置と、の関係を示す説明図である。図２（ａ）は、吐出ノズルの配置位置を示す説明図であり、図２（ｂ）は、液滴をノズル列の延在方向に直線状に着弾させた状態を示す説明図であり、図２（ｃ）は、液滴を吐出走査方向に直線状に着弾させた状態を示す説明図であり、図２（ｄ）は、液滴を面状に着弾させた状態を示す説明図である。図２に示したＸ軸方向及びＹ軸方向は、ヘッドユニット２１が液滴吐出装置１に取り付けられた状態において、図１に示したＸ軸方向又はＹ軸方向と一致している。Ｘ軸方向が吐出走査方向であって、図２に示した矢印ａの方向に吐出ノズル２４（液滴吐出ヘッド２０）を相対移動させながら、任意の位置において機能液の液滴を吐出することによって、Ｘ軸方向の任意の位置に液滴を着弾させることができる。

図２（ａ）に示すように、ノズル列２４Ａを構成する吐出ノズル２４は、Ｙ軸方向にノズルピッチＰの中心間距離で配列されている。上述したように、２列のノズル列２４Ａをそれぞれ構成する吐出ノズル２４同士は、Ｙ軸方向において、相互に、ノズルピッチＰの１／２ずつ位置がずれている。

図２（ｂ）に示すように、着弾位置を示す着弾点９１と、着弾した液滴の濡れ広がり状態を示す着弾円９１Ａとで、着弾した１滴の液滴の状態を示している。２列のノズル列２４Ａの全部の吐出ノズル２４から、図２（ｂ）に二点鎖線で示した仮想線Ｌ上に着弾させるタイミングで、それぞれ液滴を吐出させることによって、ノズルピッチＰの１／２の中心間間隔で着弾円９１Ａが直線状に連なるパターンが形成される。

図２（ｃ）に示すように、一つの吐出ノズル２４から連続して液滴を吐出させることによって、Ｘ軸方向に着弾円９１Ａが直線状に連なるパターンが形成される。Ｘ軸方向における着弾点９１間の中心間距離の最小値を、最小着弾距離ｄと表記する。最小着弾距離ｄは、Ｘ軸方向における相対移動速度と、吐出ノズル２４の最小吐出間隔（時間）との積である。

図２（ｄ）に示すように、二点鎖線で示した仮想線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３上に着弾させるタイミングで、それぞれ液滴を吐出させることによって、ノズルピッチＰの１／２の中心間間隔で着弾円９１Ａが連なる直線が、Ｘ軸方向に並列した着弾面が形成される。図２（ｄ）に示した仮想線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３間の距離が最小着弾距離ｄの場合のそれぞれの着弾点９１が、液滴吐出装置１によって機能液の液滴を配置可能な位置である。

画像の描画に際しては、画像の情報に従って、図２（ｄ）に示したそれぞれの着弾点９１の位置について、液滴を配置する位置を定める。例えば、当該配置位置、及び配置位置に液滴を吐出する吐出ノズル２４を指定した画素配置図を形成し、当該画素配置図に従って機能液を着弾させることによって、画像の情報によって規定される画像を描画する。なお、図２（ｄ）に示した例では、着弾円９１Ａの間に隙間が存在するが、ノズルピッチＰや最小着弾距離ｄに対して、吐出する液滴の１滴あたりの吐出重量を適切に定めることによって、隙間なく機能液を配置することが可能である。もちろん、他の液滴と重ねることなく、１滴の液滴を独立させて配置することも可能である。

＜虚像現出装飾体＞
次に、画素ユニットを有する画素集合体、及びマイクロレンズアレイを備える虚像現出装飾体の構成について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、虚像現出装飾体の構成を示す模式図である。図３（ａ）は、虚像現出装飾体の構成の要部を示す断面図であり、図３（ｂ）は、虚像現出装飾体に形成される虚像を示す模式平面図である。図４は、虚像現出装飾体を構成する要素の構成を示す模式図である。図４（ａ）は、虚像現出装飾体のレンズアレイの構成を示す平面図であり、図４（ｂ）は、レンズアレイの拡大平面図であり、図４（ｃ）は、虚像現出装飾体の画素集合体の構成を示す平面図であり、図４（ｄ）は、画素集合体の拡大平面図であり、図４（ｅ）は、虚像現出装飾体のレンズアレイと画素集合体との構成を示す平面図であり、図４（ｆ）は、レンズアレイと画素集合体との拡大平面図である。

図３（ａ）に示すように、虚像現出装飾体５１は、基材５３と、マイクロレンズアレイ６１と、画素集合体７１とを備えている。基材５３は、透明な素材で形成されたフィルム状の部材である。基材５３の素材としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。基材５３の一面には、撥液層５５が形成されている。撥液層５５の上には、マイクロレンズアレイ６１を構成するマイクロレンズ６２が形成されている。基材５３の撥液層５５が形成されている面の反対側の面には、画素集合体７１を構成する画素ユニット７２が形成されている。

図３（ａ）に示した矢印ｓの方向から見ると、図３（ｂ）に示すように、画素虚像７３を視認することができる。図３（ｂ）には、画素虚像７３として、文字Ａ、文字Ｂ、文字Ｃ、及び文字Ｄが例示してある。文字Ａ、文字Ｂ、文字Ｃ、又は文字Ｄの形状を有する画素虚像７３を、画素虚像７３Ａ、画素虚像７３Ｂ、画素虚像７３Ｃ、又は画素虚像７３Ｄと表記する。１個の画素虚像７３が形成される領域を虚像領域７１０と表記する。画素虚像７３Ａ、画素虚像７３Ｂ、画素虚像７３Ｃ、又は画素虚像７３Ｄが形成される虚像領域７１０を、虚像領域７１０ａ、虚像領域７１０ｂ、虚像領域７１０ｃ、又は虚像領域７１０ｄと表記する。

マイクロレンズアレイ６１は、マイクロレンズ６２が格子状に等ピッチ間隔で並べられて形成されている。１個の虚像領域７１０に形成されているマイクロレンズ６２の集合をマイクロレンズアレイ６１と表記し、虚像現出装飾体５１全体に形成されているマイクロレンズ６２の集合をマイクロレンズアレイ６１０と表記する。図４（ａ）に二点鎖線で示した領域に、マイクロレンズアレイ６１０が形成されている。図４（ｂ）に示すように、マイクロレンズアレイ６１は、マイクロレンズ６２がピッチＰ１で、縦横に配列されている。マイクロレンズアレイ６１には、例えば、４５行×４５列で、２０２５個のマイクロレンズ６２が形成されている。ピッチＰ１は、例えば１８０μｍである。

図４（ｃ）に示した二点鎖線で囲まれた領域が、１個所の虚像領域７１０を示している。１個所の虚像領域７１０には、１個の画素集合体７１が形成されている。虚像領域７１０ａ、虚像領域７１０ｂ、虚像領域７１０ｃ、又は虚像領域７１０ｄに形成されている画素集合体７１を、画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、又は画素集合体７１ｄと表記する。図４（ｄ）に示すように、画素集合体７１は、画素ユニット７２がピッチＰ２で、縦横に配列されている。ピッチＰ２と、ピッチＰ１とは、ピッチＰ１×（マイクロレンズアレイ６１におけるマイクロレンズ６２の行数又は列数−１）＝ピッチＰ２×（画素集合体７１における画素ユニット７２の行数又は列数）の関係を満たす値に設定されている。図４（ｄ）に示した画素集合体７１は、画素集合体７１ａであり、画素虚像７３Ａと略相似形状を有する画素ユニット７２ａがピッチＰ２で配列されている。図４（ｃ）に示した画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄは、画素虚像７３Ｂ、画素虚像７３Ｃ、又は画素虚像７３Ｄと略相似形状を有する画素ユニット７２ｂ、画素ユニット７２ｃ、又は画素ユニット７２ｄがピッチＰ２で配列されている。
画素集合体７１には、例えば、４５行×４５列で、２０２５個の画素ユニット７２が形成されている。ピッチＰ２は、例えば１７６μｍである。

図４（ｅ）に示すように、虚像現出装飾体５１では、マイクロレンズアレイ６１と画素集合体７１とが、基材５３の面に平行な方向において重なる状態で形成されている。画素虚像７３を現出させるマイクロレンズアレイ６１と画素集合体７１との組を、虚像ユニット７６と表記する。画素虚像７３Ａ、画素虚像７３Ｂ、画素虚像７３Ｃ、又は画素虚像７３Ｄを現出させる虚像ユニット７６を、虚像ユニット７６ａ、虚像ユニット７６ｂ、虚像ユニット７６ｃ、又は虚像ユニット７６ｄと表記する。

図４（ｆ）に示すように、虚像ユニット７６（虚像ユニット７６ａ）において、マイクロレンズアレイ６１のマイクロレンズ６２０と、画素集合体７１の画素ユニット７２０とが、中心が合致している。マイクロレンズ６２０は、マイクロレンズアレイ６１の中央のマイクロレンズ６２であり、画素ユニット７２０は、画素集合体７１の中央の画素ユニット７２である。マイクロレンズ６２０の隣のマイクロレンズ６２と、画素ユニット７２０の隣の画素ユニット７２とは、中心位置が、ピッチＰ１とピッチＰ２との差に相当する量だけずれている。Ｐ１が１８０μｍであり、ピッチＰ２が１７６μｍである場合、４μｍずれている。
虚像ユニット７６の端においては、画素集合体７１が有する画素ユニット７２の行又は列における端の行又は列を構成する画素ユニット７２の中心位置は、マイクロレンズアレイ６１が有するマイクロレンズ６２の行又は列における端の行又は列を構成するマイクロレンズ６２の中心位置と端から２番目の行又は列を構成するマイクロレンズ６２の中心位置との中点に位置する。
画素集合体７１が、ユニット集合体に相当する。マイクロレンズ６２が、レンズ体に相当する。マイクロレンズアレイ６１が、レンズ集合体に相当する。虚像ユニット７６が、画像表示部に相当する。

このように構成された虚像現出装飾体５１において、画素ユニット７２と対応するマイクロレンズ６２とによって、画素ユニット７２の一部分の虚像が形成される。虚像ユニット７６において、画素ユニット７２と対応するマイクロレンズ６２ごとに、虚像として形成する画素ユニット７２の部分が異なっている。このため、虚像ユニット７６において、マイクロレンズ６２によって画素ユニット７２が拡大された画素虚像７３が、視認可能に形成される。

＜画素ユニット＞
次に、虚像現出装飾体５１が備える画素ユニット７２の構成について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、虚像現出装飾体における画素ユニットの構成を示す模式図である。図５（ａ）は、虚像現出装飾体における、画素ユニットを備える画素集合体の構成を示す平面図であり、図５（ｂ）は、画素集合体における、画素ユニットの構成を示す平面図である。図６は、画素ユニットの構成を示す説明図である。図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、画素ユニットを画素ドットで示した説明図であり、図６（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、及び（ｈ）は、画素ユニットを画素ドット区画で示した説明図である。

図５（ａ）は、図４（ｃ）と同様の図である。図５（ａ）に示したように、虚像現出装飾体５１は、４個所の虚像領域７１０を備えている。図４（ｃ）を参照して説明したように、１個所の虚像領域７１０には、１個の画素集合体７１が形成されている。虚像領域７１０ａ、虚像領域７１０ｂ、虚像領域７１０ｃ、及び虚像領域７１０ｄには、画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、又は画素集合体７１ｄが形成されている。

図５（ｂ）に示したように、画素集合体７１ａには、４５行×４５列で、２０２５個の画素ユニット７２ａが形成されている。画素ユニット７２ａの配設ピッチは、行ピッチも列ピッチも、例えば、１７６μｍである。画素集合体７１ｂなどの、画素集合体７１ａ以外の画素集合体７１においても同様である。画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄには、４５行×４５列で、２０２５個の、画素ユニット７２ｂ、画素ユニット７２ｃ、又は画素ユニット７２ｄが形成されている。

図６（ａ）に示したように、画素ユニット７２ａは、１６個の画素ドット７５が所定の位置関係に配設されることによって形成されている。画素ユニット７２は、画素ドット７５を１６行×１６列に配置できる画素ユニット領域７２１に、１個の画素ユニット７２を形成する。図６（ｅ）では、画素ユニット領域７２１を１６行×１６列の画素ドット区画７５１に区切って示している。画素ドット区画７５１における、画素ドット７５に対応する画素ドット区画７５１を画素区画７５１ａと表記する。画素ユニット７２の背景部分に相当する画素ドット区画７５１を背景区画７５１ｂと表記する。図６（ｅ）に示すように、画素ユニット７２ａは、１６個の画素区画７５１ａが所定の相対位置に配設されて形成されている。画素ユニット７２ａが形成されている画素ユニット領域７２１ａには、１６×１６−１６＝２４０個の、背景区画７５１ｂが存在する。

図６（ｂ）に示したように、画素ユニット７２ｂは、１８個の画素ドット７５が所定の位置関係に配設されることによって形成されている。図６（ｆ）に示すように、画素ユニット７２ｂは、１８個の画素区画７５１ａが所定の相対位置に配設されて形成されている。画素ユニット７２ｂが形成されている画素ユニット領域７２１ｂには、２３８個の、背景区画７５１ｂが存在する。
図６（ｃ）に示したように、画素ユニット７２ｃは、１５個の画素ドット７５が所定の位置関係に配設されることによって形成されている。図６（ｇ）に示すように、画素ユニット７２ｃは、１５個の画素区画７５１ａが所定の相対位置に配設されて形成されている。画素ユニット７２ｃが形成されている画素ユニット領域７２１ｃには、２４１個の、背景区画７５１ｂが存在する。
図６（ｄ）に示したように、画素ユニット７２ｄは、１８個の画素ドット７５が所定の位置関係に配設されることによって形成されている。図６（ｈ）に示すように、画素ユニット７２ｄは、１８個の画素区画７５１ａが所定の相対位置に配設されて形成されている。画素ユニット７２ｄが形成されている画素ユニット領域７２１ｄには、２３８個の、背景区画７５１ｂが存在する。

なお、画素ドット７５及び画素ドット区画７５１は、説明を判りやすくするために、画素ユニット７２を構成する要素を模式的に示したものである。画素集合体７１を上述した液滴吐出装置１を用いて形成する場合、画素ドット７５が、図２を参照して説明した着弾点９１に対応し、画素ドット区画７５１が着弾円９１Ａに対応する。図２（ｄ）に示したそれぞれの着弾点９１の位置について、描画する画素集合体７１における画素ユニット７２の画素ドット７５の位置に対応して、液滴を着弾させる着弾点９１と液滴を着弾させない着弾点９１とを定めることによって、液状体の液滴を着弾させる位置を規定する画素配置図が形成される。形成した画素配置図における着弾点９１に対応する位置に液滴を着弾させることで、画素集合体７１を描画する。

図２を参照して説明したように、吐出する液滴の１滴あたりの吐出重量を適切に定めることによって、隙間なく機能液を配置することが可能である。着弾した液滴が濡れ広がることで、画素ユニット７２は、画素ドット７５又は画素ドット区画７５１がつながって形成された形状となる。当該画素ユニット７２の集合である画素集合体７１がマイクロレンズアレイ６１を介して虚像として視認されることで、図３（ｂ）に示したような、画素虚像７３として視認される。

＜画素ドット数補正工程＞
次に、画素集合体７１における画素ドット７５の数を補正する画素ドット数補正工程について、図７、図８、及び図９を参照して説明する。図７は、画素ドット数を補正する過程を示す図である。図７（ａ）は、画素ドット数補正工程を示すフローチャートであり、図７（ｂ）は、画素ドット数を補正する過程で用いる画素ドットの数などを示す図である。図８は、補正画素ドットの位置をランダムに定めるためのマスクの例を示す説明図である。図８（ａ）は、ランダムディザマスクの例を示す図であり、図８（ｂ）は、（ａ）に示したランダムディザマスクの拡大図であり、図８（ｃ）は、フィボナッチ数列を用いた非重複螺旋配置の例を示す図である。図９は、画素ドット数を補正した画素ユニットの例を示す説明図である。図９（ａ）は、基準画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図であり、図９（ｂ）は、画素ドットを減少させた画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図であり、図９（ｃ）は、画素ドットを増加させた画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図であり、図９（ｄ）は、画素ドットを減少させた画素集合体の画素ユニットの例を示す説明図である。

最初に、図７（ａ）のステップＳ２１では、画素集合体７１における画素ドット７５の総数を求める。図７（ｂ）に示した画素ユニット７２ａ、画素ユニット７２ｂ、画素ユニット７２ｃ、及び画素ユニット７２ｄは、図６を参照して説明した画素ユニット７２である。
図７（ｂ）に示したＶ１は、画素ユニット７２における画素ドット７５（画素区画７５１ａ）の数である。図６を参照して説明したように、画素ユニット７２ａ、画素ユニット７２ｂ、画素ユニット７２ｃ、及び画素ユニット７２ｄは、１６個、１８個、１５個、又は１８個の画素ドット７５（画素区画７５１ａ）を有している。
図７（ｂ）に示したＶ２は、画素集合体７１における画素ドット７５（画素区画７５１ａ）の数である。画素集合体７１は、２０２５個の画素ユニット７２を備えている。Ｖ２＝Ｖ１×２０２５である。画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄのＶ２は、３２４００個、３６４５０個、３０３７５個、又は３６４５０個である。
図７（ｂ）に示したＶ３は、画素集合体７１における画素ドット区画７５１（画素ドット７５を配置可能な位置）の数である。画素ユニット７２は１６行１６列の画素ドット区画７５１を備え、画素集合体７１は４５行４５列の画素ユニット７２を備えるため、Ｖ３は、各画素集合体７１において、５１８４００個である。

図７（ｂ）に示したＶ４は、画素集合体７１の階調の１階調の階調差に相当する画素区画７５１ａ（画素ドット７５）の数である。５１８４００個の画素ドット区画７５１が全て画素区画７５１ａの場合から、５１８４００個の画素ドット区画７５１が全て背景区画７５１ｂの場合までを２５６階調にすると、Ｖ４＝５１８４００／２５６＝２０２５である。画素集合体７１の階調の１階調の階調差に相当する画素区画７５１ａ（画素ドット７５）の数は、２０２５である。画素集合体７１において、２０２５個の画素区画７５１ａ（画素ドット７５）が増加又は減少することによって、画素集合体７１の階調が１階調変化する。
図７（ｂ）に示したＶ５は、画素集合体７１における画素区画７５１ａの占有率（％）である。Ｖ５＝Ｖ２／Ｖ３×１００である。画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄのＶ５は、６．２５％、７．０３％、５．８６％、又は７．０３％である。

次に、図７（ａ）のステップＳ２２では、基準画素集合体を選定する。基準画素集合体としては、例えば、画素集合体７１として好ましい階調がある場合には、当該階調の画素集合体７１を選択する。本実施形態では、画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄの中で、画素集合体７１における画素区画７５１ａの占有率（％）が中間の値である画素集合体７１ａを基準画素集合体として選択する。
画素集合体７１ａが、基準ユニット集合体に相当する。

次に、図７（ａ）のステップＳ２３では、画素集合体７１における画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）の、基準画素集合体における画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）との差を求める。
図７（ｂ）に示したＶ６は、画素集合体７１における画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）の、基準画素集合体として選択した画素集合体７１ａにおける画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）との差である。画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄのＶ６は、＋０．７８％、−０．３９％、又は＋０．７８％である。

次に、図７（ａ）のステップＳ２４では、占有率（％）の差Ｖ６を、階調差に換算する。
図７（ｂ）に示したＶ７は、画素集合体７１における画素区画７５１ａの占有率（％）の基準画素集合体における占有率（％）との差であるＶ６を階調の差に換算したものであり、画素集合体７１の階調と基準画素集合体の階調との階調差である。上述したように、５１８４００個の画素ドット区画７５１が全て画素区画７５１ａの場合から、５１８４００個の画素ドット区画７５１が全て背景区画７５１ｂの場合までを２５６階調にすると、Ｖ７＝Ｖ６×２５６／１００である。画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄのＶ７は、＋２、−１、又は＋２である。

次に、図７（ａ）のステップＳ２５では、階調差Ｖ７を補正するための補正階調を算出する。
基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が小さい場合は、階調差Ｖ７を補正するために、背景区画７５１ｂの一部を、画素区画７５１ａにする。背景区画７５１ｂを画素区画７５１ａに変更した画素ドット区画７５１を補正画素区画７５２ａ（図９（ｃ）参照）と表記する。
図７（ｂ）に示したＶ８は、階調差Ｖ７を補正するための補正階調の計算値である。画素集合体７１における補正画素区画７５２ａの数は、階調差（Ｖ７）と、１階調の階調差に相当する画素区画７５１ａ（画素ドット７５）の数（Ｖ４）と、の積である。補正画素区画７５２ａの位置を無作為に選択した場合、当該位置が画素区画７５１ａである場合がある。補正階調（Ｖ８）の値としては、補正画素区画７５２ａの位置として選択した位置が画素区画７５１ａである場合を除いて、階調差（Ｖ７）を補正できる値を求める。この場合、Ｖ８＝（Ｖ４×Ｖ７）×（Ｖ３／（Ｖ３−Ｖ２））／Ｖ４である。画素集合体７１ｃは、Ｖ２が３０３７５個であり、画素集合体７１ａのＶ２より少ない。画素集合体７１ｃにおけるＶ８は、Ｖ８＝（２０２５×１）×（５１８４００／（５１８４００−３０３７５））／２０２５＝１．０６２である。図７（ｂ）において数字の前に付けた「＋」は、画素区画７５１ａを増加させる場合であることを示している。計算においては、Ｖ７は、図７（ｂ）に示した数字の絶対値を用いている。

基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が大きい場合は、階調差Ｖ７を補正するために、画素区画７５１ａの一部を、背景区画７５１ｂにする。画素区画７５１ａを背景区画７５１ｂに変更した画素ドット区画７５１を補正背景区画７５２ｂ（図９（ａ）参照）と表記する。
図７（ｂ）に示したＶ８は、階調差Ｖ７を補正するための補正階調の計算値である。画素集合体７１における補正背景区画７５２ｂの数は、階調差（Ｖ７）と、１階調の階調差に相当する画素区画７５１ａ（画素ドット７５）の数（Ｖ４）と、の積である。補正背景区画７５２ｂの位置を無作為に選択した場合、当該位置が背景区画７５１ｂである場合がある。補正階調（Ｖ８）の値としては、補正背景区画７５２ｂの位置として選択した位置が背景区画７５１ｂである場合を除いて、階調差（Ｖ７）を補正できる値を求める。この場合、Ｖ８＝（Ｖ４×Ｖ７）×（Ｖ３／Ｖ２）／Ｖ４である。画素集合体７１ｂは、Ｖ２が３６４５０個であり、画素集合体７１ａより多い。画素集合体７１ｂにおけるＶ８は、Ｖ８＝−（２０２５×２）×（５１８４００／３６４５０））／２０２５＝−２８．４４４である。数字の前に付けた「−」は、画素区画７５１ａを減らす場合であることを示している。
画素集合体７１ｄにおけるＶ８も、Ｖ８＝−（２０２５×２）×（５１８４００／３６４５０））／２０２５＝−２８．４４４である。計算においては、Ｖ７は、図７（ｂ）に示した数字の絶対値を用いている。

図７（ｂ）に示したＶ９は、補正階調の計算値Ｖ８を整数に近似させた補正階調の適用値である。
画素集合体７１ｂにおけるＶ９は、Ｖ８＝−２８．４４４から、Ｖ９＝−２８とする。画素集合体７１ｄにおけるＶ９も、Ｖ８＝−２８．４４４から、Ｖ９＝−２８とする。画素集合体７１ｃにおけるＶ９は、Ｖ８＝１．０６２から、Ｖ９＝１とする。

次に、図７（ａ）のステップＳ２６では、ランダムマスクを形成する。図８（ａ）及び（ｂ）に示したランダムマスクは、ランダムディザマスクである。ランダムディザマスクは、ディザ法を用いて、点の位置をランダムに配置したマスクである。図８（ｃ）に示したランダムマスクは、フィボナッチ数列を用いた非重複螺旋配置座標に点の位置を配置することで、点の位置をランダムに配置したランダムマスクである。
配置する点の数を、配置可能な点の数に対して、例えば１／２５６にすることで、２５６階調の１階調に相当するランダムマスクを形成することができる。画素集合体７１ｃにおいては、Ｖ９＝１である。画素集合体７１ｃの画素ドット７５の数を補正するためのランダムマスクは、Ｖ３＝５１８４００個所の位置に対して、５１８４００／２５６＝２０２５個の点の位置がランダムに配置されたマスクである。

次に、図７（ａ）のステップＳ２７では、ランダムマスクと画素配置図とを合成する。画素配置図は、図２を参照して説明したように、液滴を配置する位置を定めた図である。ここでは、画素配置図は、画素集合体７１を形成するための液滴の配置位置を示す図である。
上述したように、虚像現出装飾体５１は、基材５３と、マイクロレンズアレイ６１と、画素集合体７１とを備えている。マイクロレンズアレイ６１は、マイクロレンズ６２が格子状にピッチＰ１の等ピッチ間隔で並べられて形成されている。画素集合体７１は、画素ユニット７２がピッチＰ２の等ピッチ間隔で並べられて形成されている。１個のマイクロレンズ６２を介して、画素ユニット７２の一部が虚像として視認されることで、虚像ユニット７６のマイクロレンズアレイ６１を介して、画素ユニット７２が拡大された画素虚像７３が視認される。

画素集合体７１において、補正画素区画７５２ａが規則的に配列された場合、画素ユニット７２における補正画素区画７５２ａの位置が同じになる可能性が高くなる。これにより、補正画素区画７５２ａのいずれかが、マイクロレンズ６２を介して、画素虚像７３の中の視認可能な点となる可能性が高くなる。画素集合体７１において、補正背景区画７５２ｂが規則的に配列された場合、画素ユニット７２における補正背景区画７５２ｂの位置が同じになる可能性が高くなる。これにより、補正背景区画７５２ｂのいずれかが、マイクロレンズ６２を介して視認され、画素虚像７３の中の像の欠落部分となる可能性が高くなる。ランダムマスクと画素配置図とを合成することによって補正画素区画７５２ａや補正背景区画７５２ｂの位置を決定することで、画素集合体７１において、補正画素区画７５２ａや補正背景区画７５２ｂを、規則性を持たない位置に配置することができる。

基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が小さい画素集合体７１においては、ランダムマスクに規定された位置に対応する位置を、液滴の配置位置にする。すなわち、当該位置に対応する画素ドット区画７５１を、補正画素区画７５２ａとする。画素集合体７１ｃは、Ｖ２が３０３７５個であり、画素集合体７１ａのＶ２より少ない。図９（ｃ）に示すように、文字を構成する画素区画７５１ａに加えて、背景区画７５１ｂの中に、補正画素区画７５２ａ（画素区画７５１ａ）が形成される。画素ユニット７２における補正画素区画７５２ａの位置は、ランダムマスクによって定まり、規則性が実質的にない位置である。

図７（ｂ）に示したＶ１０は、ランダムマスクによる補正後（合成済）の画素配置図において、画素集合体７１に配置されている画素区画７５１ａ（画素ドット７５）の数である。基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が小さい画素集合体７１においては、Ｖ１０＝Ｖ２＋（Ｖ４×Ｖ７−（Ｖ４×Ｖ７）×Ｖ２／Ｖ３）である。画素集合体７１ｃにおけるＶ１０は、Ｖ１０＝３０３７５＋（２０２５×１−（２０２５×１）×３０３７５／５１８４００）＝３２２８１である。当該画素ドット７５の数は、画素集合体７１ａの画素ドット７５の数Ｖ２＝３２４００に近いに数に補正されている。
図７（ｂ）に示したＶ１１は、ランダムマスクによる補正後（合成済）の画素配置図での、画素集合体７１における、画素区画７５１ａの占有率である。画素集合体７１ｃにおいては、Ｖ１１＝Ｖ１０／Ｖ３＝３２２８１／５１８４００×１００＝６．２３％である。当該占有率は、画素集合体７１ａにおける画素区画７５１ａの占有率Ｖ５＝６．２５に近いに数値に補正されている。

画素集合体７１ｃにおいては、Ｖ１０−Ｖ２＝３２２８１−３０３７５＝１９０６であり、１９０６個の補正画素区画７５２ａが形成される。画素集合体７１ｃは２０２５個の画素ユニット７２を備えるため、１９０６個の画素ユニット７２において、補正画素区画７５２ａがそれぞれ１個配置される可能性が高い。補正画素区画７５２ａに液滴が配置されて形成される画素ドット７５が、追加画素ドットに相当する。

基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が大きい画素集合体７１においては、ランダムマスクに規定された位置に対応する位置に、液滴を配置しない。すなわち、当該位置に対応する画素ドット区画７５１を、補正背景区画７５２ｂとする。
画素集合体７１ｂは、Ｖ２が３６４５０個であり、画素集合体７１ａのＶ２より多い。図９（ｂ）に示すように、文字を構成する画素区画７５１ａの一部が、補正背景区画７５２ｂ（背景区画７５１ｂ）となっている。すなわち、画素ユニット７２における画素ドット７５が減少している。図９（ｄ）に示した画素集合体７１ｄも同様である。画素ユニット７２における補正背景区画７５２ｂの位置は、ランダムマスクによって定まり、規則性が実質的にない位置である。

図７（ｂ）に示したＶ１０は、基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が大きい画素集合体７１においては、Ｖ１０＝Ｖ２−（Ｖ４×Ｖ７−（Ｖ４×Ｖ７）×（Ｖ３−Ｖ２）／Ｖ３）である。画素集合体７１ｂにおけるＶ１０は、Ｖ１０＝３６４５０−（２０２５×２８−（２０２５×２８）×（５１８４００−３６４５０）／５１８４００）＝３２４６３である。当該画素ドット７５の数は、画素集合体７１ａの画素ドット７５の数Ｖ２＝３２４００に近いに数に補正されている。画素集合体７１ｄにおける画素ドット７５の数も同様である。
図７（ｂ）に示したＶ１１は、画素集合体７１ｂにおいては、Ｖ１１＝Ｖ１０／Ｖ３＝３２４６３／５１８４００×１００＝６．２６％である。当該占有率は、画素集合体７１ａにおける画素区画７５１ａの占有率Ｖ５＝６．２５に近いに数値に補正されている。画素集合体７１ｄにおける画素区画７５１ａの占有率も同様である。

画素集合体７１ｂ及び画素集合体７１ｄにおいては、Ｖ２−Ｖ１０＝３６４５０−３２４６３＝３９８７であり、３９８７個の補正背景区画７５２ｂが存在する。画素集合体７１は２０２５個の画素ユニット７２を備える。このため、図９（ｂ）に示したような、補正背景区画７５２ｂが１個存在する画素ユニット領域７２１や、図９（ｄ）に示したような、補正背景区画７５２ｂが２個存在する画素ユニット領域７２１が形成される可能性が高い。画素ユニット７２としては、画素ドット７５が１６個又は１７個に調整された画素ユニット７２ｂや画素ユニット７２ｄが形成される可能性が高い。
画素ドット７５が１６個又は１７個に調整された画素ユニット７２ｂや画素ユニット７２ｄが、画素減少ユニットに相当する。

ステップＳ２７を実施して、画素集合体７１における画素ドット７５の数を補正する画素ドット数補正工程を終了する。

以下、実施形態による効果を記載する。本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）画素集合体７１ｃのように基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が小さい画素集合体７１においては、補正画素区画７５２ａが形成される。補正画素区画７５２ａが形成されることで、画素集合体７１が備える画素区画７５１ａが増加するため、当該画素集合体７１の階調を、基準画素集合体の階調に近づけることができる。

（２）画素集合体７１ｂや画素集合体７１ｄのように、基準画素集合体より画素区画７５１ａの占有率（％）（Ｖ５）が大きい画素集合体７１においては、補正背景区画７５２ｂが設定される。補正背景区画７５２ｂは、画素区画７５１ａを背景区画７５１ｂに変更した画素ドット区画７５１である。補正背景区画７５２ｂの数だけ画素ドット７５の数が減少するため、当該画素集合体７１の階調を、基準画素集合体の階調に近づけることができる。

（３）補正画素区画７５２ａの位置は、ランダムに設定する。補正画素区画７５２ａは、マイクロレンズ６２を介して視認可能な位置に位置した場合、虚像の一部として視認される。マイクロレンズ６２は規則的に配列されているため、補正画素区画７５２ａが規則的に配置されると、多くの補正画素区画７５２ａが、マイクロレンズ６２を介して視認可能な位置に位置する可能性が高くなる。補正画素区画７５２ａの位置をランダムに設定することで、補正画素区画７５２ａがマイクロレンズ６２を介して視認されることを抑制することができる。

（４）補正背景区画７５２ｂの位置は、ランダムに設定する。補正背景区画７５２ｂは、マイクロレンズ６２を介して視認可能な位置に位置した場合、画素虚像７３において、在るべき画素ドット７５が欠落した状態として視認される。画素ユニット７２は規則的に配列されているため、補正背景区画７５２ｂが規則的に配置されると、画素ユニット７２における同じ位置の画素区画７５１ａが補正背景区画７５２ｂになる可能性が高くなる。すなわち、画素ユニット７２における同じ位置の画素ドット７５が欠落する可能性が高くなる。画素ユニット７２における同じ位置の画素ドット７５が欠落すると、画素虚像７３において、当該画素ドット７５が欠落した状態として視認される。補正背景区画７５２ｂの位置をランダムに設定することで、補正背景区画７５２ｂが画素虚像７３において、画素ドット７５が欠落した部分として視認されることを抑制することができる。

（５）基準画素集合体として、画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄの中で、画素集合体７１における画素区画７５１ａの占有率（％）が中間の値である画素集合体７１ａを選択している。これにより、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、又は画素集合体７１ｄを基準画素集合体とする場合にくらべて、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄにおいて、補正画素区画７５２ａ又は補正背景区画７５２ｂに設定する画素ドット区画７５１の数を少なくすることができる。すなわち補正前と補正後との階調の差を小さくすることができる。

以上、添付図面を参照しながら好適な実施形態について説明したが、好適な実施形態は、前記実施形態に限らない。実施形態は、要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下の変形例のように実施することもできる。

（変形例１）前記実施形態においては、虚像現出装飾体５１が備える画素集合体７１ａ、画素集合体７１ｂ、画素集合体７１ｃ、及び画素集合体７１ｄの中の画素集合体７１ａを、基準画素集合体として選択していた。しかし、基準とするユニット集合体（画素集合体）を、階調の補正を実施する対象の虚像現出装飾体が備えるユニット集合体の中から選択することは、必須ではない。基準とするユニット集合体（画素集合体）は、階調の補正を実施する対象の虚像現出装飾体とは異なる虚像現出装飾体が備えるユニット集合体であってもよい。

（変形例２）前記実施形態においては、画素集合体７１ａを、基準画素集合体として選択し、画素集合体７１ｃにおいては、補正画素区画７５２ａを設定して階調を補正し、画素集合体７１ｂ、及び画素集合体７１ｄにおいては、補正背景区画７５２ｂを設定して階調を補正していた。しかし、３個以上の画像表示部を備える虚像現出装飾体において、追加画素ドットを配置することで画素ドットの総数を補正するユニット集合体と、ユニット集合体が備える画素ユニットの一部を、画素ユニットを構成する画素ドットの一部が削除された画素減少ユニットにすることによって画素ドットの総数を補正するユニット集合体とを、ともに存在させることは必須ではない。虚像現出装飾体において、追加画素ドットを配置することのみによって、ユニット集合体の画素ドットの総数を補正してもよいし、ユニット集合体が備える画素ユニットの一部を画素減少ユニットにすることのみによって、ユニット集合体の画素ドットの総数を補正してもよい。

（変形例３）前記実施形態においては、インクジェット方式の液滴吐出装置１を用いて、虚像現出装飾体５１が備える画素集合体７１を構成する画素ユニット７２の画素ドット７５を描画することによって、画素集合体７１を形成していた。しかし、液滴吐出装置を用いて、画素ドットの材料を配置することは必須ではない。画素ドットは、他の印刷方法などを用いて形成してもよい。

（変形例４）前記実施形態においては、ランダムマスクは、ディザ法を用いて点の位置をランダムに配置したランダムディザマスク、又はフィボナッチ数列を用いた非重複螺旋配置座標に点の位置を配置することで、点の位置をランダムに配置したランダムマスクであった。しかし、追加画素ドットを配置する位置などをランダムに設定するために、ディザ法やフィボナッチ数列を用いることは必須ではない。ランダムマスクを形成する方法は、設定した階調に応じたランダムマスクを形成することが可能であれば、どのような方法であってもよい。

（変形例５）前記実施形態においては、虚像現出装飾体５１のマイクロレンズアレイ６１におけるマイクロレンズ６２の配設ピッチＰ１と、画素集合体７１における画素ユニット７２の配設ピッチＰ２との関係は、ピッチＰ１＞ピッチＰ２であった。また、ピッチＰ１×（マイクロレンズアレイ６１におけるマイクロレンズ６２の行数又は列数−１）＝ピッチＰ２×（画素集合体７１における画素ユニット７２の行数又は列数）を満たす関係であった。しかし、マイクロレンズアレイにおけるマイクロレンズの配設ピッチＰ１と、画素集合体における画素ユニットの配設ピッチＰ２との関係は、ピッチＰ１＜ピッチＰ２であってもよい。ピッチＰ１＜ピッチＰ２の場合、ピッチＰ１×（マイクロレンズアレイにおけるマイクロレンズの行数又は列数＋１）＝ピッチＰ２×（画素集合体における画素ユニットの行数又は列数）となるように、ピッチＰ１、ピッチＰ２、マイクロレンズアレイにおけるマイクロレンズの行数及び列数、及び画素集合体における画素ユニットの行数及び列数を設定する。
ピッチＰ１＞ピッチＰ２の場合、形成される虚像は、画素集合体の位置より沈んで（奥側に）見える。ピッチＰ１＜ピッチＰ２の場合、形成される虚像は、画素集合体の位置より浮かんで（手前側に）見える。

（変形例６）前記実施形態においては、虚像現出装飾体５１が備える画素集合体７１は４個であったが、虚像現出装飾体が備える画像表示部は、何個であってもよい。例えば、１個の画像表示部を備え、当該画像表示部に現出される虚像の階調を、上記した階調の調整方法を用いて、調整してもよい。

１…液滴吐出装置、２０…液滴吐出ヘッド、２４…吐出ノズル、５１…虚像現出装飾体、５３…基材、５５…撥液層、６１…マイクロレンズアレイ、６２…マイクロレンズ、７１…画素集合体、７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ…画素集合体、７２…画素ユニット、７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ…画素ユニット、７３…画素虚像、７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ，７３Ｄ…画素虚像、７５…画素ドット、７６…虚像ユニット、７６ａ，７６ｂ，７６ｃ，７６ｄ…虚像ユニット、９１…着弾点、９１Ａ…着弾円、６１０…マイクロレンズアレイ、６２０…マイクロレンズ、７１０…虚像領域、７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃ，７１０ｄ…虚像領域、７２０…画素ユニット、７２１…画素ユニット領域、７２１ａ，７２１ｂ，７２１ｃ，７２１ｄ…画素ユニット領域、７５１…画素ドット区画、７５１ａ…画素区画、７５１ｂ…背景区画、７５２ａ…補正画素区画、７５２ｂ…補正背景区画。

Claims (6)

1. 画素ユニットが規則的に２次元配列されたユニット集合体と、複数のレンズ体のそれぞれのレンズ体が前記画素ユニットの位置と関連付けられた位置に配設されたレンズ集合体と、を備える画像表示部を複数備える虚像現出装飾体の製造方法であって、
   前記画素ユニットは、所定の位置関係に配置された画素ドットを備え、
   前記虚像現出装飾体が備える複数の前記画像表示部のひとつが備える前記ユニット集合体を基準ユニット集合体とし、
   前記基準ユニット集合体以外のユニット集合体における前記画素ドットの総数を、前記基準ユニット集合体における前記画素ドットの総数に近づけるように補正する補正工程を有し、
   前記ユニット集合体に、追加画素ドットを配置することで、前記ユニット集合体における前記画素ドットの数を増加させることによって、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を補正することを特徴とする虚像現出装飾体の製造方法。
2. 画素ユニットが規則的に２次元配列されたユニット集合体と、複数のレンズ体のそれぞれのレンズ体が前記画素ユニットの位置と関連付けられた位置に配設されたレンズ集合体と、を備える画像表示部を複数備える虚像現出装飾体の製造方法であって、
   前記画素ユニットは、所定の位置関係に配置された画素ドットを備え、
   前記虚像現出装飾体が備える複数の前記画像表示部のひとつが備える前記ユニット集合体を基準ユニット集合体とし、
   前記基準ユニット集合体以外のユニット集合体における前記画素ドットの総数を、前記基準ユニット集合体における前記画素ドットの総数に近づけるように補正する補正工程を有し、
   前記ユニット集合体が備える前記画素ユニットの一部を、前記画素ユニットを構成する前記画素ドットの一部が削除された画素減少ユニットにすることで、前記ユニット集合体における前記画素ドットの数を減少させることによって、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を補正することを特徴とする、請求項１に記載の虚像現出装飾体の製造方法。
3. 前記虚像現出装飾体は３個以上の前記画像表示部を備え、
   ３個以上の前記画像表示部における、少なくともひとつの前記画像表示部においては、前記ユニット集合体に、追加画素ドットを配置することで、前記ユニット集合体における前記画素ドットの数を増加させることによって、前記ユニット集合体における前記画素ドットの総数を補正し、少なくともひとつの前記画像表示部においては、前記ユニット集合体が備える前記画素ユニットの一部を、前記画素ユニットを構成する前記画素ドットの一部が削除された画素減少ユニットにすることで、前記画素ドットの数を減少させることによって前記画素ドットの総数を補正することを特徴とする、請求項１または２に記載の虚像現出装飾体の製造方法。
4. 前記追加画素ドットの前記ユニット集合体における配設位置、又は前記削減画素ドットとして選択する前記画素ドットの前記ユニット集合体における位置の少なくとも一方を、ランダムディザパターンに基づいて決定することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の虚像現出装飾体の製造方法。
5. 前記追加画素ドットの前記ユニット集合体における配設位置、又は前記削減画素ドットとして選択する前記画素ドットの前記ユニット集合体における位置の少なくとも一方を、フィボナッチ数列に基づくパターンによって決定することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の虚像現出装飾体の製造方法。
6. 液状体を液滴として吐出し、被描画媒体上に着弾させることによって、前記被描画媒体上に前記液状体を配置する液滴吐出装置を用いて、前記画素ドットの材料を配置することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の虚像現出装飾体の製造方法。

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