JP5958835B2 - 切削工具およびその製造方法 - Google Patents
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Description
より粒子の細かい超ナノ微結晶ダイヤモンド(UNCD)がパルス真空アークプラズマ蒸着法などで合成できるが(非特許文献1)、これには水素化アモルファスカーボンも多数含まれており、通常のダイヤモンドと比べて耐摩耗性は低いものとなっている。
cBN工具にはいくつか種類があるが、安価に粗い加工を行う場合はバインダーでcBNを焼結した工具が、例えば特許文献3などに見られる。ただしバインダーがある場合は精密な加工ができないため、バインダーのないcBN焼結体を用いる例が特許文献4、あるいは非特許文献2に見られる。しかし、これらもcBNの粒子径が50〜500nmと大きいため、光学部品レベルの超精密加工に用いるのは困難であった。
本発明者らが同様の微粒cBNを用いてグルーブやVバイトを研磨によって試作したが、通常のcBN素材より硬度が増したため研磨中に微細な欠けが発生し、精密工具として充分な精度が得られなかった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、高精度の切削加工を実現する工具を提供するものである。
D50 ≦1.2×R1
Dmax ≦2.0×R1
図10は曲率半径Rと平均粒径D50、及び最大粒径Dmaxの関係を示す図である。
(1)非ダイヤモンド型炭素物質および/または窒化ホウ素を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的に、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子に変換焼結された多結晶体を切刃とした切削工具であって、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R1以下、最大粒径が2×R1以下であることを特徴とする切削工具。
(2)前記切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R2以下、最大粒径が2×R2以下であることを特徴とする上記(1)に記載の切削工具。
(3)前記切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R3以下、最大粒径が2×R3以下であることを特徴とする上記(1)又は(2)に記載の切削工具。
(4)前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の切削工具。
(5)前記切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下であることを特徴とする上記(2)〜(4)のいずれかに記載の切削工具。
(6)前記切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下であることを特徴とする上記(3)〜(5)のいずれかに記載の切削工具。
(7)前記切削工具の刃先が集束イオンビームにより形成された面であり、逃げ面がすくい面に近い側の逃げ面Aと、該逃げ面Aに隣接する、すくい面から遠い側の逃げ面Bとからなることを特徴とする上記(1)〜(6)のいずれかに記載の切削工具。
(8)前記逃げ面Aのすくい面との境界と、逃げ面Bとの境界との間の距離が3μm以下であることを特徴とする上記(7)に記載の切削工具。
(9)前記逃げ面Bをすくい面側から逃げ側に向けた集束イオンビームで加工した後、前記逃げ面Aを逃げ側からすくい面側に向けた集束イオンビームで加工して得られたことを特徴とする上記(7)又は(8)に記載の切削工具。
(10)前記多結晶体が導電性を持つことを特徴とする上記(1)〜(9)のいずれかに記載の切削工具。
(11)前記切削工具の先端の曲率半径R1、すくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2、2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、前記多結晶体の平均粒径が0.01×R1以上かつ0.01×R2以上かつ0.01×R3以上であることを特徴とする上記(1)〜(10)のいずれかに記載の切削工具。
(12)前記多結晶体が、非ダイヤモンド型炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶ダイヤモンドであることを特徴とする上記(1)〜(11)のいずれかに記載の切削工具。
(13)前記多結晶体が、低圧相窒化ホウ素を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的に高圧相窒化ホウ素に変換焼結された、実質的に高圧相窒化ホウ素のみからなる多結晶窒化ホウ素であり、前記高圧相窒化ホウ素が立方晶窒化ホウ素および/またはウルツ鉱型窒化ホウ素であることを特徴とする上記(1)〜(11)のいずれかに記載の切削工具。
(14)前記切削工具がVバイト、フライカット、マイクログルーブのいずれかであることを特徴とする上記(1)〜(13)のいずれかに記載のダイヤモンド切削工具。
(15)非ダイヤモンド型炭素物質および/または窒化ホウ素を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的に、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子に変換焼結された多結晶体を切刃とした切削工具の製造方法であって、
前記多結晶体をレーザーでチップ状にカットする工程と、
前記多結晶体チップをシャンクに接合する工程と、
前記多結晶体チップを研磨することにより、すくい面と逃げ面を作る工程と、
すくい面と逃げ面を集束イオンビームにより加工する工程とを含むことを特徴とする切削工具の製造方法。
(16)非ダイヤモンド型炭素物質および/または窒化ホウ素を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的に、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子に変換焼結された多結晶体を切刃とした切削工具の製造方法であって、
前記多結晶体をレーザーでチップ状にカットする工程と、
前記多結晶体チップをシャンクに接合する工程と、
前記多結晶体チップを研磨することにより、すくい面と逃げ面を作る工程と、
前記多結晶体チップにマスクを形成する工程と、
ドライエッチングによりすくい面と逃げ面を作る工程と、
すくい面と逃げ面を集束イオンビームにより加工する工程とを含むことを特徴とする切削工具の製造方法。
本発明の切削工具の材料である、コバルト等の金属結合材を含まない実質的にダイヤモンド単相(純度99%以上)のダイヤモンド多結晶体は、原料の黒鉛(グラファイト)やグラッシーカーボン、アモルファスカーボンなどの非ダイヤモンド型炭素を超高圧高温下(温度1800〜2600℃、圧力12〜25GPa)で、触媒や溶媒なしに直接的にダイヤモンドに変換させ、同時に焼結させることによって得ることが出来る。このようにして得られた多結晶ダイヤモンドからなるダイヤモンド工具には単結晶を用いたダイヤモンド工具に見られるような偏磨耗は起こらない。
非特許文献3:SEIテクニカルレビュー165(2004)68
特許文献 9 :特開2007−22888号公報
特許文献10:特許4275896号公報
そこで、多結晶ダイヤモンドを構成するダイヤモンド焼結粒子の粒径分布を刃先の曲率半径に応じて制御することが必要であることがわかった。粒径分布を制御したダイヤモンド工具を作製すると、極端に磨耗する粒子は無くなり、長期間安定した目的の加工を得ることが出来た。
すなわち、切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、D50≦1.2×R1、かつ、Dmax≦2×R1としたダイヤモンドの多結晶体を用いることである。
また、切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2に対して、D50≦1.2×R2、かつDmax≦2×R2とした多結晶体を用いることが好ましい。
また、切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、D50≦1.2×R3かつDmax≦2×R3とした多結晶体を用いることが好ましい。
好ましくは、切削工具の刃先先端、すくい面と逃げ面で挟まれる角、および2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径は全て50nm以下で、D50≦60nm、Dmax≦100nmであることが超精密加工をする上で望ましい。
なお、本発明におけるR1、R2及びR3が工具のどの部分についてのものかについては図11に示した。図11に示すようにR3は、逃げ面が、第1逃げ面A(1XA)、第1逃げ面B(1XB)、第2逃げ面(2X)と3段に分かれている場合には、第1逃げ面A(1XA)と第2逃げ面(2X)の間の第1逃げ面B(1XB)同士に挟まれた角の曲率半径をいう。また、逃げ面が第1逃げ面、第2逃げ面と2段に分かれている場合には、すくい面に近い側の第1逃げ面同士に挟まれた角の曲率半径をR3とする。R2はすくい面(Y)と、逃げ面(X)(図11中では第1逃げ面A(1XA))とに挟まれた角の曲率半径をいう。R1は工具の先端の刃先の曲率半径をいう。
また多結晶ダイヤモンドの平均粒径は、刃先の曲率半径R1、R2、R3に対し、D50≧0.01×R1かつD50≧0.01×R2かつD50≧0.01×R3であることが望ましい。これ未満の粒径ではsp3結合を維持した多結晶ダイヤモンドの合成は実用上困難であり、実際にはsp2結合を含んでしまうため、耐磨耗性および耐欠損性が低下してくることが分かった。
まず、すくい面(Y)および逃げ面(X)を粗加工する(図1)。次の高精度の刃先を作製するための工程では、従来の方法では図4に示すように先の粗加工面を第2逃げ面(2X)とし、仕上研磨によって第1逃げ面(1X)を加工していた。それに対し、本発明ではまず2つの逃げ面で挟まれる角R3を鋭利にするために、集束イオンビームをすくい面(Y)から逃げ面(X)側に向けて高精度加工を行う(図2)。この加工によりすくい面(Y)と逃げ面(X)に挟まれた角の曲率半径R2および刃先先端の曲率半径R1はやや丸みを帯びた形状になる。そこで最後に集束イオンビームを逃げ側(X)からすくい面(Y)に向けて高精度加工を行う(図3)。ここで先のFIB加工した面は逃げ面B(1XB)、最後のFIB加工した面は逃げ面A(1XA)となる。以上の加工により、曲率半径R1,R2,R3全てが従来の加工法で得られなかった高精度の工具を得ることができる。なお、ここで述べるR3は特に2つの逃げ面B(1XB)で挟まれる角を意味する。
好ましくは、上記逃げ面A(1XA)のすくい面(Y)との境界と、逃げ面B(1XB)との境界との間の距離(L)は3μm以下であることが望ましい。3μmを超える距離となる場合、2つの逃げ面で挟まれる角R3などに丸みが生じ、高精度の工具を得ることができない。
非ダイヤモンド型炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的にダイヤモンドに変換焼結する工程と
ダイヤモンドをレーザーでチップ状にカットする工程と、
ダイヤモンドチップをシャンクに接合する工程と、
ダイヤモンドチップを研磨することにより、すくい面と逃げ面を作る工程と、
ダイヤモンドチップにマスクを形成する工程と、
ドライエッチングによりすくい面や逃げ面を作る工程と、
すくい面と逃げ面の境界部を集束イオンビームにより加工する工程により、本発明の多結晶ダイヤモンド切削工具を得ることができる。
これらの超精密工具はVバイト、フライカット、マイクログルーブのいずれの種類に対しても適用可能である。
本発明の切削工具の材料である、コバルト等の金属結合材を含まない実質的に窒化ホウ素単相(純度99%以上)の高圧相窒化ホウ素多結晶体は、原料の低圧相窒化ホウ素(六方晶窒化ホウ素、hBN)を超高圧高温下(温度1100〜2600℃、圧力12〜25GPa)で、触媒や溶媒なしに直接的に高圧相窒化ホウ素に変換させ、同時に焼結させることによって得ることが出来る。ここで述べる高圧相窒化ホウ素とは、立方晶窒化ホウ素(cBN)および圧縮型六方晶窒化ホウ素(ウルツ鉱型窒化ホウ素、wBN)のことである。このようにして得られた高圧相窒化ホウ素多結晶体からなる窒化ホウ素工具は粒径が小さく、欠損や偏磨耗が起こらない。
非特許文献4:機械と工具2010年3月号80ページ
そこで、多結晶窒化ホウ素を構成する窒化ホウ素焼結粒子の粒径分布を刃先の曲率半径に応じて制御することが必要であることがわかった。粒径分布を制御した高圧相窒化ホウ素工具を作製すると、極端に磨耗する粒子は無くなり、長期間安定した目的の加工を得ることが出来た。
すなわち、切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、D50≦1.2×R1、かつDmax≦2×R1とした多結晶体を用いることである。
また、切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2に対して、D50≦1.2×R2以下かつDmax≦2×R2以下とした多結晶体を用いることが好ましい。
また、切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、D50≦1.2×R3かつDmax≦2×R3とした多結晶体を用いることが好ましい。
好ましくは、切削工具の刃先先端、すくい面と逃げ面で挟まれる角、および2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径は全て50nm以下で、d≦60nm、D≦100nmであることが超精密加工をする上で望ましい。
なお、本発明の、窒化ホウ素を切刃に備えた切削工具におけるR1、R2及びR3は、ダイヤモンドを切刃に備えた切削工具において説明したものと同じであり、図11に示す通りである。
また高圧相窒化ホウ素多結晶体を構成する窒化ホウ素焼結粒子の平均粒径D50は、曲率半径R1、R2、R3に対し、D50≧0.01×R1かつD50≧0.01×R2かつD50≧0.01×R3が望ましい。これ以下の粒径でsp3結合を維持した高圧相窒化ホウ素多結晶体の合成は実用上困難であり、実際にはsp2結合を含んでしまうため、耐磨耗性および耐欠損性が低下してくることが分かった。
これらの超精密工具はVバイト、フライカット、マイクログルーブのいずれの種類に対しても適用可能である。
加工方法としては例えば次の二つの加工方法を挙げることができる。
<加工方法A>
以下の各工程を順に行う方法
(1)多結晶窒化ホウ素をレーザーでチップ状にカットする工程
(2)窒化ホウ素チップをシャンクに接合する工程
(3)窒化ホウ素チップを研磨することによりすくい面と逃げ面とを作る工程
(4)すくい面と逃げ面の境界部を集束イオンビームにより加工する工程
<加工方法B>
以下の各工程を順に行う方法
(1)窒化ホウ素をレーザーでチップ状にカットする工程
(2)窒化ホウ素チップをシャンクに接合する工程
(3)窒化ホウ素チップを研磨によりすくい面と逃げ面を作る工程
(4)窒化ホウ素チップにマスクを形成する工程
(5)ドライエッチングによりすくい面や逃げ面を作る工程
(6)すくい面と逃げ面の境界部を集束イオンビームにより加工する工程
本発明の切削工具の材料である、コバルト等の金属結合材を含まない実質的にBC2N単相(純度99%以上)のBC2N多結晶体は、原料の低圧相BC2N(グラファイト状BC2N)などの非ダイヤモンド型BC2Nを超高圧高温下(温度1800〜2600℃、圧力12〜25GPa)で、触媒や溶媒なしに直接的に高圧相BC2N(ダイヤモンド構造)に変換させ、同時に焼結させることによって得ることが出来る。このようにして得られた多結晶BC2NからなるBC2N工具には単結晶を用いたBC2N工具に見られるような偏磨耗は起こらない。
なお、グラファイト状BC2Nはこの他に、ホウ酸の窒化と、サッカロースの炭化を溶融尿素中で炭化させるなどして合成しても良いし、BCl3ガスとアセトニトリルをモル比1:1で反応管に導入して、高周波誘導加熱により昇温したカーボン上にグラファイト状BC2N膜を蒸着しても良い。
また、切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2に対して、D50≦1.2×R2以下かつDmax≦2×R2以下とした多結晶体を用いることが好ましい。
また、切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、D50≦1.2×R3かつDmax≦2×R3とした多結晶体を用いることが好ましい。
切削工具の刃先先端、すくい面と逃げ面で挟まれる角、および2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径は全て50nm以下で、d≦60nm、D≦100nmであることが超精密加工をする上で望ましい。
なお、本発明の、BC2N多結晶体を切刃に備えた切削工具におけるR1、R2及びR3は、ダイヤモンドを切刃に備えた切削工具において説明したものと同じであり、図11に示す通りである。
これらの超精密工具はVバイト、フライカット、マイクログルーブのいずれの種類に対しても適用可能である。
まず、測定・評価方法について説明する。
本発明の実施例では原料の非ダイヤモンド型炭素として黒鉛焼成体を用いた。また、原料の低圧相(六方晶)窒化ホウ素粒子及び高圧相窒化ホウ素多結晶体
本発明においては原料の黒鉛焼成体中のグラファイト粒子、ダイヤモンド多結晶体中のダイヤモンド焼結粒子、低圧相(六方晶)窒化ホウ素粒子、及び高圧相窒化ホウ素多結晶体中の窒化ホウ素焼結粒子の平均粒径(D50)及び最大粒径(Dmax)は走査型電子顕微鏡により倍率10〜50万倍で写真撮影像を元にして画像解析を実施することで得た。
以下にその詳細方法を示す。
まず、試料表面を仕上げ研磨もしくはCP加工し、該試料を走査型電子顕微鏡で撮影した撮影像を元に焼結体を構成する結晶粒の粒径分布を測定する。具体的には、画像解析ソフト(例えば、Scion Corporation社製、ScionImage)を用いて、個々の粒子を抽出し、抽出した粒子を2値化処理して各粒子の面積(S)を算出する。そして、各粒子の粒径(D)を、同じ面積を有する円の直径(D=2√(S/π))として算出する。
次に、上記で得られた粒径分布をデータ解析ソフト(例えば、OriginLab社製Origin、Parametric Technology社製Mathchad等)によって処理し、D50粒径、最大粒径Dmaxを算出する。
以下に記載する実施例、比較例では走査型電子顕微鏡として日本電子製JSM−7600Fを用いた。
粒径0.1〜10μm、純度99.9%以上のグラファイトをMo製カプセルに入れ、ベルト型高圧発生装置を用いて、10GPa、2100℃で30分間処理し、多結晶ダイヤモンドを形成した。この試料の粒径を電子顕微鏡により観察した。平均粒径と最大粒径は表1のようになった。
次に図5のようにすくい面(Y)側から逃げ面(X)側にビームが向くように工具をステージに設置し、集束イオンビーム装置に導入した。これにVバイトの両側に対してイオン電流1000pA以下で逃げ面B(1XB)を形成した。工具を傾けて2つの逃げ面に挟まれた角を観察した。曲率半径R3を表1に記載した。
以上の加工により、図7に示すような先端90度のVバイトが完成した。同様の方法で図8に示すような先端40度やそれ以下の先鋭Vバイトも加工することができる。
実施例1より粒径の小さいナノ多結晶ダイヤモンドを使用した以外は、実施例1と同様にしてVバイトを作製した。
ホウ素ドープした導電性ナノ多結晶ダイヤモンドを使用した以外は、実施例1と同様にしてVバイトを作製した。
比較例として、単結晶ダイヤモンドを用いた例、粒径の異なる多結晶ダイヤモンドを用いた例、工具加工法が異なる例を表1に記載した。
粒径0.1〜10μm、純度99.9%以上のグラファイトをMo製カプセルに入れ、ベルト型高圧発生装置を用いて、10GPa、2100℃で30分間処理し、多結晶ダイヤモンドを形成した。この試料の粒径を電子顕微鏡により観察した。平均粒径は30nmと最大粒径90nmとなった。
これにレーザーカットおよび研磨によって粗加工してチップ形状を作り、シャンクにロウ付けを行った。次に粗研磨によって図9に示すような溝入れバイトのすくい面(Y)および第2逃げ面(2X)を形成した。
粒径0.1〜10μm、純度99.9%以上の六方晶窒化ホウ素をMo製カプセルに入れ、ベルト型高圧発生装置を用いて、13GPa、1650℃で30分間処理し、高圧相窒化ホウ素多結晶体を形成した。結晶構造はX線回折により判定し、試料の粒径は電子顕微鏡により観察した。平均粒径と最大粒径は表3のようになった。
次に図5のようにすくい面(Y)側から逃げ面(X)側にビームが向くように工具をステージに設置し、集束イオンビーム装置に導入した。これにVバイトの両側に対してイオン電流1000pA以下で逃げ面B(1XB)を形成した。工具を傾けて2つの逃げ面に挟まれた角を観察した。曲率半径R3を表3に記載した。
以上の加工により、図7に示すような先端90度のVバイトが完成した。同様の方法で図8に示すような先端40度やそれ以下の先鋭Vバイトも加工することができる。
高圧相窒化ホウ素に立方晶だけでなく、一部ウルツ鉱型が含まれ、粒径が細かい点以外は実施例5と同様にしてVバイトを作製した。
実施例5と粒径が異なる以外は、実施例5と同様にしてVバイトを作製した。
比較例として、単結晶ダイヤモンドを用いた例、多結晶ダイヤモンドを用いた例、粒径の異なる高圧相窒化ホウ素を用いた例、工具加工法が異なる例を表3に記載した。
粒径0.1〜10μm、純度99.9%以上の六方晶窒化ホウ素をMo製カプセルに入れ、ベルト型高圧発生装置を用いて、12GPa、1650℃で30分間処理し、高圧相窒化ホウ素を形成した。この試料の粒径を電子顕微鏡により観察した。平均粒径は30nmと最大粒径90nmとなった。
これにレーザーカットおよび研磨によって粗加工してチップ形状を作り、シャンクにロウ付けを行った。次に粗研磨によって図9に示すような溝入れバイトのすくい面(Y)および第2逃げ面(2X)を形成した。
BCl3ガスとアセトニトリルをモル比1:1で反応管に導入して、高周波誘導加熱により1800℃に昇温したカーボン上にグラファイト状BC2N膜を蒸着した。次にこれを粉砕して粒径0.1〜10μmにしてMo製カプセルに入れ、ベルト型高圧発生装置を用いて、25GPa、2200℃で30分間処理し、ダイヤモンド状多結晶BC2Nを形成した。この試料の粒径を電子顕微鏡により観察した。平均粒径と最大粒径は表5のようになった。
次に図5のようにすくい面(Y)側から逃げ面(X)側にビームが向くように工具をステージに設置し、集束イオンビーム装置に導入した。これにVバイトの両側に対してイオン電流1000pA以下で逃げ面B(1XB)を形成した。工具を傾けて2つの逃げ面に挟まれた角を観察した。曲率半径R3を表5に記載した。
以上の加工により、図7に示すような先端90度のVバイトが完成した。同様の方法で図8に示すような先端40度やそれ以下の先鋭Vバイトも加工することができる。
実施例9より粒径の小さいナノ多結晶BC2Nを使用した以外は、実施例9と同様にしてVバイトを作製した。
ホウ素ドープした導電性ナノ多結晶BC2Nを使用した以外は、実施例1と同様にしてVバイトを作製した。
比較例として、単結晶ダイヤモンドを用いた例、粒径の異なる多結晶BC2Nを用いた例、工具加工法が異なる例を表5に記載した。
Y すくい面
1X 第1逃げ面
2X 第2逃げ面
1XA 第1逃げ面A
1XB 第1逃げ面B
F 集束イオンビームの向き
R 曲率半径
R1 刃先の曲率半径
R2 すくい面と逃げ面に挟まれた角の曲率半径
R3 2つの逃げ面に挟まれた角の曲率半径
D50 平均粒径
Dmax 最大粒径
L 第1逃げ面Aの幅
Claims (10)
- 焼結助剤や触媒を含まず、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子多結晶体を切刃とした切削工具であって、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R1以下、最大粒径が2×R1以下であり、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下である切削工具。 - 焼結助剤や触媒を含まず、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子多結晶体を切刃とした切削工具であって、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R1以下、最大粒径が2×R1以下であり、
前記切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R2以下、最大粒径が2×R2以下であり、
前記切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下である、切削工具。 - 焼結助剤や触媒を含まず、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子多結晶体を切刃とした切削工具であって、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R1以下、最大粒径が2×R1以下であり、
前記切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R3以下、最大粒径が2×R3以下であり、
前記切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下である、切削工具。 - 焼結助剤や触媒を含まず、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬質粒子多結晶体を切刃とした切削工具であって、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R1以下、最大粒径が2×R1以下であり、
前記切削工具のすくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R2以下、最大粒径が2×R2以下であり、
前記切削工具の2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が1.2×R3以下、最大粒径が2×R3以下であり、
前記切削工具の刃先先端の曲率半径R1が50nm以下で、前記多結晶体を構成する焼結粒子の平均粒径が60nm以下、最大粒径が100nm以下である、切削工具。 - 前記切削工具の刃先が、逃げ面がすくい面に近い側の逃げ面Aと、該逃げ面Aに隣接する、すくい面から遠い側の逃げ面Bとからなり、
前記逃げ面Aのすくい面との境界と、逃げ面Bとの境界との間の距離が3μm以下である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の切削工具。 - 前記切削工具の先端の曲率半径R1、すくい面と逃げ面で挟まれる角の曲率半径R2、2つの逃げ面で挟まれる角の曲率半径R3に対して、前記多結晶体の平均粒径が0.01×R1以上かつ0.01×R2以上かつ0.01×R3以上である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の切削工具。
- 前記多結晶体が、焼結助剤や触媒を含まず、実質的に高圧相窒化ホウ素のみからなる多結晶窒化ホウ素であり、前記高圧相窒化ホウ素が立方晶窒化ホウ素および/またはウルツ鉱型窒化ホウ素である請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の切削工具。
- 前記切削工具がVバイト、フライカット、マイクログルーブのいずれかである請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の切削工具。
- 請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の切削工具を製造する方法であって、
非ダイヤモンド型炭素物質および/または窒化ホウ素を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加無しに直接的に、ホウ素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる1種類以上の元素からなる高圧相硬化粒子に変換焼結された多結晶体を集束イオンビームによって加工して切刃とする、切削工具の製造方法。 - 逃げ面がすくい面に近い側の逃げ面Aと、該逃げ面Aに隣接する、すくい面から遠い側の逃げ面Bとからなる切削工具を製造する方法であって、
前記逃げ面Bをすくい面側から逃げ側に向けた集束イオンビームで加工した後、前記逃げ面Aを逃げ側からすくい面側に向けた集束イオンビームで加工する、請求項9に記載の切削工具の製造方法。
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