JP5944843B2 - 分光測定装置及び分光測定方法 - Google Patents

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Description

本発明は、分光測定装置及び分光測定方法に関する。
従来、測定対象となる試料に励起光を照射し、被測定光を検出する分光測定装置が知られている。この種の技術として、例えば特許文献1には、量子収率を求める際、積分球内において励起光が直接当たらない位置に試料を固定し、励起光を試料に間接的に入射して得られた強度と、励起光を試料に直接入射して得られた強度とから、試料の光吸収率を求める絶対蛍光量子効率測定装置が記載されている。
また、例えば特許文献2には、試料透過後の励起光が積分空間内に反射するような状態で試料に吸収される励起光を測定し、試料を透過後の励起光が積分空間内に反射しないような状態で試料から発生する光を測定する量子効率測定装置が記載されている。当該量子効率測定装置では、このような2段階の計測処理を行なうことで、再励起(二次励起)による測定誤差を低減することが図られている。また、非特許文献1〜3には、試料に内包されるように励起光を入射することを前提に量子収率を算出することが記載されている。
特開平9−292281号公報 特開2003−215041号公報
「Measurement of absolutephotoluminescence quantum efficiencies in conjugated polymers Chemical PhysicsLetters Volume 241」、Issues 1−2、14 July 1995、Pages 89−96、N.C. Greenham、I.D.W.Samuel、G.R. Hayes、R.T. Phillips、Y.A.R.R. Kessener、S.C. Moratti, A.B. Holmes,R.H. Friend 「An improved experimental determinationof external photoluminescence quantum efficiency Advanced Materials」、Vol. 9、Issue 3、March1997、Pages 230−232、John C. de Mello、H. Felix Wittmann、Richard H. Friend 「積分球を用いた絶対蛍光量子効率測定法の理論的検討」、第71回応用物理学会学術講演会(2010年9月12日)、14p-NK-6、市野善朗(2010.9.12)14p-NK-6
ところで、一般的に、上記の分光測定装置にあっては、前述のように、励起光が試料に内包されており、試料への入射位置における励起光の照射面積(以下、単に「励起光の照射面積」ともいう)が試料の被照射面積よりも小さいという理論下で構築されている。そのため、例えば少量の試料を測定する等の場合において、励起光の照射面積が試料の被照射面積よりも大きくされると、算出する光吸収率が真値に対し異なって見積もられ、光吸収率を精度よく測定することが困難になるおそれがある。
そこで、本発明は、光吸収率を精度よく求めることが可能な分光測定装置及び分光測定方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る分光測定装置は、測定対象となる試料に励起光を照射し、被測定光を検出する分光測定装置であって、励起光を発生させる光源と、励起光が入射される入射開口部と、内部で反射した光を出射する出射開口部とを有する積分器と、積分器内に配置され、試料を収容する収容部と、試料に励起光を入射させる入射光学系と、出射開口部から出射された光を検出する光検出器と、光検出器で検出された検出値に基づき試料の光吸収率を算出する解析手段と、を備え、試料への入射位置における励起光の照射面積は、試料の被照射面積よりも大きくされ、解析手段は、算出される光吸収率に対して、励起光の照射面積及び試料の被照射面積に関する面積比補正を行うことを特徴とする。
この分光測定装置においては、励起光の照射面積が試料の被照射面積よりも大きくすることができる。そしてこの場合において、算出される光吸収率に対して励起光の照射面積及び試料の被照射面積に関する面積比補正を行うことができる。よって、例えば少量の試料を測定する場合でも、光吸収率を精度よく求めることが可能となる。
また、励起光は、試料を内包するように当該試料に照射されていてもよい。このとき、面積比補正は、励起光の照射面積を試料の被照射面積で除算した値を、光吸収率に対して算することによって行うことができる。また、解析手段は、下式(1)による面積比補正の関係式に基づいて、光吸収率を算出することができる。

但し、
A:光吸収率、ρ=積分器反射率、S:試料の被照射面積、S:励起光の照射面積、Abs12:間接励起時の光吸収率、Abs22:直接励起時の光吸収率。
また、上記作用効果を好適に奏する構成として、具体的には、入射光学系は、試料の被照射面積よりも励起光の照射面積が大きくなるように励起光を調整する構成が挙げられる。
また、本発明に係る分光測定方法は、測定対象となる試料に励起光を照射し、被測定光を検出する分光測定方法であって、積分器内に試料を配置する工程と、試料への入射位置における励起光の照射面積が試料の被照射面積よりも大きくなるように、積分器内へ励起光を照射して試料に入射させる工程と、積分器から出射された光を光検出器で検出する工程と、光検出器で検出された検出値に基づいて、試料の光吸収率を算出する工程と、を含み、光吸収率を算出する工程では、光吸収率に対して、励起光の照射面積及び試料の被照射面積に関する面積比補正を行う工程と、を含むことを特徴とする。
この分光測定方法においても、光吸収率を精度よく求めることが可能となるという上記作用効果が奏される。
また、試料に励起光を入射させる工程では、励起光が試料を内包するように照射されてもよい。このとき、面積比補正は、励起光の照射面積を試料の被照射面積で除算した値を、光吸収率に対して算することによって行うことができる。また、光吸収率を算出する工程では、下式(2)による面積比補正の関係式に基づいて、光吸収率を算出することができる。

但し、
A:光吸収率、ρ=積分器反射率、S:試料の被照射面積、S:励起光の照射面積、Abs12:間接励起時の光吸収率、Abs22:直接励起時の光吸収率。
本発明によれば、光吸収率を精度よく求めることが可能となる。
一実施形態に係る分光測定装置の構成を模式的に示す図である。 間接励起時の本体を示す平面図である。 図2の暗箱の内部及びその周辺部分の拡大図である。 図3のIV−IV線に沿っての断面図である。 試料容器の一例を示す斜視図である。 直接励起時の図4に対応する断面図である。 図1の分光測定装置を用いた分光測定方法を示すフローチャートである。 (a)は試料がない状態で検出された波長スペクトルの一例を示すグラフ、(b)は間接励起時に検出された波長スペクトルの一例を示すグラフ、(c)は直接励起時に検出された波長スペクトルの一例を示すグラフである。 (a)は励起光の照射面積及び試料の被照射面積の関係についての一例を示す模式図、(b)は励起光の照射面積及び試料の被照射面積の関係についての他の例を示す模式図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、一実施形態に係る分光測定装置の構成を模式的に示す図である。図1に示すように、本実施形態による分光測定装置100は、測定対象となるサンプルとしての試料について、フォトルミネッセンス法(PL法)によって蛍光特性等の発光特性を測定又は評価するものである。試料は、例えば、有機EL(Electroluminescence)材料や、白色LED(Light EmittingDiode)用やFPD(Flat Panel Display)用等の発光材料等の蛍光試料であり、例えば粉末状、液体状(溶液状)、固体状又は薄膜状のものを用いることができる。分光測定装置100は、本体1A、データ解析装置50、入力装置91及び表示装置92を備えている。
図2は間接励起時の本体を示す平面図、図3は図2の暗箱の内部及びその周辺部分の拡大図、図4は図3のIV−IV線に沿っての断面図である。図2〜4に示すように、本体1Aは、試料1に所定波長の励起光L1を照射し、当該照射に応じて生じた被測定光L2を検出する。この本体1Aは、暗箱5を備えている。
暗箱5は、金属からなる直方体状の箱体であって、外部からの光の侵入を遮断する。暗箱5の内面5aには、励起光L1及び被測定光L2を吸収する材料による塗装等が施されている。暗箱5の一方の側壁には、光発生部6の光出射部7が接続されている。光発生部6は、例えばキセノンランプや分光器等により構成された励起光源であって、励起光L1を発生させる。励起光L1は、光出射部7に設けられたレンズ8によってコリメートされて、暗箱5内に入射する。
暗箱5の後壁には、光検出部(光検出器)9の光入射部11が接続されている。光検出部9は、例えば分光器やCCDセンサ等により構成されたマルチチャンネル検出器であって、被測定光L2を検出する。被測定光L2は、光入射部11に設けられた絞り部材12であるアパーチャの開口部12aで絞られて、スリット13を介して光検出部9内に入射する。
暗箱5内には、積分球(積分器)14が配置されている。積分球14は、その内面14aに硫酸バリウム等の高拡散反射剤の塗布が施されるか、若しくはPTFEやスペクトラロン等の材料で形成されている。積分球14には、励起光L1を入射させる光入射開口(入射開口部)15、及び被測定光L2を出射させる光出射開口(出射開口部)16が形成されている。励起光L1は、間接励起時において暗箱5内でレンズ61により集光され、光入射開口15を介して積分球14内に入射する。被測定光L2は、光出射開口16に設けられた絞り部材17のアパーチャである開口17aで絞られて、積分球14外に出射する。
以上の暗箱5、光発生部6及び光検出部9は、金属からなる筐体10内に収容されている。なお、光発生部6の光出射部7から出射させられる励起光L1の光軸と、光検出部9の光入射部11に入射させられる被測定光L2の光軸とは、水平面内において略直交している。
積分球14の下部及び積分球14が固定されたステージ31には、開口37が形成されている。開口37には、ステージ31の下側から着脱自在に取り付けられた試料容器ホルダ(試料ホルダ)24が配設されている。つまり、試料容器ホルダ24は、積分球14に対して着脱自在に取り付けられている。試料容器ホルダ24は、試料容器40を載置し支持する試料台241を有している。
図5は試料容器の一例を示す斜視図である。図5に示すように、試料容器40は、積分球14を利用した測定に用いられるものであって、矩形板状(例えば、長方形状)の鍔部41と、鍔部41上に設けられた凸部42と、凸部42に設けられ試料1を収容する凹部としての収容部43と、を有している。なお、鍔部41の形状は、矩形状に限らず、円形形状や楕円形状など他の形状でもよい。このような試料容器40は、中心部分に貫通孔を有する円柱部材を板部材上に接着等により固定することで作製することができる。これにより、板部材のうち円柱部材が接着されていない部分が鍔部41となり、また、円柱部材の貫通穴が試料1を収容する凹部としての収容部43となる。このような製造方法によれば、比較的容易に試料容器40を製造することができる。
この試料容器40は、当該試料容器40による光の吸収を抑制する等のために好ましいとして、例えば石英や合成石英等の透明材料で形成されている。なお、試料容器40は、完全に透明されていなくともよい。凸部42は、上方から見て円形の外形を有しており、その断面が円形状となっている。収容部43は、上方から見て、鍔部41の長手方向に長尺状の長円形状(換言すると、鍔部41と同じ長軸を有するトラック形状)を有している。つまり、収容部43の開口による面(以下、収容部43の開口面)の長軸方向が鍔部41の長軸方向と同方向となる。また、収容部43の開口面の形状は長円形状に限らず、長方形状や楕円形状など、長軸を有する形状であればよい。収容部43の開口面の形状が長軸を有するため、開口面積を広くすることができる。この収容部43は、試料1に照射される励起光L1が試料1を内包するように試料1を収容できる。
図6は直接励起時の図4に対応する断面図である。図6に示すように、本実施形態の本体1Aは、励起光L1の光路を切り替える光路切替手段として、ハンドル62(図3参照)を備えている。本体1Aでは、このハンドル62によってステージ63が移動させられ、レンズ61からコリメータレンズ64に切り替えられる。コリメータレンズ64によって集光された励起光L1は、ミラー65,66で順次反射されて積分球14内へ向けて照射される。
積分球14の光入射開口15には、アパーチャ67が設けられている。アパーチャ67の開口部の少なくとも一部には、切欠き67aが形成されている。切欠き67aの形状は、アパーチャ67を通過し試料1に入射される励起光L1が試料1の領域(上方視における試料1の面積)よりも広くなるように形成されている。換言すると、アパーチャ67は、励起光L1を遮らない形状に形成され、その開口部が照射光軸の下流側に行くに従って拡がるように傾斜している。
これらコリメータレンズ64、ミラー65,66及びアパーチャ67は、試料1に励起光L1を入射させるための入射光学系を構成する。この入射光学系においては、暗箱5に入射した励起光L1は、コリメータレンズ64で平行化され、ミラー65、66で順次反射され、アパーチャ67を通過して積分球14に入射され、これにより、励起光L1は、積分球14内において試料1を内包するように試料容器40へ照射される。
なお、図9に示すように、励起光L1の照射面積Sは、試料1への入射位置における励起光L1の照射領域Rについての面積であり、試料1の被照射面積S,Sは、試料1が励起光L1を受ける被照射領域Rの面積である。
図1に戻り、データ解析装置50は、光検出部9によって取得された波長スペクトル(検出値)に対して必要なデータ解析を行い、試料1についての情報を取得する解析手段である。ここでのデータ解析装置50は、分光分析装置30からの出力に基づき試料1の光吸収率を算出すると共に、算出した光吸収率に対して励起光L1の照射面積及び試料1の被照射面積に関する面積比補正を行う(詳しくは、後述)。
また、入力装置91は、データ解析等についての指示の入力又は解析条件の入力等に用いられ、データ解析装置50に接続されている。表示装置92は、得られたデータ解析結果の表示等に用いられ、データ解析装置50に接続されている。
次に、上記分光測定装置100による分光測定方法について、図7のフローチャートを参照しつつ説明する。
[間接励起時]
まず、試料1に励起光L1が直接照射されない状態時である間接励起時の測定を行う。例えば光路切替えスイッチ等を操作することにより、ハンドル62を作動させてステージ63を移動させ、励起光L1の光軸上にレンズ61が配置される光学配置とする(S1、図4参照)。これと共に、励起光L1の波長を所定波長に設定する(S2)。
次いで、試料容器40が未設置の(つまり、試料1がない)状態での分光測定であるリファレンス測定を行う(S3)。具体的には、光発生部6から光を出射させ、積分球14内へ励起光L1を入射させる。この励起光L1は、試料1に直接入射されずに、そのまま積分球14の内面に到達する。そして、積分球14内部で多重拡散反射した光を、光出射開口16から光検出部9へ出射させ、当該光検出部9により波長スペクトル15a(図8(a)参照)を得る。この波長スペクトル15aは励起波長領域に強度を持つため、データ解析装置50により、励起波長領域の強度を積算し、試料1が無い状態での励起光領域強度Laを取得する。
次いで、試料容器40に試料1を収容し、この試料容器40を試料容器ホルダ24の試料台241上に配置する。そして、積分球14内に試料1を配置した状態での直接励起時分光測定であるサンプル測定を行う(S4)。具体的には、光発生部6から光を出射させ、積分球14内へ励起光L1を入射させる。この励起光L1は、試料1に直接入射されずに、そのまま積分球14の内面に到達する(図4参照)。そして、積分球14内部で多重拡散反射した光を、光出射開口16から光検出部9へ出射させ、当該光検出部9により波長スペクトル15b(図8(b)参照)を得る。続いて、データ解析装置50により、励起波長領域の強度を積算し、間接励起時の励起光領域強度Lbを取得する。
次いで、取得した強度La,Lbに基づいて、間接励起時の光吸収率をデータ解析装置50により算出する(S5)。具体的には、下式に従い間接励起時の光吸収率Absを算出する。
Abs=1−Lb/La
[直接励起時]
次いで、試料1に励起光L1が直接照射される状態時である直接励起時の測定を行う。例えば光路切替えスイッチ等を操作することにより、ハンドル62を作動させてステージ63を移動させ、励起光L1の光軸上にコリメータレンズ64が配置される光学配置とする(S6、図6参照)。これと共に、励起光L1の波長を所定波長に設定する(S7)。
次いで、上記S3と同様にリファレンス測定を行い、試料1が無い状態での励起光領域強度Laを取得する(S8)。続いて、サンプル測定を行い、直接励起時の励起光領域強度Lcを取得する(S9)。具体的には、光発生部6から光を出射させ、積分球14内へ励起光L1を入射させ、これにより、励起光L1を試料容器ホルダ24上の試料1に照射する。
このとき、励起光L1は、コリメータレンズ64を経て、アパーチャ213を通過することで、そのスポット径が試料1の領域よりも広い状態で試料1に照射される、すなわち、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きくなり、試料1を内包するように試料1に照射される(図6,9参照)。
続いて、積分球14内部で多重拡散反射した光を、光出射開口16から光検出部9へ出射させ、当該光検出部9により波長スペクトル15c(図8(c)参照)を得る。ここでの被測定光L2としては、励起光L1の照射により試料1で生じた蛍光等の発光、及び励起光L1のうち試料1で散乱、反射等された光成分を含んでいる。そして、データ解析装置50により、励起波長領域の強度を積算し、直接励起時の励起光領域強度Lcを取得する。
次いで、取得した強度La,Lcに基づいて、直接励起時の光吸収率をデータ解析装置50により算出する(S10)。具体的には、下式に従い直接励起時の光吸収率Absを算出する。
Abs=1−Lc/La
最後に、試料1の光吸収率Aを算出する(S11)。ここで、本実施形態では、光吸収率を算出する際、励起光L1の照射面積S及び試料1の被照射面積Sに関する面積比補正(以下、単に「面積比補正」という)が行われる。この面積比補正は、光吸収率に対して「被照射面積S /照射面積S 」を算することに基づき実施される。ここでは、下式(3)による面積比補正の関係式に基づいて、光吸収率Aを算出している。なお、下式(3)の具体的説明については後述する。

但し、
A:光吸収率、
ρ:積分器反射率(積分球14の内壁材料についての励起波長での反射率)
Abs12:間接励起時の光吸収率、
Abs22:直接励起時の光吸収率。
ところで、分光測定装置100の分野では、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも小さいことが常識であり、一般的な分光測定においては、当該常識が前提で理論が構築されている。よって、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きい場合、一般的な分光測定による光吸収率は、正確な値(真値)よりも小さくなるおそれがある。そこで、この理論について鋭意検討を重ねた結果、試料1の被照射面積Sと励起光L1の照射面積Sとからなる面積比で光吸収率Aを補正する必要があるという知見が見出された。
すなわち、本実施形態は、当該知見に基づいてなされたものであり、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きい場合において、算出される光吸収率Aに対して面積比補正を行うことにより、光吸収率Aを精度よく求めることが可能となる。
また、本実施形態では、上述のように、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きい場合に光吸収率Aを精度よく求め得るため、試料1の量が少なくても、光吸収率Aを精度よく測定することが可能となる。よって、本実施形態は、少ない量の試料1を測定する場合に特に有効なものともいえる。つまり、本実施形態は、積分球14を用いた吸収率測定において、面積補正方法を適用することにより、少量サンプルに対しても測定可能となるものである。
ちなみに、少ない試料1で測定する場合には、被照射面積Sをそのままで試料容器40の収容部43の深さを浅くすることも考えられるが、この場合、試料1が離散しやすくなるため、少なくとも使い勝手の点で実用的ではない。
なお、本実施形態では、試料1を内包するように当該試料1に励起光L1を照射したが、これに限定されるものではない。例えば、励起光L1の入射光学系、及び、試料容器40の収容部43の形状の少なくとも一方を調整することにより、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きい条件下において、励起光L1を試料1の一部と重なるように照射してもよい(図9(b)参照)。
このとき、データ解析装置50による上記演算では、光吸収率を算出するに際して面積比補正を行う場合、下式(4)による面積比補正の関係式に基づいて、光吸収率Aを算出できる。なお、下式(4)の具体的説明については後述する。

但し、
Abs13:間接励起時の光吸収率、
Abs23:直接励起時の光吸収率。
次に、上式(3),(4)に関して具体的に説明する。
図9(a)に示すように、励起光L1が試料1全体に包むように照射される場合、試料1の面積荷重平均反射率Tと光吸収率Aとの関係式は、下式(5)により定義される。
よって、上記非特許文献2にて求められている“de Mello の光吸収率”の算出式は、下式(6)となる。なお、“de Mello の光吸収率”の算出式は、積分球14の物理過程をキャンセルしているといえる。また、下式(6)では、“de Mello の光吸収率”が1−相対反射率(T/ρ)となっている。

但し、
Lb:間接励起時の励起光領域強度、Lc:直接励起時の励起光領域強度。
積分球14の物理過程をキャンセルした物理モデルで考察すると、実測される反射率Trは、下式(7)に示す相対反射率で求められる。また、実測される光吸収率Arは、下式(8)で示す(1−相対反射率)で求められる。

面積加重平均反射率Tは下式(9)で定義され、下式(9)から下式(10)が導出される。

上式(10)を上式(8)に代入すると、下式(11)が導出される。試料1の絶対反射率Tと光吸収率Aとの関係式「T=1−A」を下式(11)に代入すると、下式(12),(13)が導出され、上式(6)と上式(8)から下式(14)が導出される。下式(14)は、実験的に“de Mello の光吸収率”を求め、その値に面積比補正S/Sを行っており、積分球14の励起波長での絶対反射率である積分器反射率ρが既知であれば、試料1の真の光吸収率Aを算出できることを意味する。



一方、図9(b)に示すように、励起光L1が試料1の一部に重なるように照射され、照射面積Sが被照射面積Sよりも大きい場合、試料1の面積荷重平均反射率Tと光吸収率Aとの関係式は、下式(15)により定義される。
よって、“de Mello の光吸収率”の算出式は下式(16)となる。なお、“de Mello の光吸収率”の算出式は、積分球14の物理過程をキャンセルしているといえる。また、下式(16)では、“de Mello の光吸収率”が1−相対反射率(T/ρ)となっている。

但し、
Lb:間接励起時の励起光領域強度、Lc:直接励起時の励起光領域強度。
積分球14の物理過程をキャンセルした物理モデルで考察すると、実測される反射率Trは、下式(17)に示す相対反射率で求められる。また、実測される光吸収率Arは、下式(18)で示す(1−相対反射率)で求められる。

面積加重平均反射率Tは下式(19)で定義され、下式(19)から下式(20)が導出される。

上式(20)を上式(18)に代入すると、下式(21)が導出される。試料1の絶対反射率Tと光吸収率Aとの関係式「T=1−A」を下式(21)に代入すると、下式(22),(23)が導出され、上式(16)と上式(18)とから下式(24)が導出される。下式(24)は、実験的に“de Mello の光吸収率”を求め、その値に面積比補正S/Sを行っており、積分球14の励起波長での積分器反射率ρが既知であれば、試料1の真の光吸収率Aを算出できることを意味する。



“de Mello の光吸収率”の算出式「A=1−(1−A)/ρ=1−T/ρ」と、実測される光吸収率(1−相対反射率)の関係式「A=1−T=1−T/ρ」と、から下式(25)が求まる。また、上式(6),(8)から下式(26)が求まる。また、上式(16),(18)から下式(27)が求まる。“de Mello の光吸収率”は、1次反射で実測される光吸収率(1−相対反射率)を求めていることと等価となる。


実測される光吸収率(1−相対反射率)の関係式「A=1−T=1−T/ρ」と、上式(11)と、から下式(28)が求まる。これに上式(25),(26)を代入すると、下式(29)が求まる。

また、実測される光吸収率(1−相対反射率)の関係式「A=1−T=1−T/ρ」と、上式(21)と、から下式(30)が求まる。これに上式(25),(27)を代入すると、下式(31)が求まる。

なお、上式(29),(31)は、試料1の被照射面積Sが励起光L1の照射面積S以上となる測定条件の“de Mello の光吸収率”に対して、各光学条件での測定値を面積補正係数で補正することによって等価になることを示している。
従って、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きく、且つ、励起光L1が試料1を内包する光学条件(図9(a)参照)では、光吸収率の真値Aを下式(32)により求めることができる。また、励起光L1の照射面積Sが試料1の被照射面積Sよりも大きく、且つ、励起光L1が試料1の一部と重なるという光学条件(図9(b)参照)では、光吸収率の真値Aを下式(33)により求めることができる。

光吸収率の真値Aは、ρ=1と近似できる場合、上式(32)は単純化されて下式(34)となり、上式(33)は単純化されて下式(35)となる。

ここで、上述の強度Lb,Lc,Lb,Lcを実験的に直接求めることが困難な場合があり、例えば間接励起時と直接励起時との光路を切替え等により強度変化する場合などが挙げられる。この場合、実験的に測定可能な反射率や光吸収率を測定パラメータとして使用できる。
すなわち、光吸収率の真値Aにあっては、各光学条件で反射率Rを測定パラメータとすることで、上式(32)は下式(36)のように求められ、上式(33)は下式(37)のように求められる。また、光吸収率の真値Aにあっては、各光学条件で光吸収率Absを測定パラメータとすることで、上式(32)は上式(3)のように求められ、上式(33)は上式(4)のように求められることとなる。


但し、
12:間接励起時の反射率=Lb/La、R22:直接励起時の反射率=Lc/La、
13:間接励起時の反射率=Lb/La、R23:直接励起時の反射率=Lc/La。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用してもよい。
例えば、上記実施形態では、間接励起時と直接励起時とを切り替える場合、光学系を駆動してその光学配置を変更させたが、これに代えて又は加えて、試料1(試料容器40)を移動させてもよい。また、上記実施形態では、積分器として積分球14を用いたが、その内部の光を空間的に積分する手段(光学コンポーネント)であればよく、例えば特開2009−103654号公報に開示された積分半球を用いてもよい。また、上記実施形態では、積分器に取り付けられる試料容器ホルダ24が収容部43を有する試料容器40を保持していたが、収容部43を有する試料ホルダを積分器に取り付けてもよい。
また、上記実施形態では、次の式に示す面積比補正を行うことにより、光吸収率Aを求めてもよい。
A=S/S×A´
A=ρ×S/S×A´+(1−ρ)
但し、
A´:補正前の光吸収率
また、上記実施形態では、照射面積Sを被照射面積Sよりも大きくするために、光出射部7からの励起光L1を広げるレンズを設けてもよい。また、コリメータレンズ64、ミラー65,66及びアパーチャ67を入射光学系として備えているが、アパーチャ67のみ備えていてもよい。さらにまた、広がった励起光L1が光出射部7から出射されることから、入射光学系を光出射部7の出射端部を含んで(又はのみで)構成してもよい。
また、上記実施形態では、上記間接励起時の測定(上記S1〜上記S5)の前に上記直接励起時の測定(上記S6〜上記S10)を実施してもよく、これらは順不同である。また、上記実施形態では、試料1の被照射面積Sよりも励起光L1の照射面積Sが大きくなるように構成すればよく、例えば、励起光L1の入射光学系、及び、試料容器40の収容部43の形状の少なくとも一方を調整することにより、被照射面積Sよりも照射面積Sを大きくできる。
1…試料、6…光発生部(光源)9…光検出部(光検出部)、14…積分球(積分器)、15…光入射開口(入射開口部)、16…光出射開口(出射開口部)、43…収容部、50…データ解析装置(解析手段)、64…コリメータレンズ(入射光学系)、65,66…ミラー(入射光学系)、67…アパーチャ(入射光学系)、100…分光測定装置、L1…励起光、L2…被測定光、S…試料の被照射面積、S…励起光の照射面積。

Claims (9)

  1. 測定対象となる試料に励起光を照射し、被測定光を検出する分光測定装置であって、
    前記励起光を発生させる光源と、
    前記励起光が入射される入射開口部と、被測定光を出射する出射開口部とを有する積分器と、
    前記積分器内に配置され、前記試料を収容する収容部と、
    前記試料に前記励起光を入射させる入射光学系と、
    前記出射開口部から出射された被測定光を検出する光検出器と、
    前記光検出器で検出された検出値に基づき前記試料の光吸収率を算出する解析手段と、を備え、
    前記試料への入射位置における前記励起光の照射面積は、前記試料の被照射面積よりも大きくされ、
    前記解析手段は、算出される前記光吸収率に対して、前記励起光の前記照射面積及び前記試料の前記被照射面積に関する面積比補正を行うことを特徴とする分光測定装置。
  2. 前記励起光は、前記試料を内包するように当該試料に照射されることを特徴とする請求項1記載の分光測定装置。
  3. 前記面積比補正は、前記励起光の照射面積を前記試料の被照射面積で除算した値を、前記光吸収率に対して算することによって行われることを特徴とする請求項2記載の分光測定装置。
  4. 前記解析手段は、下式(1)による前記面積比補正の関係式に基づいて、前記光吸収率を算出することを特徴とする請求項3記載の分光測定装置。

    但し、
    A:光吸収率、ρ=積分器反射率、S:試料の被照射面積、S:励起光の照射面積、
    Abs12:間接励起時の光吸収率、Abs22:直接励起時の光吸収率。
  5. 前記入射光学系は、前記試料の前記被照射面積よりも前記励起光の照射面積が大きくなるように前記励起光を調整することを特徴とする請求項1〜4の何れか一項記載の分光測定装置。
  6. 測定対象となる試料に励起光を照射し、被測定光を検出する分光測定方法であって、
    積分器内に前記試料を配置する工程と、
    前記試料への入射位置における前記励起光の照射面積が前記試料の被照射面積よりも大きくなるように、前記積分器内へ前記励起光を照射して前記試料に入射させる工程と、
    前記積分器から出射された被測定光を光検出器で検出する工程と、
    前記光検出器で検出された検出値に基づいて、前記試料の光吸収率を算出する工程と、を含み、
    前記光吸収率を算出する工程では、前記光吸収率に対して、前記励起光の前記照射面積及び前記試料の前記被照射面積に関する面積比補正を行うことを特徴とする分光測定方法。
  7. 前記試料に前記励起光を入射させる工程では、前記励起光が前記試料を内包するように照射されることを特徴とする請求項6記載の分光測定方法。
  8. 前記面積比補正は、前記励起光の照射面積を前記試料の被照射面積で除算した値を、前記光吸収率に対して算することによって行われることを特徴とする請求項7記載の分光測定方法。
  9. 前記光吸収率を算出する工程では、下式(2)による前記面積比補正の関係式に基づいて、前記光吸収率を算出することを特徴とする請求項7記載の分光測定方法。

    但し、
    A:光吸収率、ρ=積分器反射率、S:試料の被照射面積、S:励起光の照射面積、
    Abs12:間接励起時の光吸収率、Abs22:直接励起時の光吸収率。
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