JP5942931B2 - 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 - Google Patents
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Description
このようなものであれば、上ツバと保温板が接触するときの摩擦力により発生し得る微小片がシリコン融液表面へ落下することを確実に抑制できる。その結果、引上げ中の単結晶の有転位化や不純物汚染をより確実に抑制することができる。
近年、大直径の単結晶、特には450mm以上の大直径の長尺単結晶の製造では原料溶融や種付の際に整流筒の開口部を保温板で塞いで、ホットゾーンを保温することが必要となっている。しかし、シードチャックで保温板を持ち上げる際に、シリコン単結晶の回転を妨げ、育成中のシリコン単結晶の有転位化が発生するという問題があった。
図1、図2に示すように、本発明の製造装置1は原料を収容するルツボ2、3と、原料を加熱して原料融液4にするヒータ5がメインチャンバ6内に格納されている。メインチャンバ6の上部に連設されたプルチャンバ7の上部には、単結晶8を引き上げるためのワイヤ9が設けられている。なお、ルツボ2、3は内側に原料融液4を直接収容するための石英ルツボ2と、外側に該石英ルツボ2を支持するための黒鉛ルツボ3とから構成されている。
また、球22の個数は、球22が回転し、上ツバ19が水平を常時維持できる程度に敷き詰めたものであることがより望ましい。
このようなものであれば、上ツバ19と保温板13が接触するときの摩擦力により発生し得る微小片が原料融液4表面へ落下したり、引き上げ中の単結晶8の表面に微小片が付着したりすることを確実に抑制できる。その結果、引上げ中の単結晶の有転位化や不純物汚染をより確実に抑制することができる。
また、図1に示すように、種付時には、種結晶11とシードチャック12と原料融液4を保温するために、保温板13は断熱リング15上に載置されている。尚、本実施形態では、原料を加熱し溶融する時、及び種付時に、保温板13は、整流筒10の開口部の断熱リング15上に載置されているが、これに限定されない。例えば、断熱リング15を有していない単結晶製造装置であっても、保温板13が整流筒10の開口部の下端に設置されるようなものであれば、本発明と同様に原料、原料融液4、種結晶11、シードチャック12を保温することができる。
まず、ルツボ2、3内に原料を収容する。次に、種結晶11を取り外した状態のシードチャック12を原料の直上に設置し、保温板13を、整流筒10の下端に取り付けられた断熱リング15上に設置し、原料周辺の保温性を高める。この状態で、ヒータ5で原料を加熱し溶融して原料融液4にする。次に、シードチャック12に先の尖った種結晶11を取り付け、ワイヤ9を巻き出し、シードチャック12を下降させ、原料融液4に、種結晶11を近づける。そして、原料融液4直上で種結晶11を原料融液4表面からの輻射熱で加熱し保温する。このとき、図1に示すように、保温板13は、断熱リング15上に載置されている。
このような単結晶製造方法であれば、シードチャック12と保温板13により原料周辺の保温性を高めることで、ヒータの電力が低パワーであっても原料を溶融できる。種付時には、種結晶11を十分に加熱し保温できるので、原料融液4と種結晶11の温度差による熱ショックが原因の転位の発生を抑制することができる。そして、単結晶8引上げ中には、単結晶8の回転速度の減速を抑制できるので、引上げ中の単結晶8の有転位化を抑制することができる。また、シードチャック12のみを改造すれば良いため、既存の単結晶製造装置で容易に実施することができる。
図1に示すような単結晶製造装置及び本発明の単結晶製造方法を用いてシリコン単結晶を製造した。まず、直径40inch(1016mm)の石英ルツボにシリコン多結晶原料を500kg投入した。そして、保温板を断熱リング上に載置した状態で、30時間で溶融が完了するようにヒータの溶融パワーを制御しながらシリコン多結晶原料を溶融した。シリコン多結晶原料の溶融終了後、無転位種付け法により、単結晶の直径を450mmまで拡径させ、シリコン単結晶を引き上げた。この引上げの際、図3、図4に示すような、装着具を用いて、保温板を種結晶とともに引き上げた。
保温板を具備しない単結晶製造装置を用いたこと以外、実施例と同様な条件で直径450mmのシリコン単結晶を製造した。
保温板をシードチャックの回転から独立して回転可能に装着する機構を有さない装着具を用いた単結晶製造装置を用いたこと以外、実施例と同様な条件で直径450mmのシリコン単結晶を製造した。
4…原料融液、 5…ヒータ、 6…メインチャンバ、
7…プルチャンバ、 8…単結晶、 9…ワイヤ、 10…整流筒、
11…種結晶、 12…シードチャック、 13…保温板、
14…装着具、 15…断熱リング、 16…断熱材、 17…断熱材保護部材
18…下ツバ、 19…上ツバ、 20、21…溝、 22…球、 23…障壁。
Claims (4)
- 原料を収容するルツボと、前記原料を加熱して原料融液にするヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、育成した単結晶が引き上げられて収容されるプルチャンバと、前記メインチャンバの天井部から下方に延設され、前記単結晶を導通する開口部を有する円筒状の整流筒と、種結晶を保持するための回転可能なシードチャックと、前記原料を加熱し溶融する時には、前記整流筒の前記開口部の下端に設置され、前記単結晶を引き上げる時には、前記種結晶とともに引上げられる保温板を具備し、前記種結晶を前記保温板とともに引上げながら前記単結晶を製造する単結晶製造装置であって、
前記シードチャックは、前記保温板を装着するための装着具を具備し、該装着具は、前記保温板を前記シードチャックの回転から独立して回転可能に装着する機構を有するものであることを特徴とする単結晶製造装置。 - 前記装着具は、前記シードチャックの側面から延出する環状の下ツバと、前記保温板を乗せて、前記シードチャックの回転から独立して回転をすることができる環状の上ツバを有し、前記下ツバの上面及び前記上ツバの下面に環状の溝が設けられ、前記下ツバの上面の環状の溝及び前記上ツバの下面の環状の溝に配置された3個以上の球を介して、前記上ツバが前記下ツバ上方に載置されたものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造装置。
- 前記下ツバが、最外周に上方に突出した障壁を有するものであることを特徴とする請求項2に記載の単結晶製造装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。
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