JP5940551B2 - 電磁放射線を検出するための装置 - Google Patents
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Description
− 前記放射線に対して感度を持つ第1の素子(element)が設けられた少なくとも1つのアクティブ電磁放射線検出器(active electromagnetic radiation detector)と、
− 前記電磁放射線に対して感度を持つ第2の素子を備える基準検出器(reference detector)であって、前記第2の感受素子(second sensitive element)は入射する電磁放射線に面した第1の面と前記基板に面した第2の面と有する、少なくとも1つの基準検出器と、
− 前記第2の感受素子の前記第1の面に平行な前記入射する電磁放射線を反射するための第1の反射手段が設けられたカバー(lid)であって、前記カバーは、接することなく前記第2の感受素子を覆い、且つ、前記基板とともにそこに格納された前記基準検出器を有するキャビティを形作り、前記アクティブ検出器は前記キャビティの外側にある、カバーと、
を備える。
− カバーは、第1の主面の上方に、カバーから第1の主面を0.5μmから5μmの範囲の距離dで隔てる空間を形成し、
− 前記カバーは、電磁放射線の干渉(electromagnetic coupling)による電磁放射線の伝送に起因する二次電磁放射線の伝送を妨げる第2の側面反射手段(second lateral reflective means)を備え、
− 第2の側面反射手段は第1の反射手段まで連続し、第1の反射手段とともに連続反射シールドを形成する。
− 室温約300K
− 3ミリトールから30ミリトールの範囲の圧力
− 10cm3/minから100cm3/minの範囲の流量の酸素
− 10cm3/minから100cm3/minの範囲の流量のアルゴン又は窒素
− 440kHzから13.56MHzの範囲の周波数で励起されたプラズマ
− 100Wから1000Wの範囲のプラズマ生成パワー
− 温度250℃
− 圧力0.8トール
− 1.4cm3/minの流量のタングステンヘキサフルオリド(Tungsten hexafluoride)(WF6)
− 300cm3/minの流量のシラン(SiH4)
− 250cm3/minの流量のアルゴン(Ar)
Claims (19)
- 電磁放射線検出装置であって、同じ基板(18)の上に、
− 前記電磁放射線(8)のアクティブボロメータ(7)であって、前記電磁放射線(8)に対して感度を持つ第1の素子(12)が設けられている、少なくとも1つのアクティブボロメータ(7)と、
− 前記電磁放射線(8)に対して感度を持つ第2の素子(13)を備える基準ボロメータ(10)であって、前記第2の素子(13)は、入射する前記電磁放射線(8)に面している第1の主面(15)と、前記基板(18)と面している反対側の第2の主面(17)とを有する、少なくとも1つの基準ボロメータ(10)と、
− 前記第2の素子(13)の前記第1の主面(15)と平行な前記入射する電磁放射線を反射するための第1の反射手段が設けられたカバー(19)であって、前記カバーは、接することなく前記第2の素子(13)を覆い、且つ、少なくとも1つの前記基準ボロメータ(10)を格納するキャビティ(20)を前記基板(18)とともに形作り、少なくとも1つの前記アクティブボロメータ(7)は前記キャビティ(20)の外側にある、カバー(19)と、
を備える電磁放射線検出装置において、
− 前記カバー(19)は、前記第1の主面(15)の上方に、前記カバー(19)から前記第1の主面(15)を0.5μmから5μmの範囲の距離dで隔てる空間を作り出し、
− 前記カバー(19)は、電磁放射線干渉による前記電磁放射線(8)の伝送に起因した二次電磁放射線が伝送することを妨げる第2の側面反射手段を備え、
− 前記第2の側面反射手段は前記第1の反射手段に延び、且つ、前記第1の反射手段とともに連続反射シールド(37)を形成する、
ことを特徴とする電磁放射線測定装置。 - 前記距離dは、0.5μm以上、2μm未満であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記カバー(19)は前記連続反射シールド(37)により形成される、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。
- 前記カバー(19)は、前記連続反射シールド(37)により形成された外部壁を備える、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。
- 前記カバー(19)は、前記基板(18)に注ぐ前記電磁放射線(8)に対して透過性を持ち、且つ、前記連続反射シールド(37)と前記キャビティ(20)との間に配置された支持壁(36)を備える、ことを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記カバー(19)は、前記電磁放射線(8)に対して透明性を持つ支持壁(36)により形成された外部壁を備え、前記連続反射シールド(37)は、前記支持壁(36)と前記キャビティ(20)との間に配置され、且つ、前記基板(18)と直接接している、ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記支持壁(36)は、単結晶、多結晶又はアモルファスのシリコン、単結晶、多結晶又はアモルファスのゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム合金、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化シリコン、及び、酸硫化シリコンから選択された材料により形成される、ことを特徴とする請求項5又は6に記載の装置。
- 前記カバー(19)は、前記連続反射シールド(37)と前記キャビティ(20)との間に配置された構造層(25)を備える、ことを特徴とする請求項4又は7に記載の装置。
- 前記カバー(19)は、2つの側面(22)を介して前記基板(18)に配置され、且つ、前記検出器(10)の上方にブリッジを形成することにより前記基準ボロメータ(10)を覆い、前記各側面(22)は連続内部表面と連続外部表面とを有し、前記第2の反射手段は少なくとも前記側面(22)の前記連続内部表面又は前記連続外部表面を形成する、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の装置。
- 前記カバー(19)は、前記基準ボロメータ(10)を全体的に密封し、前記キャビティ(20)は閉じられている、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の装置。
- 前記連続反射シールド(37)は、アルミニウム、チタン、金、ニッケル、タンタル、タングステン、モリブデン、これらの窒化物及びシリサイド物、及び、これらの合金から選択される少なくとも1つの金属材料の金属層により形成される、ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1つに記載の装置。
- 複数の基準ボロメータ(10)と、基準ボロメータ(10)をそれぞれ個別に覆う少なくとも2つのカバー(19)とを備える、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載の装置。
- 複数の基準ボロメータ(10)を備え、前記カバー(19)は、複数の基準ボロメータ(10)を覆い、且つ、前記アクティブボロメータ(7)を覆っていない、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載の装置。
- 前記複数の基準ボロメータ(10)は1つの前記キャビティ(20)に格納される、ことを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 前記カバー(19)は隣り合う2つの前記基準検出器の間に配置された少なくとも1つの内部分離壁(41)を有し、前記カバー(19)は前記基板(18)とともに複数の前記キャビティ(20)を形作り、前記各キャビティはそこに格納された基準ボロメータ(10)を有する、ことを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 前記電磁放射線(8)の複数のアクティブボロメータ(7)を備え、前記アクティブボロメータ(7)と同数の前記基準ボロメータ(10)を備える、ことを特徴とする請求項13から15のいずれか1つに記載の装置。
- 少なくとも3つの前記アクティブボロメータ(7)を備え、前記基準ボロメータ(10)の数は前記アクティブボロメータ(7)の数よりも少なく、前記アクティブボロメータ(7)と前記基準ボロメータ(10)とは、ライン及びカラムのアレイ状に前記基板(18)上に配置され、前記各基準ボロメータ(10)は前記基板(18)上の前記アレイのライン及び/又はカラムの頭端部に位置する、ことを特徴とする請求項13から15のいずれか1つに記載の装置。
- 前記カバー(19)は、前記アレイの同じライン又は同じカラムに配置された前記複数の基準ボロメータ(10)のみを覆う、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。
- 前記基準ボロメータ(10)は前記電磁放射線(8)の前記アクティブボロメータ(7)と同一である、ことを特徴とする請求項1から18のいずれか1つに記載の装置。
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