JP5937731B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る円筒型スパッタリングターゲットの構成を説明するための斜視図を示す。図2は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの構成を断面図で示す。
図1及び図2で示すように、円筒型スパッタリングターゲット材102は中空に成形されており、円筒形状を有している。円筒型スパッタリングターゲット材102は、少なくとも数ミリメートルから数十ミリメートルの肉厚を有し、この肉厚部分全体をターゲット材として利用することが可能である。円筒型スパッタリングターゲット材102の中空部分に円筒型基材104が挿入され、接合材106によって接合される。円筒型スパッタリングターゲット材102と円筒型基材104とは密着して設けられるのではなく、両者は間隙をもって配置され、この間隙部を充填するように接合材106が設けられている。円筒型スパッタリングターゲット材102と円筒型基材104とを安定的に保持するために、好ましくは当該間隙部において接合材106に空隙がないように設けられている。
円筒型基材104は、中空構造を有する円筒型スパッタリングターゲット材102の内側表面に沿うような外面形状を有していることが好ましい。円筒型基材104の外径は、円筒型スパッタリングターゲット材102の内径よりも僅かに小さく、両者を同軸に重ねたときに間隙ができるように調整されている。この間隙部には、接合材106が設けられる。
接合材106は、円筒型スパッタリングターゲット材102と円筒型基材104の間に設けられている。接合材106は、円筒型スパッタリングターゲット材102と円筒型基材104とを接合するが、その以外にも耐熱性と熱伝導性が良好であることが求められる。また、真空中でガス放出が少ない特性を有していることが要求される。また、製造上の観点から、接合材106は円筒型スパッタリングターゲット材102と円筒型基材104を接合するときに流動性を有していることが好ましい。これらの特性を満足するために、融点が300℃以下の低融点金属材料が接合材106として用いられる。例えば、接合材106として、インジウム、スズなどの金属、またはこれらのうちいずれか一種の元素を含む金属合金材料が適用される。具体的には、インジウム又はスズの単体、インジウムとスズの合金、スズを主成分とするはんだ合金などを接合材106として用いられる。
上記では円筒型スパッタリングターゲット材について説明しているが、本発明はこれに限定されず、平板型スパッタリングターゲット材についても適用することができる。すなわち、平板状の基材(バッキングプレート)に平板型スパッタリングターゲットを接合するときに、本実施形態における接合材を用いることができる。
実施例1における試料4乃至試料6に相当する接合材を用いて、上記と同様の評価を行った。スパッタリング後のターゲット材の外観評価を行ったところ、クラック等の発生が確認された。
Claims (12)
- 金属で形成された基材と、前記基材の一面に設けられたスパッタリングターゲット材と、前記基材と前記スパッタリングターゲット材との間に設けられた接合材と、を有し、
前記接合材は、インジウム(In)と、銅(Cu)を少なくとも含み、前記銅(Cu)は前記インジウム(In)に対して2000ppm以上、5000ppm以下の濃度で含まれることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 金属で形成された基材と、前記基材の一面に設けられたスパッタリングターゲット材と、前記基材と前記スパッタリングターゲット材との間に設けられた接合材と、を有し、
前記接合材は、インジウム(In)と、チタン(Ti)を少なくとも含み、前記チタン(Ti)は前記インジウム(In)に対して18ppm以上、60ppm以下の濃度で含まれることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 金属で形成された基材と、前記基材の一面に設けられたスパッタリングターゲット材と、前記基材と前記スパッタリングターゲット材との間に設けられた接合材と、を有し、
前記接合材は、インジウム(In)と、ニッケル(Ni)を少なくとも含み、前記ニッケル(Ni)は前記インジウム(In)に対して44ppm以上、480ppm以下の濃度で含まれることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記接合材は、ITO表面に対する接触角が16.4°以上、16.7°以下であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記接合材は、ITO表面に対する接触角が25.0°未満であることを特徴とする請求項2に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記接合材は、1.20以上、1.49以下のショア硬度を有することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記接合材は、1.28以上、1.70以下のショア硬度を有することを特徴とする請求項2に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記接合材は、1.12以上、1.46以下のショア硬度を有することを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記基材が円筒型基材であり、前記スパッタリングターゲットが円筒型スパッタリングターゲットであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記円筒型スパッタリングターゲット材が、セラミックス焼結体であることを特徴とする請求項9に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記セラミックス焼結体が酸化インジウムを含むことを特徴とする請求項10に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記円筒型基材の外側表面の表面粗さ(Ra)が1.8μm以上であることを特徴とする請求項9に記載のスパッタリングターゲット。
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