JP2006144118A - スパッタリングターゲット材用支持体 - Google Patents
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Abstract
【課題】ターゲット材とのボンディングやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる反りを抑制して、該反りの矯正を省略でき、また反りの発生と矯正の繰り返しに起因するターゲット材−支持体間のロウ材の亀裂・剥離を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるスパッタリングターゲット材用の支持体を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材用の支持体であって、該支持体はAl合金からなり、該Al合金は25〜100℃における平均線膨張係数が23.0×10−6/℃以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材用支持体。
【選択図】なし
【解決手段】スパッタリングターゲット材用の支持体であって、該支持体はAl合金からなり、該Al合金は25〜100℃における平均線膨張係数が23.0×10−6/℃以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材用支持体。
【選択図】なし
Description
本発明は、スパッタリングターゲット材用支持体に関するものであり、殊に、ターゲット材とのボンディングやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる反りを抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるスパッタリングターゲット材用支持体に関するものである。
テレビ、ノートパソコン、その他のモニターの用途で形成される液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等を構成する薄膜や、光記録分野、半導体分野における配線膜等の形成には、一般にスパッタリング法が採用されている。スパッタリング法とは、基板とスパッタリングターゲット材(以後、ターゲット材と称する)との間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化した気体をターゲット材に衝突させて、該ターゲット材の原子をたたき出し基板上に堆積させて薄膜を作製する方法であり、真空蒸着法やAIP法と異なり、ターゲット材と同じ組成の薄膜を形成できるメリットを有する。
このスパッタリング法に用いる上記ターゲット材としては、一般に長方形状、円盤状等の平板状のものが使用され、該ターゲットは、その冷却や支持を目的に支持体(冷却板,バッキングプレートともいう)にロウ付けされた状態で用いられるのが一般的である。
ところで上記支持体は、上述の通り、成膜時に加熱されたターゲットの冷却を目的としていることから、一般に熱伝導率の高いCu製またはCu合金製のものが使用されている。一方、上記支持体に取り付けられるターゲット材は、形成する薄膜に応じた金属材料からなり、例えば支持体とは異なるAl、Al合金、Mo、Ta、Tiといった金属材料のものが使用される場合が多い。
しかし、この様に異なる金属材料のものをロウ付けして得られる積層体は、図1に示す通り反りが生じやすく、矯正が必要となる。またこの様に矯正された積層体を用いて成膜を行う場合にも加熱と冷却が繰り返されるため、再度反りが生じる。従って、成膜、積層体の反りの発生および矯正を何度も繰り返す必要があり、操業が煩雑となるだけでなく、ターゲット材1と支持体2の間のロウ材3にクラックが生じて、ターゲット材が消耗する前にターゲット材と支持体が分離し、繰り返し成膜できなくなるといった不具合も生じる。
ターゲットと支持体(バッキングプレート)をロウ付けした場合の問題を解消したものとして、例えば特許文献1には、ボンディング材を介してターゲット材とバッキングプレートを接合したものにおいて、該バッキングプレートに、ボンディング材用の凹陥部を設けると共に、該凹陥部と連通する連通窪み部を該凹陥部の外周壁に形成したものが提案されている。この様な構造とすることで、ボンディング材が凝固収縮する場合でも、ターゲット材の反りが発生しないと示されている。しかし該技術は、ボンディング部(ロウ材)の剥離を問題とするものでなく、またバッキングプレートとして形状の複雑なものを用意しなければならないといった問題がある。
特許文献2には、スパッタリングターゲットよりも熱膨張率の大きな板材と小さな板材をバッキングプレートの片面にそれぞれ配置して一体化すれば、温度変化によるバッキングプレートの反りを防止し、かつ支持するターゲットと同等の熱膨張特性を付与でき、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどを抑制できると提案されている。しかし該技術の場合も、バッキングプレートの構造が複雑となるといったデメリットがある。
また特許文献3には、ターゲットとバッキングプレートをAl合金で形成することで、線膨張率の差を縮めることが提案されている。しかし該技術におけるターゲットとバッキングプレートの組み合わせでは、確実かつ十分に熱膨張率の差を縮めることは難しく、上記ロウ材の亀裂を抑制することができない。またターゲット材として、例えばAl−Nd合金ターゲット等を用いる場合には、支持体を同素材で形成するとコストがかかるといった問題がある。
特開2003−183822号公報
特開平08−246144号公報
特開平10−046327号公報
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、ターゲット材とのボンディングで生じる反りやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる応力を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるスパッタリングターゲット材用支持体を提供することにある。
本発明に係るスパッタリングターゲット材用支持体は、Al合金からなるものであって、該Al合金が、25〜100℃における平均線膨張係数:23.0×10−6/℃以下を満たすものであるところに特徴を有する。
尚、上記平均線膨張係数は、後述する実施例で示す通り、装置として理学電気株式会社製TMA8140型を用い、JISK7197「プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法」に規定の通り測定したものである。
上記25〜100℃における平均線膨張係数が23.0×10−6/℃以下であるAl合金としては、Siを2.5質量%以上含むAl合金および/またはMnを5.5質量%以上含むAl合金が好ましく用いられる。
また、強度や耐食性、加工性等といったスパッタリングターゲット材用支持体としての特性を確保する観点からは、前記Al合金として、JIS規格のA1000番系Al合金、A 5000番系Al合金およびA 6000番系Al合金よりなる群から選択される1種に、Siを添加してSi:2.5質量%以上含むようにしたもの、および/またはMnを添加してMn:5.5質量%以上含むようにしたものが好ましい。
この様に、25〜100℃における平均線膨張係数の比較的低い本発明のスパッタリングターゲット材用支持体は、特に、Al合金スパッタリングターゲット材の支持体として用いることが有効であり、その中でも特に、Ndを0.1〜3原子%含むAl合金スパッタリングターゲット材の支持体として用いれば、従来の支持体を用いた場合と比べて、ロウ材の亀裂・剥離の発生を著しく低減することができる。
本発明によれば、ターゲット材とのボンディングで生じる反りやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる応力を抑制して、該反りの矯正を省略でき、また反りの発生と矯正の繰り返しに起因するターゲット材−支持体間のロウ材の亀裂・剥離を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことができる。
本発明者らは、ターゲット材とのボンディングやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる反りを抑制して、該反りの矯正を省略でき、また反りの発生と矯正の繰り返しに起因するターゲット材−支持体間のロウ材の亀裂・剥離を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるスパッタリングターゲット材用支持体を実現すべく鋭意研究を行なった。特に、ターゲット材として、合金材料の中でも25〜100℃における平均線膨張係数の比較的低いAl合金(具体的にはAl−Nd合金、Al−Ti合金、Al−Ta合金)やMo、Ta、Tiといった金属からなるものを用いる場合にも、上記反りが抑制されて、矯正を省略でき、また繰り返し成膜することのできるスパッタリングターゲット材用支持体を実現すべく鋭意研究を行なった。
その結果、該スパッタリングターゲット材用の支持体として、Al合金からなるものであって、該Al合金が、25〜100℃の範囲における平均線膨張係数:23.0×10−6/℃以下を満たすものが最適であることを見出した。
この様に25〜100℃における平均線膨張係数が23.0×10−6/℃以下であるAl合金であれば、特に種類を問うものでなく、例えば純Al金属または既存品のAl合金にSi、Mn、Mg、Nd、Ti、Ta等を添加したもの等が挙げられるが、該Al合金として、耐食性や強度等も兼備したものを確実にかつコストを抑えて実現するには、Siおよび/またはMnを添加することが大変有効である。
図2、図3は、既存品であるJIS規格のA 1100にSiまたはMnを添加した場合の25〜100℃の平均線膨張係数の変化を調べたグラフであるが、この図2、図3から、SiやMnを添加することで平均線膨張係数が低下することがわかる。そして本発明で規定する通り25〜100℃における平均線膨張係数:23.0×10−6/℃以下を達成するには、Siを約2.5質量%以上添加するか、Mnを約5.5質量%以上添加して、Al合金のSi量が2.5質量%以上、またはMn量が5.5質量%以上となるようにすればよいことがわかる。
一方、図2、図3に示す通り、Si添加量、Mn添加量が増加するほど平均線膨張係数が低下する傾向にあることから、Al合金中のSi量、Mn量の上限については、ターゲット材の線膨張率に応じて決めればよく、ターゲット材の25〜100℃における平均線膨張係数に対し、ターゲット材支持体の25〜100℃における平均線膨張係数が10%以内、好ましくは5%以内となるようにSi、Mnの添加量上限を決める。
例えば、ターゲット材としてAl−Nd合金製のものを使用する場合には、A1100にSiを2.5〜10質量%、Mnを5.5〜10質量%の範囲で添加したものを支持体として好ましく使用することができる。
尚、Si、Mnを過剰に添加しすぎると、支持体の加工性が低下しやすくなる。よって加工性を確保する観点からは、SiやMnの添加量をそれぞれ10質量%以下に抑えるのがよい。後述する通りSiとMnを同時に添加する場合は、耐食性が更に改善されるという効果も期待される(SiがMnと化合物を形成するためと考えられる)。
前記Al合金としては、純Alに上記の通りSiやMnを添加して、Si:2.5質量%以上および/またはMn:5.5質量%以上としたものや、既存品であるJIS規格のAl合金にSiおよび/またはMnを添加して用いることができる。
その中でも、特に、A 1000番系、A 5000番系およびA 6000番系よりなる群から選択される1種にSiやMnを添加し、上記の通りSiを2.5質量%以上および/またはMnを5.5質量%以上含有させることが好ましい。これらのAl合金を使用すれば、溶接により熱応力が付加された場合でも、支持体が硬化し難く、割れ等を防止できるからである。また耐食性を容易に確保できるので、例えばターゲットの冷却用水路を形成し、冷却用水を流す場合でも腐食を防止できる。更には展伸材として汎用されているので、入手し易いというメリットもある。尚、純度の高いAl(例えば4N−Al)にSiおよび/またはMnを添加したものを支持体の素材とすれば、支持体内部を流れる冷却用水による腐食を著しく抑制することができる。
これらのAl合金は、熱伝導率がCu系材料よりも小さいが、ロウ接したターゲットを冷却する機能は十分発揮しうる。
本発明の支持体を形成するAl合金には、更に耐食性や強度を高めるため、Mgが添加されていてもよく、該効果を発揮させるには、Mgを0.3質量%以上含んでいることが好ましい。尚、Mgが過剰に含まれていると、溶接後に欠陥が生じやすくなるので、Mg含有量は3質量%以下に抑えるのがよい。
本発明のスパッタリングターゲット材用支持体は、一般に使用されているスパッタリングターゲット材の中でも、25〜100℃における平均線膨張係数の比較的小さいAl合金スパッタリングターゲット材の支持体として使用すれば、上述したロウ材の亀裂等の不具合を著しく低減できるので好ましい。その中でも特に、Ndを0.1〜3原子%含む25〜100℃における平均線膨張係数の小さいAl合金スパッタリングターゲット材の支持体として用いれば、従来の25〜100℃における平均線膨張係数の高い素材からなる支持体を用いた場合より、ロウ材の亀裂・剥離等を著しく抑制することができる。
また本発明のスパッタリングターゲット材用支持体は、その形状やサイズなどに制限はなく、四辺形状、円盤状等の様々な形状のものに適用できるが、ターゲットと支持体の線膨張係数の差による上記ロウ材の亀裂等は、ターゲットと支持体のサイズが大きくなるほど顕著となることから、特に、ターゲットを接合するロウ付け部分が0.25m2以上占める大型の支持体に本発明を適用すれば、上記ロウ材の亀裂・剥離を著しく抑制することができる。
更に、本発明のスパッタリングターゲット材用の支持体は、その内部がターゲットを冷却する構造のものでもよく、該冷却構造は一般的に採用されている構造とすればよい。一例として、支持体を構成する2部材を、例えば溶接または摩擦拡散接合により接合して、支持体内部に冷媒流路を形成することが挙げられる。またその他、電源等の設備、成膜装置への設置部品等が支持体に取り付けられていてもよい。
尚、本発明の支持体は、ターゲットがその板面にロウ付けされた状態で成膜に供されるが、その際に使用されるロウ材やロウ付けの方法も特に限定されず、一般的な材料や方法を採用することができる。ロウ材として、例えばインジウム、鉛錫はんだ、錫亜鉛はんだ等の一般的なロウ材を使用した場合でも、成膜を繰り返し良好に行うことができる。
また本発明は、上記スパッタリングターゲット材用支持体の製造方法まで特定するものでなく、Si量および/またはMn量を調整したAl合金を溶製し、通常の方法で鍛造、圧延を行い平板とした後、機械加工および溶接等の接合技術を用いて製造すればよい。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
表1、表2に示す各供試材を溶製し、圧延後に機械加工を施して製造した。そして、装置として理学電気株式会社製TMA8140型を用い、JIS K 7197「プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法」に規定の通り、25〜100℃の平均線膨張係数を求めた。その結果を表1、表2に併記する。
表1、表2より次の様に考察できる。No.4に示す通り、JIS規格品であるA5052を使用した場合には、焼鈍条件に関係なく25〜100℃における平均線膨張係数が高いことがわかる。これに対し、No.1〜3,11〜22は25〜100℃における平均線膨張係数が23.0×10−6/℃以下であり、25〜100℃における平均線膨張係数の小さいAl合金からなるスパッタリングターゲット用支持体が得られていることがわかる。
またこれらNo.1〜3,11〜22から、この様に25〜100℃における平均線膨張係数の小さいAl合金からなるスパッタリングターゲット用支持体を実現するにあたっては、純Al金属またはJIS規格品であるAl合金にSiおよび/またはMnを添加すればよいことがわかる。特に、前記図2、図3でも示した通り、JIS規格品にSiを2.5質量%以上添加および/またはMnを5.5質量%以上添加することで、23.0×10−6/℃以下を達成することができる(尚、他のAl合金にSiを添加した場合にも同様の傾向がみられた。)。
また、No.5および6は、ターゲットとして用いうるAl−Nd合金材料の25〜100℃における平均線膨張係数を測定した結果である。この様にターゲットとして用いうる材料と同じ材料を、スパッタリングターゲット用支持体に用いれば、平均線膨張係数の差異による問題を解消できるが、この様にコストのかかる材料を用いなくとも、上記Siおよび/またはMnの添加によりAl合金の平均線膨張係数を低減すれば、該Al合金からなるスパッタリングターゲット用支持体と上記Al−Nd合金ターゲットとの平均線膨張係数の差を縮めて、上述した反りを抑制することができる。
次にAl−Nd合金ターゲットと様々な材料からなる支持体(冷却板)とをボンディングした後に生じる反りの程度を調べた。詳細には、表3および表4に示す材料からなるターゲット(サイズ:400mm×500mm)と支持体(420mm×520mm)をボンディングし(接合材料:錫亜鉛はんだ、接合温度250℃)、得られた積層体の反りを図4に示す位置で測定した。その結果を表3、表4に併記する(表3、表4中の測定位置:L1、L2・・・は図4における測定位置を示している)。
表3、表4より次の様に考察できる。即ち、No.1,3〜10の通り本発明の要件を満たす支持体をAl−Nd合金ターゲットの支持体に用いれば、他の支持体を用いたNo.2よりも反りを著しく抑制することができ矯正する必要もないことがわかる。
1 ターゲット
2 支持体(冷却板)
3 ロウ材
2 支持体(冷却板)
3 ロウ材
Claims (7)
- スパッタリングターゲット材用の支持体であって、該支持体はAl合金からなり、該Al合金は25〜100℃における平均線膨張係数が23.0×10−6/℃以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材用支持体。
- 前記Al合金は、Siを2.5質量%以上含むものである請求項1に記載のスパッタリングターゲット材用支持体。
- 前記Al合金は、Mnを5.5質量%以上含むものである請求項1または2に記載のスパッタリングターゲット材用支持体。
- 前記Al合金は、JIS規格のA 1000番系Al合金、A 5000番系Al合金およびA6000番系Al合金よりなる群から選択される1種にSiを添加したものである請求項2または3に記載のスパッタリングターゲット材用支持体。
- 前記Al合金は、JIS規格のA 1000番系Al合金、A 5000番系Al合金およびA6000番系Al合金よりなる群から選択される1種にMnを添加したものである請求項3に記載のスパッタリングターゲット材用支持体。
- Al合金スパッタリングターゲット材の支持体として用いられるものである請求項1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材用支持体。
- Ndを0.1〜3原子%含むAl合金スパッタリングターゲット材の支持体として用いられるものである請求項1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材用支持体。
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