JP5935519B2 - Δς変調システム - Google Patents

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Description

本発明は、ΔΣ変調器を有するΔΣ変調システムに関するものである。
ΔΣ変調器は、例えば、非特許文献1に記載されているように、ループフィルタと、量子化器とを備えて構成される。
Δ変調器の出力信号(量子化信号)に含まれる出力雑音は、主に、量子化によって生じる量子化雑音である。量子化雑音は、量子化器のステップ幅を小さくすれば低減することができる。したがって、量子化器が生成する量子化信号は、ステップ幅が小さくなるように、2値ではなく、3以上の多値であるほうが、量子化雑音を低減することができる。
和保 孝雄、安田 明 監訳(原著者 Richard Schreier, Gabor C. Temes)ΔΣ型アナログ/デジタル変換器入門(Understanding Delta-Sigma Data Converters)、丸善株式会社、2007,pp1−17
量子化器から出力される多値の量子化信号を扱うには、多bitのデジタル−アナログ変換器(DAC)が必要となる。なお、DACの出力は、アナログフィルタを通過することで、信号帯域外の雑音が除去される。
ここで、ΔΣ変調器に入力される信号として、搬送帯域伝送信号を想定した場合、ΔΣ変調はオーバサンプリングを用いた処理であるため、DACには、非常に高速なサンプリングレートが要求される。
例えば、LTE(Long Term Evolution)及びIEEE 802.11a規格のように、帯域幅が20MHzもあるような広帯域の変調波に対してΔΣ変調を行うシステムにおいて、高いSNR(例えば、60dB)を確保しようとすると、オーバサンプリング比が128程度必要となる。したがって、帯域幅が20MHzであれば、2.56GHz(20MHz×128)という非常に高速なサンプリングレートが必要とされる。
このように非常に高速なサンプリングレートを有するDACは、高価であり、システムのコスト高を招く。
そこで、本発明は、ΔΣ変調器が多値の量子化信号を出力する場合であっても、コスト高となることを防止することを目的とする。
(1)本発明は、n値(nは3以上の整数)の量子化信号を出力するΔΣ変調器と、前記ΔΣ変調器から出力されたn値の量子化信号を、複数bitの信号に変換して出力する複数bit出力部と、前記複数bitの信号を電力合成して、n個の信号レベルを持つ合成信号を生成する電力合成器と、を備えていることを特徴とするΔΣ変調システムである。
上記本発明によれば、3値以上の量子化信号が出力されるため、信号特性が改善される。しかも、3値以上の量子化信号は、複数bit出力部によって複数bitの信号として出力される。複数bitの信号は、電力合成器によって合成されることで、n個の信号レベルを持つ合成信号になるため、高価なDACを用いる必要がない。
(2)前記複数bit出力部は、n値の量子化信号を、複数bitの信号に変換するためのルックアップテーブルを備え、前記ルックアップテーブルに基づいて、n値の量子化信号を、複数bitの信号に変換するのが好ましい。この場合、n値の量子化信号を、複数bitの信号に変換するのが容易になる。
(3)前記電力合成器は、ハイブリッド結合器であるのが好ましい。電力合成器は、ハイブリッド結合器であると、電力合成器の各ポート間のアイソレーションが確保できる。
(4)前記合成信号は、n個(nは3以上の奇数)の信号レベルのなかに、最小信号レベルと最大信号レベルとの間の中央信号レベルを有し、時間軸上における複数の前記中央信号レベルの時間平均は、前記電力合成器にて前記最小信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、前記電力合成器にて前記最大信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、の間の中央値に等しくされているのが好ましい。この場合、中央信号レベルが、前記電力合成器にて前記最小信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、前記電力合成器にて前記最大信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、の間の中央値に等しくないことによって生じる信号特性劣化を防止できる。
(5)前記複数bit出力部は、前記電力合成器にて前記中央信号レベルを生成するための複数bitの信号のbitパターンとして、複数種類のbitパターンをそれぞれ同頻度で出力するのが好ましい。複数種類のbitパターンをそれぞれ同頻度で出力することで、中央信号レベルの時間平均が、前記電力合成器にて前記最小信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、前記電力合成器にて前記最大信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、の間の中央値に等しくなる。
(6)前記中央信号レベルは、ゼロの信号レベルであるのが好ましい。中央信号レベルがゼロの信号レベルであることで、ΔΣ変調器への入力信号がゼロであるときには、中央信号レベルの信号を出力すればよく、電力消費を抑えることができ、信号特性も良好となる。
(7)前記ΔΣ変調器は、バンドパス型ΔΣ変調器であるのが好ましい。バンドパス型ΔΣ変調器を用いることで、高周波を扱うのが容易となる。
(8)前記ΔΣ変調器は、帯域伝送方式の変調信号に対するΔΣ変調を行って、n値の量子化信号を出力するのが好ましい。この場合、帯域伝送方式の変調信号に対してΔΣ変調が行われる。
(9)他の観点からみた本発明は、n値(nは3以上の整数)の量子化信号を出力するΔΣ変調器と、前記ΔΣ変調器から出力されたn値の量子化信号を、複数bitの信号に変換する複数bit出力部と、を備えていることを特徴とするデジタル信号処理装置である。
ΔΣ変調システムの構成図である。 ΔΣ変調器の構成図である。 1次ローパス型ΔΣ変調器である。 1次ローパス型ΔΣ変調器から変換して得られた2次バンドパス型ΔΣ変調器である。 ルックアップテーブルを示す図である。 Y形電力合成器を示す回路図である。 Δ型電力合成器を示す回路図である。 電力合成器の入出力を示す図である。 複数bit出力部から出力される信号のレベルと電力合成器の出力との関係を示す説明図である。 改良されたルックアップテーブルを示す図である。 Medium信号の信号レベルの波形図である。 2値量子化器の出力のパワースペクトラムである。 3値量子化器の出力のパワースペクトラムである。 5値量子化器の出力のパワースペクトラムである。 7値量子化器の出力のパワースペクトラムである。
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照しながら説明する。
[1.システム構成]
図1は、実施形態に係るΔΣ変調システムを示している。このシステム1は、ΔΣ変調器25を備えたデジタル信号処理部(デジタル信号処理装置)21と、電力合成器51と、アナログフィルタ32と、を有している。
デジタル信号処理部21は、帯域伝送方式の変調信号、例えば、RF(Radio Frequency)信号を表現するデジタル信号(複数bit信号)を出力する。RF信号は、無線波として空間に放射されるべき信号であり、例えば、移動体通信のためのRF信号、テレビ/ラジオなどの放送サービスのためのRF信号である。
デジタル信号処理部21から出力された複数bit信号(本実施形態では2bit信号)は、電力合成器51に与えられる。電力合成器51は、複数bitそれぞれの信号の電力合成をして、合成信号を生成する。
合成信号は、アナログフィルタ(バンドパスフィルタ又はローパスフィルタ)32に与えられる。合成信号は、RF信号の信号帯域外に量子化雑音を含んでおり、信号帯域外の量子化雑音(ノイズ成分)は、アナログフィルタ32によって、除去される。
デジタル信号処理部21から出力された複数bit信号は、電力合成器51及びアナログフィルタ32を通過することで、アナログRF信号となる。
このように、合成信号は、信号帯域外にノイズ成分を含んでいるものの、アナログRF信号を表現したものとなっている。
アナログフィルタ32として、バンドパスフィルタを用いるか、ローパスフィルタを用いるかは、RF信号の周波数によって、適宜決定される。
なお、ΔΣ変調器25が、図1に示すように、バンドパス型ΔΣ変調器である場合には、アナログフィルタ32としてバンドパスフィルタが用いられ、ローパス型ΔΣ変調器である場合には、アナログフィルタ32としてローパスフィルタが用いられる。
システム1のうち、デジタル信号処理部21は、複数bit信号をRF信号として出力するRF信号送信機とみなすことができる。この場合、電力合成器51及びアナログフィルタ32を有する装置は、RF信号の受信機と考えられる。また、システム1全体を、RF信号を送信する送信機であるとみなしてもよい。
デジタル信号処理部21は、RF信号によって送信される情報であるベースバンド信号(IQ信号)を出力するベースバンド部23と、デジタル直交変調などの処理を行う処理部24と、ΔΣ変調器25と、複数bit出力部41と、制御部35と、を備えている。
ベースバンド部23は、IQベースバンド信号(I信号、Q信号それぞれ)をデジタルデータとして出力する。
処理部24は、IQベースバンド信号に対してデジタル直交変調などの処理を行う。したがって、処理部24からは、多ビットのデジタルデータ(離散値)によって表現されたデジタル信号形式の信号が出力される。
なお、処理部24における変調は、直交変調に限らず、変調波を生成するための他の方式の変調であってもよい。
処理部24は、直交変調のほか、DPD(Digital Pre-distortion)、CFR(Crest Factor Reduction)、DUC(Digital Up Conversion)などの様々なデジタル信号処理を施す。処理部24からは、上述のような各種のデジタル信号処理によって生成されたRF信号が出力される。
処理部24から出力されたデジタルRF信号は、ΔΣ変調器25に与えられる。本実施形態のΔΣ変調器25は、バンドパス型ΔΣ変調器として構成されている。なお、ΔΣ変調器25は、ローパス型であってもよいが、高周波のRF信号を扱う場合には、バンドパス型が有利である。
ΔΣ変調器25は、入力信号であるRF信号に対して、ΔΣ変調を行ってn値(nは3以上の整数;好ましくは、3以上の奇数)の量子化信号を出力する。本実施形態では、n=3であるが、n=3に限定されるものではない。
制御部35は、周波数の制御などの制御機能を有しており、デジタル信号処理部21における各部、及びアナログフィルタ32を制御する。
[2.ΔΣ変調]
図2に示すように、ΔΣ変調器25は、ループフィルタ27と、量子化器28と、を備えている。
図2に示すΔΣ変調器25は、入力(本実施形態では、RF信号)Uが、ループフィルタ27に与えられる。ループフィルタ27の出力Yは、量子化器28に与えられる。量子化器28の出力(量子化信号)Vは、ループフィルタ27への他の入力として与えられる。
本実施形態の量子化器28は、3値量子化器として構成されており、ループフィルタの出力Yを、n値=3値(例えば、High(+1),Medium(0),Low(−1))で量子化する。つまり、量子化器28は、3値のうちのいずれかを量子化信号として出力する。nの値を大きくするほど、量子化器28によって生じる量子化雑音を低減することができるため好ましいが、n値が大きくなると、量子化器28の後段の処理が複雑になるため、n値はあまり大きくないほうがよい。かかる観点から、本実施形態では、n=3とした。
図12〜図15は、量子化器28のn値を2,3,5,7値にした場合のパワースペクトラムを示している。図12はn=2であり、図13はn=3であり、図14はn=5であり、図15はn=7である。図12〜図15に示すように、nの値を大きくするほど量子化雑音を低減することができる。
ΔΣ変調器25の入力信号が、RF信号のように、正の値及び負の値をとる場合、量子化器28も、正の値及び負の値を量子化できる必要がある。
量子化器28は、量子化器28への入力信号に対する閾値の数n=3であり、奇数となっている。nが奇数であると、量子化器28は、量子化器28への入力信号=0の部分が平坦である伝達曲線を持つミッドトレッド型となる。
デジタル処理においては、正及び負の数を2進数で表現する場合、最上位ビットを符号ビットとして正/負を示し(0が正で、1が負)、残りのビットで表現したい数の絶対値を2の補数で示すのが一般的である。量子化器28の出力は、このような一般的な表現方法に依拠している。したがって、n=3の場合、量子化器28は、Highである+1(十進数)を”01”で表し、Mediumである0(十進数)を”00”で表し、Lowである−1(十進数)を”11”で表す。
さて、ΔΣ変調器25の特性は、信号伝達関数(STF;Signal Transfer Function)及び雑音伝達関数(NTF;Noise Transfer Function)によって表すことができる。
つまり、ΔΣ変調器25の入力をUとし、ΔΣ変調器25の出力をVとし、量子化雑音をEとしたときに、ΔΣ変調器25の特性を、z領域において表すと、次のとおりである。
したがって、所望のNTFとSTFとが与えられると、ループフィルタ27の伝達関数を得ることができる。
図3は、1次ローパス型ΔΣ変調器125の線形z領域モデルのブロック図を示している。符号127がループフィルタの部分を示し、符号128が量子化器を示している。このΔΣ変調器125への入力をU(z)とし、出力をV(z)とし、量子化雑音をE(z)としたときに、ΔΣ変調器125の特性を、z領域において表すと、次のとおりである。
V(z)=U(z)+(1−z−1)E(z)
つまり、図3に示す1次ローパス型ΔΣ変調器125において、信号伝達関数STF(z)=1であり、雑音伝達関数NTF(z)=1−z−1である。
非特許文献1によれば、ローパス型ΔΣ変調器に対して、以下の変換を行うことで、ローパス型ΔΣ変調器を、バンドパス型ΔΣ変調器に変換できる。
上記変換式に従って、ローパス型ΔΣ変調器125のz領域モデルにおけるzを、z’=−zに置き換えることでバンドパス型ΔΣ変調器が得られる。
上記変換式を用いると、n次のローパス型ΔΣ変調器(nは1以上の整数)を、2n次のバンドパス型Σ変調器に変換できる。
本発明者は、ローパス型ΔΣ変調器から、所望の周波数f(θ=θ)を、中心周波数fとして持つバンドパス型ΔΣ変調器を得るための変換式を見出した。当該変換式は、例えば、次の式(3)に示す通りである。

ここで、
θ=2π×(f/fs) fsはΔΣ変調器のサンプリング周波数
式(2)の変換式では、特定の周波数θ=π/2に関するものであったが、式(3)の変換式では、任意の周波数(θ)に一般化されている。
図4は、図3に示す1次ローパス型ΔΣ変調器125を、式(3)の変換式で変換して得られた2次バンドパス型ΔΣ変調器25を示している。
なお、図3から図4への変換では、表記の便宜上、式(3)において、a=cosθとおいた下記の変換式を用いた。
なお、バンドパス型ΔΣ変調器への変換は、その他の高次ローパス型ΔΣ変調器(例えば、非特許文献1記載のCIFB構造、CRFF構造、CIFF構造など)に対しても適用できる。
ΔΣ変調器25は、前述の式(3)に基づいて、zの値が変換可能となっている。つまり、ΔΣ変調器307は、量子化雑音阻止帯域の中心周波数を変更可能となっている。換言すると、量子化雑音阻止帯域が変更可能となっている。
制御部35は、ΔΣ変調器25に入力される信号の中心周波数(上述の搬送周波数f)に応じて、前述の式(3)に基づいてΔΣ変調器25のzを変換することにより、任意の周波数の信号に対して、バンドパスΔΣ変調が行える。
このように、RF信号の搬送周波数fに応じて、上記変換式(3)におけるcosθ(係数a)を変更することで、サンプリング周波数fsを変更することなく、任意の周波数fに対応したバンドパスΔΣ変調が行える。cosθを変更すると、式(1)に示すNTFの係数が変更されたことになるが、式の次数は維持される。このため、RF信号の搬送波周波数fに応じて、バンドパス型ΔΣ変調器25の構成を変化させても、式の複雑度(次数)は変化せず、したがって、バンドパス型ΔΣ変調器25における信号処理負荷も変化しない。
このように本実施形態では、搬送波周波数fを変化させても、バンドパス型ΔΣ変調器25における信号処理負荷が変化しないため有利である。本実施形態において、バンドパス型ΔΣ変調器25における信号処理負荷は、ナイキストの定理により、信号帯域幅によって決定されるサンプリング周波数fsに依存するが、搬送波周波数fを変化させても信号帯域幅が変化するわけではないためサンプリング周波数fsを変更する必要はない。なお、ΔΣ変調器がローパス型である場合、搬送波周波数fの変化に対応するには、サンプリング周波数fsを変更する必要があり、この点において、バンドパス型が有利である。
また、式(3)を利用すると、ΔΣ変調器25を任意の周波数(f)に対応できるバンドパス型ΔΣ変調器として利用できるだけでなく、ローパス型ΔΣ変調器として利用することもできる。つまり、ΔΣ変調器25は、ローパス型とバンドパス型とに切り替え可能となっている。
また、制御部35は、処理部24を制御することによって、処理部24から出力されるRF信号の周波数を任意の周波数に変更してΔΣ変調器25に与えることができる。
さらに、制御部35は、変更されたRF信号の周波数を通過させるようにアナログフィルタ32の中心周波数が変更されるように、アナログフィルタ32を制御する。
[3.複数bit出力]
複数bit出力部41は、n値(3値)の量子化信号に対する所定の変換を行って、複数bit(2bit)のパラレル信号として、デジタル信号処理部21から出力するためのものである。複数bit出力部41は、2bitの信号をパラレルに出力するため、2bitのうち、第1のbitが出力される第1出力ポート41aと、第2のbitが出力される第2出力ポート41bと、を備えている。
各出力ポート41a,41bは、電圧がHighレベルの信号又はLowレベルの信号を出力する。以下、Highレベルの信号を「VH」で示し、Lowレベルの信号を「VL」で示す。また、各出力ポート41a,41bから出力される信号を区別する必要がある場合、第1出力ポート41aから出力される信号を「VH」又は「VL」で示し、第2出力ポート41bから出力される信号を「VH」又は「VL」で示す。
複数bit出力部41は、n値の量子化信号を、複数bit(2bit)のパラレル信号に変換するため、ルックアップテーブル41cを備えている。複数bit出力部41は、ルックアップテーブル41cを参照することで、n値の量子化信号を、複数bitの信号に容易に変換することができる。
図5に示すように、ルックアップテーブル41cは、複数bit出力部41に入力されるΔΣ変調器出力(n値量子化信号)と、第1及び第2出力ポート41a,41bから出力される信号との組み合わせを保持している。
複数bit出力部41の出力(複数bit信号)は、その出力を電力合成器51によって合成したときに、量子化器28が出力するn値の量子化信号に対応して、n個の信号レベルを持つ合成信号が生成されるbitパターンとなっている。
すなわち、n値(3値)量子化信号がHigh(+1)=”01”の場合、第1出力ポート41aからはVH(+1)が出力され、第2出力ポート41bからはVH(+1)が出力される。
n値(3値)量子化信号がMedium(0)=”00”の場合、第1出力ポート41aからはVH(+1)が出力され、第2出力ポート41bからはVL(−1)が出力される。
n値(3値)量子化信号がLow(−1)=”11”の場合、第1出力ポート41aからはVL(−1)が出力され、第2出力ポート41bからはVL(−1)が出力される。
なお、図5では、VL及びVHの組み合わせは不使用となっている。
[4.電力合成器(Power Combiner)]
電力合成器51は、複数bit出力部41から出力された複数bitの信号を電力合成して、n個の信号レベルを持つ合成信号を生成する。電力合成器51は、複数bit出力部41から出力された2bitの信号が入力される第1入力ポート51a及び第2入力ポート51bを備えるとともに、合成信号を出力する出力ポート51cを備えている。
図6は、電力合成器51の第1の例を示している。図6の電力合成器51は、Y形電力合成器として構成されており、3つの抵抗52a,52b,52cがY形に接続されている。
図6の電力合成器51は、電力合成器51の出力ポート51cに接続された負荷(図1では、アナログフィルタ32)に対して、インピーダンス整合するよう構成されている。
具体的には、出力ポート51cに接続された負荷の特性インピーダンスをZとし、第1入力ポート51a及び第2入力ポート51bのインピーダンスもZとすると、各抵抗52a,52b,52cのインピーダンスは、Z/3に設定すればよい。
なお、図6の電力合成器51に代えて、電力合成器51として、ハイブリッド結合器(Hybrid combiner)を用いてもよい。電力合成器51が、ハイブリッド結合器として構成されている場合には、ポート間のアイソレーションが取れ、完全に独立して電圧設定が可能となる。
図6では、入力ポート51a,51bの数mは、複数bit出力部41から出力されるbit数=2にあわせて、2つであるが、複数bit出力部41から出力されるbit数が3以上となった場合、それに合わせて、入力ポート51a,51bの数mを増やせばよい。
なお、各入力ポート51a,51bには、それぞれ、抵抗52a,52bが接続される。入力ポート51a,51bの数をmとした場合、各抵抗52a,52b,52cのインピーダンスは、{(m−1)/(m+1)}×Zとすることで、インピーダンス整合をとることができる。
図7は、電力合成器51の第2の例を示している。図6の電力合成器51は、Δ形電力合成器として構成されており、3つの抵抗52a,52b,52cがY形に接続されている。
図7の電力合成器51においても、電力合成器51の出力ポート51cに接続された負荷(図1では、アナログフィルタ32)に対して、インピーダンス整合するよう構成されている。
具体的には、出力ポート51cに接続された負荷の特性インピーダンスをZとし、第1入力ポート51a及び第2入力ポート51bのインピーダンスもZとすると、各抵抗53a,53b,53cのインピーダンスは、Zに設定すればよい。
RF信号のような帯域伝送方式の変調信号を扱う場合、電力合成器51のようなアナログ回路は、インピーダンス整合がとれていることが必要である。したがって、アナログフィルタ32から出力されるRF信号に悪影響を与えないために、インピーダンス整合がとれているのが好ましい。
図8は、電力合成器51の出力ポート51cから出力される合成信号(アナログ信号)の信号レベルを示している。なお、図8では、理解の容易のため、図6に示すY形電力合成器51を示したが、図7に示すΔ形電力合成器51でも、同様の合成信号が得られる。
合成信号は、量子化信号と同様に、n個の信号レベル(High,Medium,Low)を持つ。
図8(a)に示すように、第1入力ポート51aにVH(+1[V])が入力され、第2入力ポート51bにVH(+1[V])が入力された場合、電力合成によって、出力ポート51cからはVH、つまり、High(+1[V])の信号レベル(最大信号レベル)が出力される。
図8(b)に示すように、第1入力ポート51aにVH(+1[V])が入力され、第2入力ポート51bにVL(−1[V])が入力された場合、電力合成によって、出力ポート51cからは(VH+VL)/2、つまり、Medium(0[V])の信号レベル(中央信号レベル)が出力される。
図8(c)に示すように、第1入力ポート51aにVL(+1[V])が入力され、第2入力ポート51bにVL(−1[V])が入力された場合、電力合成によって、出力ポート51cからはVL、つまり、Low(−1[V])の信号レベル(最小信号レベル)が出力される。
このように、電力合成器51は、デジタル−アナログ変換器(DAC)のように機能する。本実施形態では、電力合成器51によってDACとしての機能が簡易に得られるため、コストを低減することができる。
[5.ルックアップテーブルの変形例]
図8(b)に示すMediumの信号は、理想的には、Highの信号とLowの信号の中央値であるゼロの信号レベルとなるべきである。しかし、実際には、Mediumの信号は、厳密には、HighとLowの中央値とならないことがある。
複数bit出力部41の第1出力ポート41aから出力されるVHと、第2出力ポート41bから出力されるVHとは、本来、同一電圧(VH=VH)となるべきであるが、図9に示すように、VH≠VHとなって、両者に、わずかな差d1が生じることがある。
同様に、複数bit出力部41の第1出力ポート41aから出力されるVLと、第2出力ポート41bから出力されるVLと、についても、本来、同一電圧(VL=VL)となるべきであるが、図9に示すように、VL≠VLとなって、両者に、わずかな差d2が生じることがある。
この場合(VH≠VH,VL≠VL)、電力合成器51から出力される合成信号は、Highの信号の信号レベルが(VH+VH)/2となり、Lowの信号の信号レベルが(VL+VL)/2となる。
つまり、High信号の信号レベルは、High信号を生成するためのbitパターン(VH,VH)における平均信号レベル(VH+VH)/2となり、Low信号の信号レベルは、Low信号を生成するためのbitパターン(VL,VL)における平均信号レベル(VL+VL)/2となっている。
Highの信号とLowの信号が、このような値をとる場合、Highの信号とLowの信号の中央値は、{(VH+VH)/2+(VL+VL)/2}/2となるべきである。
しかし、図5のルックアップテーブル41cに従うと、Mediumの信号は、(VH+VL)/2となり、Highの信号とLowの信号の中央値とは、厳密には一致しなくなる。このような中央値のずれは、RF信号におけるノイズ成分となり、RF信号の信号特性を劣化させる要因となる。
図10は、このような問題を解決するために改良されたルックアップテーブル41cを示している。
図10のルックアップテーブル41cでは、第1テーブルと第2テーブルとを備えている。第1テーブルは、図5のルックアップテーブル41cと同様のbitパターンを生成するためのものである。
一方、第2テーブルは、Medium信号について、第1テーブルにおけるbitパターンとは異なるbitパターンを生成するためのものである。
第1テーブルを使用すると、図5のルックアップテーブル41cと同様に、n値(3値)量子化信号がMedium(0)の場合、第1出力ポート41aからはVH(+1)が出力され、第2出力ポート41bからはVL(−1)が出力される。以下、このbitパターン(+1,−1)を、「第1bitパターン」という。
この場合、電力合成器51から出力される合成信号におけるMediumの信号レベルは、(VH+VL)/2となる。
一方、Medium(0)の量子化信号について、第2テーブルを使用した場合、第1出力ポート41aからはVL(−1)が出力され、第2出力ポート41bからはVH(+1)が出力される。以下、このbitパターンを、「第2bitパターン」という。
この場合、電力合成器51から出力される合成信号におけるMediumの信号レベルは、(VL+VH)/2となる。
第1bitパターン及び第2bitパターンは、VH=VHかつVL=VLであれば、電力合成器51による電力合成によって、同じ信号レベルの合成信号を生成するようなbitパターンとなっている。
複数bit出力部41は、Medium(0)の量子化信号については、第1テーブルと第2テーブルとを交互に参照して、2bit信号を出力する。したがって、Medium(0)の量子化信号については、第1bitパターンと第2bitパターンとが、交互に、複数bit出力部41から出力される。したがって、両bitパターンは、同頻度で発生する。
その結果、電力合成器51からは、Mediumの信号レベルについては、(VH+VL)/2の信号レベルの信号と、(VL+VH)/2の信号レベルの信号という2種類の信号が、交互に出力される。
図11は、電力合成器51から連続してMedium(0)の信号レベルの信号のみを出力した場合の電圧波形を示している。図11に示すように、(VH+VL)/2の信号レベルの信号と、(VL+VH)/2の信号レベルの信号という2種類の信号が、交互に出力される。
Mediumの信号については、2種類の信号が、交互に出力されるため、2種類の信号は、同頻度で発生する。したがって、図11に示すように、Mediumの信号レベルの時間平均は、{VH+VL)/2+(VL+VH)/2}/2=(VH+VH+VL+VL)/4となり、Highの信号レベルとLowの信号レベルの中央値と等しくなる(図9も参照)。
この結果、Mediumの信号は、時間平均をとると、Highの信号とLowの信号の中央値と一致し、RF信号におけるノイズ成分を低減することができる。
[6.付記]
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 ΔΣ変調システム
21 デジタル信号処理部(デジタル信号処理装置)
25 バンドパス型ΔΣ変調器
41 複数bit出力部
51 電力合成器

Claims (7)

  1. n値(nは3以上の整数)の量子化信号を出力するΔΣ変調器と、
    前記ΔΣ変調器から出力されたn値の量子化信号を、複数bitの信号に変換して出力する複数bit出力部と、
    前記複数bitの信号を電力合成して、n個の信号レベルを持つ合成信号を生成する電力合成器と、
    を備え、
    前記電力合成器は、RF信号用の電力合成器であり、前記複数bitの信号全てを電力合成して前記合成信号を生成する
    ことを特徴とするΔΣ変調システム。
  2. 前記複数bit出力部は、n値の量子化信号を、複数bitの信号に変換するためのルックアップテーブルを備え、前記ルックアップテーブルに基づいて、n値の量子化信号を、複数bitの信号に変換する
    請求項1記載のΔΣ変調システム。
  3. 前記電力合成器は、ハイブリッド結合器である
    請求項1又は2記載のΔΣ変調システム。
  4. n値(nは3以上の整数)の量子化信号を出力するΔΣ変調器と、
    前記ΔΣ変調器から出力されたn値の量子化信号を、複数bitの信号に変換して出力する複数bit出力部と、
    前記複数bitの信号を電力合成して、n個の信号レベルを持つ合成信号を生成する電力合成器と、
    を備え、
    前記合成信号は、n個(nは3以上の奇数)の信号レベルのなかに、最小信号レベルと最大信号レベルとの間の中央信号レベルを有し、
    時間軸上における複数の前記中央信号レベルの時間平均が、
    前記電力合成器にて前記最小信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、
    前記電力合成器にて前記最大信号レベルを生成するための前記複数bitのbitパターンにおける平均信号レベルと、
    の間の中央値に等しくなるように、前記複数bit出力部は、前記電力合成器にて前記中央信号レベルを生成するための複数bitの信号のbitパターンとして、複数種類のbitパターンをそれぞれ同頻度で出力する
    請求項1〜3のいずれか1項に記載のΔΣ変調システム。
  5. 前記中央信号レベルは、ゼロの信号レベルである
    請求項4記載のΔΣ変調システム。
  6. 前記ΔΣ変調器は、バンドパス型ΔΣ変調器である
    請求項1〜5のいずれか1項に記載のΔΣ変調システム。
  7. 前記ΔΣ変調器は、帯域伝送方式の変調信号に対するΔΣ変調を行って、n値の量子化信号を出力する
    請求項1〜6のいずれか1項に記載のΔΣ変調システム。
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