JP5933663B2 - オプトエレクトロニクス構成素子および当該オプトエレクトロニクス構成素子の製造方法 - Google Patents
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Description
I) 溶媒黄色179,溶媒黄色93,溶媒黄色114,溶媒橙色60,溶媒橙色107,溶媒赤色179,溶媒赤色135,溶媒赤色111,溶媒赤色195,溶媒赤色52,
II) 溶媒紫色36,溶媒紫色13,溶媒青色97、溶媒青色104,
III) 溶媒緑色3,溶媒緑色28
のうちのそれぞれ1つからの少なくとも1つの着色剤が含まれるのである。
シリコーンを加熱するステップB)と、
ステップB)のシリコーンに少なくとも1つの着色材料を混ぜて拡散を発生させるステップC)と、
ステップC)の拡散を混ぜて混合物を生じるステップD)と、
ステップD)の混合物を加熱するステップE)と、
ステップE)の混合物を拡散して、フィルタ材料用の複合物を生じさせるステップFとを有しており、ここで上記の複合物は、400nmと700nmとの間の波長のビームに対して20%以下の相対透過率を有しており、850nmと1025nmとの間の波長のビームに対して50%以上の相対透過率を有する。
Claims (13)
- 850nmから1025nmまでの波長領域の波長の電磁ビームを放射するかまたは吸収するオプトエレクトロニクス構成素子であって、
当該構成素子は、フィルタ材料を含むフィルタ層をビーム路に有しており、
前記フィルタ材料は、シリコーンと、1つまたは複数の着色剤とからなり、
前記シリコーンは、少なくとも1つの前記着色剤に対するマトリクス材料であり、前記少なくとも1つの着色剤は前記シリコーンに拡散されており、
前記フィルタ材料は、400nmと700nmとの間の波長のビームに対して20%以下の相対透過率を有しており、かつ、850nmと1025nmとの間のビームに対して50%以上の相対透過率を有しており、
前記シリコーンは60℃から180℃の領域において熱硬化可能であり、
前記シリコーンには芳香基が含まれており、シリコンブロックポリマは、ジアルキルシリコーンブロックと、アリールアルキル主鎖要素またはジアリール主鎖要素とを有する領域からなり、
前記フィルタ材料の屈折率は、1.50から1.57までの範囲であり、
前記シリコーンは、付加架橋性シリコーンであり、該付加架橋性シリコーンは、C−C二重結合を有する成分と、ハイドライドを有する別の成分とを有しているため、前記2つの成分の間でヒドロシリル化が生じており、
前記フィルタ材料には、溶媒が含まれない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記シリコーンは、2成分シリコーンであり、
前記少なくとも1つの着色剤は、前記シリコーンの第1成分に組み込まれ、前記少なくとも1つの着色剤を有する前記第1成分は、前記シリコーンの第2成分に混ぜ合わされる、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記シリコーンは、2成分シリコーンであり、
前記少なくとも1つの着色剤は、前記シリコーンの2つの成分に組み込まれている、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記着色剤は前記シリコーンにおいて均一に分散されている、
請求項1から3までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 700nmと850nmとの間にある波長のビーム用の前記フィルタ材料は、700nmにおける20%以下から850nmにおける50%以上に増大する相対透過率を有する、
請求項1から4までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記着色剤は、前記フィルタ材料において200μm以下の粒子である、
請求項1から5までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記フィルタ材料は、溶媒黄色179,溶媒黄色93,溶媒黄色114,溶媒橙色60,溶媒橙色107,溶媒赤色179,溶媒赤色135,溶媒赤色111,溶媒赤色195,溶媒赤色52,溶媒紫色36,溶媒紫色13,溶媒青色97,溶媒青色104,溶媒緑色3,溶媒緑色28のグループから選択された少なくとも1つの着色剤を含む、
請求項1から6までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記フィルタ材料には、3つのグループIないしIII
I) 溶媒黄色179,溶媒黄色93,溶媒黄色114,溶媒橙色60,溶媒橙色107,溶媒赤色179,溶媒赤色135,溶媒赤色111,溶媒赤色195,溶媒赤色52,
II) 溶媒紫色36,溶媒紫色13,溶媒青色97、溶媒青色104,
III) 溶媒緑色3,溶媒緑色28
の1つずつのグループからの少なくとも1つの着色剤が含まれる、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記オプトエレクトロニクス構成素子は、フォトダイオードとして構成されており、
該フォトダイオードは、高濃度にpドーピングされたゾーン(7)を有しており、
当該ゾーン(7)の上には前記フィルタ材料(1)が直接配置されており、
前記高濃度にpドーピングされたゾーン(7)は、側面も下側も、pドーピングされたゾーン(6)によって包囲されており、
当該pドーピングされたゾーン(6)それ自体の側面にも下側にも、nドーピングされたゾーン(5)が続いており、
当該nドーピングされたゾーン(5)は、高濃度にnドーピングされたゾーン(4)に載置されており、
前記高濃度にドーピングされたゾーン(7,4)にはそれぞれ電気コンタクト(2,3)が取り付けられている、
請求項1から8までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記フィルタ材料は、昼光フィルタである、
請求項1から9までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 前記フィルタ層は、その全面積にわたって同じ吸収特性を有する、
請求項1から10までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。 - 請求項1から11までのいずれか1項に記載されたオプトエレクトロニクス構成素子を製造する方法において、
A) シリコーンを準備するステップと、
B) 当該シリコーンを加熱するステップと、
C) ステップB)のシリコーンに少なくとも1つの着色材料を混ぜて拡散を発生させるステップと、
D) ステップC)の拡散を混ぜて混合物を生じさせるステップと、
E) ステップD)の混合物を加熱するステップと、
F) ステップE)の混合物を拡散して、フィルタ材料を生じさせるステップと、
G) ステップF)のフィルタ材料を表面に被着してフィルタ層を構成するステップと、
H) ステップG)の載置されたフィルタ層を、60℃から180℃の温度で硬化させるステップとが含まれており、
前記シリコーンには芳香基が含まれており、シリコンブロックポリマは、ジアルキルシリコーンブロックと、アリールアルキル主鎖要素またはジアリール主鎖要素とを有する領域からなり、
前記フィルタ材料の屈折率は、1.50から1.57までの範囲であり、
前記シリコーンは、付加架橋性シリコーンであり、該付加架橋性シリコーンは、C−C二重結合を有する成分と、ハイドライドを有する別の成分とを有しているため、前記2つの成分の間でヒドロシリル化が生じており、
前記フィルタ材料には、溶媒が含まれない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子を製造する方法。 - 前記構成素子は、第1電気コンタクトおよび誘電体を有しており、
前記第1電気コンタクトを有する層または構成部分と、前記誘電体とは並んで配置されており、平坦な層を構成している、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス構成素子。
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