DE102005013785B4 - Lichtquellenmodul und Fahrzeugscheinwerfer - Google Patents
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Abstract
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Lichtquellenmodul und einen Fahrzeugscheinwerfer.
- Es ist bereits ein Lichtquellenmodul bekannt, das ein Halbleiterlichtemitterelement und eine fluoreszierende Substanz zur Erzeugung von weißem Licht einsetzt (vgl. beispielsweise Ohm MOOK optische Baureihen Nr. 1 „Optical Devices” Ohmsha, Ltd., November 25, 2001). Die fluoreszierende Substanz erzeugt sichtbares Licht entsprechende dem von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugten Licht. Die fluoreszierende Substanz ist in einem lichtdurchlässigen Bindemittel festgehalten. So ist beispielsweise die fluoreszierende Substanz schichtförmig auf einer Lichtaussendeoberfläche des Halbleiterlichtemitterelementes vorgesehen.
- Wenn der Brechungsindex des Bindemittels bei dieser Art von Lichtquellenmodul niedrig ist, besteht die Möglichkeit, dass das von dem Halbleiteremitterelement erzeugte Licht eine Totalreflexion auf einer Grenzfläche zwischen dem Halbleiterlichtemitterelement und dem Bindemittel erfährt, wenn das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugte Licht auf das Bindemittel einfällt. Daher besteht die Möglichkeit, dass ein Teil des Lichtes, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, nicht auf die fluoreszierende Substanz in dem Bindemittel einfällt. Aus diesem Grund kann es unmöglich werden, effizient das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugte Licht nach außerhalb des Lichtquellenmoduls abzustrahlen.
- Die
US 5 777 433 A betrifft ein Lichtquellenmodul mit einem Halbleiterlichtemitterelement und einem Kapselmaterial mit einem großen Brechungsindex und einem Material mit Nanopartikeln, das einen geringeren Brechungsindex aufweist. Aus derUS 6 614 179 B1 geht eine LED mit einem fluoriszierenden Material hervor. Eine ähnliche Lehre enthält dieWO 01/50 540 A1 -
US 6 773 787 B2 ,DE 101 53 259 A1 undEP 1 331 518 A2 betreffen weitere Lichtquellenmodule mit verschiedenen, speziellen Harzen. - Daher besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung eines Lichtquellenmoduls und eines Fahrzeugscheinwerfers zur Lösung des voranstehend geschilderten Problems.
- Um das voranstehende Ziel zu erreichen, wird gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Lichtquellenmodul zur Erzeugung von Licht zur Verfügung gestellt, bei welchem vorgesehen sind:
ein Halbleiterlichtemitterelement, das so betreibbar ist, dass es Licht erzeugt;
ein Nanoteilchen, dessen Durchmesser kleiner ist als die Hälfte der Wellenlänge des von dem Lichtquellenmodul erzeugten Lichtes;
eine fluoreszierende Substanz zur Erzeugung sichtbaren Lichtes entsprechend dem von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugten Lichtes; und
ein schichtförmiges Bindemittel, welches eine Lichtaussendeoberfläche des Halbleiterlichtemitterelementes abdeckt, und das Nanoteilchen und die fluoreszierende Substanz festhält,
wobei der Brechungsindex des Nanoteilchens größer ist als der Brechungsindex des Bindemittels,
der Brechungsindex des Bindemittels gleich 1,5 oder kleiner ist,
das Halbleiterlichtemitterelement Ultraviolettlicht erzeugt, wobei
die fluoreszierende Substanz sichtbares Licht entsprechend dem Ultraviolettlicht erzeugt, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, und
das Bindemittel aus Fluorkohlenstoffharz oder aus Silikonharz besteht. - Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung besteht das Bindemittel aus Silsesquioxanharz; und
eine Seitenkette des Silsesquioxanharzes ist ein einzelner Substituent oder mehrere Substituenten, wobei der Substituent zumindest einer mehrerer nicht-aromatischer Substituenten ist. - Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung enthält das Bindemittel einen Monomerbestandteil einer Silikonverbindung, repräsentiert durch die chemische Formel: R(4-n)-SiXn,
wobei R ein Substituent ist, der ein H-Atom oder eins der Atome F, B, N, Al, P, Si, Ge oder Ti enthält, oder eine organische Gruppe mit 1-50 Kohlenstoffatomen, X eine hydrolytische Gruppe ist, und n eine positive ganze Zahl von 0 bis 4 ist; und wobei der Anteil des Monomerbestandteils, welcher der Silikonverbindung entspricht, die durch die chemische Formel bei n = 3 und 4 repräsentiert wird, 20 Gew.-% oder mehr beträgt. - Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass der Durchmesser des Nanoteilchens 100 nm oder weniger beträgt.
- Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass die Energie der verbotenen Bandbreite des Nanoteilchens 3,54 eV oder mehr beträgt.
- Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Lichtquellenmodul weiterhin ein Dichtungsteil aufweist, welches die Nanoteilchen festhält, und so ausgebildet ist, dass es das Bindemittel und das Halbleiterlichtemitterelement gegenüber einem sichtbares Licht durchlassenden Material abdeckt, um hierdurch das Bindemittel und das Halbleiterlichtemitterelement abzudecken.
- Gemäß einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein vorderer Fahrzeugscheinwerfer für Fahrzeuge zur Verfügung gestellt, bei welchem vorgesehen sind:
ein Lichtquellenmodul für Erzeugung von Licht, wobei das Lichtquellenmodul aufweist:
ein Halbleiterlichtemitterelement;
ein Nanoteilchen, dessen Durchmesser kleiner ist als die Hälfte der Wellenlänge des von dem Lichtquellenmodul erzeugten Lichtes;
eine fluoreszierende Substanz zur Erzeugung von sichtbaren Licht entsprechend dem von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugten Licht; und
ein schichtförmiges Bindemittel, welches eine Lichtaussendeoberfläche des Halbleiterlichtemitterelementes abdeckt, und das Nanoteilchen und die fluoreszierende Substanz festhält, und
ein Optikbauteil zur Abstrahlung des von dem Lichtquellenmodul erzeugten Lichtes nach außerhalb des Fahrzeugscheinwerfers,
wobei der Brechungsindex des Nanoteilchens größer ist als der Brechungsindex des Bindemittels. - Gemäß einem achten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Fluorkohlenstoffharz ausgewählt ist aus der Gruppe, welche umfasst:
Polytetrafluorethylen (PTFE), Tetrafluorethylen oder Hexafluorpropylen-Kopolymer (FEP), Tetrafluorethylen oder Perfluoroalkylvinyläther-Kopolymer (PFA), Polychlorotrifluoroethylen (PCTFE), Polyvinylfluoridethylen- oder Tetrafluoroethylen-Kopolymer (ECTFE), Vinylidenfluorid (VDF), Hexafluoropropylen (HFP), Pentafluoropropylen (PFP) und Perfluoromethylvinyläther (PFMVE). - Gemäß einem neunten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Silsesquioxanharz ausgewählt ist aus zumindest entweder [RSiO3/2]n oder [RSi(OH)O2/2]m[RSiO3/2]n, wobei R ein Substituent mit Ausnahme eines aromatischen Substituenten ist.
- Gemäß einem zehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass der Substituent ausgewählt ist aus zumindest entweder einer Alkylgruppe, einer Aminogruppe, einer Carboxylgruppe, und Halogen.
- Gemäß einem elften Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem dritten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass die Silikonverbindung ausgewählt ist aus zumindest entweder: Tetramethoxysilan Si(OCH3)4, Tetraethoxysilan Si(OC2H5)4, Trimethoxysilan HSi(OCH3)3, Triethoxysilan HSi(OC2H5)3, Methyltrichlorosilan CH3SiCl3, Ethyltrichlorosilan C2H5SiCl3, (CH2Cl)SiCl3, C6H5SiCl3, SiCl4, HSiCl3, CF3C2H4SiCl3, Vinyltriethoxysilan, 3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxisilan, 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)Ethyltrimethoxysilan, N-2(Aminoethyl)-3-Aminopropyltrimethoxysilan, 3-Aminopropyltriethoxysilan, N-Phenyl-3-Aminopropyltrimethoxysilan, 3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und 3-Chloropropyltrimethoxysilan.
- Gemäß einem zwölften Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem achten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Dichtungsteil aus Epoxyharz besteht, das ausgewählt ist aus zumindest entweder Bisphenol-A-Harz (transparentes Epoxyharz), Biphenyl-Epoxyharz und alizyklischem Epoxyharz.
- Gemäß einem dreizehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Nanoteilchen zumindest eine der folgenden Substanzen ist: Aluminiumoxid, Antimontrioxid, Berylliumoxid, Hafniumdioxid, Lanthanoxid, Magnesiumoxid, Scandiumoxid, Siliziumdioxid, Siliziumtrioxid, Tantalpentaoxid, Titandioxid, Thoriumoxid, Yttriumoxid, Zirkoniumdioxid, Bismuthtrifluorid, Ceriumfluorid, Lanthanfluorid, Bleifluorid, Neodymfluorid, Natriumfluorid, Calciumfluorid, Chiolyt, Cryolit, Lithiumfluorid, Magnesiumfluorid, Bleichlorid und Bleitellurid.
- Gemäß einem vierzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass das fluoreszierende Substanz Licht mit der Komplementärfarbe zu jenem Licht erzeugt, das von dem Lichtquellenmodul erzeugt wird.
- Gemäß einem fünfzehnten Aspekt der vorliegenden Erfindung gemäß dem sechsten Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass der Brechungsindex des Nanoteilchens größer ist als der Brechungsindex des Dichtungsteils.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen. Es zeigt:
-
1 eine Perspektivansicht eines vorderen Fahrzeugscheinwerfers10 ; -
2 eine Horizontalschnittansicht des Fahrzeugscheinwerfers10 ; -
3 eine Schnittansicht des LED-Moduls100 entlang der Linie C-C in4 ; -
4 eine Aufsicht auf das LED-Modul100 ; -
5 eine Ansicht eines Beispiels für Einzelheiten des Aufbaus eines Lichtemitterdiodenelementes102 und eines Fluoreszentenabschnittes106 ; -
6 eine Ansicht zur Erläuterung weiterer Einzelheiten eines Dichtungsteils108 ; -
7 eine Ansicht auf ein weiteres Beispiel für die Ausbildung des fluoreszierenden Abschnittes106 und des Dichtungsteils108 ; und -
8 eine Ansicht eines weiteren Beispiels für die Ausbildung des fluoreszierenden Abschnittes106 . - Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen erläutert.
- Die
1 und2 zeigen ein Beispiel für den Aufbau eines vorderen Fahrzeugscheinwerfers10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.1 ist eine Perspektivansicht des Fahrzeugscheinwerfers10 .2 ist eine Horizontalschnittansicht des Fahrzeugscheinwerfers10 auf Grundlage einer horizontalen Ebene, welche Lichtquelleneinheiten20 in einer mittleren Stufe kreuzt. Ein Ziel der vorliegenden Ausführungsform besteht darin, einen Fahrzeugscheinwerfer10 mit hohem Lichtaussendewirkungsgrad auf solche Weise zur Verfügung zu stellen, dass Licht, das von in dem Fahrzeugscheinwerfer10 enthaltenen Halbleiterlichtemitterelementen erzeugt wird, wirksam nach außen hin abgegeben wird. Der vordere Fahrzeugscheinwerfer10 ist beispielsweise ein Scheinwerfer, der in einem Kraftfahrzeug oder dergleichen eingesetzt wird. Der Fahrzeugscheinwerfer10 strahlt Licht in Vorwärtsrichtung eines Fahrzeugs ab. Der Fahrzeugscheinwerfer10 weist Lichtquelleneinheiten20 auf, eine Abdeckung12 , einen Leuchtenkörper14 , eine Schaltungseinheit16 , Wärmeabstrahlteile24 , einen verlängerten Reflektor28 , und Kabel22 und26 . - Jeder der Lichtquelleneinheiten
20 weist ein LED-Modul100 und eine Linse204 auf. Das LED-Modul100 ist ein Beispiel für das Lichtquellenmodul gemäß der vorliegenden Erfindung. Das LED-Modul100 erzeugt weißes Licht in Abhängigkeit der elektrischen Energie, die von der Schaltungseinheit16 über das Kabel22 empfangen wird. Die Linse204 ist ein Beispiel für das Optikbauteil gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Linse204 strahlt das Licht, das von dem LED-Modul100 erzeugt wird, nach außerhalb des Fahrzeugscheinwerfers10 ab. Daher strahlen die Lichtquelleneinheiten20 Licht, das einen Teil eines Fahrzeuglichtstärkenverteilungsmusters bildet, in Vorwärtsrichtung des Fahrzeugs auf Grundlage des von den LED-Modulen100 erzeugten Lichtes ab. Es wird beispielsweise jede Lichtquelleneinheit20 durch den Leuchtenkörper14 so gehaltert, dass die Lichtquelleneinheit20 durch einen Ausrichtungsmechanismus verkippt werden kann, um die Richtung der optischen Achse der Lichtquelleneinheit20 einzustellen. Jede Lichtquelleneinheit20 kann durch den Leuchtenkörper14 so gehaltert werden, dass die Richtung der optischen Achse um einen Winkel von beispielsweise von 0,3° bis 0,6° nach unten gerichtet ist, wenn der Fahrzeugscheinwerfer10 an einer Fahrzeugkarosserie angebracht ist. - Die Lichtquelleneinheiten
20 können gleiche oder ähnliche Lichtstärkenverteilungseigenschaften haben, oder aber unterschiedliche. Als weiteres Beispiel kann eine Lichtquelleneinheit20 mehrere LED-Module100 aufweisen. Als das Lichtquellenmodul, das in der Lichtquelleneinheit20 verwendet wird, kann ein Halbleiterlaser anstelle des LED-Moduls100 verwendet werden. - Die Abdeckung
12 und der Leuchtenkörper14 bilden eine Leuchtenkammer des Fahrzeugscheinwerfers10 . Die Lichtquelleneinheiten20 sind in der Leuchtenkammer aufgenommen. Es ist vorzuziehen, dass die Abdeckung12 und der Leuchtenkörper14 die Lichtquelleneinheiten20 luftdicht und wasserdicht halten. So besteht beispielsweise die Abdeckung12 aus einem Material, welches das von den LED-Modulen100 erzeugte Licht durchlassen kann, so dass Licht vollständig durch die Abdeckung12 hindurchgehen kann. Die Abdeckung12 ist an der Vorderseite des Fahrzeugs so vorgesehen, dass die Lichtquelleneinheiten20 durch die Abdeckung12 von der Vorderseite der Lichtquelleneinheiten20 aus abgedeckt sind. Der Leuchtenkörper14 ist entgegengesetzt zur Abdeckung12 in bezug auf die Lichtquelleneinheiten20 so vorgesehen, dass die Lichtquelleneinheiten20 durch den Leuchtenkörper14 von der Rückseite der Lichtquelleneinheiten20 aus abgedeckt werden. Der Leuchtenkörper14 kann so ausgebildet sein, dass er vereinigt mit der Fahrzeugkarosserie ausgebildet ist. - Die Schaltungseinheit
16 ist ein Modul, in welcher Schalterschaltungen oder dergleichen zum Einschalten der LED-Module vorgesehen sind. Die Schaltungseinheit16 ist über das Kabel22 elektrisch an die Lichtquelleneinheiten20 angeschlossen. Weiterhin ist die Schaltungseinheit16 elektrisch über das Kabel26 an die Außenseite des Fahrzeugscheinwerfers10 angeschlossen. - Die Wärmeabstrahlteile
24 sind Kühlkörper, die jeweils in Berührung mit zumindest einem Teil einer zugehörigen Lichtquelleneinheit20 stehen. Jedes Wärmeabstrahlteil24 besteht aus einem Material wie beispielsweise einem Metallmaterial, dessen Wärmeleitfähigkeit höher ist als jene von Luft. Es ist beispielsweise jedes Wärmeabstrahlteil24 so vorgesehen, dass sich das Wärmeabstrahlteil24 entsprechend der Bewegung der Lichtquelleneinheit20 im Bewegungsbereich der Lichtquelleneinheit20 relativ zu einem Drehpunkt des Ausrichtungsmechanismus bewegen kann, und das Wärmeabstrahlteil24 in ausreichender Entfernung von dem Leuchtenkörper14 angeordnet ist, um die optische Achse der Lichtquelleneinheit20 einzustellen. Die Wärmeabstrahlteile24 können aus einem Metallmaterial bestehen, so dass sie miteinander vereinigt sind. In diesem Fall kann Wärme wirksam von sämtlichen Wärmeabstrahlteilen24 abgestrahlt werden. - Der verlängerte Reflektor
28 ist beispielsweise ein reflektierender Spiegel, der aus einer dünnen Metallplatte besteht, und so ausgebildet ist, dass er sich von unteren Abschnitten der Lichtquelleneinheiten20 zur Abdeckung12 hin erstreckt. Wenn der verlängerte Reflektor28 so ausgebildet ist, dass zumindest ein Teil der inneren Oberfläche des Leuchtenkörpers14 durch den verlängerten Reflektor28 abgedeckt wird, kann die Form der inneren Oberfläche des Leuchtenkörpers14 verborgen werden, damit das äußere Erscheinungsbild des Fahrzeugscheinwerfers10 verbessert wird. - Zumindest ein Teil des verlängerten oder länglichen Reflektors
28 steht in Berührung mit den Lichtquelleneinheiten20 und/oder den Wärmeabstrahlteilen24 . In diesem Fall dient der verlängerte Reflektor28 als Wärmeleitungsteil zur Übertragung von Wärme, die von den LED-Modulen100 erzeugt wird, an die Abdeckung12 . Daher strahlt der verlängerte Reflektor28 Wärme von den LED-Modulen100 ab. Ein Teil des verlängerten Reflektors28 ist an der Abdeckung12 oder dem Leuchtenkörper14 befestigt. Der verlängerte Reflektor28 kann als Rahmen ausgebildet sein, um die Lichtquelleneinheiten20 von oben, von unten und seitlich abzudecken. - Wenn bei diesem Beispiel das LED-Modul
100 als Lichtquelle verwendet wird, können die Abmessungen der Lichtquelleneinheit20 verringert werden. Weiterhin kann beispielsweise der Fahrzeugscheinwerfer10 mit ansprechendem Design zur Verfügung gestellt werden, da die Freiheitsgrade in bezug auf die Anordnung der Lichtquelleneinheiten20 vergrößert sind. - Die
3 und4 zeigen ein Beispiel für die Ausbildung des LED-Moduls100 .3 ist eine Schnittansicht des LED-Moduls100 entlang der Linie C-C in4 .4 ist eine Aufsicht auf das LED-Modul100 . Das LED-Modul100 weist ein Substrat112 auf, Elektroden104 , einen Hohlraum109 , einen Halteabschnitt118 , ein Dichtungsteil109 , ein Lichtemitterdiodenelement102 , und einen fluoreszierenden Abschnitt106 , der einem schichtförmigen Bindemittelabschnitt entspricht, der aus einem Bindemittelbestandteil besteht, in welchem die Nanoteilchen und die fluoreszierende Substanz festgehalten sind. - Das Substrat
112 weist einen plattenförmigen Körper auf. Das Lichtemitterdiodenelement102 ist auf einer oberen Oberfläche des Substrates112 angeordnet und befestigt. Das Substrat112 weist eine Verdrahtung für den elektrischen Anschluss des Lichtemitterdiodenelementes112 an die Elektroden104 auf, so dass elektrische Energie, die von den Elektroden104 empfangen wird, dem Lichtemitterdiodenelement102 zugeführt wird. Die Elektroden104 liefern von außerhalb des LED-Moduls100 zugeführte elektrische Energie an das Lichtemitterdiodenelement102 über das Substrat112 . Der Hohlraum109 ist so ausgebildet, dass er das Lichtemitterelement102 auf dem Substrat112 umgibt. Der fluoreszierende Abschnitt106 wird in dem Hohlraum109 gehaltert. - Der Halteabschnitt
118 haltert die Elektroden104 , das Substrat112 , den Hohlraum109 und das Dichtungsteil108 . Zumindest ein Teil des Halteabschnittes118 besteht aus einem Material wie beispielsweise einem Metallmaterial, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit als Luft aufweist, so dass von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugte Wärme nach außerhalb des LED-Moduls100 übertragen wird. - Das Lichtemitterdiodenelement
102 ist ein Beispiel für das Halbleiter-Lichtemitterelement gemäß der vorliegenden Erfindung. Das Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt Ultraviolettlicht entsprechend der elektrischen Energie, die von außerhalb des LED-Moduls100 über die Elektroden104 und das Substrat112 empfangen wird. Als weiteres Beispiel kann das Lichtemitterdiodenelement102 blaues Licht anstelle von Ultraviolettlicht erzeugen. - Der fluoreszierende Abschnitt
106 ist dazu vorgesehen, eine Oberfläche des Lichtemitterdiodenelementes102 abzudecken, wenn der Hohlraum109 mit dem fluoreszierenden Abschnitt106 gefüllt ist. Der fluoreszierende Abschnitt106 erzeugt sichtbares Licht, beispielsweise weißes Licht, rotes Licht, grünes Licht, gelbes Licht, orangefarbenes Licht oder blaues Licht, entsprechend dem Ultraviolettlicht, das von dem Lichtemitterdiodenelemente102 erzeugt wird. Hierbei kann, wenn das Lichtemitterdiodenelement102 blaues Licht erzeugt, der fluoreszierende Abschnitt106 gelbes Licht erzeugen, also in der Komplementärfarbe zu blau, entsprechend dem blauen Licht, das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt wird. In diesem Fall erzeugt das LED-Modul100 weißes Licht auf Grundlage des von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugten blauen Lichtes und des von dem fluoreszierenden Abschnitt106 erzeugten gelben Lichtes. - Das Dichtungsteil
108 ist ein Formteil zum Abdichten des Lichtemitterdiodenelementes102 und des fluoreszierenden Abschnittes106 . Das Dichtungsteil108 besteht aus einem Material, welches sichtbares Licht durchlassen kann, und ist entgegengesetzt zum Lichtemitterdiodenelement102 in bezug auf den fluoreszierenden Abschnitt106 angeordnet. Von dem fluoreszierenden Abschnitt106 erzeugtes Licht geht daher durch das Dichtungsteil108 hindurch, und verlässt das LED-Modul100 . Bei diesem Beispiel kann das LED-Modul100 erzeugtes Licht in geeigneter Weise nach außen hin abstrahlen. - Als weiteres Beispiel kann das LED-Modul
100 mehrere Lichtemitterdiodenelemente102 aufweisen. In diesem Fall ist beispielsweise der fluoreszierende Abschnitt106 zusammen mit den Lichtemitterdiodenelementen102 so angeordnet, dass die Lichtemitterdiodenelemente102 umgeben werden. Das Dichtungsteil108 dichtet die Lichtemitterdiodenelemente102 und den fluoreszierenden Abschnitt106 ab. -
5 zeigt ein Beispiel für Einzelheiten der Ausbildung des Lichtemitterdiodenelementes102 und des fluoreszierenden Abschnittes106 in Verbindung mit dem Substrat112 und dem Hohlraum109 . Hierbei sind die jeweiligen Abschnitte nicht maßstabsgerecht dargestellt, um die Beschreibung zu erleichtern. Beim vorliegenden Beispiel weist das Lichtemitterdiodenelement102 eine Halbleiterschicht408 auf, ein Saphirsubstrat410 , und Elektroden412a und412b . Das Lichtemitterdiodenelement102 ist beispielsweise als ein Flip-Chip auf dem Substrat112 so angebracht, dass das Saphirsubstrat410 und das Substrat412 entgegengesetzt zueinander in bezug auf die Halbleiterschicht408 angeordnet sind. Die Elektroden412a und412b sind beispielsweise Lötstellen für den elektrischen Anschluss der Halbleiterschicht408 am Substrat112 . - Von der Halbleiterschicht
408 erzeugtes Licht wird über das Saphirsubstrat410 zum Dichtungsteil108 übertragen. Das Saphirsubstrat410 strahlt das durchgelassene Licht von einer entgegengesetzten Oberfläche110 ab, welche dem Dichtungsteil108 zugewandt ist, zum fluoreszierenden Abschnitt106 . Die entgegengesetzte Oberfläche110 ist beispielsweise eine ebene Oberfläche, die quadratisch mit einer Seitenlänge von 1 mm ist. - Die Halbleiterschicht
408 wird durch Kristallwachstum auf einer rückwärtigen Oberfläche110 des Saphirsubstrates410 entgegengesetzt zur Gegenoberfläche110 hergestellt. Die Halbleiterschicht408 erzeugt Licht zum Saphirsubstrat410 hin. Bei diesem Beispiel weist die Halbleiterschicht408 eine n-GaN-Schicht402 auf, eine InGaN-Schicht404 , und eine p-GaN-Schicht406 . Die n-GaN-Schicht402 , die InGaN-Schicht404 , und die p-GaN-Schicht406 werden aufeinanderfolgend auf die rückwärtige Oberfläche410 des Saphirsubstrates410 auflaminiert. Die Halbleiterschicht408 kann zwischen diesen Schichten weitere Schichten aufweisen. - Beim vorliegenden Beispiel erzeugt die Halbleiterschicht
408 beispielsweise Ultraviolettlicht, mit einer Wellenlänge von 360 nm bis 380 nm, zum Saphirsubstrat410 hin, entsprechend der elektrischen Energie, die über die Elektroden412a und412b und das Substrat112 empfangen wird. Das Lichtemitterdiodenelement102 verwendet daher die Gegenoberfläche110 des Saphirsubstrates410 als Lichtaussendeoberfläche zur Erzeugung von Ultraviolettlicht zum fluoreszierenden Abschnitt106 hin. Als weiteres Beispiel kann die Halbleiterschicht408 blaues Licht zum Saphirsubstrat410 hin erzeugen. - Der fluoreszierende Abschnitt
106 weist Nanoteilchen602 auf, fluoreszierende Substanzen604 und ein Bindemittel606 . Beim vorliegenden Beispiel weist der fluoreszierende Abschnitt106 Arten fluoreszierender Substanzen604 zum Erzeugen von weißem Licht mit jeweils unterschiedlichen Farben auf. Das Bindemittel606 besteht beispielsweise aus einem Silikonharz oder einem Fluorkohlenstoffharz, so dass die Gegenoberfläche110 als Lichtaussendeoberfläche des Lichtemitterdiodenelementes102 mit dem Bindemittel606 bedeckt ist. Das Bindemittel606 weist die Nanoteilchen602 und die fluoreszierenden Substanzen605 im Inneren auf. Daher ist das Bindemittel606 schichtförmig ausgebildet, so dass es die Lichtaussendeoberfläche des Lichtemitterdiodenelementes102 abdeckt, und die Nanoteilchen602 und die fluoreszierenden Substanzen604 festhält. Die Nanoteilchen602 und die fluoreszierenden Substanzen604 können hierbei so in dem Bindemittel606 verteilt sein, dass sie eine gleichmäßige Dichte aufweisen. Alternativ kann der fluoreszierende Abschnitt106 nur eine einzige Art einer fluoreszierenden Substanz604 aufweisen. Wenn beispielsweise das Lichtemitterdiodenelement102 blaues Licht erzeugt, kann der fluoreszierende Abschnitt106 eine fluoreszierende Substanz604 zur Erzeugung von gelbem Licht entsprechend dem blauen Licht aufweisen. - Jedes der Teilchen der fluoreszierenden Substanzen
604 weist einen Durchmesser von beispielsweise 50 μm auf. Die fluoreszierenden Substanzen604 erzeugen sichtbares Licht entsprechend dem Ultraviolettlicht, das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt wird. Die Arten fluoreszierender Substanzen604 erzeugen beispielsweise weißes Licht, rotes Licht, grünes Licht, gelbes Licht, orangefarbenes Licht und blaues Licht jeweils entsprechend dem Ultraviolettlicht, das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt wird. -
6 zeigt weitere Einzelheiten des Dichtungsteils108 . Das Dichtungsteil108 ist so ausgebildet, dass es den fluoreszierenden Abschnitt106 und das Lichtemitterdiodenelement102 abdeckt, um hierdurch den fluoreszierenden Abschnitt106 und das Lichtemitterdiodenelement102 abzudichten. Beim vorliegenden Beispiel ist das Dichtungsteil108 entgegengesetzt zum Saphirsubstrat410 in bezug auf den fluoreszierenden Abschnitt106 angeordnet. Beim vorliegenden Beispiel weist das Saphirsubstrat410 einen Brechungsindex von etwa 1,7 auf. Beim vorliegenden Beispiel besteht das Dichtungsteil aus einem Epoxyharz und hat einen Brechungsindex von etwa 1,5. Das Epoxyharz kann beispielsweise Bisphenol-A-Epoxyharz (lichtdurchlässiges Epoxyharz) sein, ein Biphenylepoxyharz, ein alizyklisches Epoxyharz, und dergleichen. - Die Lichtemitterdiodenelemente
102 in dem Fahrzeugscheinwerfer10 können Licht beispielsweise mit einem Wirkungsgrad von 50 lm/W oder mehr aussenden. In diesem Fall kann die Beleuchtungsstärke des Ultraviolettlichtes, das von den Lichtemitterdiodenelementen102 erzeugt wird, beispielsweise 10000–20000 mal so hoch sein wie von Sonnenlicht. Wenn das Material des Bindemittels606 gegenüber Ultraviolettlicht wenig widerstandsfähig ist, so besteht die Möglichkeit, dass eine Gelbfärbung, eine Spaltbildung und dergleichen bei dem Bindemittel606 auftritt. In diesem Fall können eine Verringerung des Lichtstroms, eine Änderung der ausgesandten Farbe und dergleichen auftreten. Als Ergebnis umfangreicher Versuche, um diesen Nachteil zu vermeiden, hat sich herausgestellt, dass ein Silikonharz oder Fluorkohlenstoffharz, welches einen einzelnen Substituenten oder mehrere Substituenten aufweist, ausgewählt aus Substituenten, welche keinen aromatischen Substituenten in ihren hochmolekularen Seitenketten aufweisen, als das Material vorgezogen wird, welches eine hohe Lichtbeständigkeit gegenüber Ultraviolettlicht aufweist, so dass ein Silsesquioxanharz besonders bevorzugt wird. Das Silsesquioxanharz weist vorzugsweise Siliziumverbindungen auf, die durch die folgende chemische Formel 1 angegeben sind, als Monomerbestandteile, und bevorzugter Monomerbestandteile, welche den Silikonverbindungen entsprechen, die durch die chemische Formel 1 mit n = 3 und 4 repräsentiert werden, mit 20 Gew.-% oder mehr.R(4-n)-SiXn (chemische Formel 1) - Es wird darauf hingewiesen, dass R ein Substituent ist, der ein H-Atom oder ein Atom der Substanzen F, B, N, Al, P, Si, Ge oder Ti enthält, oder eine organische Gruppe, die 1-50 Kohlenstoffatome enthält, wobei X eine hydrolytische Gruppe ist, einschließlich eines Halogenatoms wie eines Cl-Atoms, usw., und einer Alkoxygruppe wie beispielsweise einer Methoxygruppe, einer Ethoxygruppe, usw., wobei n eine positive ganze Zahl von 0 bis 4 ist.
- Bevorzugte Beispiele für den Substituenten mit Ausnahme eines aromatischen Subsituenten umfassen Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine Aminogruppe, eine Carboxylgruppe, und Halogen. Das Silikonharz kann ein hochmolekulares Harz sein, oder ein niedrigmolekulares Polymer.
- Bevorzugte Beispiele für das Silikonharz umfassen Oragnosiloxan, Silikonöl, Silikonfett, Silikongummi, Fluorosilikon, Polysilan, Organohalosilan, und ein Silankupplungsmittel.
- Es werden beispielsweise Verbindungen bevorzugt, die durch die folgende chemische Formel 2 repräsentiert werden.
- Das bevorzugte Silsesquioxanharz wird repräsentiert durch [RSiO3/2]n oder [RSi(OH)O2/2]m[RSiO3/2]n. Es wird darauf hingewiesen, dass R ein Substituent mit Ausnahme eines aromatischen Substituenten ist, und ein einzelner Substituent oder eine Kombination aus unterschiedlichen Arten von Substituenten sein kann.
- Bei der Siliziumverbindung, die durch die chemische Formel 1: R(4-n)-SiXn repräsentiert wird, gibt es für X in der chemischen Formel 1 keine spezielle Einschränkung, falls es sich um eine hydrolytische Gruppe handelt. Beispiele für X umfassen eine Hydroxylgruppe, ein Halogen wie beispielsweise Chlor, eine Alkoxygruppe wie beispielsweise eine Methoxygruppe oder Ethoxygruppe, eine Acetoxygruppe, eine Oximgruppe, eine Amidgruppe, eine Propenoxygruppe, usw..
- Spezielle Beispiele für die Siliziumverbindung umfassen: Tetramethoxysilan Si(OCH3)4, Tetraethoxysilan Si(OC2H5)4, Trimethoxysilan HSi(OCH3)3, Triethoxysilan HSi(OC2H5)3, Methyltrichlorosilan CH3SiCl3, Ethyltrichlorosilan C2H5SiCl3, (CH2Cl)SiCl3, C6H5SiCl3, SiCl4, HSiCl3, CF3C2H4SiCl3, Vinyltriethoxysilan, 3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxisilan, 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)Ethyltrimethoxysilan, N-2(Aminoethyl)-3-Aminopropyltrimethoxysilan, 3-Aminopropyltriethoxysilan, N-Phenyl-3-Aminopropyltrimethoxysilan, 3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und 3-Chloropropyltrimethoxysilan, und dergleichen.
- Unter dem Gesichtspunkt der Lichtbeständigkeit ist es vorzuziehen, dass der Monomeranteil, welcher den Siliziumverbindungen entspricht, die durch die chemische Formel 1 bei n = 3 und 4 repräsentiert werden, 20 Gew.-% oder mehr in bezug auf die gesamte Bindemittelmenge beträgt.
- Das Fluorkohlenstoffharz ist in seiner Art nicht beschränkt, falls es sich um einen Harz handelt, das ein Fluoratom enthält. Bevorzugte Beispiele für das Fluorkohlenstoffharz umfassen Polytetrafluorethylen (PTFE), Tetrafluorethylen oder Hexafluorpropylen-Kopolymer (FEP), Tetrafluorethylen oder Perfluoroalkylvinyläther-Kopolymer (PFA), Polychlorotrifluoroethylen (PCTFE), Polyvinylfluoridethylen- oder Tetrafluoroethylen-Kopolymer (ECTFE), Vinylidenfluorid (VDF), Hexafluoropropylen (HFP), Pentafluoropropylen (PFP) und Perfluoromethylvinyläther (PFMVE), und dergleichen.
- Beim vorliegenden Beispiel können das Silikonharz, das Fluorkohlenstoffharz oder das Silsesquioxanharz, die keinen aromatischen Substituenten in ihrer hochmolekularen Seitenkette aufweisen, oder Material, welches die Siliziumverbindung enthält, die durch die chemische Formel 1 repräsentiert wird, als Monomerbestandteil, zur Ausbildung des Bindemittels
606 mit hoher Lichtbeständigkeit gegenüber Ultraviolettlicht verwendet werden. Weiterhin kann beispielsweise das Silikonharz durch ein einfaches Verfahren kostengünstig hergestellt werden, und weist eine gute Wärmestabilität auf. Bei diesem Beispiel wird daher ermöglicht, ein hochleistungsfähiges Bindemittel606 kostengünstig herzustellen. - Wenn das Silikonharz, das Fluorkohlenstoffharz oder das Silsesquioxanharz, die keinen aromatischen Substituenten in ihrer hochmolekularen Seitenkette enthalten, oder das Material, welches die Siliziumverbindung, die durch die chemische Formel 1 repräsentiert wird, als Monomerbestandteil enthält, als das Material des Bindemittels
606 verwendet wird, ist der Brechungsindex des Bindemittels606 nicht größer als 1,5. So liegt beispielsweise der Brechungsindex des Bindemittels606 im Bereich von etwa 1,3 bis etwa 1,4, und ist niedriger als der Brechungsindex (1,7) des Lichtemitterdiodenelementes102 . Genauer gesagt ist bei den Teilen, welche das Lichtemitterdiodenelement102 bilden, der Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes102 der Brechungsindex eines Teils, welches eine Grenzfläche zwischen dem fluoreszierenden Abschnitt106 bildet. Bei der vorliegenden Ausführungsform entspricht beispielsweise der Brechungsindex des Saphirsubstrates410 dem Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes102 . Nachstehend wird eine entsprechende Terminologie verwendet. In diesem Fall wird kritische Winkel an der Grenzfläche zwischen dem Bindemittel606 und dem Lichtemitterdiodenelement102 kleiner, so dass der Lichtstrom des Lichtes verringert wird, das auf das Bindemittel606 von dem Lichtemitterdiodenelement102 einfällt. Wenn beispielsweise der Brechungsindex des Bindemittels606 gleich 1,4 ist, wird verglichen mit einem Fall, in welchem der Brechungsindex des Bindemittels606 im wesentlichen gleich jenem von Epoxyharz ist, der kritische Winkel von 30° auf 26° verkleinert. Aus diesem Grund wird der Lichtstrom des Lichtes, das auf den fluoreszierenden Abschnitt106 von dem Lichtemitterdiodenelement102 einfällt, um etwa 10 bis 15% verringert. Daher wird der Lichtstrom, der auf die fluoreszierenden Substanzen604 einfällt, verringert, so dass der Lichtstrom des von den LED-Modulen100 erzeugten Lichtes verringert wird. - Infolge umfangreicher Untersuchungen zur Vermeidung dieses Nachteils hat sich herausgestellt, dass der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung vergrößert werden kann, wenn mit dem Bindemittel
606 Nanoteilchen602 gemischt werden, die jeweils einen Brechungsindex aufweisen, der größer ist als der Brechungsindex des Materials des Bindemittels606 , und die jeweils einen Durchmesser aufweisen, der beträchtlich kleiner ist als der Durchmesser jedes der Teilchen der fluoreszierenden Substanzen604 , beispielsweise Nanoteilchen602 jeweils mit einem Durchmesser von nicht mehr als 100 nm. Daher wird der kritische Winkel des Lichtes, das auf den fluoreszierenden Abschnitt106 von dem Lichtemitterdiodenelement102 in der Grenzfläche zwischen dem Lichtemitterdiodenelement102 und dem fluoreszierenden Abschnitt106 einfällt, groß. Bei diesem Beispiel wird daher ermöglicht, die Reflexion von Ultraviolettlicht, das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt wird, in der Grenzfläche zwischen dem Lichtemitterdiodenelement102 und dem fluoreszierenden Abschnitt106 zu verringern. Licht, das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt wird, kann daher wirksam auf die fluoreszierenden Substanzen604 in dem fluoreszierenden Abschnitt106 einwirken. - Da der Durchmesser jedes Nanoteilchens
602 nicht größer ist als 100 nm, und kleiner als die Hälfte der Wellenlänge des von dem LED-Modul100 erzeugten Lichtes, kann das sichtbare Licht, das von den fluoreszierenden Substanzen604 erzeugt wird, ohne irgendwelche Sperrung durch die Nanoteilchen602 hindurch gelangen. Daher kann das sichtbare Licht, das durch die fluoreszierenden Substanzen604 erzeugt wird, wirksam nach außerhalb des LED-Moduls100 abgestrahlt werden. Hierbei ist es vorzuziehen, dass der Durchmesser jedes der Nanoteilchen602 nicht größer ist als 80 nm. In diesem Fall kann die Durchlässigkeit für sichtbares Licht so wesentlich verbessert werden, dass das sichtbare Licht, das von den fluoreszierenden Substanzen604 erzeugt wird, wirksam nach außerhalb des LED-Moduls100 abgestrahlt werden kann. - Weiterhin ist es vorzuziehen, dass der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung, der durch Hinzufügen der Nanoteilchen
602 zum Bindemittel vergrößert wird, nicht größer ist als der Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes102 , nicht kleiner als der Brechungsindex des Dichtungsteils108 . - Zum Brechungsindex im allgemeinen
- Der Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes
102 , welches üblicherweise verwendet wird, beträgt etwa 1,7 bis 2,5, wogegen der Brechungsindex des Dichtungsteils108 , das aus einem Epoxyharz besteht, etwa gleich 1,5 ist. Es ist daher beispielsweise vorzuziehen, dass der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung größer gleich 1,5 und kleiner gleich 1,7 ist, wenn der Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes102 etwa gleich 1,7 ist. Als weiteres Beispiel ist es vorzuziehen, dass der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung größer gleich 1,5 und kleiner gleich 2,5 ist, wenn der Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes102 etwa gleich 2,7 ist. So kann beispielsweise der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung größer gleich 2,5 sein, wenn der Brechungsindex des Lichtemitterdiodenelementes102 etwas größer als 2,5 ist. In diesem Fall kann das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugte Licht effizient auf den fluoreszierenden Abschnitt106 einfallen, und kann das von den fluoreszierenden Substanzen604 in dem fluoreszierenden Abschnitt106 erzeugte Licht effizient auf das Dichtungsteil108 einfallen. - Es ist vorzuziehen, dass die Energie der verbotenen Bandbreite der Nanoteilchen
602 nicht kleiner ist als 3,54 eV. In diesem Fall absorbieren die Nanoteilchen602 nicht sichtbares Licht einschließlich Ultraviolettlicht mit einer Wellenlänge von nicht kleiner als 350 nm. Daher können die Nanoteilchen602 das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugte Licht effizient an die fluoreszierenden Substanzen604 abstrahlen, und können effizient das von den fluoreszierenden Substanzen604 erzeugte Licht übertragen, um effizient das Licht nach außerhalb des fluoreszierenden Abschnittes106 abzustrahlen. - Es ist vorzuziehen, das die Nanoteilchen
602 aus einer anorganischen Verbindung bestehen. Insbesondere wird ein Metalloxid, eine Fluorverbindung, eine Sulfidverbindung und dergleichen vorgezogen. Spezielle Beispiele für das bevorzugte Material der Nanoteilchen602 umfassen: Metalloxid wie beispielsweise Aluminiumoxid, Antimontrioxid, Berylliumoxid, Hafniumdioxid, Lanthanoxid, Magnesiumoxid, Scandiumoxid, Siliziumdioxid, Siliziumtrioxid, Tantalpentaoxid, Titandioxid, Thoriumoxid, Yttriumoxid und Zirkoniumdioxid, und dergleichen; Fluorverbindungen wie beispielsweise Bismuthtrifluorid, Ceriumfluorid, Lanthanfluorid, Bleifluorid, Neodymfluorid, Natriumfluorid, Calciumfluorid, Chiolyt, Cryolit, Lithiumfluorid und Magnesiumfluorid, und dergleichen; und Bleichlorid, Bleitellurid, und dergleichen. - Der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung kann dadurch vergrößert werden, dass die Nanoteilchen
602 hinzugefügt werden, deren Brechungsindex höher ist als jener des Bindemittels selbst. Allerdings kann der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzungen nicht stärker vergrößert werden als der Brechungsindex der Nanoteilchen602 beträgt. Um daher den Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung so zu vergrößern, dass er höher wird als jener des Dichtungsteils108 , ist es vorzuziehen, Nanoteilchen hinzuzufügen, deren Brechungsindex höher ist als jener des Dichtungsteils108 . So beträgt beispielsweise der Brechungsindex des Dichtungsteils108 aus Epoxyharz etwa 1,5, und wenn der Brechungsindex des Dichtungsteils etwa 1,5 beträgt, ist es vorzuziehen, Nanoteilchen602 hinzuzufügen, dessen Brechungsindex gleich 1,5 oder größer ist. - Die Nanoteilchen
602 können beispielsweise durch ein Zerkleinerungsverfahren hergestellt werden, bei welchem grobe Teilchen durch eine Kugelmühle, eine Perlmühle, oder dergleichen pulverisiert werden, oder durch ein Aufbauverfahren wie beispielsweise ein Plasmadampfphasenverfahren, ein Sol-Gel-Verfahren, oder ein Verfahren mit CVD (chemische Dampfablagerung), bei welchem Teilchen aus Rohmaterialien durch eine chemische oder eine physikalische Reaktion erzeugt werden. -
7 zeigt ein weiteres Beispiel für die Ausbildung des fluoreszierenden Abschnittes106 und des Dichtungsteils108 zusammen mit dem Substrat112 und dem Hohlraum109 . In7 mit den gleichen Bezugszeichen wie in5 bezeichnete Teile weisen gleiche oder ähnliche Funktionen wie die in5 gezeigten Teile auf, und werden daher nicht unbedingt erneut beschrieben. Bei diesem Beispiel enthält das Dichtungsteil108 die Nanoteilchen602 . Daher wird der Brechungsindex des Dichtungsteils108 höher als der Brechungsindex des Materials des Dichtungsteils108 . Aus diesem Grund kann von dem fluoreszierenden Abschnitt106 erzeugtes Licht zum effizienten Einfallen auf das Dichtungsteil108 veranlasst werden. -
8 zeigt ein weiteres Beispiel für die Ausbildung des fluoreszierenden Abschnittes106 zusammen mit dem Substrat112 und dem Hohlraum109 . In8 mit gleichen Bezugszeichen wie in5 bezeichnete Teile weisen gleiche oder entsprechende Funktionen auf, wie jene Teile in5 , so dass nicht unbedingte eine erneute Beschreibung erfolgt. Der fluoreszierende Abschnitt106 ist so ausgebildet, dass er das Lichtemitterdiodenelement102 abdeckt, um hierdurch das Lichtemitterdiodenelement102 abzudichten. Daher dient bei diesem Beispiel der fluoreszierende Abschnitt106 als das Dichtungsteil108 , das anhand von5 beschrieben wurde. Weiterhin kann auch bei diesem Beispiel der Brechungsindex des fluoreszierenden Abschnittes106 nahe an den Brechungsindex des Saphirsubstrates410 des Lichtemitterdiodenelementes102 angenähert werden, da die Nanoteilchen602 dem Bindemittel606 in dem fluoreszierenden Abschnitt106 hinzugefügt sind. Licht, das von dem Lichtemitterdiodenelement102 erzeugt wird, kann daher effizient zum Einfallen auf den fluoreszierenden Abschnitt106 veranlasst werden. Weiterhin kann Licht, das von den fluoreszierenden Substanzen604 in dem fluoreszierenden Abschnitt106 erzeugt wird, effizient nach außerhalb des LED-Moduls100 abgestrahlt werden. - Wie aus der voranstehenden Beschreibung deutlich geworden sein sollte, kann bei der vorliegenden Ausführungsform Licht, das von dem Lichtemitterdiodenelement
102 erzeugt wird, effizient abgeführt werden, um hierdurch einen Fahrzeugscheinwerfer10 mit hohem Lichtaussendewirkungsgrad zur Verfügung zu stellen. - Zwar wurde die vorliegende Erfindung auf Grundlage einiger ihrer Ausführungsformen beschrieben, jedoch ist der Umfang der Erfindung nicht auf den Umfang der Ausführungsform beschränkt. Fachleute wissen, dass bei den Ausführungsformen verschiedene Änderungen oder Modifikationen vorgenommen werden können. Es ist offensichtlicht, dass derartige geänderten oder modifizierten Ausführungsformen ebenfalls vom technischen Umfang der vorliegenden Erfindung umfasst werden.
- Beispiele in bezug auf die Nanoteilchen und das Bindemittel werden nachstehend beschrieben.
- Es erfolgte eine Bewertung in jenem Fall, in welchem die Nanoteilchen und das Bindemittel bei einem Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von blauem Licht bzw. einem Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von Ultraviolettlicht eingesetzt wurden.
- Der Brechungsindex der Bindemittelzusammensetzung nach Hinzufügen der Nanoteilchen zu 10 Vol.-% des Bindemittels wurde auf Grundlage des Anteils berechnet. Das Reflexionsvermögen der Bindemittelzusammensetzung wurde in dem Zustand berechnet, in welchem Licht auf die Bindemittelzusammensetzung senkrecht von dem Lichtemitterelement mit einem Brechungsindex von 1,77 einfiel.
- Das von dem Lichtemitterelement ausgesandte Licht fällt auf das Bindemittel
606 ein, dann wird die Wellenlänge des Lichtes durch die fluoreszierende Substanz604 umgewandelt, und wird außerhalb des LED-Moduls100 weißes Licht erhalten. Damit das Licht von dem Lichtemitterelement außerhalb des Lichtemittermoduls erhalten wird, muss das Licht durch vier Grenzflächen hindurchgehen, beispielsweise zwischen dem Lichtemitterelement, dem Bindemittel, der fluoreszierenden Substanz, dem Dichtungsteil, und der Luft (außen). Ein Teil des Lichtes wird auf jeder Grenzfläche reflektiert, was den Wirkungsgrad in bezug auf das erhaltene weiße Licht beeinträchtigt. Es ist äußerst wesentlich, den Brechungsindex an der Grenzfläche zwischen dem Lichtemitterelement und dem Bindemittel herabzusetzen, durch welche das Licht zuerst hindurchgeht, um den Wirkungsgrad in bezug auf die Lichterzeugung zu erhöhen. - Der lineare Lichttransmissionsgrad wurde dadurch erhalten, dass der Lichttransmissionsgrad bei der Wellenlänge des Lichtes, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, mit einem Spektraltransmissionsgradmessgerät gemessen wurde. Das Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von blauem Licht wurde bei 460 nm gemessen, wogegen das Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von Ultraviolettlicht bei 360 nm gemessen wurde.
- Die Nanoteilchen und das Bindemittel wurden in einem Volumenanteil von 10:90 abgewogen, und dispergiert und gemischt, unter Hinzufügung eines Lösungsmittels. Die so erhaltene Dispersion wurde auf Silikatglas durch eine Schleuderbeschichtungsvorrichtung zur Ausbildung eines Films mit einer Dicke von 3 μm aufgebracht. Der Film wurde eine Stunde lang bei 150°C erwärmt, um eine Messprobe herzustellen.
- Die Beispiele 1 und 2 und die Vergleichsbeispiele 1 bis 3 wurden unter der Annahme bewertet, dass die Probe bei einem Lichtemitterelement zum Aussenden von blauem Licht (460 nm) eingesetzt wurde.
- [Beispiel 1]
-
- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 13 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 8,3 eV
- Bindemittel: Vinylsilikonverbindung
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
- Vinyl-terminales Diphenylsiloxan-Dimethylsiloxan-Kopolymer: 94,92 Gew.-%
-
Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,53 - [Beispiel 2]
-
- Nanoteilchen: Titanoxid P25
- Teilchengröße 21 nm, Brechungsindex 2,50,
- Energie der verbotenen Bandbreite 3,2 eV
- Bindemittel: Vinylsilikonverbindung
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
- Vinyl-terminales Diphenylsiloxan-Dimethylsiloxan-Kopolymer: 94,92 Gew.-%
-
Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,53 - [Vergleichsbeispiel 1]
-
- Nanoteilchen: nicht vorhanden
- Bindemittel: Vinylsilikonverbindung
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
- Vinyl-terminales Diphenylsiloxan-Dimethylsiloxan-Kopolymer: 94,92 Gew.-%
-
Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,53 - [Vergleichsbeispiel 2]
-
- Nanoteilchen: SilikatAEROSIL380
- Teilchengröße 7 nm, Brechungsindex 1,45,
- Energie der verbotenen Bandbreite 6,2 eV
- Bindemittel: Vinylsilikonverbindung
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
- Vinyl-terminales Diphenylsiloxan-Dimethylsiloxan-Kopolymer: 94,92 Gew.-%
-
Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,53 - [Vergleichsbeispiel 3]
-
- Nanoteilchen: SilikatAEROSIL380
- Teilchengröße 7 nm, Brechungsindex 1,45,
- Energie der verbotenen Bandbreite 6,2 eV
- Bindemittel: LED-Epoxydichtungsmaterial NT-8405 (hergestellt von NITTO DENKO CORPORATION)
- Brechungsindex 1,53
- Tabelle 1 zeigt die Eigenschaften der Beispiele 1 und 2 und der Vergleichsbeispiele 1 bis 3.
- Wie aus Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 hervorgeht, ist Beispiel 1 nützlich, da der Brechungsindex zwischen der Bindemittelzusammensetzung und dem Lichtemitterdiodenelement durch Hinzufügen der Nanoteilchen niedriger wird, und der Transmissionsgrad für Licht, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, auf 90% bleibt.
- Wie aus den Beispielen 1 und 2 hervorgeht, wird dann, wenn der Brechungsindex der Nanoteilchen höher eingestellt ist als der Brechungsindex des Bindemittels, das Reflexionsvermögen verringert, so dass die Beispiele 1 und 2 nützlich sind.
- Da jedoch bei den Vergleichsbeispielen 2 und 3 Nanoteilchen verwendet werden, deren Brechungsindex niedriger ist als jener des Bindemittels, wird im Vergleich zum Brechungsindex und Reflexionsindex der Bindemittelzusammensetzung zum Vergleichsbeispiel 1 der Brechungsindex niedriger, und der Reflexionsindex höher.
- [Beispiel 3]
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- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 13 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 8,3 eV
- Bindemittel: Dimethylsilikonverbindung (hergestellt von GELEST, INC.)
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
-
Vinyl-terminales Dimethylsiloxanpolymer: 94,92 Gew.-% Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,40 - [Beispiel 4]
-
- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 13 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 8,3 eV
- Bindemittel: Polymethylsilsesquioxan (hergestellt von GELEST, INC.)
- Brechungsindex 1,42
- [Beispiel 5]
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- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 13 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 8,3 eV
- Bindemittel: Silikonverbindung (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
-
Tetramethoxysilan: 84 Gew.-% 0,1 N-Salzsäure: 16 Gew.-% Brechungsindex 1,41 - [Beispiel 6]
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- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 130 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 8,3 eV
- Bindemittel: Dimethylsilikonverbindung (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
-
Vinyl-terminales Dimethylsiloxanpolymer: 94,92 Gew.-% Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,40 - [Vergleichsbeispiel 4]
-
- Nanoteilchen: Titanoxid P25
- Teilchengröße 21 nm, Brechungsindex 2,50,
- Energie der verbotenen Bandbreite 3,2 eV
- Bindemittel: Dimethylsilikonverbindung (hergestellt von GELEST, INC.)
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
-
Dimethylsiloxanpolymer: 94,92 Gew.-% Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,40 - [Vergleichsbeispiel 5]
-
- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 13 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 3,2 eV
- Bindemittel: Phenylsilikonverbindung
- (thermisch verbundene Substanz aus folgender Mischung)
- Vinyl-terminales Diphenylsiloxandimethylsilixankopolymer: 94,92 Gew.-%
-
Aushärtungskatalysator: SIP6831.2: 0,08 Gew.-% Vernetzungsmittel: HMS-301: 5,00 Gew.-% Brechungsindex 1,53 - [Vergleichsbeispiel 6]
-
- Nanoteilchen: Aluminiumoxid C
- Teilchengröße 13 nm, Brechungsindex 1,77,
- Energie der verbotenen Bandbreite 3,2 eV
- Bindemittel: LED-Epoxydichtungsmaterial NT-8405 (hergestellt von NITTO DENKO CORPORATION)
- Brechungsindex 1,53
- Bei den Beispielen 3 bis 6 und den Vergleichsbeispielen 4 bis 6 wurde die Bewertung unter der Annahme vorgenommen, dass die Probe bei einem Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von Ultraviolettlicht eingesetzt wurde. Ein Lichtbeständigkeitsversuch wurde unter der Vorhersage durchgeführt, dass eine Lichtbeeinträchtigung der Teile infolge des Ultraviolettlichtes beträchtlich sein würde. Tabelle 2 zeigt Eigenschaften der Beispiele 3 bis 6 und der Vergleichsbeispiele 4 bis 6.
- Bei dem Lichtbeständigkeitsversuch wurde in dem Zustand, in welchem die Probe mit Ultraviolettlicht mit einer Wellenlänge von 360 nm und einer Beleuchtungsstärke von 10 W/cm2 bestrahlt wurde, der lineare Lichttransmissionsgrad bei 360 nm gemessen, und wurde die Aufrechterhaltungszeit von weniger als 70%, verglichen mit der Anfangsstufe der Lichtbestrahlung, als die Lebensdauer angesehen.
- Bei den Vergleichsbeispielen 5 und 6 ist dann, wenn die Probe bei einem Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von blauem Licht eingesetzt wurde, das Reflexionsvermögen niedrig, was vorzuziehen ist. Beim Vergleichsbeispiel 5 wurde, wenn die Probe bei einem Halbleiterlichtemitterelement zum Aussenden von Ultraviolettlicht eingesetzt wurde, der lineare Lichttransmissionsgrad durch Absorption von Licht verringert, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, da die Energie der verbotenen Bandbreite der Nanoteilchen so niedrig wie 3,54 eV war.
- Beim Vergleichsbeispiel 6 war der Brechungsindex des Bindemittels gleich 1,53, und wurde das Reflexionsvermögen niedrig, jedoch zersetzte sich das Bindemittel durch Absorption von Ultraviolettlicht, da das Bindemittel einen aromatischen Substituenten enthielt. Dies führte dazu, dass die Lebensdauer beim Lichtbeständigkeitstest extrem verkürzt wurde.
- Die Beispiele 3 bis 5 zeichneten sich zusätzlich zu den Beispielen 1 und 2 dadurch aus, dass die Energie der verbotenen Bandbreite nicht niedriger war als 3,54 eV und/oder der Brechungsindex des Bindemittels nicht höher als 1,5. Bei den Beispielen 3 bis 5 können langlebige Lichtemittermodule mit hohem Wirkungsgrad bereitgestellt werden.
- Weiterhin werden beim Beispiel 6 Nanoteilchen mit größerem Durchmesser als jenem der Nanoteilchen beim Beispiel 3 verwendet. Es findet eine Aggregation der Nanoteilchen durch gegenseitige Adhäsion der Teilchen statt. Daher werden normalerweise die Teilchen dispergiert, beispielsweise durch einen Homogenisierapparat, eine Kugelmühle oder einen Überschall-Homogenisierapparat. Beim Beispiel 6 werden die Nanoteilchen in einem solchen Zustand eingesetzt, dass die Dispersion auf halbem Wege unterbrochen wird, und eine geringe Aggregation der Teilchen stattfindet. Der Teilchendurchmesser wird durch eine dynamische Lichtstreuteilchenverteilungsmessung gemessen, und der Medianwert des Durchmessers wird als Teilchendurchmesser angesehen. Offensichtlich ist Beispiel 6 besser als die Vergleichsbeispiele 5 bis 7 in bezug auf die Untersuchung der Lichtbeständigkeit. Da der Teilchendurchmesser beim Beispiel 6 größer ist als beim Beispiel 3, tritt eine Lichtstreuung auf, und wird der lineare Lichttransmissionsgrad kaum verringert.
Claims (14)
- Lichtquellenmodul (
100 ) zur Erzeugung von Licht, wobei vorgesehen sind: ein Halbleiterlichtemitterelement (102 ), das so betreibbar ist, dass es Licht erzeugt; ein Nanoteilchen (602 ), dessen Durchmesser kleiner ist als die Hälfte der Wellenlänge des von dem Lichtquellenmodul (100 ) erzeugten Lichtes; eine fluoreszierende Substanz (604 ) zur Erzeugung sichtbaren Lichtes entsprechend dem Licht, das von dem Halbleiterlichtemitterelement (102 ) erzeugt wird; und ein schichtförmiges Bindemittel (606 ), welches eine Lichtaussendeoberfläche des Halbleiterlichtemitterelementes (102 ) abdeckt, und das Nanoteilchen (602 ) und die fluoreszierende Substanz (604 ) festhält, wobei der Brechungsindex des Nanoteilchens (602 ) größer ist als der Brechungsindex des Bindemittels (606 ), wobei der Brechungsindex des Bindemittels (606 ) kleiner oder gleich 1,5 ist, und der Brechungsindex des Halbleiterlichtemitterelements (102 ) etwa 1,7 bis 2,5 beträgt, und wobei das Halbleiterlichtemitterelement Ultraviolettlicht erzeugt, die fluoreszierende Substanz sichtbares Licht entsprechend dem ultravioletten Licht erzeugt, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, und das Bindemittel aus Fluorkohlenstoffharz oder Silikonharz besteht. - Lichtquellenmodul (
100 ) zur Erzeugung von Licht, wobei vorgesehen sind: ein Halbleiterlichtemitterelement (102 ), das so betreibbar ist, dass es Licht erzeugt; ein Nanoteilchen (602 ), dessen Durchmesser kleiner ist als die Hälfte der Wellenlänge des von dem Lichtquellenmodul (100 ) erzeugten Lichtes; eine fluoreszierende Substanz (604 ) zur Erzeugung sichtbaren Lichtes entsprechend dem Licht, das von dem Halbleiterlichtemitterelement (102 ) erzeugt wird; und ein schichtförmiges Bindemittel (606 ), welches eine Lichtaussendeoberfläche des Halbleiterlichtemitterelementes (102 ) abdeckt, und das Nanoteilchen (602 ) und die fluoreszierende Substanz (604 ) festhält, wobei der Brechungsindex des Nanoteilchens (602 ) größer ist als der Brechungsindex des Bindemittels (606 ), wobei der Brechungsindex des Bindemittels (606 ) kleiner oder gleich 1,5 ist, und der Brechungsindex des Halbleiterlichtemitterelements (102 ) etwa 1,7 bis 2,5 beträgt, und wobei das Halbleiterlichtemitterelement Ultraviolettlicht erzeugt, die fluoreszierende Substanz sichtbares Licht entsprechend dem Ultraviolettlicht erzeugt, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, das Bindemittel aus Silsesquioxanharz besteht, und eine Seitenkette des Silsesquioxanharzes ein einzelner Substituent oder mehrere Substituenten ist, wobei der Substituent zumindest einer aus einer Gruppe nicht-aromatischer Substituenten ist. - Lichtquellenmodul (
100 ) zur Erzeugung von Licht, wobei vorgesehen sind: ein Halbleiterlichtemitterelement (102 ), das so betreibbar ist, dass es Licht erzeugt; ein Nanoteilchen (602 ), dessen Durchmesser kleiner ist als die Hälfte der Wellenlänge des von dem Lichtquellenmodul (100 ) erzeugten Lichtes; eine fluoreszierende Substanz (604 ) zur Erzeugung sichtbaren Lichtes entsprechend dem Licht, das von dem Halbleiterlichtemitterelement (102 ) erzeugt wird; und ein schichtförmiges Bindemittel (606 ), welches eine Lichtaussendeoberfläche des Halbleiterlichtemitterelementes (102 ) abdeckt, und das Nanoteilchen (602 ) und die fluoreszierende Substanz (604 ) festhält, wobei der Brechungsindex des Nanoteilchens (602 ) größer ist als der Brechungsindex des Bindemittels (606 ), wobei der Brechungsindex des Bindemittels (606 ) kleiner oder gleich 1,5 ist, und der Brechungsindex des Halbleiterlichtemitterelements (102 ) etwa 1,7 bis 2,5 beträgt, und wobei das Halbleiterlichtemitterelement Ultraviolettlicht erzeugt, die fluoreszierende Substanz sichtbares Licht entsprechend dem Ultraviolettlicht erzeugt, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird, das Bindemittel einen Monomerbestandteil einer Silikonverbindung enthält, die durch die chemische Formel: R(4-n)-SiXn repräsentiert wird; wobei R ein Substituent ist, der ein H-Atom oder ein Atom aus der Gruppe F, B, N, Al, P, Si, Ge oder Ti enthält, oder eine organische Gruppe mit 1 bis 50 Kohlenstoffatomen, X eine hydrolytische Gruppe ist, und n eine positive ganze Zahl von 0 bis 4 ist; und der Anteil an Monomerbestandteil, welcher der Silikonverbindung entspricht, die durch die chemische Formel bei n = 3 bis 4 repräsentiert wird, 20 Gew.-% oder mehr beträgt. - Lichtquellenmodul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser des Nanoteilchens (
602 ) kleiner oder gleich 100 nm ist. - Lichtquellenmodul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie der verbotenen Bandbreite des Nanoteilchens (
602 ) größer oder gleich 3,54 eV ist. - Lichtquellenmodul nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet durch ein Dichtungsteil (
108 ) aus einem für sichtbares Licht durchlässigen Material, wobei das Dichtungsteil (108 ) die Nanoteilchen (602 ) festhält, und das Bindemittel (606 ) und das Halbleiterlichtemitterelement (102 ) abdeckt, um so das Bindemittel und das Halbleiterlichtemitterelement abzudichten. - Lichtquellenmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluorkohlenstoffharz als zumindest ein Mitglied der folgenden Gruppe ausgewählt ist: Polytetrafluorethylen (PTFE), Tetrafluorethylen, Hexafluorpropylen-Kopolymer (FEP), Tetrafluoroethylen, Perfluoroalkylvinyläther-Kopolymer (PFA), Polychlorotrifluoroethylen (PCTFE), Polyvinylfluoridethylen, Tetrafluoroethylen-Kopolymer (ECTFE), Vinylidenfluorid (VDF), Hexafluoropropylen (HFP), Pentafluoropropylen (PFP), Perfluoromethylvinyläther (PFMVE).
- Lichtquellenmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Silsesquioxanharz ausgewählt ist aus zumindest entweder [RSiO3/2]n oder [RSi(OH)O2/2]m[RSiO3/2]n, wobei R ein Substituent mit Ausnahme eines aromatischen Substituenten ist, und m und n positive ganze Zahlen sind.
- Lichtquellenmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Substituent ausgewählt ist aus zumindest entweder einer Alkylgruppe, einer Aminogruppe, einer Carboxylgruppe, und Halogen.
- Lichtquellenmodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikonverbindung ausgewählt ist als zumindest ein Mitglied folgender Gruppe: Tetramethoxysilan Si(OCH3)4, Tetraethoxysilan Si(OC2H5)4, Trimethoxysilan HSi(OCH3)3, Triethoxysilan HSi(OC2H5)3, Methyltrichlorosilan CH3SiCl3, Ethyltrichlorosilan C2H5SiCl3, (CH2Cl)SiCl3, C6H5SiCl3, SiCl4, HSiCl3, CF3C2H4SiCl3, Vinyltriethoxysilan, 3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxisilan, 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)Ethyltrimethoxysilan, N-2(Aminoethyl)-3-Aminopropyltrimethoxysilan, 3-Aminopropyltriethoxysilan, N-Phenyl-3-Aminopropyltrimethoxysilan, 3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und 3-Chloropropyltrimethoxysilan.
- Lichtquellenmodul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Nanoteilchen als zumindest ein Mitglied aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Aluminiumoxid, Antimontrioxid, Berylliumoxid, Hafniumdioxid, Lanthanoxid, Magnesiumoxid, Scandiumoxid, Siliziumdioxid, Siliziumtrioxid, Tantalpentaoxid, Titandioxid, Thoriumoxid, Yttriumoxid, Zirkoniumdioxid, Bismuthtrifluorid, Ceriumfluorid, Lanthanfluorid, Bleifluorid, Neodymfluorid, Natriumfluorid, Calciumfluorid, Chiolyt, Cryolit, Lithiumfluorid, Magnesiumfluorid, Bleichlorid und Bleitellurid.
- Lichtquellenmodul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die fluoreszierende Substanz Licht mit einer komplementären Farbe zu jener des Lichtes erzeugt, das von dem Halbleiterlichtemitterelement erzeugt wird.
- Lichtquellenmodul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Brechungsindex des Nanoteilchens (
602 ) größer ist als der Brechungsindex des Dichtungsteils (108 ). - Vordere Leuchte (
10 ) für Fahrzeuge, bei welcher ein Lichtquellenmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche vorgesehen ist.
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JP2005310756A (ja) | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Koito Mfg Co Ltd | 光源モジュールおよび車両用前照灯 |
US7868343B2 (en) * | 2004-04-06 | 2011-01-11 | Cree, Inc. | Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
JP2006310710A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2007299981A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置 |
ES2374438T3 (es) * | 2006-01-18 | 2012-02-16 | Sparkxis B.V. | Materiales monoméricos y poliméricos novedosos. |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8748915B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7955531B1 (en) * | 2006-04-26 | 2011-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Patterned light extraction sheet and method of making same |
US7521727B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Company | Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same |
US7569864B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-08-04 | Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research | Silicon-rich-oxide white light photodiode |
JP4977199B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2012-07-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 自動車用ランプモジュール及びled照明素子を備える照明ユニット |
JP2007324417A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sharp Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
US7795632B2 (en) * | 2006-06-26 | 2010-09-14 | Osram Sylvania Inc. | Light emitting diode with direct view optic |
JP5431636B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2014-03-05 | 株式会社小糸製作所 | 車両用標識灯 |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US20080048199A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Kee Yean Ng | Light emitting device and method of making the device |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8179034B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
JP5320910B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-10-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
DE102007046339A1 (de) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquelle mit veränderlicher Abstrahlcharakteristik |
DE102007050271B4 (de) * | 2007-10-18 | 2012-02-02 | Noctron Soparfi S.A. | Lichtleitereinrichtung sowie Beleuchtungsvorrichtung mit einer solchen Lichtleitereinrichtung |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
KR20100110837A (ko) * | 2008-01-04 | 2010-10-13 | 스파크시스 비.브이. | 금속 산화물 나노입자의 표면 개질 |
US9287469B2 (en) * | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
KR20110028307A (ko) | 2008-05-29 | 2011-03-17 | 크리 인코포레이티드 | 근거리장 영역 혼합을 갖는 광원 |
US20100110551A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US20100119839A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Maven Optronics Corp. | System and Method for Forming a Thin-Film Phosphor Layer for Phosphor-Converted Light Emitting Devices |
US7957621B2 (en) * | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
WO2011018746A1 (en) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical composition |
JP2011108588A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
KR20110080318A (ko) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR101713087B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2017-03-07 | 도레이 카부시키가이샤 | 형광체 함유 실리콘 경화물, 그 제조 방법, 형광체 함유 실리콘 조성물, 그 조성물 전구체, 시트상 성형물, led 패키지, 발광 장치 및 led 실장 기판의 제조 방법 |
CN101872827B (zh) * | 2010-06-21 | 2012-11-14 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其方法 |
DE102010034915A1 (de) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper |
JP5613772B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-10-29 | クラレノリタケデンタル株式会社 | 歯科用ミルブランク |
US10267506B2 (en) | 2010-11-22 | 2019-04-23 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same |
US8575639B2 (en) * | 2011-02-16 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs) |
WO2012081411A1 (ja) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 東レ株式会社 | 蛍光体シート、これを用いたledおよび発光装置ならびにledの製造方法 |
CN103270136B (zh) * | 2010-12-21 | 2016-08-10 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有包含聚合物的基体的照明设备 |
CN103348496A (zh) | 2011-02-07 | 2013-10-09 | 克利公司 | 用于发光二极管(led)发光的部件和方法 |
DE102011105010A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN102856445B (zh) * | 2011-06-30 | 2016-01-20 | 四川柏狮光电技术有限公司 | Led灯珠的填隙方法 |
JP5254418B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | 照明装置および前照灯 |
WO2013051623A1 (ja) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | シャープ株式会社 | 発光体、照明装置および前照灯 |
DE102011085645B4 (de) | 2011-11-03 | 2014-06-26 | Osram Gmbh | Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls |
US8564004B2 (en) * | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9806246B2 (en) | 2012-02-07 | 2017-10-31 | Cree, Inc. | Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods |
US9786825B2 (en) | 2012-02-07 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods |
US8895998B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods |
US9538590B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-01-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods |
CN102888198A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-01-23 | 江苏金苇电气科技有限公司 | 一种用于玻璃丝包线的粘胶及其制备方法 |
US9515283B2 (en) * | 2012-08-29 | 2016-12-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED devices with internal outcoupling |
DE102012217643A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
KR101932982B1 (ko) * | 2012-10-25 | 2018-12-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 형광체 함유 수지 시트 및 발광 장치 |
USD738542S1 (en) | 2013-04-19 | 2015-09-08 | Cree, Inc. | Light emitting unit |
US10038122B2 (en) * | 2013-06-28 | 2018-07-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
JP6545679B2 (ja) | 2013-08-05 | 2019-07-17 | コーニング インコーポレイテッド | 発光コーティングおよびデバイス |
TWI535792B (zh) * | 2013-10-24 | 2016-06-01 | 瓦克化學公司 | Led封裝材料 |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
DE102015101598A1 (de) * | 2015-02-04 | 2016-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden optoelektronischen Vorrichtung |
JP6544677B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-07-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体ホイール及びそれを用いた光源装置並びに投写型表示装置 |
US10217914B2 (en) * | 2015-05-27 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP6389145B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2018-09-12 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、及び半導体装置 |
CN108139520A (zh) * | 2015-09-29 | 2018-06-08 | 松下知识产权经营株式会社 | 波长转换元件以及发光装置 |
JP6638292B2 (ja) | 2015-09-30 | 2020-01-29 | 日亜化学工業株式会社 | 装置光源 |
DE102016105407A1 (de) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung und elektronische Vorrichtung |
EP3436266A1 (de) * | 2016-03-31 | 2019-02-06 | Merck Patent GmbH | Farbumwandlungsblatt und optische vorrichtung |
CN106084750A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-11-09 | 秦廷廷 | 一种应用于led植物生长灯芯片封装的增透有机硅改性聚氨酯胶 |
DE102016212070A1 (de) * | 2016-07-04 | 2018-01-04 | Osram Gmbh | Beleuchtungseinrichtung und fahrzeugscheinwerfer mit beleuchtungseinrichtung |
KR101836845B1 (ko) * | 2016-07-04 | 2018-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 차량용 발광기구 |
TWI626771B (zh) | 2016-07-26 | 2018-06-11 | 宏齊科技股份有限公司 | 發光二極體單元和薄型平面光源模組 |
USD823492S1 (en) | 2016-10-04 | 2018-07-17 | Cree, Inc. | Light emitting device |
JP2018060932A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
JP6597657B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2019-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2018154868A1 (ja) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材 |
JP7268315B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2023-05-08 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置 |
CN111463193B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-11-12 | 光宝光电(常州)有限公司 | 芯片级发光二极管封装结构 |
CN112038463A (zh) * | 2019-06-04 | 2020-12-04 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种紫外led器件及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777433A (en) * | 1996-07-11 | 1998-07-07 | Hewlett-Packard Company | High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material |
WO2001050540A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle |
DE10153259A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
EP1331518A2 (de) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | JSR Corporation | Strahlungsmpfindliche Zusammensetzung für die Herstellung einer isolierenden Schicht, isolierende Schicht and Anzeigevorrichtung |
US6614179B1 (en) * | 1996-07-29 | 2003-09-02 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
US6773787B2 (en) * | 2002-05-01 | 2004-08-10 | General Electric Company | Light diffusing articles and methods to manufacture thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5387480A (en) | 1993-03-08 | 1995-02-07 | Dow Corning Corporation | High dielectric constant coatings |
AU4843796A (en) * | 1995-03-01 | 1996-09-18 | Morii, Toshihiro | Colored afterglow composite and colored afterglow article |
JP2002111058A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光ダイオードおよび露光システム |
JP2002232010A (ja) | 2001-02-07 | 2002-08-16 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
CN2489181Y (zh) * | 2001-02-23 | 2002-05-01 | 张文虎 | 发光二极管全集光功能灯 |
JP4101468B2 (ja) | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US6686676B2 (en) * | 2001-04-30 | 2004-02-03 | General Electric Company | UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same |
JP2004071908A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
KR100554453B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2006-03-03 | 서울반도체 주식회사 | 백색 발광 소자 |
EP1429209A3 (de) * | 2002-09-19 | 2004-08-25 | Ricoh Company | Bilderzeugungsapparat und Arbeitseinheit zur Verwendung in einem solchen Gerät |
KR20030031061A (ko) * | 2003-03-22 | 2003-04-18 | 루미마이크로 주식회사 | 고효율 색변환 층을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP4231418B2 (ja) | 2004-01-07 | 2009-02-25 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール及び車両用灯具 |
JP2005310756A (ja) | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Koito Mfg Co Ltd | 光源モジュールおよび車両用前照灯 |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005052893A patent/JP2005310756A/ja active Pending
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777433A (en) * | 1996-07-11 | 1998-07-07 | Hewlett-Packard Company | High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material |
US6614179B1 (en) * | 1996-07-29 | 2003-09-02 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
WO2001050540A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle |
DE10153259A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
EP1331518A2 (de) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | JSR Corporation | Strahlungsmpfindliche Zusammensetzung für die Herstellung einer isolierenden Schicht, isolierende Schicht and Anzeigevorrichtung |
US6773787B2 (en) * | 2002-05-01 | 2004-08-10 | General Electric Company | Light diffusing articles and methods to manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050253130A1 (en) | 2005-11-17 |
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