JP5933448B2 - 高温チャック及びそれを使用する方法 - Google Patents

高温チャック及びそれを使用する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5933448B2
JP5933448B2 JP2012543941A JP2012543941A JP5933448B2 JP 5933448 B2 JP5933448 B2 JP 5933448B2 JP 2012543941 A JP2012543941 A JP 2012543941A JP 2012543941 A JP2012543941 A JP 2012543941A JP 5933448 B2 JP5933448 B2 JP 5933448B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pin
wafer
chuck
main body
article
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012543941A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013514654A (ja
Inventor
ブラッガー・ミハエル
ラッハ・オット
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research AG
Original Assignee
Lam Research AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research AG filed Critical Lam Research AG
Publication of JP2013514654A publication Critical patent/JP2013514654A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5933448B2 publication Critical patent/JP5933448B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

本発明は、高温ウエハ表面処理プロセスでの使用に適応された、半導体ウエハなどのウエハ状物品のための支えに関するものである。
半導体ウエハは、エッチング、洗浄、研磨、及び材料蒸着などの様々な表面処理プロセスを経る。このようなプロセスに対応するためには、例えば、参照によって各々その全体を明示的に本明細書に組み込まれた米国特許第4,903,717号及び第5,513,668号に記載されるように、1枚のウエハを、回転式キャリアに伴われるチャックによって、1つ又は2つ以上の処理流体ノズルに関係付けて支えることができる。いわゆる「両面チャック」は、やはり参照によってその全体を明示的に本明細書に組み込まれた米国特許第6,536,454号に記載されるように、ウエハを、その両側に配置された処理流体ノズルに関係付けて支えるものである。
発明者らは、ウエハ処理に伴う流体温度及び/又はウエハ温度が約80℃を超える場合に、従来のチャックが、例えば、高温の腐食性流体との接触によって引き起こされるチャック部品の熱変形又は劣化のせいで損傷を受ける又は最終的には故障に至る恐れがあることを発見した。これまでは、高温ウエハ処理に十分に耐えられるように適応されたチャックは提案されていなかった。
本発明は、高温での使用に適応された新しいチャック及びそれを使用する方法に関する。本発明にしたがうと、半導体ウエハなどの物品を支えるためのチャックは、ウエハ又はその他の物品を高温処理流体に接触させることに起因するチャック部品の劣化又は変形を低減させるように構成及び配置された1つ又は2つ以上の遮蔽部材を含む。本発明のチャックは、半導体ウエハの流体処理での使用に限られず、通常は必ずしも円盤である必要はない物品を1つ又は2つ以上の処理流体に接触させるために支える必要がある任意の表面処理プロセスで有用である。本発明のチャックは、高温プロセスのために特別に適応される一方で、80℃又はそれ未満の温度を伴うプロセスでの使用も考えられる。
添付の図面を参照にして与えられる本発明の好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことによって、本発明のその他の目的、特徴、及び利点が明らかになる。
本発明にしたがったチャックの概略斜視図である。
図1のチャックの軸方向断面図である。
図2の細部IIIの拡大図である。
図1において、本発明の好ましい実施形態にしたがったチャック(1)は、図2及び図3を参照にして後ほど更に詳しく説明されるチャック本体を実質的に覆う、リング状の遮蔽板(50)を含む。遮蔽板(50)は、その周領域に基本的に等間隔で設けられた複数の貫通孔(52)を含み、これらの孔には、対応する保持ピン(60)がチャック本体から上向きに通されて、遮蔽板(50)の上方に所定の高さまで突き出している。遮蔽板(50)の周縁には、ピン(60)から、なかでも特に後述のピンカバー(63)から滴下する流体が捕捉されて、チャック(1)から外向きに離れるように方向付けられるように、凹所(56)が形成されて、周縁まで達している。
遮蔽板(50)は、上向きに突き出して遮蔽板(50)の中央開口を一周するフランジ(55)も含む。好ましくは、図2に示されるように、フランジ(55)は、遮蔽板(50)の中央開口の周縁を形成している。遮蔽板(50)は、図2を参照にして後ほど更に詳しく説明されるように、チャック本体に形成された貫通孔(42)を同心円状に取り巻く。
使用に際して、ピン(60)は、ウエハ(不図示)が遮蔽板(50)の上方に所定の距離に且つ遮蔽板(50)に平行に、そして好ましくは遮蔽板(50)のフランジ(55)の上方に所定の距離に固定されて位置付けられるように、ウエハの周縁に作動式に係合する。したがって、高温流体を含む1つ又は2つ以上の処理流体は、チャック(1)の方を向いていないウエハの上面に、及び随意には貫通孔(42)を通じて反対側のウエハの下面に送出可能である。例えば米国特許第4,903,717号、第5,513,668号、及び第6,536,454号に記載されるように、チャック(1)は、その中心軸を中心として回転可能であるように、駆動機構(不図示)に回転式に取り付け可能である。
遮蔽板(50)は、チャック本体を実質的に覆うものであり、該チャック本体の各種部品は、図2及び図3に描かれた本発明の実施形態を参照にしてこれから説明される。
図2において、チャック(1)は、その下位部分に、中央開口を取り巻くほぼ環状カップ形状の基部本体(20)を含む。基部本体(20)の内周及び外周の各々は、上向きに突き出した周縁として形成され、それによって、基部本体(20)の上面は、上向きの環状凹面を形成している。基部本体(20)は、更に、内側に位置する下向きの中央凹所(24)と、半径方向外側に位置する下向きの環状凹所(26)とが形成されるように、その下面に、下向きに突き出した環状隆起を含む。
基部本体(20)の下向きの中央凹所(24)内には、中央開口を有する基本的に平面状の内側基部リング(15)が収まり、基部本体(20)にゆるみなく付けられる。基部本体(20)の下向きの環状凹所(26)内には、外側基部リング(10)が位置付けられ、更に、基部本体(20)の上向き突き出し外周縁の外面に沿って上向きに突き出している。外側基部リング(10)は、基部本体(20)にゆるみなく付けられる。
中央貫通孔(42)を有する基本的に平面状の上方本体部分(40)は、基部本体(20)の上向き突き出し外周縁及び内周縁の両方と境界を接するように基部本体(20)を同じ広さで覆う下面を有する。したがって、上方部分(40)は、基部本体(20)の上向きの環状凹面を、間に環状空間を形成するように囲い込む。
上方部分(40)の外周に基本的に等間隔で設けられた複数の貫通孔は、上方に突き出した複数のピン(60)と互いに合わさるように、遮蔽板(50)内の対応する複数の貫通孔と位置を揃えられる。
上方部分(40)は、図3に示されるように、更に、その上部の外周縁に、外向きに且つ下向きに突き出したフランジ(43)を含む。上方部分(40)は、好ましくは、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)で形成される。
図2に示されるように、内側基部リング(15)の中央開口及び基部本体(20)の中央開口は、中央空間(48)を囲い込むために連携的に位置を揃えられ、この中央開口(48)は、チャック(1)の全断面を貫く貫通路を形成するために上方部分(40)の貫通孔(42)と連携的に位置を揃えられる。したがって、空間(48)内には、貫通孔(42)を通じてウエハの底面に液体及び/又は気体を送出可能であるように非回転式のノズルヘッド(不図示)を配置することができる。
遮蔽板(50)は、上方部分(40)の上方に基本的に同じ広さで広がり、使用に際して遮蔽板(50)が上方部分(40)を高温処理流体から物理的に且つ熱的に保護するように上方部分(40)の上面を約50%を超える割合で、好ましくは約75%を超える割合で、最大では100%の割合で覆うものである。図3に示されるように、遮蔽板(50)は、その周縁に、上方部分(40)の外向き且つ下向き突き出しフランジ(43)を同じ広さで覆う外向き且つ下向き突き出しフランジ(57)を含む。
遮蔽板(50)及び上方部分(40)は、同じ又は異なる材料で形成することができる。遮蔽板(50)は、好ましくは、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)で形成される。
図2及び図3に描かれた本発明の実施形態に再び言及すると、遮蔽板(50)は、上方部分(40)との間に隙間(51)を形成するように上方部分(40)の上方に所定の均一距離に維持される。遮蔽板(50)は、隙間(51)を提供するのに適した任意の方式で上方部分(40)に固定することができる。例えば、距離スリーブ(41)を遮蔽板(50)と上方部分(40)との間の均一スペーサとして機能させ、取り付けネジ(53,54)を遮蔽板(50)内の対応する取り付けネジ穴(52)に通して上方部分(40)の上面に入らせて装着することができる。このような取り付けネジ(53,54)及び関連の距離スリーブ(41)は、図1に示されるように、チャック(1)の内周及び外周に基本的に等間隔で設けられることが好ましい。
隙間(51)は、空気又はその他の流体で満たされてよく、更には、使用中に高温処理流体による望ましくない熱的効果から上方部分(40)を保護する。遮蔽板(50)と上方部分(40)との間の均一距離に対応する望ましい隙間(51)高さは、予期される処理流体温度と、遮蔽板(50)の熱力学特性とに基づいて決定することができる。好ましくは、隙間(51)は、約3mmである。より好ましくは、遮蔽板(50)及び隙間(51)は、たとえ処理中のウエハの温度が例えば120℃又はそれ以上のように大幅に高く、ひいては180℃もの高さであるときでも、使用に際して上方部分(40)が経験する温度が約80℃以下であるように、連携的に構成される。
図2及び図3では、チャック(1)は、更に、上方部分(40)と基部本体(20)との間に位置する環状補強板(30)を含む。具体的には、補強板(30)は、上方部分(40)の下面と境界を接し、(図1に示された)ネジ(46)によって上方部分(40)の下面に取り付けられる。補強板(30)は、上方部分(40)と基部本体(20)との間に形成された環状空間とほぼ同じ広さを持つように、おおよそ基部本体(20)の上向き突き出し内周縁から基部本体(20)の上向き突き出し外周縁まで広がる。
補強板(30)は、少なくとも一部には、上昇したウエハ処理温度に起因する基部本体(20)及び/又は上方部分(40)の変形を抑制又は阻止する働きをする。したがって、補強板(30)は、熱的に且つ構造的に適した任意の材料で形成されてよく、好ましくはアルミニウムである。
図3に最も良く示されるように、各ピン(60)は、上方部分(40)の嵌め合い貫通孔(44)及び遮蔽板(50)の嵌め合い貫通孔(52)に収まるピン基部本体(61)を含む。ピン基部本体(61)は、遮蔽板(50)の上方に所定の距離だけ上向きに突き出し、その上端に、外向きに且つ下向きに広がるピンカバー(63)を被せられる。
ピン基部本体(61)内に偏心して位置付けられた縦方向の貫通孔に収まるピンロッド(62)は、ピンカバー(63)の上方に所定の距離だけ上向きに突き出し、そのほぼ上端に、ウエハの縁に接触してウエハを半径方向に及び軸方向に固定するように構成された溝を彫り込まれている。ピンロッド(62)は、ピン基部本体(61)の貫通孔内に、止めネジ(64)によって取り付けられる。好ましくは、ピンロッド(62)は、セラミック又はサファイアで形成される。
ピン基部本体(61)の下端は、上方部分(40)内に形成された嵌め合い段部に収まる拡大直径ピンギア部分(74)によって形成される。各ピン基部本体(61)は、基部本体(20)の上向き突き出し外周縁内に形成された凹所内に各々位置する針軸受け(77)及び関連のコイルバネ(76)によって、上方部分(40)に向かって上向きに圧迫される。
このようにして、ピンカバー(63)は、そうでなければピン本体(61)にぶつかるだろうあらゆる流体を、ピン(60)から外向きに離れて遮蔽板(50)の凹所(56)に向かうように方向付けることによって、ピン基部本体(61)及びピンギア部分(64)を処理流体から保護する。更に、遮蔽板(50)は、ピン(60)も更に物理的に且つ熱的に高温処理流体から保護されるように、各ピン(60)を取り巻いて遮蔽板(50)の上面からピンカバー(63)の底面まで達する環状フランジ(58)も含む。
上方部分(40)と基部本体(20)との間に形成された環状空間には、基本的に平面状のギアリング(70)が収まる。ギアリング(70)は、その外周縁に、ピンギア部分(74)から半径方向外向きに突き出した対応する歯と噛み合う半径方向外向きに突き出した歯を含む。ギアリング(70)は、その内周縁では、玉軸受け(72)を通じて基部本体(20)の上向き突き出し内周縁に回転式に寄りかかる。
ギアリング(70)は、ギアリング(70)の回転の際にピンギア部分(74)がその中心軸を中心として回転されるように、基部本体(20)に相対的に回転可能であるように構成及び位置付けられる。その結果、偏心して位置付けられた各ピンロッド(62)は、ウエハが解放可能となる外側の「開」位置と、ウエハがピン(60)によって半径方向に及び軸方向に固定される内側の「閉」位置との間で回転される。偏心して位置付けられたピンを回転させるようにギア歯車とチャック本体との相対運動を提供するための機構は、例えば米国特許第4,903,717号及び第5,513,668号に記載されるように既知である。
当業者にならば、本開示を読むことによって明らかになるように、本発明にしたがったチャックは、ウエハ又はその他の物品を高温処理流体に接触させることに起因するチャック部品の劣化又は変形を各々が低減させることができる複数の遮蔽部材を提供する。本発明は、その様々な好ましい実施形態との関連で説明されてきたが、これらの実施形態は、発明を例示するために提供されたにすぎず、添付の特許請求の範囲の真の範囲及び趣旨によって与えられる保護の範囲を制限する口実として使用されるべきでない。例えば本願発明は、以下の適用例としても実施可能である。
[適用例1]ウエハ状物品を支えるためのチャックであって、
処理作業中にウエハ状物品を所定の向きに配置するように適応された本体であって、上面と、ウエハ状物品の縁又は表面に係合するように構成されるとともに前記上面に相対的に上向きに突き出した複数のピンとを含む、本体と、
前記本体の前記上面、及び前記上面よりも上方に位置する前記ピンの少なくとも1本の一部分のうちの、少なくともいずれかの上に配置される少なくとも1つの遮蔽部材と
を備えるチャック。
[適用例2]前記本体は、半導体ウエハの枚葉式ウエハ処理での使用に適応された回転式の支えである適用例1に記載のチャック。
[適用例3]適用例1に記載のチャックであって、
前記少なくとも1つの遮蔽部材は、前記本体の前記上面との間に隙間を形成するように前記本体の前記上面の実質的に上方に配置されるとともに前記本体の前記上面の上方に所定の距離に維持される遮蔽板を含む
チャック。
[適用例4]適用例1に記載のチャックであって、
前記少なくとも1つの遮蔽部材は、複数の貫通孔を有する遮蔽板を含み、前記ピンの各々は、前記複数の貫通孔の1つに通され、前記遮蔽板は、前記貫通孔の各々を取り巻くとともに処理液を集めて該処理液を前記本体から半径方向外向きに離れるように方向付けるように構成された凹所を更に含む
チャック。
[適用例5]前記遮蔽板は、更に、前記複数のピンの各々を取り巻く環状フランジを含む適用例4に記載のチャック。
[適用例6]前記遮蔽板は、更に、中央開口と、前記中央開口を取り巻く上向きに突き出した環状フランジとを含む適用例4に記載のチャック。
[適用例7]前記本体の上方部分の下に配置される金属製の補強部材を更に備える適用例1に記載のチャック。
[適用例8]前記少なくとも1つの遮蔽部材は、1つ又は2つ以上のピンカバーを含む適用例1に記載のチャック。
[適用例9]適用例8に記載のチャックであって、
前記ピンカバーの各々は、ピン本体を覆うとともに、ピンロッドを通らせる開口を形成し、前記ピンカバーは、前記ピン基部本体の長手方向軸に相対的に半径方向外向きに且つ下向きに広がる
チャック。
[適用例10]前記少なくとも1つの遮蔽部材は、1つ又は2つ以上のピンカバーを更に含む適用例4に記載のチャック。
[適用例11]適用例10に記載のチャックであって、
前記ピンカバーの各々は、ピン本体を覆うとともに、ピンロッドを通らせる開口を形成し、前記ピンカバーは、前記ピン基部本体の長手方向軸に相対的に半径方向外向きに且つ下向きに広がるとともに、処理液を前記ピンカバーの上面からその下の凹所へ方向付けられるように前記凹所に相対的に配置される
チャック。
[適用例12]ウエハ状物品を湿式処理で使用するための処理方法であって、
本体と、ウエハ状物品の縁又は表面に係合するように構成され、前記本体から上向きに突き出した複数のピンを含むチャック上に、前記ウエハ状物品を所定の向きで配置し、
前記ウエハ状物品が80℃よりも大幅に高い温度に達するように、前記ウエハ状物品上に処理液を施し、
前記本体及び前記ピンの少なくともいずれかを80℃又はそれ未満の温度に維持する
処理方法。
[適用例13]前記ウエハ状物品は、120℃又はそれを超える温度に達する適用例12に記載の処理方法。
[適用例14]前記ウエハ状物品は、120℃から180℃の範囲の温度に達する適用例12に記載の処理方法。
[適用例15]適用例12に記載の処理方法であって、
前記チャックは、前記本体及び前記ピンの少なくともいずれかの上に配置される少なくとも1つの遮蔽部材であって、前記遮蔽部材の上面上に広がる温度が120℃又はそれよりも高いときに前記本体及び前記ピンの少なくともいずれかを80℃以下の温度に維持するように構成された少なくとも1つの遮蔽部材を含む
処理方法。

Claims (14)

  1. ウエハ状物品を支えるためのチャックであって、
    処理作業中にウエハ状物品を所定の向きに配置するように適応された本体であって、上面と、ウエハ状物品の縁又は表面に係合するように構成されるとともに前記上面に相対的に上向きに突き出した複数のピンとを含む、本体と、
    前記本体の前記上面との間に隙間を形成するように前記本体の前記上面の実質的に上方に配置されるとともに前記本体の前記上面の上方に所定の距離に維持される遮蔽板を含む少なくとも一つの遮蔽部材と
    を備え、
    記遮蔽板は、複数の貫通孔を備え、前記複数の貫通孔の各々に、前記複数のピンがそれぞれ通された
    チャック。
  2. 前記本体は、半導体ウエハの枚葉式ウエハ処理での使用に適応された回転式の支えである請求項1に記載のチャック。
  3. 請求項1に記載のチャックであって、
    記遮蔽板は、前記貫通孔の各々を取り巻くとともに処理液を集めて該処理液を前記本体から半径方向外向きに離れるように方向付けるように構成された凹所を更に含む
    チャック。
  4. 前記遮蔽板は、更に、前記複数のピンの各々を取り巻く環状フランジを含む請求項3に記載のチャック。
  5. 前記遮蔽板は、更に、中央開口と、前記中央開口を取り巻く上向きに突き出した環状フランジとを含む請求項3に記載のチャック。
  6. 前記本体の上方部分の下に配置される金属製の補強部材を更に備える請求項1に記載のチャック。
  7. 前記少なくとも1つの遮蔽部材は、1つ又は2つ以上のピンカバーを含む請求項1に記載のチャック。
  8. 請求項7に記載のチャックであって、
    前記ピンカバーの各々は、ピン本体を覆うとともに、ピンロッドを通らせる開口を形成し、前記ピンカバーは、前記ピン基部本体の長手方向軸に相対的に半径方向外向きに且つ下向きに広がる
    チャック。
  9. 前記少なくとも1つの遮蔽部材は、1つ又は2つ以上のピンカバーを更に含む請求項3に記載のチャック。
  10. 請求項9に記載のチャックであって、
    前記ピンカバーの各々は、ピン本体を覆うとともに、ピンロッドを通らせる開口を形成し、前記ピンカバーは、前記ピン基部本体の長手方向軸に相対的に半径方向外向きに且つ下向きに広がるとともに、処理液を前記ピンカバーの上面からその下の凹所へ方向付けられるように前記凹所に相対的に配置される
    チャック。
  11. ウエハ状物品を湿式処理で使用するための処理方法であって、
    本体と、ウエハ状物品の縁又は表面に係合するように構成され、前記本体から上向きに突き出した複数のピンを含むチャック上に、前記ウエハ状物品を所定の向きで配置し、
    前記本体の前記上面、及び前記ピンの少なくとも1本の一部分であって前記上面よりも上方に位置する一部分のうちの、少なくともいずれかの上に配置される少なくとも1つの遮蔽部材を設け、
    前記少なくとも1つの遮蔽部材は、前記本体の前記上面との間に隙間を形成するように前記本体の前記上面の実質的に上方に配置されるとともに前記本体の前記上面の上方に所定の距離に維持される遮蔽板を含み、前記遮蔽板は、複数の貫通孔を有し、前記複数の貫通孔の各々に、前記複数のピンがそれぞれ通され、
    前記ウエハ状物品が80℃よりも高い温度に達するように、前記ウエハ状物品上に処理液を施し、
    前記遮蔽板により、前記本体及び前記ピンの少なくともいずれかを80℃又はそれ未満の温度に維持する
    処理方法。
  12. 前記ウエハ状物品は、120℃又はそれを超える温度に達する請求項11に記載の処理方法。
  13. 前記ウエハ状物品は、120℃から180℃の範囲の温度に達する請求項11に記載の処理方法。
  14. 請求項11に記載の処理方法であって、
    前記チャックは、前記本体及び前記ピンの少なくともいずれかの上に配置される少なくとも1つの遮蔽部材であって、前記遮蔽部材の上面上に広がる温度が120℃又はそれよりも高いときに前記本体及び前記ピンの少なくともいずれかを80℃以下の温度に維持するように構成された少なくとも1つの遮蔽部材を含む
    処理方法。
JP2012543941A 2009-12-18 2010-12-02 高温チャック及びそれを使用する方法 Expired - Fee Related JP5933448B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/642,101 US8613288B2 (en) 2009-12-18 2009-12-18 High temperature chuck and method of using same
US12/642,101 2009-12-18
PCT/IB2010/055552 WO2011073842A2 (en) 2009-12-18 2010-12-02 High temperature chuck and method of using same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013514654A JP2013514654A (ja) 2013-04-25
JP5933448B2 true JP5933448B2 (ja) 2016-06-08

Family

ID=44149373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012543941A Expired - Fee Related JP5933448B2 (ja) 2009-12-18 2010-12-02 高温チャック及びそれを使用する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8613288B2 (ja)
EP (1) EP2513963A4 (ja)
JP (1) JP5933448B2 (ja)
KR (1) KR101770847B1 (ja)
CN (1) CN102656681B (ja)
TW (1) TWI455240B (ja)
WO (1) WO2011073842A2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6255650B2 (ja) * 2013-05-13 2018-01-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US9418883B2 (en) * 2013-07-03 2016-08-16 Lam Research Ag Device for holding wafer shaped articles
US20150230687A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 General Electric Company Spray arm assembly for dishwasher appliances
US20170140975A1 (en) 2015-11-17 2017-05-18 Semes Co., Ltd. Spin head, apparatus and method for treating a substrate including the spin head
US20180040502A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Lam Research Ag Apparatus for processing wafer-shaped articles
TWI765936B (zh) * 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
CN108773627A (zh) * 2018-07-25 2018-11-09 宁夏国励汽车动力科技有限公司 卡口法兰托架
CN117123547A (zh) * 2023-08-31 2023-11-28 南通市嘉诚机械有限公司 一种轴承加工用清洗装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5238499A (en) 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
DE59407361D1 (de) * 1993-02-08 1999-01-14 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
US5748434A (en) * 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
US6118290A (en) * 1997-06-07 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Prober and method for cleaning probes provided therein
JPH11307513A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Sony Corp 絶縁体基板対応プラズマ処理装置
US6536454B2 (en) * 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
JP3958594B2 (ja) * 2002-01-30 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6827789B2 (en) * 2002-07-01 2004-12-07 Semigear, Inc. Isolation chamber arrangement for serial processing of semiconductor wafers for the electronic industry
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US7256132B2 (en) * 2002-07-31 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Substrate centering apparatus and method
US7046025B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-16 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus for testing substrates at low temperatures
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
JP4238772B2 (ja) * 2003-05-07 2009-03-18 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
US6805338B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-19 Lsi Logic Corporation Semiconductor wafer chuck assembly for a semiconductor processing device
JP2006086230A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20060156981A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Kyle Fondurulia Wafer support pin assembly
KR100642644B1 (ko) * 2005-01-20 2006-11-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 냉각장치 및 방법
JP4698407B2 (ja) * 2005-12-20 2011-06-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5068471B2 (ja) * 2006-03-31 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5069452B2 (ja) 2006-04-27 2012-11-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
JP4372182B2 (ja) * 2007-08-02 2009-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置
JP5422143B2 (ja) * 2008-06-04 2014-02-19 株式会社荏原製作所 基板把持機構

Also Published As

Publication number Publication date
CN102656681A (zh) 2012-09-05
TWI455240B (zh) 2014-10-01
JP2013514654A (ja) 2013-04-25
WO2011073842A2 (en) 2011-06-23
KR101770847B1 (ko) 2017-08-23
EP2513963A4 (en) 2017-03-08
WO2011073842A3 (en) 2011-12-29
US20110146728A1 (en) 2011-06-23
US8613288B2 (en) 2013-12-24
CN102656681B (zh) 2016-07-06
KR20120105475A (ko) 2012-09-25
TW201131692A (en) 2011-09-16
EP2513963A2 (en) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5933448B2 (ja) 高温チャック及びそれを使用する方法
JP5693719B2 (ja) ウエハ状物品を保持するための装置
JP6328686B2 (ja) 円盤状の物品を処理するための装置
JP2007048920A5 (ja)
JP2013536578A5 (ja)
JP2009202259A5 (ja)
KR20140107492A (ko) 웨이퍼 형상 물체의 표면을 처리하는 디바이스 및 이 디바이스에서 사용되는 그립핑 핀
JP2007288031A (ja) 保護テープ貼着方法
JP2007260860A (ja) 車輪用転がり軸受装置の製造方法
TWI731940B (zh) 晶圓狀物件之液體處理用設備
TWI710056B (zh) 晶圓狀物件之表面處理設備
JP6986872B2 (ja) ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、SiCエピタキシャルウェハの製造方法
WO2021250996A1 (ja) 加工装置及び方法
TW201630112A (zh) 夾具總成
JP6471159B2 (ja) 回転機構及びこの回転機構を備えた膜厚モニター
JP2003257958A (ja) 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
KR20130034862A (ko) 링커버 및 이를 이용한 서셉터
JP7445386B2 (ja) 基板保持部材および基板保持機構
TWI694538B (zh) 處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法
JP6267927B2 (ja) 研削装置
TWI802723B (zh) 蒸鍍製程治具
TWI423384B (zh) 供半導體晶圓處理機器人使用之樞軸臂組件及其製造方法
JP2005311040A (ja) ウェハ用の吸着チャック
KR20180060034A (ko) 웨이퍼의 연마 장치
JP6359377B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150805

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160502

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5933448

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees