TWI694538B - 處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法 - Google Patents

處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI694538B
TWI694538B TW105118756A TW105118756A TWI694538B TW I694538 B TWI694538 B TW I694538B TW 105118756 A TW105118756 A TW 105118756A TW 105118756 A TW105118756 A TW 105118756A TW I694538 B TWI694538 B TW I694538B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
magnet
substrate processing
metal ring
processing apparatus
disc
Prior art date
Application number
TW105118756A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201705354A (zh
Inventor
金起範
金秀雄
史勝曄
禹覽
李明振
丁錫徹
崔鐘聖
許浩範
Original Assignee
南韓商周星工程股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商周星工程股份有限公司 filed Critical 南韓商周星工程股份有限公司
Publication of TW201705354A publication Critical patent/TW201705354A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI694538B publication Critical patent/TWI694538B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一個實施例之一種基板處理設備包含圓盤、至少一個基座、金屬環以及支撐塊。圓盤被提供為自轉。至少一個基座被排列於其上裝設有基板之圓盤上,自轉以及隨著圓盤自轉而圍繞圓盤之中心作為軸而轉動。金屬環耦合於基座之下部,具有被排列為與基座之中心匹配之中心。支撐塊排列於圓盤的下方,具有與金屬環之外圓周側向正對之內圓周。

Description

處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法
本發明係關於一種處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法。
說明書中揭露的描述係簡單地提供實施例之有關背景資訊,而非提供習知技術。
通常,透過沈積與堆疊期望之形狀結構之處理步驟,藉由於基板上完成複數次半導體製程,以製造半導體記憶體裝置、液晶顯示裝置、有機發光顯示裝置等。
半導體處理步驟包含於基板上沈積預定薄膜的製程、將薄膜的選定區域曝光的光刻製程,以及選定區域之移除薄膜的蝕刻製程。於處理腔室中為對應的製程建立最佳環境,在處理腔室內部完成這些半導體處理步驟。
通常,用於處理圓形基板比如晶圓之設備被放置於處理腔室中,以及包含一個圓形圓盤被裝設複數個圓形基座的結構,其中基座小於圓盤。
在基板處理設備中,在基板被放置於基座上以後,圓盤繞其中心自轉,以及基座繞其中心自轉並且圍繞圓盤轉動,然後源材料被噴射到基板內,以在基板上沈積與堆疊或蝕刻實現期望的形狀結構,採用這種方式完成基板處理。
此時,使用分離設備,用於噴射空氣或其他氣體以旋轉,即使得基座圍繞其中心軸自轉。這種情況下,空氣或氣體中包含的碎屑被吸收到基板內,由此導致出現產品缺陷的問題。此外,如果使用分離設備,還會出現處理基板所使用的功率或電力消耗過度的問題。
因此,實施例係關於一種處理腔室中排列的基板處理設備,無須使用噴射空氣或其他氣體的分離設備則允許基座自轉。
本領域之普通技術人員可明瞭本發明獲得的目的並非限制於以上特別所述之目的,從以下詳細描述中可更加清楚地理解本發明將獲得以上或其他目的。
一個實施例之一種基板處理設備包含被提供為自轉之圓盤;至少一個基座,排列於其上裝設有基板之圓盤上,自轉以及隨著圓盤自轉而圍繞圓盤之中心作為軸而轉動;金屬環,耦合於基座之下部,具有被排列為與基座之中心匹配之中心;支撐塊,排列於圓盤的下方,具有與金屬環之外圓周側向正對之內圓周;以及摩擦組件,排列於支撐塊之內圓周上,且接觸金屬環之外圓周。
支撐塊耦合於下部處提供的支撐樑,以及被提供為從而在圓盤旋轉時不旋轉。
支撐塊之內圓周具有一個接收凹槽,用於接收摩擦組件。
接收凹槽形成為四角形與曲線形至少其一,四角形與曲線形之每一個包含具有開口之剖面。
摩擦組件被提供為O形環,其剖面形成為四角形、圓形、橢圓形與曲線形至少其一。
圓盤之旋轉方向與基座之該旋轉方向彼此相同。
本發明另一實施例之一種基板處理設備包含被提供為自轉之圓盤;至少一個基座,被排列於其上裝設基板之圓盤上,自轉且隨著圓盤自轉而圍繞圓盤之中心作為軸而轉動;金屬環,耦合於基座之下部,具有被排列為與基座之中心匹配之中心;以及支撐塊,排列於圓盤下方,具有與金屬環之外圓周側向正對之內圓周。
支撐塊耦合於下部處提供的支撐樑,以及被提供為從而在該圓盤旋轉時未被旋轉。
圓盤之旋轉方向與基座之旋轉方向彼此相同。
金屬環之外圓周與支撐塊之內圓周具有彼此接合之齒輪。
齒輪可形成為正齒輪或螺旋齒輪。
支撐塊之內圓周與第一磁鐵耦合,第一磁鐵被排列為正對金屬環之外圓周。
第一磁鐵與金屬環之間的正對表面間形成一定的間隔距離。
第一磁鐵被提供為環形。
第一磁鐵被提供為複數個零件,依照一定間隔呈輻射狀排列。
這些零件被提供為外弧比內弧長的扇形,或者被提供為外邊比內邊長的梯形。
金屬環之外圓周耦合於第二磁鐵,第二磁鐵被排列為正對第一磁鐵。
第一磁鐵與第二磁鐵之間的正對表面間形成一定間隔的距離。
第一磁鐵與該第二磁鐵彼此吸引或彼此排斥。
本發明之一個實施例之一種基板處理設備之作業方法包含︰圓盤自轉步驟,圍繞圓盤中心作為軸將圓盤自轉;基座轉動步驟,隨著圓盤自轉圍繞圓盤中心作為軸轉動基座;金屬環轉動步驟,隨著基座圍繞圓盤中心轉動,將與基座之下部耦合之金屬環圍繞圓盤中心作為軸轉動;摩擦力作用步驟,隨著摩擦組件與金屬環之外圓周接觸,在金屬環與摩擦組件之間作用摩擦力,摩擦組件被排列於支撐塊之內圓周上,以被排列為側向正對金屬環;以及基座自轉步驟,隨著金屬環透過摩擦力在摩擦組件上滾動而旋轉基座。
實施例中,因為基座可自轉,未使用基於空氣或氣體的分離基座旋轉工具,基板處理設備的結構可被簡化,以及用於基板處理的功率消耗與電力消耗被降低。
此外,如果使用基於空氣或氣體的旋轉工具,隨著空氣或氣體中包含的碎屑被吸收到基板比如晶圓內而導致的產品缺陷被顯著降低。
此外,當旋轉基板時產生的振動或雜訊可被降低,由此可減少被裝設於基座上的基板的運動、基板上之不均勻沈積以及蝕刻之出現。
以下,將結合附圖詳細描述實施例。實施例中可做出多種修正,以及附圖用於描述說明書中揭露的代表性實施例。然而,應該理解說明書中揭露的代表性實施例並非受到附圖的限制,以及附圖包含本發明實施例之技術精神與技術範圍所包含的全部修正、等同物及替代物。這個情況下,為了描述清楚與方便,圖式中所示元件的尺寸或形狀可被放大。
雖然說明書中的術語比如「第一」與/或「第二」用於描述多個元件,但是應理解這些元件並非受到這種術語的限制。這些術語用於區分一個元件與另一元件。此外,考慮到實施例之元件與作業所特別定義的術語僅僅用於描述這些實施例,並非用於限制實施例的範圍。
描述實施例時,當一個元件形成於於另一元件「上方(以上)」或「上方或下方」時,術語「上方(以上)」或「上方或下方」包含兩個元件彼此直接接觸,以及一或多個其他元件透過(間接地)排列於兩個元件之間而形成。此外,當一個元件形成於於另一元件「上方(以上)」或「上方或下方」時,術語「上方(以上)」或「上方或下方」包含基於一個元件的向上方向與向下方向。
另外,以下將使用的相關術語比如「上方/上部/以上」以及「上方/下方/以下」僅僅用於識別任意一個實體或元件與另一實體或元件,不需要或涉及實體或元件間的物理或邏輯關係或順序。
圖1係為一個實施例之基板處理設備之平面示意圖。圖2係為一個實施例之基板處理設備之剖面示意圖。圖3為圖2之部分A之示意圖。實施例之基板處理設備包含軸10、圓盤100、基座200、金屬環300、支撐塊400以及支撐樑(support beam)500。
圓盤100被提供為自轉。此時與圓盤100的旋轉中心耦合的軸10傳送旋轉驅動力以允許圓盤100自轉。
此時,軸10連接電力系統例如傳動齒輪、氣動迴轉齒輪(pneumatic slewing gear)等以被軸向旋轉,從而連接軸10的圓盤100可自轉。
基座200排列於圓盤100中,以及待處理的基板(圖未示)比如晶圓被裝設於基座200上。基座200被提供為自轉以及隨著圓盤100被旋轉而圍繞圓盤100的中心轉動。此外,基板處理所需要的合適數量的基座200被排列於圓盤100中。
金屬環300耦合於基座200的下部,以及被排列為其中心與基座200的中心匹配。此時,金屬環300耦合於基座200,由此隨著基座200自轉而金屬環300自轉且連同基座200轉動,以及圍繞圓盤100的中心轉動。
支撐塊400排列於圓盤100下方,以及其中心被排列為與圓盤100的中心匹配。如圖2所示,與金屬環300的外圓周310側向正對的支撐塊400的內圓周410形成於支撐塊400的至少一部分處。其間,支撐塊400採用與金屬環300相同的方式被提供為環形。
另外,支撐塊400耦合於其下方提供的支撐樑500,以及被提供為從而在圓盤100旋轉時不被旋轉。因此,當圓盤100旋轉時,金屬環300自轉,關於不旋轉的支撐塊400而相對被旋轉。
圖2與圖3表示一個實施例之基板處理設備。就是說,彼此接合的齒輪形成於金屬環300的外圓周310與支撐塊400的內圓周410上。
隨著齒輪形成於金屬環300的外圓周310與支撐塊400的內圓周410的每一個上,且透過彼此接合而彼此耦合,隨著圓盤100自轉,金屬環300相對不旋轉的支撐塊400被旋轉。
隨著金屬環300自轉,與金屬環300耦合的基座200連同金屬環300自轉。因此,隨著圓盤100自轉,基座200圍繞圓盤100的中心作為軸轉動,同時圍繞其中心作為軸自轉。
此時,圓盤100的旋轉方向與基座200的轉動方向彼此相同。如圖1所示,例如,如果圓盤100順時針旋轉,則基座200與金屬環300圍繞圓盤100的中心順時針轉動。
隨著金屬環300圍繞圓盤100的中心順時針轉動,金屬環300可圍繞圓盤100的中心順時針轉動且同時透過齒輪耦合相對支撐塊400順時針自轉,支撐塊400耦合於支撐樑500且未旋轉。
因此,如果金屬環300與支撐塊400上下彼此正對以形成彼此齒輪耦合,金屬環300與支撐塊400則彼此增壓,由此齒輪彼此耦合的部分處出現負載。
然而,金屬環300與支撐塊400之齒輪彼此未接合的部分處則未出現負載。為此原因,負載僅僅出現於基板處理設備之上下方向的特定位置處,以及此負載被稱為單向負載(unilateral load)。這種單向負載被施加於金屬環300與支撐塊400間。基板處理設備之雜訊或振動可造成單向負載。
然而,實施例中,金屬環300與支撐塊400被提供為側向彼此面對。因此,未出現上下方向的單向負載,由此基板處理設備之雜訊或振動被顯著降低。
其間,金屬環300的外圓周310與支撐塊400的內圓周410上形成的齒輪可形成為正齒輪(spur gears)或螺旋齒輪(helical gears)。在正齒輪的情況下,製造正齒輪容易,以及齒輪間的接觸面積不大,由此齒輪接觸導致的腐蝕被降低。
螺旋齒輪的情況下,各個齒輪沿寬度方向形成為傾斜形狀或渦漩形狀。因此,如果各個螺旋齒輪彼此接觸,則各個螺旋齒輪實際上依照一個齒形依照適當的順序彼此接觸,由此與齒輪依照一個齒形彼此同時接觸之正齒輪相比,可降低雜訊與振動。
因此,考慮各自的特性,適當地選擇正齒輪或螺旋齒輪。
圖4係為另一實施例之基板處理設備之剖面示意圖。圖5為圖4之部分B之示意圖。這個實施例中,基板處理設備包含第一磁鐵600。
就是說,第一磁鐵600排列為面對金屬環300的外圓周310,第一磁鐵600耦合於支撐塊400的內圓周410。第一磁鐵600被提供為環形。
凹陷的接收部包含支撐塊400的內圓周410,形成為如圖4所示,這樣第一磁鐵600耦合於支撐塊400,以及第一磁鐵600透過強制配件(forcible fitting)或黏著劑耦合於接收部,然後被裝設於接收部上。
其間,如圖4所示,一定的間隔距離形成於第一磁鐵600與金屬環300間的正對表面之間。隨著形成間隔距離,第一磁鐵600與金屬環300平滑地自轉與轉動,無須彼此接觸並且沒有與第一磁鐵600接觸導致的金屬環300的任何摩擦力。
此時,圓盤100的旋轉方向與基座200的旋轉方向彼此相同。如圖1所示,舉個例子,如果圓盤100順時針旋轉,基座200與金屬環300則圍繞圓盤順時針轉動。
就是說,因為磁力作用於金屬環300與第一磁鐵600之間,隨著圓盤100順時針自轉,金屬環300也透過磁力順時針旋轉,以及與金屬環300固定耦合的基座200順時針旋轉。
就是說,金屬環300與第一磁鐵600形成磁耦合,與前述實施例類似,如同兩個齒輪的接合結構一樣作業。因此,第一磁鐵600被固定以用於完成與固定的齒輪類似的功能,以及金屬環300被旋轉以與第一磁鐵600接合。
因此,如果圓盤100採用與實施例相同的方式順時針自轉,則金屬環300如同被旋轉以與固定齒輪接合一樣在結構上順時針旋轉。
其間,雖然第4圖中極點S被排列為朝向第一磁鐵600的內圓周以及極點N被排列為朝向第一磁鐵600的外圓周,但是極點N可被排列為朝向第一磁鐵600的內圓周以及極點S可被排列為朝向第一磁鐵600的外圓周。
此外,第一磁鐵600形成為一個環狀的磁鐵,或者被提供為複數個零件610,如圖5所示依照一定間隔呈輻射狀排列。
零件610被提供為扇形,如圖5所示,其外部圓弧比內部圓弧長。至於另一實施例,零件610可被提供為梯形,其外部邊比內部邊長。
至於又一實施例,零件610可形成為環形、橢圓形、多邊形或允許第一磁鐵600具有環形的其他形狀。
其間,採用與上述實施例相同的方式,金屬環300與第一磁鐵600被提供為實際在這個實施例中彼此側向正對。因此,與金屬環300與第一磁鐵600在上下方向彼此正對的結構相比,上下方向不會出現單向負載,由此可顯著地降低基板處理設備之雜訊與振動。
圖6係為又一實施例之基板處理設備之剖面示意圖。圖7為圖6之部分C之示意圖。這個實施例中,基板處理設備具有摩擦組件800。
摩擦組件800被排列於支撐塊400的內圓周410上,以及被提供為接觸金屬環300的外圓周310。此時,支撐塊400耦合於下部處提供的支撐樑500,以及被提供為從而在圓盤100旋轉時不旋轉。此外,摩擦組件800被提供為不會相對支撐塊400被旋轉。
用於接收摩擦組件800的接收凹槽420形成於支撐塊400的內圓周410上。摩擦組件800的至少一部分被接收於接收凹槽420中。舉個例子,摩擦組件800藉由黏著劑或強制配件耦合於接收凹槽420的表面,由此摩擦組件800被提供為從而不會相對支撐塊400旋轉。
如圖7所示,舉個例子,接收凹槽420形成為具有具有半圓剖面。此外,摩擦組件800被提供為O形環以及由撓性材料形成。
因此,與金屬環300的外圓周310接觸的摩擦組件800的部分,可局部變形以形成接觸面。金屬環300的外圓周310與此接觸面間產生摩擦力,由此在圓盤100旋轉期間,基座200透過摩擦力自轉。
此時,圓盤100的旋轉方向與基座200的旋轉方向彼此相同。如圖1所示,舉個例子,如果圓盤100順時針旋轉,基座200與金屬環300圍繞圓盤100順時針轉動。
更詳細地,因為在圓盤100旋轉期間,摩擦力作用於金屬環300與摩擦組件800之間,隨著圓盤100順時針自轉,金屬環300也透過摩擦力順時針旋轉,以及與金屬環300固定耦合的基座200順時針被旋轉。
就是說,金屬環300與摩擦組件800透過摩擦力形成機械耦合,如同兩個齒輪的齧合結構一樣作業。因此,被固定至支撐塊400的摩擦組件800用於完成與固定齒輪類似的功能,以及金屬環300相對摩擦組件800被旋轉。
因此,如果圓盤100依照與實施例相同的方式沿順時針自轉,則金屬環300在結構上順時針方向被旋轉,如同被旋轉以與固定齒輪齧合一樣。
圖8至圖10為圖6之部分C之其他例子。接收凹槽420形成為四角形與曲線形至少其一,其剖面具有一個開口。
此外,摩擦組件800被提供為O形環,其剖面形成為四角形、圓形、橢圓形與曲線形至少其一。此時,摩擦組件800透過黏著劑被耦合至接收凹槽420的表面從而不會被旋轉,或者透過強制組件耦合至接收凹槽420從而不會被旋轉。
圖11係為再一實施例之基板處理設備之剖面示意圖。圖12為圖11之一些元件之示意圖。這個實施例中,基板處理設備包含第二磁鐵700。
就是說,第一磁鐵600被排列為正對金屬環300的外圓周310,第一磁鐵600耦合於支撐塊400的內圓周410。被排列為正對第一磁鐵600的第二磁鐵700耦合於金屬環300的外圓周310。
此時,舉個例子,第二磁鐵700利用黏著劑等耦合於金屬環300的外圓周310。至於另一實施例,金屬環300的外圓周310上可形成凹槽,由此第二磁鐵700透過強制組件耦合於此凹槽。
其間,實際在這個實施例中,金屬環300與具有摩擦組件800的支撐塊400被提供為彼此側向正對。因此,與金屬環300與摩擦組件800在上下方向彼此正對的結構相比,上下方向不會出現單向負載,由此可顯著地降低基板處理設備之雜訊與振動。
因此,第二磁鐵700依照金屬環300的旋轉與轉動而自轉與轉動,而不會相對金屬環300獨立旋轉。
如圖11與圖12所示,在第一磁鐵600與第二磁鐵700之間的正對表面間形成一定的間隔距離。隨著形成間隔距離,第一磁鐵600與金屬環300無須彼此接觸可平滑地自轉與轉動,且沒有金屬環300與第一磁鐵600接觸導致的任意摩擦力。
圓盤100的旋轉方向與基座200的旋轉方向彼此相同。如圖1所示,舉個例子,如果圓盤100順時針旋轉,則基座200與金屬環300圍繞圓盤100順時針轉動。
就是說,因為磁力作用於第一磁鐵600與第二磁鐵700之間,隨著圓盤100順時針自轉,第二磁鐵700也透過磁力被順時針旋轉,以及與第二磁鐵700固定耦合的金屬環300及基座200也順時針旋轉。
就是說,第一磁鐵600與第二磁鐵700透過磁力形成磁耦合,如同兩個齒輪的齧合結構一樣作業。因此,固定的第一磁鐵600完成與固定的齒輪類似的功能,以及第二磁鐵700被旋轉以接合第一磁鐵600。
因此,如果圓盤100採用與實施例相同的方式順時針自轉,第二磁鐵700在結構上順時針旋轉,如同被旋轉以與固定齒輪齧合一樣。
第一磁鐵600與第二磁鐵700被提供為彼此吸引或者彼此排斥。如果形成磁耦合,彼此正對的磁鐵之間作用的吸引或者排斥則無關緊要。
其間,極點S係排列為朝向第一磁鐵600或第二磁鐵700的內圓周,而極點N則排列為朝向第一磁鐵600或第二磁鐵700的外圓周,反之亦然。
此外,第一磁鐵600與第二磁鐵700是否在第一磁鐵600與第二磁鐵700彼此正對的側面處具有彼此相同或不同的極性則無關緊要。這是因為上述磁耦合中彼此正對的磁鐵間作用的吸引或者排斥無關緊要。
其間,實際在圖4與圖5所示實施例類似的這個實施例中,第一磁鐵600或第二磁鐵700形成為一個環狀的磁鐵,或者被提供為依照一定間隔呈輻射狀排列的複數個零件610。
其間,這個實施例中,第一磁鐵600與第二磁鐵700被提供為彼此側向正對。因此,與第一磁鐵600與第二磁鐵700在上下方向彼此正對的結構相比,上下方向不會出現單向負載,由此顯著地降低基板處理設備之雜訊與振動。
圖13係為本發明一個實施例之基板處理設備之作業方法之流程圖。圖13中,圖6至圖10所示的具有摩擦組件800的基板處理設備的作業方法被描述為一個實施例。
基板處理設備的作業方法包含圓盤100之自轉步驟S110、基座200之轉動步驟S120、金屬環300之轉動步驟S130、摩擦力的作用步驟S140以及基座200之自轉步驟S150。
在圓盤100的自轉步驟S110處,圓盤100圍繞其中心作為軸自轉。此時,圓盤100依照軸10的旋轉而自轉,以及軸10被旋轉,即利用傳輸齒輪、氣動迴轉齒輪以及其他各種齒輪自轉。
在基座200的轉動步驟S120處,隨著圓盤100自轉,基座200圍繞圓盤100的中心作為軸而轉動。
在金屬環300之轉動步驟S130處,隨著基座200轉動,與基座200的下部耦合的金屬環300可圍繞圓盤100的中心作為軸而轉動。
在摩擦力的作用步驟S140處,摩擦組件800排列於支撐塊400的內圓周410上,被排列為側向正對金屬環300之摩擦組件800接觸金屬環300的外圓周310,由此摩擦力作用於金屬環300與摩擦組件800之間。
在基座200之自轉步驟S150處,藉由金屬環300與摩擦組件800之間作用的摩擦力,金屬環300在摩擦組件800上滾動,由此基座200自轉。
其間,實際在上述基於齒輪耦合與磁耦合的實施例中,基板處理設備依照類似的上述作業方法作業。
這個實施例中,因為基座200自轉,未使用基於空氣或氣體的基座200的分離旋轉工具,基板處理設備的結構被簡化,用於基板處理的功率消耗與電力消耗被降低。
此外,如果使用基於空氣或氣體的旋轉工具,隨著空氣或氣體中包含的碎屑被吸收到基板比如晶圓內而導致的產品缺陷被顯著降低。
雖然以上描述了幾個實施例,但是除了上述實施例外也可實現多個實施例。除彼此不相容的技術細節以外,上述實施例的技術細節中可實現多種組合,因此可實現新的實施例。
10‧‧‧軸 100‧‧‧圓盤 200‧‧‧基座 300‧‧‧金屬環 310‧‧‧金屬環的外圓周 400‧‧‧支撐塊 410‧‧‧支撐塊的內圓周 420‧‧‧接收凹槽 500‧‧‧支撐樑 600‧‧‧第一磁鐵 610‧‧‧零件 700‧‧‧第二磁鐵 800‧‧‧摩擦組件 A‧‧‧部分 B‧‧‧部分 C‧‧‧部分 N‧‧‧極點 S‧‧‧極點
圖1係為一個實施例之基板處理設備之平面示意圖。 圖2係為一個實施例之基板處理設備之沿線X-X之剖面示意圖。 圖3為圖2之部分A之示意圖。 圖4係為另一實施例之基板處理設備之沿線X-X之剖面示意圖。 圖5為圖4之部分B之示意圖。 圖6係為又一實施例之基板處理設備之沿線X-X之剖面示意圖。 圖7為圖6之部分C之示意圖。 圖8至圖10為圖6之部分C之其他例子。 圖11係為再一實施例之基板處理設備之沿線X-X之剖面示意圖。 圖12為圖11之一些元件之示意圖。 圖13係為本發明一個實施例之基板處理設備之作業方法之流程圖。
100‧‧‧圓盤
200‧‧‧基座

Claims (10)

  1. 一種基板處理設備,包含:一圓盤,被提供為自轉;至少一個基座,被排列於其上裝設一基板之該圓盤上,自轉且隨著該圓盤自轉而圍繞該圓盤之一中心作為軸而轉動;一金屬環,耦合於該基座之一下部,具有被排列為與該基座之中心匹配之一中心;以及一支撐塊,排列於該圓盤下方,具有與該金屬環之一外圓周側向正對之一內圓周;其中該支撐塊之該內圓周與一第一磁鐵耦合,該第一磁鐵被排列為正對該金屬環之該外圓周。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備,其中該支撐塊耦合於一下部處提供的一支撐樑,以及被提供為從而在該圓盤旋轉時未被旋轉。
  3. 如請求項1所述之基板處理設備,其中該圓盤之旋轉方向與該基座之旋轉方向彼此相同。
  4. 如請求項1所述之基板處理設備,其中該第一磁鐵與該金屬環之間的正對表面間形成一定的間隔距離。
  5. 如請求項1所述之基板處理設備,其中該第一磁鐵被提供為環形。
  6. 如請求項1所述之基板處理設備,其中該第一磁鐵被提供為複數個零件,依照一定間隔呈輻射狀排列。
  7. 如請求項6所述之基板處理設備,其中該等零件被提供為外弧 比內弧長的扇形,或者被提供為外邊比內邊長的梯形。
  8. 如請求項1所述之基板處理設備,其中該金屬環之該外圓周耦合於一第二磁鐵,該第二磁鐵被排列為正對該第一磁鐵。
  9. 如請求項8所述之基板處理設備,其中該第一磁鐵與該第二磁鐵之間的正對表面間形成一定間隔的距離。
  10. 如請求項8所述之基板處理設備,其中該第一磁鐵與該第二磁鐵彼此吸引或彼此排斥。
TW105118756A 2015-06-16 2016-06-15 處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法 TWI694538B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0084765 2015-06-16
KR1020150084765A KR20160148157A (ko) 2015-06-16 2015-06-16 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201705354A TW201705354A (zh) 2017-02-01
TWI694538B true TWI694538B (zh) 2020-05-21

Family

ID=57546008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105118756A TWI694538B (zh) 2015-06-16 2016-06-15 處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20160148157A (zh)
TW (1) TWI694538B (zh)
WO (1) WO2016204452A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6763321B2 (ja) * 2017-03-01 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128561A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Sharp Corp 基板回転機構およびそれを備えた成膜装置
US20130305992A1 (en) * 2011-02-04 2013-11-21 Micro System Co., Ltd. Rotating and holding apparatus for semiconductor substrate and conveying apparatus of rotating and holding apparatus for semiconductor substrate
JP2014212204A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 日本パイオニクス株式会社 気相成長装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101053047B1 (ko) * 2008-05-06 2011-08-01 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치
KR101292399B1 (ko) * 2011-12-19 2013-08-01 주식회사 케이씨텍 공전 및 자전 가능한 서셉터 모듈을 구비하는 원자층 증착장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128561A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Sharp Corp 基板回転機構およびそれを備えた成膜装置
US20130305992A1 (en) * 2011-02-04 2013-11-21 Micro System Co., Ltd. Rotating and holding apparatus for semiconductor substrate and conveying apparatus of rotating and holding apparatus for semiconductor substrate
JP2014212204A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 日本パイオニクス株式会社 気相成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201705354A (zh) 2017-02-01
WO2016204452A1 (ko) 2016-12-22
KR20160148157A (ko) 2016-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5796412B2 (ja) 半導体素子の製造方法
TW201517119A (zh) 爲使沉積留存增加而用於表面微結構的幾何形狀及模式
TWI694538B (zh) 處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法
KR102358693B1 (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 설비
TWI702670B (zh) 處理腔室中排列的基板處理設備及其作業方法
JP5997281B2 (ja) 基板ステージ及びそれを備えた基板処理装置
US20070291247A1 (en) Apparatus for exposing an edge portion of a wafer
WO2019208265A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009283721A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100889633B1 (ko) 기판 고정 척핀
JP2014236042A (ja) 成膜装置、および成膜方法
JP6250239B2 (ja) 段差付ウエハおよびその製造方法
JP3779104B2 (ja) ウェーハ研磨装置
JP2007258467A (ja) 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
US6780780B2 (en) Method for removing Si-needles of wafer
JP2014090038A (ja) 吸着部材
JP2004342939A (ja) 基板処理装置
JP2008519443A (ja) 単一基板の処理中に、基板から僅量の液体を除去する装置及び方法
JP2014122371A (ja) 蒸着装置
TWI646573B (zh) 聚焦環和電漿處理裝置
KR20080088822A (ko) 기판 처리 장치
KR100855737B1 (ko) 웨이퍼 스핀 척
KR100624466B1 (ko) 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척
JP6010661B1 (ja) 多段枚葉式基板処理装置
KR102696033B1 (ko) 파이어 폴리싱 공정용 지그