JP5931083B2 - 組立品及びそれを含む電子デバイス - Google Patents
組立品及びそれを含む電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5931083B2 JP5931083B2 JP2013540016A JP2013540016A JP5931083B2 JP 5931083 B2 JP5931083 B2 JP 5931083B2 JP 2013540016 A JP2013540016 A JP 2013540016A JP 2013540016 A JP2013540016 A JP 2013540016A JP 5931083 B2 JP5931083 B2 JP 5931083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- disposed
- layer
- isocyanurate
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 48
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 19
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 15
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 6
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PUGOMSLRUSTQGV-UHFFFAOYSA-N 2,3-di(prop-2-enoyloxy)propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(OC(=O)C=C)COC(=O)C=C PUGOMSLRUSTQGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-prop-2-enoyloxyphenyl)propan-2-yl]phenyl] prop-2-enoate Chemical compound C=1C=C(OC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000002070 germicidal effect Effects 0.000 description 3
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- PCLLJCFJFOBGDE-UHFFFAOYSA-N (5-bromo-2-chlorophenyl)methanamine Chemical compound NCC1=CC(Br)=CC=C1Cl PCLLJCFJFOBGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOC(=O)C=C LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTRPRZLFUMSDQE-UHFFFAOYSA-N 2-[13-[2-[di(propan-2-yl)-prop-1-en-2-ylsilyl]ethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl-di(propan-2-yl)-prop-1-en-2-ylsilane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)=C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)=C)C3=CC2=C1 VTRPRZLFUMSDQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIJYFLXQHDOQGW-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4,6-trioxo-3,5-bis(2-prop-2-enoyloxyethyl)-1,3,5-triazinan-1-yl]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN1C(=O)N(CCOC(=O)C=C)C(=O)N(CCOC(=O)C=C)C1=O YIJYFLXQHDOQGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCLJOFJIQIJXHS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOCCOCCOC(=O)C=C HCLJOFJIQIJXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- GDTYAMFKUNKWEZ-UHFFFAOYSA-N but-1-en-2-yl-[2-[13-[2-[but-1-en-2-yl-di(propan-2-yl)silyl]ethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]-di(propan-2-yl)silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(=C)CC)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(=C)CC)C3=CC2=C1 GDTYAMFKUNKWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- KQGMHHVEWANJPG-UHFFFAOYSA-N cyclopropyl-[2-[13-[2-[cyclopropyl-di(propan-2-yl)silyl]ethynyl]-2,3,9,10-tetramethylpentacen-6-yl]ethynyl]-di(propan-2-yl)silane Chemical compound C1CC1[Si](C(C)C)(C(C)C)C#CC(C1=CC2=CC(C)=C(C)C=C2C=C11)=C2C=C3C=C(C)C(C)=CC3=CC2=C1C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C1CC1 KQGMHHVEWANJPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNCCVQTXAWTFCS-UHFFFAOYSA-N cyclopropyl-[2-[13-[2-[cyclopropyl-di(propan-2-yl)silyl]ethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]-di(propan-2-yl)silane Chemical compound C1CC1[Si](C(C)C)(C(C)C)C#CC(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C2C=C3C=CC=CC3=CC2=C1C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C1CC1 JNCCVQTXAWTFCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOVEJBDMKHZQK-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(3-trimethoxysilylpropyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN1C(=O)N(CCC[Si](OC)(OC)OC)C(=O)N(CCC[Si](OC)(OC)OC)C1=O QWOVEJBDMKHZQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDQNWDNMNKSMHI-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-prop-2-enoyloxypropoxy)propoxy]propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(C)COCC(C)OC(=O)C=C ZDQNWDNMNKSMHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanobutan-2-yldiazenyl)-2-methylbutanenitrile Chemical compound CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CC)C#N AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOC(=O)C=C FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- FQMIAEWUVYWVNB-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)CCOC(=O)C=C FQMIAEWUVYWVNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMJLWKZFJOIXJL-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C IMJLWKZFJOIXJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C=C LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol A dimethacrylate Chemical compound C1=CC(OC(=O)C(=C)C)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N ethene;naphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C=C.C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 238000012682 free radical photopolymerization Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical group O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTLDLKLSNZMTTA-UHFFFAOYSA-N octahydro-1h-4,7-methanoindene-1,5-diyldimethanol Chemical compound C1C2C3C(CO)CCC3C1C(CO)C2 OTLDLKLSNZMTTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- RZFODFPMOHAYIR-UHFFFAOYSA-N oxepan-2-one;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.O=C1CCCCCO1 RZFODFPMOHAYIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- FSDNTQSJGHSJBG-UHFFFAOYSA-N piperidine-4-carbonitrile Chemical compound N#CC1CCNCC1 FSDNTQSJGHSJBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000005309 thioalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 150000003754 zirconium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/478—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a layer of composite material comprising interpenetrating or embedded materials, e.g. TiO2 particles in a polymer matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
多くの電子デバイスは、半導体を含むコンポーネント、例えば、誘電体層と接触する半導体層を有するコンポーネントを含む。例えば、一般的に「ゲート誘電体」と称される半導体層及び誘電体層は、薄膜トランジスタ(TFT)の一部であってもよい。
1つの態様では、本開示は、組立品であって、
イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層と、
誘電体層と接触する半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まない半導体層と、を備える組立品を提供する。
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
本開示による組立品と、を備え、ゲート電極は誘電体層に隣接し、ソース電極及びドレーン電極は、半導体層に隣接している、有機薄膜トランジスタを提供する。
ゲート電極と、
無機酸化物層と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
本開示による組立品と、を備え、無機酸化物層は、ゲート電極と誘電体層との間に挟まれ、ソース電極及びドレーン電極は半導体層に隣接している、有機薄膜トランジスタを提供する。
「(メタ)アクリル」は、アクリル及び/又はメタクリルを示し、
ここで図1を参照すると、例示の組立品100は、誘電体層110、及び誘電体層110に接触している半導体層120を備える。
6,13−ビス(イソプロペニルジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(アリルジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(シクロプロピルジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス((1−メチレンプロピル)ジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(シクロプロピルジイソプロピルシリルエチニル)−2,3,9,10−テトラメチル−ペンタセン、
6,13−ビス(アリルジシクロプロピルシリルエチニル)ペンタセン、並びにPCT出願公開番号第WO 2009/155106(A1)(Anthonyら)及び同第WO 2009/158201(A1)(Cloughら)に記載された有機半導体が挙げられ、関連する開示は参照によって本願明細書に引用したものとする。望ましくは、半導体層は、シリルエチニル置換ペンタセン類(例えば、TIPSペンタセン)を含む。
第1の実施形態では、本開示は、
イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層と、
誘電体層と接触する半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まない半導体層と、を備える組み立て品を提供する。
6,13−ビス(イソプロペニルジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(アリルジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(シクロプロピルジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス((1−メチレンプロピル)ジイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(アリルジシクロプロピルシリルエチニル)ペンタセン、
6,13−ビス(シクロプロピルジイソプロピルシリルエチニル)−2,3,9,10−テトラメチル−ペンタセンからなる群から選択される。
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
第1から第10の実施形態のうちのいずれか1つによる組立体と、を備え、ゲート電極は誘電体層に隣接し、ソース電極及びドレーン電極は半導体層に隣接している、有機薄膜トランジスタを提供する。
ゲート電極と、
無機酸化物層と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
第1から第10の実施形態のうちのいずれか1つによる組立体と、を備え、無機酸化物層は、ゲート電極と誘電体層との間に挟まれ、ソース電極及びドレーン電極は半導体層に隣接している、有機薄膜トランジスタを提供する。
酸化ジルコニウム(ジルコニア)ナノ粒子は、米国特許第7,241,437号(Davidsonら)に記載される、熱水技術を使用して調製された。ジルコニウム塩を含有する第一の供給原料に、最初の熱水処理を施し、ジルコニウム含有中間体及び副生成物を生成した。第二の供給原料は、第一の熱水処理中に生成された酸性の副生成物の少なくとも一部を除去することによって調製された。第二の供給原料に、その後、第二の熱水処理を施し、ジルコニアナノ粒子を含有するジルコニアゾルを形成した。ナノ粒子の寸法は、透過型電子顕微鏡によって測定された。サイズは、約1.8〜11.2ナノメートル(nm)の範囲であり、平均粒径は4.7nm、標準偏差は1.3nmであった。ナノ粒子の縦横比は約1〜3.4の範囲であった。ジルコニアゾルのジルコニアナノ粒子は、次いで(3−メタクリルオキシプロピル)トリメトキシシラン(A−174)により、米国特許第7,264,872号(Walker,Jr.ら)の実施例2に記載されるものと同様のプロセスによって表面改変され、この開示は、1つのシラン、A−174のみが使用されたことを除いて、その内容を参照によって本願明細書に引用するものとする。このプロセスにより、表面改変されたジルコニアナノ粒子分散液が得られた。表面改変されたジルコニアナノ粒子分散液は、THEITA及びIRG184とイソホロン溶媒中で組み合わせられた。合わせた材料を、磁気攪拌によって混合した。この混合物を、浴温65℃及び真空(6mm Hg(800Pa))を使用して回転蒸発にかけ、水、メチルエチルケトン、及び1−メトキシプロパン−2−オールの選択的除去を確実に実施した。得られた混合物は、約8.5重量パーセントのTHEITA、並びに40.0重量パーセントの表面改変されたジルコニアナノ粒子、1.5重量パーセントのIRG184、及び50.0重量パーセントのイソホロンを含んだ。結果として得られた混合物は、50重量パーセントの固形物、及び40重量パーセントの表面改変されたジルコニアナノ粒子を含んだ。混合物を室温まで冷却し、次いできれいな茶色ガラス瓶に、1.0マイクロメートルのフィルタを通して濾過した。
[配合物1]
THEITA(1.2061g)、0.2099gのIRG184、及び18.6026gのn−ブチルベンゼンを、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れた。広口瓶に蓋をして内容物を撹拌し、配合物1を準備した。
ZrO2−P樹脂及びイソホロンを、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れた。広口瓶に蓋をして内容物を撹拌し、配合物2を準備した。
TMPTA(16.9992g)及び2.9959gのIRG184を、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れて、広口瓶に蓋をし、IRG184が溶解されるまで内容物を撹拌した。この溶液の一部(1.0459g)及び13.8930gのn−ブチルベンゼンを、電磁攪拌棒とともに別個の茶色ガラス広口瓶に加えた。広口瓶に蓋をして内容物を撹拌し、配合物3を準備した。
PVP(0.6476g)及び17.1185gのPGMEAを、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れた。広口瓶に蓋をして、PVPが溶解されるまで内容物を撹拌した。次いで、0.1924gのメラミン−CO−ホルムアルデヒド溶液を広口瓶に加え、内容物を撹拌して、配合物4を準備した。
[ゲート電極/ゲート誘電体基板1]
シリコンウェハは、ほぼ半分に分割され、次いで酸素プラズマを使用してクリーニングされた。分割されたウェハは、プラズマ洗浄システムで、500Wの出力設定、及び標準状態で1立方センチメートル毎分(sccm)の酸素流量を使用して、3分間処理された。結果として得られた、プラズマ洗浄された、分割されたウェハは、クリーニングの後、確実に室温となるように数分間冷却され、次いで配合物1は、ウェハの熱酸化物表面の上を2000rpmで、432回転毎分/秒(rpm/sec)のランプ速度で、2分間スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、窒素でパージされたUV照射チャンバ(254nm殺菌ランプ)に移され、そこでコーティングされた基板誘電体は、10分間照射された(照射量=1.2ジュール/cm2)。UV照射の後、基板は100℃に予熱されたホットプレート上に10分間配置された。誘電体層の厚さは、約66nmであった。
シリコンウェハは、酸素プラズマを使用してクリーニングされた。ウェハは、500Wの出力設定及び標準状態で1立方センチメートル毎分(sccm)の酸素流量を使用して、プラズマクリーニングシステムで、3分間処理された。プラズマクリーニングされたウェハは、クリーニング後に、確実に室温になるように数分間冷却され、次いで配合物2は、ウェハの熱酸化物表面上を、432回転毎分/秒(rpm/sec)のランプ速度で、2000rpmで1分間、スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、100℃に予熱されたホットプレート上に10分間配置された。次いで基板は、窒素でパージされたUV照射チャンバ(254nm殺菌ランプ)に移され、そこでコーティングされた誘電体は、10分間照射された(照射量=1.2ジュール/cm2)。UV照射後、基板は100℃に予熱されたホットプレート上に10分間配置された。
シリコンウェハは、ほぼ半分に分割され、次いで酸素プラズマを使用してクリーニングされた。分割されたウェハは、プラズマ洗浄システムで、500Wの出力設定、及び標準状態で1立方センチメートル毎分(sccm)の酸素流量を使用して3分間処理された。プラズマ洗浄され、分割されたウェハは、クリーニング後、確実に室温となるように数分間冷却され、次いで配合物3は、ウェハの熱酸化物表面の上を2000rpmで、432回転毎分/秒(rpm/sec)のランプ速度で、2分間スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、窒素でパージされたUV照射チャンバ(254nm殺菌ランプ)に移され、そこでコーティングされた基板誘電体は、10分間照射された(照射量=1.2ジュール/cm2)。UV照射後、基板は100℃に予熱されたホットプレート上に10分間配置された。誘電体層の厚さは、約65nmであった。
シリコンウェハは、ほぼ半分に分割され、次いで酸素プラズマを使用してクリーニングされた。分割されたウェハは、プラズマ洗浄システムで、500Wの出力設定、及び標準状態で1立方センチメートル毎分(sccm)の酸素流量を使用して3分間処理された。プラズマ洗浄された、分割されたウェハは、クニーニング後、確実に室温となるように数分間冷却され、次いで配合物4は、ウェハの熱酸化物表面の上を2000rpmで、432回転毎分/秒(rpm/sec)のランプ速度で、1分間スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、100℃に予熱されたホットプレート上に2分間配置された。その後、コーティングされた基板は160℃に予熱された別のホットプレート上に30分間配置された。
アニソール及びデカンは、ガラス瓶の中で重量を計量され、瓶に蓋をして振とうし、91/9w/wアニソール/デカン溶媒混合物を準備した。TIPSペンタセン及びアニソール/デカン溶液混合物を、茶色のガラス広口瓶内で、電磁攪拌棒を伴って組み合わせ、広口瓶を金属の缶でカバーして光から遮蔽し、室温で約48時間撹拌して、アニソール/デカン溶液中に1.8重量パーセントのTIPSペンタセンを準備した。ゲート電極/ゲート誘電体基板をディップコーティングする前に、溶液はPTFEフィルタで濾過された。
ゲート電極/ゲート誘電体基板は、約25mm×35mmの小片に分割された。ゲート電極/ゲート誘電体基板のそれぞれ一片は、基板に対するゲート誘電体の静電容量を測定するために使用され、もう一片は、薄膜トランジスタ(TFT)を作製するために使用された。ゲート誘電体の静電容量は、以下のように測定された。直径5mmの金の回路パッド、すなわち電極が、ゲート誘電体表面上にシャドウマスクにより蒸着される。複合材料ゲート誘電体(コーティングにSiO2を加えたもの)の、高度にドープされたSi電極(ゲート電極)と金電極との間の静電容量は、AGILENT E4980A精密LCRメータ(Agilent Technologies,Inc.(Santa Clara,California))によって測定される。100nmの熱酸化物(SiO2)の静電容量は、345ピコファラド/ミリメートル2(pF/mm2)だった。実施例1、比較例C−1,比較例C−2、及び比較例C−3でそれぞれ利用された、ゲート電極/ゲート誘電体基板1、2、3、及び4に対する、複合材料ゲート誘電体(コーティングにSiO2を加えたもの)の合計静電容量は、表2(下記)に報告される。
式中、Cは、ゲート誘電体比静電容量(すなわち、表2に示された合計静電容量)、Wはチャネル幅、及びLはチャネル長さである。IDSの平方根対VGS曲線のプロットを使用すると、X軸の線形部分(すなわち、IDSの平方根がゼロに等しいところ)の直線フィットの外挿は、閾値電圧(Vt)として取られるX軸切片を提供する。加えて、IDSをVGSの関数として(対数目盛を使用して)プロットし、直線フィットがVtを含む曲線の部分に沿って描かれた曲線が生成される。閾値下曲線(S)は、この線の傾きの逆数となるように定義される。OFF電流は、IDSの急激かつ連続的な上昇の直前のIDSの値として取られる。ON/OFF電流比は、IDS対VGS測定値からOFF電流への、最大のIDS値の比として取られる。全てのデバイスは、実施例1、比較例C−2、及び比較例C−3に対しては、約25℃、31%の相対湿度(R.H.)、比較例C−1に対しては、約24℃、22%のR.H.の周囲条件下で測定された。
Claims (4)
- トランジスタ基板上に配置されたゲート電極と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層であって、前記誘電体層が前記ゲート電極及び前記誘電体層の間に挟まれた無機層上に配置された誘電体層と、
前記誘電体層、前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に配置された半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まない半導体層と、
を備え、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極が前記誘電体層上に配置されており、
前記イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料は、少なくとも2つの(メタ)アクリロイル基を含むフリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む単量体組成物の硬化物である、有機薄膜トランジスタ。 - ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層と、
前記誘電体層と接触する半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まず、トランジスタ基板上に配置された半導体層と、
を備え、
前記ゲート電極が前記誘電体層上に配置された無機酸化物層上に配置されており、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極が前記半導体層上に配置されており、
前記イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料は、少なくとも2つの(メタ)アクリロイル基を含むフリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む単量体組成物の硬化物である、有機薄膜トランジスタ。 - トランジスタ基板上に配置されたゲート電極と、
ソース電極と、
ドレーン電極と、
イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層であって、前記ゲート電極及び前記誘電体層の間に挟まれた無機層上に配置された誘電体層と、
前記誘電体層上に配置された半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まない半導体層と、
を備え、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極が前記半導体層上に配置されており、
前記イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料は、少なくとも2つの(メタ)アクリロイル基を含むフリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む単量体組成物の硬化物である、有機薄膜トランジスタ。 - トランジスタ基板上に配置されたソース電極及びドレーン電極と、
前記ソース電極、前記ドレーン電極及び前記トランジスタ基板上に配置された半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まない半導体層と、
イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層であって、前記半導体層上に配置された誘電体層と、
ゲート電極及び前記誘電体層の間に挟まれた無機酸化物層上に配置されたゲート電極と、
を備え、
前記イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料は、少なくとも2つの(メタ)アクリロイル基を含むフリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む単量体組成物の硬化物である、有機薄膜トランジスタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41597510P | 2010-11-22 | 2010-11-22 | |
US61/415,975 | 2010-11-22 | ||
PCT/US2011/061199 WO2012071243A2 (en) | 2010-11-22 | 2011-11-17 | Assembly and electronic devices including the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014502047A JP2014502047A (ja) | 2014-01-23 |
JP2014502047A5 JP2014502047A5 (ja) | 2015-01-08 |
JP5931083B2 true JP5931083B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=46052857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013540016A Expired - Fee Related JP5931083B2 (ja) | 2010-11-22 | 2011-11-17 | 組立品及びそれを含む電子デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8835915B2 (ja) |
EP (1) | EP2643864A2 (ja) |
JP (1) | JP5931083B2 (ja) |
CN (1) | CN103222081B (ja) |
SG (1) | SG190340A1 (ja) |
WO (1) | WO2012071243A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140061648A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | David H. Levy | Thin film transistor including dielectric stack |
WO2015148319A1 (en) | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 3M Innovative Properties Company | Organoborane-containing compositions, and methods of using same |
CN107887269A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-04-06 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺 |
JPWO2021044705A1 (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4262072A (en) | 1979-06-25 | 1981-04-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Poly(ethylenically unsaturated alkoxy) heterocyclic protective coatings |
US5257478A (en) | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
US5739254A (en) | 1996-08-29 | 1998-04-14 | Xerox Corporation | Process for haloalkylation of high performance polymers |
US6126532A (en) | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
US5921855A (en) | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6238592B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication |
US6491843B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-12-10 | Eastman Kodak Company | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
US6702954B1 (en) | 2000-10-19 | 2004-03-09 | Ferro Corporation | Chemical-mechanical polishing slurry and method |
US20030097010A1 (en) | 2001-09-27 | 2003-05-22 | Vogel Dennis E. | Process for preparing pentacene derivatives |
WO2003028125A2 (en) | 2001-09-27 | 2003-04-03 | 3M Innovative Properties Company | Substituted pentacene semiconductors |
US6998068B2 (en) | 2003-08-15 | 2006-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Acene-thiophene semiconductors |
US6913517B2 (en) | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
US6908366B2 (en) | 2003-01-10 | 2005-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Method of using a soft subpad for chemical mechanical polishing |
US7109519B2 (en) | 2003-07-15 | 2006-09-19 | 3M Innovative Properties Company | Bis(2-acenyl)acetylene semiconductors |
US6955939B1 (en) | 2003-11-03 | 2005-10-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory element formation with photosensitive polymer dielectric |
CN100431169C (zh) | 2004-01-15 | 2008-11-05 | 松下电器产业株式会社 | 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件 |
KR100560796B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
JP5109223B2 (ja) | 2004-08-04 | 2012-12-26 | ソニー株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2008509271A (ja) | 2004-08-13 | 2008-03-27 | ヘ−ウク・イ | 機能性コーティング組成物、これを用いた機能性被膜及びそれらの製造方法 |
US7523440B2 (en) | 2004-11-16 | 2009-04-21 | The Mathworks, Inc. | Dynamic generation of formatted user interfaces in software environments |
WO2006057714A2 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Rajeev Bajaj | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance |
US7241437B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-07-10 | 3M Innovative Properties Company | Zirconia particles |
US7264872B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-09-04 | 3M Innovative Properties Company | Durable high index nanocomposites for AR coatings |
US7410631B2 (en) | 2005-03-02 | 2008-08-12 | Aps Laboratory | Metal phosphate sols, metal nanoparticles, metal-chalcogenide nanoparticles, and nanocomposites made therefrom |
JP4424341B2 (ja) | 2005-12-02 | 2010-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器 |
US7267610B1 (en) | 2006-08-30 | 2007-09-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having unevenly spaced grooves |
KR101224723B1 (ko) | 2006-09-15 | 2013-01-21 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연막 조성물, 이를 이용하여 제조된 유기 절연막 및유기 박막 트랜지스터 |
KR101316291B1 (ko) | 2007-02-16 | 2013-10-08 | 삼성전자주식회사 | 공중합체, 유기절연층 조성물 및 그를 이용하여 제조된유기 절연층 및 유기 박막 트랜지스터 |
WO2008146847A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成剤 |
US7879688B2 (en) | 2007-06-29 | 2011-02-01 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric |
US20090001356A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Electronic devices having a solution deposited gate dielectric |
EP2063471B1 (en) * | 2007-11-26 | 2012-10-03 | Hitachi Ltd. | Organic field effect transistor |
WO2009140622A2 (en) | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 3M Innovative Properties Company | Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same |
CN102124015B (zh) | 2008-05-30 | 2015-03-11 | 3M创新有限公司 | 甲硅烷基乙炔基并五苯化合物和组合物及其制备和使用方法 |
WO2009158201A1 (en) | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 3M Innovative Properties Company | Methods op fabricating crystalline organic semiconductive layers |
CN101359719B (zh) * | 2008-09-11 | 2011-03-30 | 电子科技大学 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
JP2010108986A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Chem Co Ltd | ゲート絶縁膜層成形材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2012508980A (ja) | 2008-11-14 | 2012-04-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機半導体デバイスにおける有機半導体のオフセンター堆積 |
US8623745B2 (en) * | 2008-11-28 | 2014-01-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming gate insulating film for thin-film transistor |
US8418228B2 (en) * | 2008-12-03 | 2013-04-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Converged access control method using network access device at penetration node of IP network of convergence ALL-IP network |
CN101826563B (zh) * | 2009-03-03 | 2014-05-28 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 封装材料和采用该封装材料形成的太阳能电池组件 |
JP5756605B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2015-07-29 | 株式会社カネカ | 薄膜トランジスタ |
WO2011162001A1 (ja) * | 2010-06-23 | 2011-12-29 | 旭硝子株式会社 | 硬化性組成物および硬化膜の製造方法 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2013540016A patent/JP5931083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-17 CN CN201180055677.XA patent/CN103222081B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-17 WO PCT/US2011/061199 patent/WO2012071243A2/en active Application Filing
- 2011-11-17 US US13/880,914 patent/US8835915B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-17 EP EP11840707.1A patent/EP2643864A2/en not_active Withdrawn
- 2011-11-17 SG SG2013038690A patent/SG190340A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2643864A2 (en) | 2013-10-02 |
WO2012071243A2 (en) | 2012-05-31 |
US20130256640A1 (en) | 2013-10-03 |
CN103222081A (zh) | 2013-07-24 |
SG190340A1 (en) | 2013-06-28 |
CN103222081B (zh) | 2016-04-06 |
WO2012071243A3 (en) | 2012-08-02 |
US8835915B2 (en) | 2014-09-16 |
JP2014502047A (ja) | 2014-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7879688B2 (en) | Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric | |
KR101763669B1 (ko) | 유기 반도체 잉크 조성물 및 이를 사용한 유기 반도체 패턴 형성 방법 | |
KR101238356B1 (ko) | 유기 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
JP5931083B2 (ja) | 組立品及びそれを含む電子デバイス | |
KR101224723B1 (ko) | 유기 절연막 조성물, 이를 이용하여 제조된 유기 절연막 및유기 박막 트랜지스터 | |
CA2523346A1 (en) | Organic polymers, laminates, and capacitors | |
KR102027362B1 (ko) | 반도체 조성물 | |
TWI570186B (zh) | A composition for an organic semiconductor insulating film, and an organic semiconductor insulating film | |
EP3547383A1 (en) | Field effect transistor, method for producing same, wireless communication device using same and article tag | |
TWI682954B (zh) | 半導體元件及絕緣層形成用組成物 | |
Kim et al. | Photo-cross-linkable organic–inorganic hybrid gate dielectric for high performance organic thin film transistors | |
US20090001356A1 (en) | Electronic devices having a solution deposited gate dielectric | |
EP3690956A1 (en) | Field effect-transistor, method for manufacturing same, wireless communication device using same, and product tag | |
Wang et al. | UV-curable organic–inorganic hybrid gate dielectrics for organic thin film transistors | |
Zou et al. | Development of high-k polymer materials for use as a dielectric layer in the organic thin-film transistors | |
CN105229814A (zh) | 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置 | |
CN107534086B (zh) | Ofet用的可光图案化的栅极电介质 | |
TW201209092A (en) | Composition for organic thin film transistor insulation layer containing fluoro-organic compound | |
Meena et al. | Novel chemical route to prepare a new polymer blend gate dielectric for flexible low-voltage organic thin-film transistor | |
TWI573194B (zh) | 半導體用絕緣膜及使用其的有機薄膜電晶體 | |
US20220123241A1 (en) | Preparation and layer | |
US20080093594A1 (en) | Organic semiconductor device, manufacturing method of the same, organic transistor array, and display | |
WO2009005972A1 (en) | Electronic devices having a solution deposited gate dielectric | |
JP5103982B2 (ja) | 有機半導体素子の製造方法 | |
KR101386909B1 (ko) | 트랜지스터용 자외선 경화형 하이브리드 게이트 절연막 조성물 및 이로부터 제조된 트랜지스터용 게이트 절연막 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5931083 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |