CN103222081B - 组件和包括该组件的电子器件 - Google Patents

组件和包括该组件的电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN103222081B
CN103222081B CN201180055677.XA CN201180055677A CN103222081B CN 103222081 B CN103222081 B CN 103222081B CN 201180055677 A CN201180055677 A CN 201180055677A CN 103222081 B CN103222081 B CN 103222081B
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric layer
semiconductor layer
grid
layer
source electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180055677.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103222081A (zh
Inventor
R·S·克拉夫
J·C·诺瓦克
D·H·雷丁杰
毛国平
M·E·格里芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of CN103222081A publication Critical patent/CN103222081A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103222081B publication Critical patent/CN103222081B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/478—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a layer of composite material comprising interpenetrating or embedded materials, e.g. TiO2 particles in a polymer matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene

Abstract

本发明涉及一种包括与半导体层相接触的电介质层的组件。所述电介质层包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料，其中所述电介质层不含氧化锆粒子。所述半导体层包含非聚合物型有机半导体材料，并且基本上不含电绝缘聚合物。本发明还公开了包括所述组件的电子元件和器件。

Description

组件和包括该组件的电子器件
背景技术
多种电子器件包括具有半导体的元件；例如，具有与电介质层接触的半导体层的元件。例如，半导体层和通常被称为“栅极电介质”的电介质层可以是薄膜晶体管(TFT)的一部分。
认为栅极电介质的物理和化学性质皆影响在与栅极电介质连接的界面处的有机半导体的电子性能。当有机TFT(OTFT)在开启状态下时，即当已达到或超过某个栅极到源极的偏压并且漏电流已呈指数方式上升时，随着电荷从源电极通过有机半导体沿该界面传输到漏极，该界面对于性能而言是至关重要的。因此，人们在寻找电子性能优越的栅极电介质，所述优越的电子性能例如较高的载流子迁移率、较高的开/关电流比、较低的关断电流以及与有机半导体结合时的较小的亚阈值斜率。
在商业产品中实施OTFT所需的一个改进方面是使以相同方式制造的OTFT之间的电子性能更为一致或可重复，并且使同一个OTFT在各循环内的性能更为一致或可重复。人们寻找的是在OTFT运行期间更小的滞后。在驱动OTFT期间，由于多种因素包括电荷捕集和积聚在有机半导体和栅极电介质之间、或栅极电介质的暂时极化、或水分被栅极电介质吸收，可能导致滞后。
发明内容
在一个方面，本发明提供了组件，其包括：
包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中该电介质层不含氧化锆粒子；以及
与电介质层接触的半导体层，其中该半导体层含有非聚合物型有机半导体材料，其中该半导体层基本上不含电绝缘聚合物，并且其中。
根据本发明的组件在(例如)电子元件和器件中是有用的。
因此，还提供了包括根据本发明的组件的电子器件。
在另一个方面，本发明提供了有机薄膜晶体管，其包括：
栅极、
源极、
漏极，
以及根据本发明的组件，其中栅极与电介质层相邻，并且其中源极和漏极与半导体层相邻。
在又一个方面，本发明提供了有机薄膜晶体管，其包括：
栅极、
无机氧化物层、
源极、
漏极，
以及根据本发明的组件，其中无机氧化物层被夹在栅极和电介质层之间，并且其中源极和漏极与半导体层相邻。
如本文所用：
“(甲基)丙烯酰基”是指丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基；并且
“异氰脲酸酯基团”是指由以下结构表示的杂环基团：
其中是指可用于形成共价键的位点。
在考虑具体实施方式以及所附权利要求书之后，将进一步理解本发明的特征和优点。
附图说明
图1是根据本发明的示例性组件的示意性侧视图；
图2A-2D是示例性薄膜晶体管的实施例的示意性剖视图；并且
图3是实例1和比较例C-2的漏源电流与栅源偏压的关系的图线。
尽管上述附图示出了本发明的若干示例性实施例，但如论述中所述，也可以构想出其他实施例。在所有情况下，本公开都是示例性而非限制性地示出本发明。附图可能并未按比例绘制。
具体实施方式
现在参见图1，示例性组件100包括电介质层110和与电介质层110接触的半导体层120。
电介质层110包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料，其中该电介质层不含氧化锆粒子。所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料可以是具有异氰脲酸酯基团的任何聚合物材料。例子包括聚合的可聚合组合物，其中该可聚合组合物包含具有以下基团的至少一种化合物：至少一个异氰脲酸酯基团和至少一个可聚合基团例如环氧基团、异氰酸酯基团(-N＝C＝O)、可水解的硅烷基团(例如，-Si(OR)3，其中R为C1-C4烷基或C1-C4酰基)、可自由基聚合的基团(例如，(甲基)丙烯酰基)和/或它们的组合。该可聚合组合物还可以包含不含有异氰脲酸酯基团的另外的可聚合材料。例子包括环氧树脂、多异氰酸酯、可水解硅烷、(甲基)丙烯酸酯以及它们的组合。还可以使用能经受诸如缩聚反应的聚合方法的其他官能团。对另外的可聚合材料、固化剂/引发剂和聚合的类型的选择对于本领域的技术人员将是显而易见的。为了确保交联，通常需要可聚合组合物的至少一个可聚合组分是多官能的(即，其具有至少两个可聚合基团)。
具有异氰脲酸酯基团的一个示例性环氧树脂为三(2，3-环氧丙基)异氰脲酸酯(其也称为异氰尿酸三缩水甘油酯)，其可商购自多种来源。可用的环氧树脂可包含其中的仅有一些具有异氰脲酸酯基团的环氧化合物的组合。环氧树脂的固化剂可包括(例如)胺、脒(例如，双氰胺)和硫醇。
具有异氰脲酸酯基团的多异氰酸酯可以商购获得；例如，以商品名DESMODURN3300得自美国宾夕法尼亚州匹兹堡美国拜耳公司(BayerCorporationUSA(Pittsburgh，Pennsylvania))的六亚甲基二异氰酸酯三聚物。可用的多异氰酸酯可包含(例如)其中的仅有一些具有异氰脲酸酯基团的多异氰酸酯化合物的组合。多异氰酸酯的固化剂可包括(例如)多胺、多元醇和水分。
具有可水解硅烷基团和异氰脲酸酯基团的示例性化合物为三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯，其可商购自美国宾夕法尼亚州塔利敦的盖勒斯特有限公司(Gelest，Inc.(Tullytown，Pennsylvania))。具有可水解硅烷基团的化合物通常为湿固化的。
示例性的含有可自由基聚合的异氰脲酸酯基团的化合物包括三(2-羟乙基)异氰脲酸酯三丙烯酸酯(也称为三(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯)，其以商品名为SR368得自美国宾夕法尼亚州艾克斯顿的沙多玛公司(SartomerCo.(Exton，Pennsylvania))；以及异氰尿酸三烯丙酯，其可得自美国加利福尼亚州萨克拉门托市的依斯塔化学制品公司(EastarChemicalCorporation(Sacramento，California))。热引发剂和/或光引发剂和/或电子束辐射可用于引发自由基聚合反应。
相似地，异氰脲酸酯基团可以结合到用于环氧树脂、(甲基)丙烯酸树脂和/或多异氰酸酯例如三(氨乙基)异氰脲酸酯、三(氨丙基)异氰脲酸酯、三(氨己基)异氰脲酸酯的固化剂中。
能够与包含可自由基聚合的异氰脲酸酯基团的化合物共聚的示例性可自由基聚合的化合物包括单(甲基)丙烯酸酯和多官能(甲基)丙烯酸酯例如二(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯和低聚的聚(甲基)丙烯酸酯。
单(甲基)丙烯酸酯的例子包括C12-C14甲基丙烯酸酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氢糠基酯、丙烯酸己内酯、丙烯酸异冰片酯和环氧丙烯酸酯。
二(甲基)丙烯酸酯的例子包括1，3-丁二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇单丙烯酸酯单甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、烷氧基化脂族二丙烯酸酯、烷氧基化环己烷二甲醇二丙烯酸酯、烷氧基化己二醇二丙烯酸酯、烷氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、己内酯改性的新戊二醇羟基特戊酸酯二丙烯酸酯、环己烷二甲醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、乙氧基化(10)双酚A二丙烯酸酯、乙氧基化(3)双酚A二丙烯酸酯、乙氧基化(30)双酚A二丙烯酸酯、乙氧基化(4)双酚A二丙烯酸酯、乙氧基化(4)双酚A二甲基丙烯酸酯、羟基新戊醛改性的三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇(200)二丙烯酸酯、聚乙二醇(400)二丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯和三丙二醇二丙烯酸酯。
三(甲基)丙烯酸酯的例子包括甘油三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三丙烯酸酯(例如，乙氧基化(3)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化(6)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化(9)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化(15)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯)、季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧基化三丙烯酸酯(例如，丙氧基化(3)甘油基三丙烯酸酯、丙氧基化(5.5)甘油基三丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯)，以及三羟甲基丙烷三丙烯酸酯。
更高官能度的(甲基)丙烯酸化合物的例子包括双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、乙氧基化(4)季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯和己内酯改性的双季戊四醇六丙烯酸酯。
低聚的可聚合(甲基)丙烯酸化合物的例子包括聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯和环氧丙烯酸酯。另外的可用的(甲基)丙烯酸酯材料包括含有乙内酰脲部分的聚(甲基)丙烯酸酯，例如，如U.S.4,262,072(Wendling等人)中所述。
有利地，基于在可聚合组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计，该可聚合组合物包含至少50、65、75、80、85、90、95或甚至至少99重量％的可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。
在每个上述情况下，至少一些可聚合材料每分子应具有不止一个可聚合基团，使得交联可以发生。
可聚合组合物通常包含有效量的适当引发剂和/或固化剂使得聚合反应将发生，其选择对于本领域的技术人员将是显而易见的，并且将取决于可聚合组合物的化学性质。
正如就可聚合(甲基)丙烯酸树脂而言，如果可聚合组合物是可自由基聚合的，则热和/或光引发剂可包含在该可聚合组合物中。可使用包括偶氮化合物(例如，2，2′-偶氮双异丁腈(AIBN)、2，2′-偶氮二(2-甲基丁腈)、2，2′-偶氮二(2，4-二甲基戊腈)和过氧化物化合物(例如，过氧化苯甲酰或过氧化月桂酰)的示例性热引发剂。示例性光引发剂包括1-羟基-环己基苯基甲酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、α，α-甲氧基-α-苯基苯乙酮和苯基双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)氧化膦。通常，基于电介质层的总重量计，聚合引发剂(不论是热引发剂还是光引发剂)的用量为约0.1重量％至20重量％，更通常地为约1重量％至约5重量％，但这并非必需。
可任选地，可聚合组合物和/或所得的交联聚合物材料可包含添加剂，例如抑制剂、润湿剂、流变改性剂、填充剂、着色剂和光稳定剂。
为了形成电介质层，可使用任何液相沉积技术将可聚合组合物沉积到基底上。所述基底可以是支撑整个电子器件的基底(“器件基底”)或为该器件的另一层或另一结构。例如，其可以沉积在栅极或无机氧化物层(例如，栅极上的二氧化硅或氧化铝)上。能够(例如)通过旋涂、浸涂、弯月面涂布、凹版印刷涂布或诸如喷墨印刷和柔性版印刷的印刷技术沉积可聚合组合物。
可聚合组合物可以纯态沉积，或溶解或分散在溶剂中以形成涂层组合物。通常，可使用与树脂相容的任何溶剂(例如，有机溶剂)。溶剂和其用量的选择通常取决于所采用的液相沉积技术以及要沉积的可聚合组合物的层厚度。所用溶剂的量可用于控制涂层组合物的粘度。然而，合适的粘度范围通常取决于沉积涂层组合物所凭借的方法，因为广泛范围的剪切率与不同方法相关。
在沉积涂层组合物之后，可将涂层组合物干燥以移除一些或全部溶剂，从而留下具有或不具有溶剂的可聚合组合物。在干燥之后，有利地是该可聚合组合物含有少于5重量％的溶剂。
通常可使用能量诸如，热能、微波能、紫外线(UV)、可见光和/或微粒辐射(例如，电子束辐射)来达到使可聚合组合物聚合和交联的目的。在一些实施例中，可聚合组合物通过自由基光聚合机制而聚合。在此类情况下，聚合反应通常在惰性气体(诸如氮气)的气氛下进行。能量剂量通常取决于电介质层的厚度和组成。
在一些实施例中，电介质层基本上不含或不含无机氧化物粒子。如本文所用，术语“基本上不含无机氧化物粒子”意指电介质层包含少于3重量％的无机氧化物粒子。
电介质层可(例如)通过使用喷墨印刷或掩模技术而图案化。要使用掩模技术而进行图案化，可如上所述沉积一层可聚合组合物。然后，可通过将该层的预定区域暴露于穿过光掩模的紫外光而使该层图案化，其中所述光掩模仅允许光根据所需图案通过。只有暴露于光的区域将固化。然后可以(例如，与溶剂一起)移除非聚合区域。
半导体层120包含非聚合物型有机半导体材料。可用的有机半导体材料包括并苯、杂并苯以及它们的取代衍生物。并苯的特定例子包括蒽、萘、并四苯、并五苯以及取代的并五苯。另一个例子包括二萘嵌苯和取代的衍生物。可用的双-(2-并苯基)乙炔半导体材料在美国专利No.7,109,519(Gerlach)中有所描述。可用的并苯-噻吩半导体材料在美国专利No.6,998,068(Gerlach)中有所描述。
并苯的取代衍生物包括被至少一个供电子基团、卤素原子或其组合取代的并苯，或任选地被至少一个供电子基团、卤素原子或其组合取代的苯并稠合并苯或聚苯并稠合并苯。所述供电子基团选自具有1至24个碳原子的烷基、烷氧基或硫代烷氧基。示例性烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、正戊基、正己基、正庚基、2-甲基己基、2-乙基己基、正辛基、正壬基、正癸基、正十二烷基、正十八烷基以及3，5，5-三甲基己基。取代的并五苯及其制备方法在美国专利No.6,974,877(Vogel等人)和No.6,864,396(Smith等人)中进行了教导。
可用的有机半导体材料的其他例子包括富勒烯、酞菁、金属酞菁以及取代衍生物。
有利地，半导体材料是可进行溶液沉积的那些。可进行溶液沉积的合适的半导体材料的例子包括：
6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)，
TES-蒽二噻吩，
DFHCO-4T，
DHCO-4T，
DFB-4T，
萘四羧酸二酰亚胺，以及
苝四羧酸二酰亚胺。
另外的合适的半导体材料包括：
6，13-双(异丙烯基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(烯丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(环丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双((1-亚甲基丙基)二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(环丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)-2，3，9，10-四甲基-并五苯、6，13-双(烯丙基二环丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，以及如在PCT公布的专利申请No.WO2009/155106A1(Anthony等人)和No.WO2009/158201A1(Clough等人)中所述的有机半导体，所述专利申请的相关公开内容以引用的方式并入本文。有利地，该半导体层包含甲硅烷基乙炔基取代的并五苯(例如，TIPS并五苯)。
该半导体层基本上不含电绝缘聚合物。在一些实施例中，该半导体层不含电绝缘聚合物。电绝缘聚合物的例子包括聚苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯以及聚对苯二甲酸乙二醇酯。如本文所用，短语“基本上不含电绝缘聚合物”意指包含基于半导体层的总重量计小于3重量％的电绝缘聚合物。。
半导体层可通过任何可用的方式诸如液相沉积(例如溶液沉积)或气相沉积(有利地，通过溶液沉积)来提供。液相和溶液沉积技术可以包括旋涂、浸涂、模具涂布、辊涂、凹版印刷涂布和印刷技术。半导体层的图案化可通过已知方法例如多孔障板法、加成光刻法、减成光刻法、图案涂层法和印刷法诸如喷墨印刷法、微接触印刷法和柔性版印刷法(有利地，通过印刷)来实现。
根据本发明的电介质层/半导体层组件是可用的；例如，可以在多种类型的电子器件例如晶体管(例如，结式晶体管或薄膜晶体管)、二极管(例如，发光二极管)、光伏电池、传感器和显示器中使用。电子器件的剩余结构和层能够(例如)使用恰当且熟知的方法制造。
薄膜晶体管(TFT)是一类特别有用的电子器件。TFT总体上包括晶体管基底、栅极、栅极电介质(对应于本发明的电介质层)、源极、漏极以及邻近栅极电介质和邻近源极和漏极的半导体层(对应于本发明的半导体层)。可以采用多种构型组装这些元件。例如，源极和漏极可以邻近栅极电介质，同时半导体层处于源极和漏极之上，或者可以在源极和漏极及栅极电介质之间插入半导体层。更具体地讲，TFT可配置成(1)底部栅极、底部接触TFT，(2)顶部栅极、顶部接触TFT，(3)底部栅极、顶部接触TFT，或(4)顶部栅极、底部接触TFT。
图2A示出了底部栅极、底部接触TFT。栅极211设置在晶体管基底210上。电介质层212(栅极电介质)设置在栅极211上或设置在任选的无机氧化物层219上，如果该无机氧化物层219存在，则其被夹在栅极211和电介质层212之间。图案化的源极213和漏极214设置在电介质层212上。半导体层215设置在源极213、漏极214和电介质层212上。可任选地，封壳层216可设置在半导体层215上。
图2B示出了顶部栅极、顶部接触TFT。半导体层221设置在晶体管基底220上。图案化的源极222和漏极223设置在半导体层221上。电介质层224(栅极电介质)设置在源极222、漏极223和半导体层221上。栅极225设置在电介质层224上或设置在任选的无机氧化物层229上，如果该无机氧化物层229存在，则其被夹在栅极225和电介质层224之间。可任选地，封壳层226可设置在栅极225上。
图2C示出了底部栅极、顶部接触TFT。栅极231设置在晶体管基底230上。电介质层232(栅极电介质)设置在栅极231上或设置在任选的无机氧化物层239上，如果该无机氧化物层239存在，则其被夹在栅极231和电介质层232之间。半导体层233设置在电介质层232上。图案化的源极234和漏极235设置在半导体层233上。任选的封壳层236设置在源极234、漏极235和半导体层233上。
图2D示出了顶部栅极、底部接触TFT。图案化的源极241和漏极242设置在晶体管基底240上。半导体层243设置在源极241、漏极242和基底240上。电介质层244(栅极电介质)设置在半导体层243上。栅极245设置在电介质层244上或设置在任选的无机氧化物层249上，如果该无机氧化物层249存在，则其被夹在栅极245和电介质层244之间。任选的封壳层246设置在栅极245上。
任选的无机层可以包含无机氧化物，例如，硅的氧化物(例如，SiO2)或铝的氧化物(例如，Al2O3)。
可在基底(“晶体管基底”)上提供根据本发明制备的TFT。在制造、测试和/或使用的过程中，晶体管基底通常支持TFT。例如，当选择另一个晶体管基底用于商业实施例时，可选择一个晶体管基底用于测试或筛选各种实施例。可选地，晶体管基底可为TFT提供电功能。可用的晶体管基底材料包括有机和无机材料。例如，晶体管基底可包括无机玻璃、陶瓷箔、聚合物材料(例如丙烯酸、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酮、聚(氧化-1，4-亚苯氧基-1，4-苯甲酰-1，4-亚苯基)(有时称为聚(醚醚酮)或PEEK)、聚降冰片烯、聚苯醚、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)、聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(苯硫醚)(PPS))、填充聚合物材料(例如纤维增强塑料(FRP))、纤维材料(例如纸和纺织品)以及涂布或未涂布的金属箔。有利地，晶体管基底包含聚合物材料。
可以使用柔性的晶体管基底。柔性的晶体管基底允许滚轴加工，该加工可为连续的，可在平坦和/或刚性的基底上实现尺寸及制造的经济性。有利选择的柔性晶体管基底能够环绕直径小于约50cm(有利地，直径小于约25cm；更有利地，小于约10cm；最有利地，小于约5cm)的圆柱体一周而不发生扭曲或断裂。用于将本发明的柔性晶体管基底卷绕在特定圆柱体周围的力通常较小，例如通过手在无协助情况下的操作(即，没有杠杆、机器、液压等的协助)。
TFT的栅极可以是任何有用的导电材料。例如，栅极可包含掺杂质的硅或金属(例如铝、铜、铬、金、银、镍、钯、铂、钽和钛)，以及透明的传导氧化物(例如铟锡氧化物)或掺杂质的氧化锌(例如，掺杂铝的氧化锌或掺杂镓的氧化锌)。也可使用导电聚合物，例如聚苯胺或聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)。另外，这些材料的合金、组合和多层物可能是有用的。在某些TFT中，相同的材料可实现栅极功能以及晶体管基底的支持功能。例如，掺杂质的硅可用作栅极并支持TFT。
栅极电介质将栅极与TFT装置的余量绝缘。栅极电介质有利地具有大于约2(更有利地，大于约3)的相对介电常数。根据本发明的电介质层可用作TFT的栅极电介质。
TFT的源极和漏极可以是任何可用的导电材料。有用的材料包括(例如)铝、钡、铬、铜、金、银、镍、钯、铂、钛、透明传导氧化物(例如铟锡氧化物)、掺杂质的氧化锌(例如，掺杂铝的氧化锌或掺杂镓的氧化锌)、聚苯胺、PEDOT:PSS、其他导电聚合物、它们的合金、它们的组合以及它们的多层物。
TFT电极(即，栅极、源极和漏极)可通过任何可用的方法例如电镀、喷墨印刷或气相沉积(例如，热蒸镀或溅射)来提供。可通过已知方法来实现薄膜电极的图案化，这些方法例如为多孔障板法、加成光刻法、减成光刻法、印刷法、微接触印刷法和图案涂层法。
可通过任何可用的方法来提供任选的无机氧化物层，所述方法例如为对栅极表面进行热氧化或电化学氧化、将无机氧化物电子束蒸镀到栅极上、化学气相沉积到栅极上或溅射到栅极上。可通过已知方法来实现无机氧化物层的图案化，所述方法例如为多孔障板法、加成光刻法或减成光刻法。
多个TFT可互相连接以形成集成电路(IC)。集成电路包括但不限于(例如)环形振荡器、射频识别(RFID)电路、逻辑元件、放大器和时钟。因此，本发明的TFT可通过本领域已知的方法与其他TFT互连以形成集成电路。本发明的TFT还可用于多种电子制品例如RFID标签、(例如，个人电脑、手机或手持式装置中所用的)显示器的背板、智能卡和存储设备中。
还可制成包括根据本发明制得的至少一个TFT的TFT阵列。TFT阵列可(例如)通过将用于每个TFT的多个晶体管层和结构依次沉积到晶体管基底上而制得。
根据本发明制得的TFT可具有期望的性能，所述性能包括(例如)高载流子迁移率、高开/关电流比、低关断电流和小亚阈值斜率。它们也可呈现出这些性能特性以及阈值电压与以相同方式制造的TFT的开启电压的一致性。TFT在运行期间还可能呈现出低滞后性。
本发明的选择实施例
在第一实施例中，本发明提供了一种组件，其包括：
包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中该电介质层不含氧化锆粒子；以及
与电介质层接触的半导体层，其中该半导体层含有非聚合物型有机半导体材料，并且其中该半导体层基本上不含电绝缘聚合物。
在第二实施例中，本发明提供了根据第一实施例的组件，其中所述半导体层不含或基本上不含聚合物型有机半导体。
在第三实施例中，本发明提供了根据第一或第二实施例的组件，其中具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含可自由基聚合的异氰脲酸酯单体的单体组合物制成。
在第四实施例中，本发明提供了根据第三实施例的组件，其中所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体包含至少两个(甲基)丙烯酰基团。
在第五实施例中，本发明提供了根据第三或第四实施例的组件，其中单体组合物包含基于该单体组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计至少95重量％的可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。
在第六实施例中，本发明提供了根据第三或第四实施例的组件，其中单体组合物包含基于该单体组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计至少99重量％的可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。
在第七实施例中，本发明提供了根据第三至第六实施例中的任一个的组件，其中可自由基聚合的异氰脲酸酯单体包括三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯。
在第八实施例中，本发明提供了根据第一至第七实施例中的任一个的组件，其中非聚合物型有机半导体包含并苯、杂并苯或它们的取代衍生物。
在第九实施例中，本发明提供了根据第八实施例的组件，其中所述并苯、杂并苯或它们的取代衍生物包含至少一个甲硅烷基乙炔基取代基。
在第十实施例中，本发明提供了根据第九实施例的组件，其中并苯选自6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(异丙烯基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(烯丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(环丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双((1-亚甲基丙基)二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、
6，13-双(烯丙基二环丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，以及
6，13-双(环丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)-2，3，9，10-四甲基-并五苯。
在第十一实施例中，本发明提供了包括根据第一至第十实施例中的任一个的组件的电子器件。
在第十二实施例中，本发明提供了有机薄膜晶体管，其包括：
栅极、
源极、
漏极，
以及根据第一至第十实施例中的任一个的组件，其中栅极邻近电介质层，并且其中源极和漏极与半导体层相邻。
在第十三实施例中，本发明提供了根据第十二实施例的组件，其中有机薄膜晶体管设置在聚合物基底上。
在第十四实施例中，本发明提供了有机薄膜晶体管，其包括：
栅极、
无机氧化物层、
源极、
漏极，
以及根据第一至第十实施例中的任一个的组件，其中无机氧化物层被夹在栅极和电介质层之间，并且其中源极和漏极与半导体层相邻。
在第十五实施例中，本发明提供了根据第十四实施例的组件，其中有机薄膜晶体管设置在聚合物基底上。
通过以下非限制性实例，进一步说明了本发明的目的和优点，但这些实例中所述的具体材料及其用量以及其他条件和细节均不应视为对本发明进行不当限定。
实例
除非另外指明，否则在实例及本说明书的其余部分中的所有份数、百分数、比率等均为以重量计。下文中未特别指出来源的化学品可从合格的化学品供应商例如美国威斯康星州密尔沃基的西格玛奥德里奇化工公司(Sigma-AldrichChemicalCo.(Milwaukee，Wisconsin))等处容易地获得。
材料
ZrO 2 -P树脂的制备
使用水热技术制备氧化锆纳米粒子，该技术大体上在美国专利No.7,241,437(Davidson等人)中有所描述。对包含锆盐的第一原料进行了第一水热处理，形成了含锆中间体和副产物。通过移除至少一些在第一水热处理期间形成的酸性副产物制备了第二原料。然后对第二原料进行第二水热处理，形成包含氧化锆纳米粒子的氧化锆溶胶。通过透射电子显微镜确定纳米粒子的尺寸。纳米粒子的粒度范围为大约1.8纳米至11.2纳米(nm)，其平均粒度为大约4.7nm，标准偏差为1.3nm。纳米粒子的长宽比在大约1至3.4的范围内。然后通过与在美国专利No.7,264,872(Walker，Jr.等人，该专利以引用的方式并入本文)的实例2中所述的方法类似的方法用(3-甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷(A-174)对氧化锆溶胶的氧化锆纳米粒子进行表面改性处理，不同的是仅使用了一种硅烷A-174。该方法形成表面改性的氧化锆纳米粒子分散体。将该表面改性的氧化锆纳米粒子分散体在异佛乐酮溶剂中与THEITA和IRG184混合。共混的材料通过磁力搅拌混合。混合物受到采用65℃的浴温和真空(6mmHg，800Pa)的旋转蒸发，确保优先移除水、甲基乙基酮和1-甲氧基-2-丙醇。所得的混合物含有大约8.5重量％的THEITA和40.0重量％的表面改性的氧化锆纳米粒子、1.5重量％的IRG184以及50.0重量％的异佛乐酮。所得混合物包含50重量％的固体和40重量％的表面改性的氧化锆纳米粒子。混合物被冷却至室温，然后通过1.0微米过滤器滤入干净的琥珀色玻璃广口瓶中。
电介质配方的制备
配方1
将THEITA(1.2061g)、0.2099克的IRG184以及18.6026克的正丁基苯置于具有磁力搅拌棒的琥珀色玻璃广口瓶中。将广口瓶盖住，然后将内容物搅拌以提供配方1。
配方2
将ZrO2-P树脂和异佛乐酮置于具有磁力搅拌棒的琥珀色玻璃广口瓶中。将广口瓶盖住，然后将内容物搅拌以提供配方2。
配方3
将TMPTA(16.9992g)、2.9959克的IRG184置于具有磁力搅拌棒的琥珀色玻璃广口瓶中，将广口瓶盖住，然后搅拌内容物直到IRG184溶解。将该溶液的一部分(1.0459g)和13.8930克的正丁基苯添加到具有磁力搅拌棒的单独的琥珀色玻璃广口瓶中。将广口瓶盖住，然后将内容物搅拌以提供配方3。
配方4
将PVP(0.6476g)和17.1185克的PGMEA置于具有磁力搅拌棒的琥珀色玻璃广口瓶中。将广口瓶盖住，然后搅拌内容物直到PVP溶解。随后，将0.1924克的三聚氰胺-甲醛共聚物溶液添加到广口瓶中，并且搅拌内容物以提供配方4。
下表1中总结了配方1-4。
表1
栅极/栅极电介质基底的制备
栅极/栅极电介质基底1
将硅片大致对半裂开，然后用氧等离子体清洁。将裂开的硅片在等离子体清洁系统中用500W的功率设置和1标准立方厘米/分钟(sccm)的氧气流处理3分钟。在清洁后，使所得的经等离子体清洁的裂开晶片冷却数分钟以确保其处于室温下，然后在2分钟内将配方1以2000rpm的转速(其增大速率为432转/分/秒(rpm/s))旋涂到晶片的热氧化物表面上。将被涂布基底移至氮气吹扫的紫外线辐照室(254nm的杀菌灯)内，在此处将被涂布的电介质辐照10分钟(剂量＝1.2焦耳/平方厘米)。在紫外线辐照后，将基底置于预热至100℃的热板上保持10分钟。电介质层的厚度为大约66nm。
栅极/栅极电介质基底2
使用氧等离子体清洁硅片。将所述硅片在等离子体清洁系统中用500W的功率设置和1标准立方厘米/分钟(sccm)的氧气流处理3分钟。在清洁后，使经等离子体清洁的晶片冷却数分钟以确保其处于室温下，然后在1分钟内将配方2以2000rpm的转速(其增大速率为432rpm/s)旋涂到晶片的热氧化物表面上。将被涂布基底置于预热至100℃的热板上保持10分钟。然后，将该基底移至氮气吹扫的紫外线辐照室(254nm的杀菌灯)内，在此处将被涂布的电介质辐照10分钟(剂量＝1.2焦耳/平方厘米)。在紫外线辐照后，将基底置于预热至100℃的热板上保持10分钟。
栅极/栅极电介质基底3
将硅片大致对半裂开，然后用氧等离子体清洁。将裂开的硅片在等离子体清洁系统中用500W的功率设置和1标准立方厘米/分钟(sccm)的氧气流处理3分钟。在清洁后，使经等离子体清洁的裂开晶片冷却数分钟以确保其处于室温下，然后在2分钟内将配方3以2000rpm的转速(其增大速率为432rpm/s)旋涂到晶片的热氧化物表面上。将被涂布基底移至氮气吹扫的紫外线辐照室(254nm的杀菌灯)内，在此处将被涂布的电介质辐照10分钟(剂量＝1.2焦耳/平方厘米)。在紫外线辐照后，将基底置于预热至100℃的热板上保持10分钟。电介质层的厚度为大约65nm。
栅极/栅极电介质基底4
将硅片大致对半裂开，然后用氧等离子体清洁。将裂开的硅片在等离子体清洁系统中用500W的功率设置和1标准立方厘米/分钟(sccm)的氧气流处理3分钟。在清洁后，使经等离子体清洁的裂开晶片冷却数分钟以确保其处于室温下，然后在1分钟内将配方4以2000rpm的转速(其增大速率为432rpm/s)旋涂到晶片的热氧化物表面上。将被涂布基底置于在100℃下预热的热板上保持2分钟。然后，将被涂布基底置于预热至160℃的另一块热板上，保持30分钟。
有机半导体溶液的制备
称量苯甲醚和癸烷，然后将其置于玻璃瓶中，将该玻璃瓶盖上并摇动以提供91/9w/w的苯甲醚/癸烷溶剂共混物。将TIPS并五苯和苯甲醚/癸烷溶剂共混物在具有磁力搅拌棒的琥珀色玻璃广口瓶中混合，然后将广口瓶盖上并用金属罐覆盖以遮蔽光线，接着在室温下搅拌大约48小时，从而提供具有1.8重量％的TIPS并五苯的苯甲醚/癸烷溶液。将该溶液过滤通过PTFE过滤器，然后进行栅极/栅极电介质基底的浸涂。
实例1以及比较例C-1、C-2和C-3
将栅极/栅极电介质基底裂开成大约25mm×35mm的小片。使用每种栅极/栅极电介质基底的一个小片来确定基底的栅极电介质电容，并使用另一个小片来制造薄膜晶体管(TFT)。栅极电介质的电容按如下方式测定。使用热蒸发器将直径为5mm的金圆形垫或电极通过荫罩板气相沉积到栅极电介质表面上。使用AGILENTE4980A精密LCR测试仪(美国加利福尼亚州圣克拉拉安捷伦科技有限公司(AgilentTechnologies，Inc.，SantaClara，California))测量重掺杂Si的电极(栅极)和金电极之间的复合栅极电介质(涂层加入SiO2)的电容。100nm热氧化物(SiO2)的电容为345皮法拉/平方毫米(pF/mm2)。分别在实例1、比较例C-1、比较例C-2和比较例C-3中使用的栅极/栅极电介质基底1、2、3和4的复合栅极电介质(涂层加入SiO2)的总电容记录在下表2中。
表2
薄膜晶体管(TFT)按如下方式制备。将大约5mL的有机半导体溶液置于浸涂槽(大约50mm长、5mm宽和30mm高)中。采用可以商品名NIMAD1L得自英国考文垂尼玛科技股份有限公司(NimaTechnologyLtd.(Coventry，UnitedKingdom))的浸涂设备将每种栅极/栅极电介质基底的一个小片以大约3毫米/分钟的牵引速率在有机半导体溶液中进行浸涂。让每种样品在室温下干燥。使用热蒸发器通过荫罩板气相沉积金源极和金漏极(大约80-100nm厚)，从而形成具有底部栅极、顶部接触结构的晶体管。源极和漏极是矩形的并且彼此平行，并且取向为使得电极的长维度(其对应于沟道宽度)垂直于浸涂方向或浸渍轴线。源触点和漏触点的尺寸设定为使得晶体管的宽度为大约1000微米并且沟道长度为大约100微米。
TFT的迁移率按如下方式测量。针对每个实例和每个比较例，连续测量十个TFT。随机选择TFT，只需注意所选择的TFT不与基底的边缘相邻这一规则。使用两个源极测量装置(型号2400，得自美国俄亥俄州克利夫兰吉时利仪器有限公司(KeithleyInstruments，Inc.，Cleveland，Ohio))在环境条件下测定饱和场效应迁移率(μ)。将这些装置放在S-1160系列探针台上并将探针用S-725-PRM操纵器连接(两者均得自美国加利福尼亚州吉尔罗伊西格那托公司(SignatoneCorp.，Gilroy，California))。漏源偏压(VDS)保持在-40V，而栅源偏压(VGS)以1V的步长在+10V至-40V的范围内增加。在-40V的恒定VDS下测量以+10V到-40V的VGS为函数的漏源电流(IDS)。使用以下方程，由IDS平方根对VGS的曲线的线性部分的斜率计算饱和场效应迁移率(μ)：
IDS＝μWC(VGS-Vt)2÷2L
其中通过以下方程，饱和场效应迁移率(μ)与IDS平方根对VGS的曲线的斜率(m)相关：
μ = 2 ( m 2 L WC )
其中C为栅极电介质的比电容(即，表2中给定的总电容)，W为沟道宽度，并且L为沟道长度。使用IDS的平方根相对VGS的曲线图，将线性部分到X轴(即，此处IDS的平方根等于零)的直线拟合的外推值提供为X轴截距，其被取作阈值电压(Vt)。此外，将IDS(使用对数标度)作为VGS的函数作图而得到一曲线，其中沿着所述曲线的包含Vt的部分画出直线拟合。将亚阈值斜率(S)限定为该线斜率的倒数。在IDS开始呈指数级且连续上升之前，将关断电流取作IDS的值。将开/关电流比取作来自IDS相对VGS的测量的最大IDS值与关断电流的比率。在环境条件下测量所有的器件，所述环境条件对于实例1、比较例C-2和比较例C-3而言为大约25℃和31％的相对湿度(R.H.)，并且对于比较例C-1而言为大约24℃和22％R.H.。
在测量了来自样品的10个TFT之后，以相同的方式测量了来自样品的2个另外的TFT，不同的是将VGS从+10V向-40V扫描(正向扫描)，然后以1V的步长扫描回到+10V(反向扫描)，以便评估器件的滞后。反向扫描过程(其中IDS与在正向扫描过程中的相同电压处获得的其值偏离超过5％)中最早的VGS在此被定义为发散电压。在环境条件下测量所有的器件，所述环境条件对于实例1、比较例C-2和比较例C-3而言为大约25℃和31％的相对湿度(R.H.)，并且对于比较例C-1而言为大约24℃和22％R.H.。
下表3记录了实例1和比较例C-1、C-2和C-3的性能特性。
表3
图3示出在对具有-2.75V发散电压的实例1的TFT和具有-18.43V发散电压的比较例C-2的TFT的VGS进行正向和反向扫描期间的VGS的IDS。
在不脱离本发明的范围和精神的条件下，本领域的技术人员可对本发明进行各种修改和更改，并且应当理解，本发明不应不当地受限于本文所述的示例性实施例。

Claims (4)

1.一种有机薄膜晶体管，其包括：
设置在晶体管基底上的栅极；
源极；
漏极；
包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含具有至少两个(甲基)丙烯酰基团的可自由基聚合的单体的单体组合物制成，其中所述电介质层不含氧化锆粒子；其中所述源极和所述漏极设置在所述电介质层上，并且其中所述电介质层设置在栅极上或夹在所述栅极和所述电介质层之间的无机物层上；以及
设置在所述电介质层、所述源极、和所述漏极上的半导体层，其中所述半导体层含有非聚合物型有机半导体材料，并且其中所述半导体层包含基于所述半导体层的总重量计小于3重量％的电绝缘聚合物。
2.一种有机薄膜晶体管，其包括：
栅极；
源极；
漏极；
包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含具有至少两个(甲基)丙烯酰基团的可自由基聚合的单体的单体组合物制成，其中所述电介质层不含氧化锆粒子；和
与所述电介质层接触的半导体层，其中所述半导体层含有非聚合物型有机半导体材料，并且其中所述半导体层包含基于所述半导体层的总重量计小于3重量％的电绝缘聚合物，其中所述半导体层设置在晶体管基底上，其中所述源极和漏极设置在所述半导体层上，其中所述栅极设置在所述电介质层上或设置在夹在所述栅极和所述电介质层之间的无机氧化物层上。
3.一种有机薄膜晶体管，其包括：
设置在晶体管基底上的栅极；
源极；
漏极；
包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含具有至少两个(甲基)丙烯酰基团的可自由基聚合的单体的单体组合物制成，其中所述电介质层不含氧化锆粒子，其中所述源极和漏极设置在所述电介质层上，并且所述电介质层设置在所述栅极上或设置在夹在所述栅极和所述电介质层之间的无机物层上；和
设置在所述电介质层上的半导体层，其中所述半导体层含有非聚合物型有机半导体材料，并且其中所述半导体层包含基于所述半导体层的总重量计小于3重量％的电绝缘聚合物，并且其中所述源极和漏极设置在所述半导体层上。
4.一种有机薄膜晶体管，其包括：
设置在晶体管基底上的源极和漏极；
设置在所述源极和漏极和所述晶体管基底上的半导体层；
其中所述半导体层包含非聚合物型有机半导体材料，并且其中所述半导体层包含基于所述半导体层的总重量计小于3重量％的电绝缘聚合物；
设置在所述半导体层上的电介质层，所述电介质层包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料，其中所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含具有至少两个(甲基)丙烯酰基团的可自由基聚合的单体的单体组合物制成，其中所述电介质层不含氧化锆粒子；和
栅极，其设置在
所述电介质层上；或
夹在所述栅极和所述电介质层之间的无机氧化物层上。
CN201180055677.XA 2010-11-22 2011-11-17 组件和包括该组件的电子器件 Expired - Fee Related CN103222081B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41597510P 2010-11-22 2010-11-22
US61/415,975 2010-11-22
PCT/US2011/061199 WO2012071243A2 (en) 2010-11-22 2011-11-17 Assembly and electronic devices including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103222081A CN103222081A (zh) 2013-07-24
CN103222081B true CN103222081B (zh) 2016-04-06

Family

ID=46052857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180055677.XA Expired - Fee Related CN103222081B (zh) 2010-11-22 2011-11-17 组件和包括该组件的电子器件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8835915B2 (zh)
EP (1) EP2643864A2 (zh)
JP (1) JP5931083B2 (zh)
CN (1) CN103222081B (zh)
SG (1) SG190340A1 (zh)
WO (1) WO2012071243A2 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140061648A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 David H. Levy Thin film transistor including dielectric stack
KR102335364B1 (ko) 2014-03-27 2021-12-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 오가노보란-함유 조성물, 및 그의 사용 방법
CN107887269A (zh) * 2017-11-03 2018-04-06 通威太阳能（安徽）有限公司 一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺
EP4027373A4 (en) * 2019-09-03 2023-10-04 The University of Tokyo SOURCE DRAIN ELECTRODE FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT THEREFROM AND PRODUCTION METHOD FOR SOURCE DRAIN ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6955939B1 (en) * 2003-11-03 2005-10-18 Advanced Micro Devices, Inc. Memory element formation with photosensitive polymer dielectric
CN101359719A (zh) * 2008-09-11 2009-02-04 电子科技大学 一种有机薄膜晶体管及其制备方法
CN101681929A (zh) * 2007-05-30 2010-03-24 日产化学工业株式会社 薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂
CN101826563A (zh) * 2009-03-03 2010-09-08 E.I.内穆尔杜邦公司 封装材料和采用该封装材料形成的太阳能电池组件

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4262072A (en) 1979-06-25 1981-04-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Poly(ethylenically unsaturated alkoxy) heterocyclic protective coatings
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5739254A (en) 1996-08-29 1998-04-14 Xerox Corporation Process for haloalkylation of high performance polymers
US6126532A (en) 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6238592B1 (en) 1999-03-10 2001-05-29 3M Innovative Properties Company Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication
US6491843B1 (en) 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6702954B1 (en) 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
KR20040044998A (ko) 2001-09-27 2004-05-31 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 치환 펜타센 반도체
US20030097010A1 (en) 2001-09-27 2003-05-22 Vogel Dennis E. Process for preparing pentacene derivatives
US6998068B2 (en) 2003-08-15 2006-02-14 3M Innovative Properties Company Acene-thiophene semiconductors
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US6908366B2 (en) 2003-01-10 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Method of using a soft subpad for chemical mechanical polishing
US7109519B2 (en) 2003-07-15 2006-09-19 3M Innovative Properties Company Bis(2-acenyl)acetylene semiconductors
CN100431169C (zh) 2004-01-15 2008-11-05 松下电器产业株式会社 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
KR100560796B1 (ko) * 2004-06-24 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
JP5109223B2 (ja) 2004-08-04 2012-12-26 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ
KR100852715B1 (ko) 2004-08-13 2008-08-19 이해욱 기능성 피막조성물, 상기 피막조성물 상에 형성된 필름,그리고 상기 피막조성물 및 필름을 형성하는 방법
US7523440B2 (en) 2004-11-16 2009-04-21 The Mathworks, Inc. Dynamic generation of formatted user interfaces in software environments
WO2006057714A2 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US7241437B2 (en) 2004-12-30 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Zirconia particles
US7264872B2 (en) 2004-12-30 2007-09-04 3M Innovative Properties Company Durable high index nanocomposites for AR coatings
US7410631B2 (en) 2005-03-02 2008-08-12 Aps Laboratory Metal phosphate sols, metal nanoparticles, metal-chalcogenide nanoparticles, and nanocomposites made therefrom
JP4424341B2 (ja) 2005-12-02 2010-03-03 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器
US7267610B1 (en) 2006-08-30 2007-09-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having unevenly spaced grooves
KR101224723B1 (ko) 2006-09-15 2013-01-21 삼성전자주식회사 유기 절연막 조성물, 이를 이용하여 제조된 유기 절연막 및유기 박막 트랜지스터
KR101316291B1 (ko) 2007-02-16 2013-10-08 삼성전자주식회사 공중합체, 유기절연층 조성물 및 그를 이용하여 제조된유기 절연층 및 유기 박막 트랜지스터
US20090001356A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 3M Innovative Properties Company Electronic devices having a solution deposited gate dielectric
US7879688B2 (en) 2007-06-29 2011-02-01 3M Innovative Properties Company Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric
EP2063471B1 (en) * 2007-11-26 2012-10-03 Hitachi Ltd. Organic field effect transistor
CN102089122A (zh) 2008-05-15 2011-06-08 3M创新有限公司 具有终点窗口的抛光垫以及使用其的系统和方法
KR101622420B1 (ko) 2008-05-30 2016-05-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 실릴에티닐 펜타센 화합물 및 조성물 및 그의 제조 및 사용 방법
WO2009158201A1 (en) 2008-06-27 2009-12-30 3M Innovative Properties Company Methods op fabricating crystalline organic semiconductive layers
JP2010108986A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Hitachi Chem Co Ltd ゲート絶縁膜層成形材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法
WO2010056568A1 (en) 2008-11-14 2010-05-20 3M Innovative Properties Company Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device
KR101645261B1 (ko) * 2008-11-28 2016-08-03 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 박막 트랜지스터용 게이트 절연막 형성 조성물
US8418228B2 (en) * 2008-12-03 2013-04-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Converged access control method using network access device at penetration node of IP network of convergence ALL-IP network
JP5756605B2 (ja) * 2010-06-15 2015-07-29 株式会社カネカ 薄膜トランジスタ
JP5790649B2 (ja) * 2010-06-23 2015-10-07 旭硝子株式会社 硬化性組成物および硬化膜の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6955939B1 (en) * 2003-11-03 2005-10-18 Advanced Micro Devices, Inc. Memory element formation with photosensitive polymer dielectric
CN101681929A (zh) * 2007-05-30 2010-03-24 日产化学工业株式会社 薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂
CN101359719A (zh) * 2008-09-11 2009-02-04 电子科技大学 一种有机薄膜晶体管及其制备方法
CN101826563A (zh) * 2009-03-03 2010-09-08 E.I.内穆尔杜邦公司 封装材料和采用该封装材料形成的太阳能电池组件

Also Published As

Publication number Publication date
US8835915B2 (en) 2014-09-16
SG190340A1 (en) 2013-06-28
US20130256640A1 (en) 2013-10-03
CN103222081A (zh) 2013-07-24
JP5931083B2 (ja) 2016-06-08
WO2012071243A2 (en) 2012-05-31
EP2643864A2 (en) 2013-10-02
JP2014502047A (ja) 2014-01-23
WO2012071243A3 (en) 2012-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Park et al. Sol-gel metal oxide dielectrics for all-solution-processed electronics
He et al. Nanoparticles for organic electronics applications
Jung et al. A TIPS-TPDO-tetraCN-based n-type organic field-effect transistor with a cross-linked PMMA polymer gate dielectric
US7879688B2 (en) Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric
He et al. Surface modification on solution processable ZrO2 high-k dielectrics for low voltage operations of organic thin film transistors
Pal et al. Gate interface engineering for subvolt metal oxide transistor fabrication by using ion-conducting dielectric with Mn2O3 gate interface
CN103222081B (zh) 组件和包括该组件的电子器件
EP3547383B1 (en) Field effect transistor, method for producing same, wireless communication device using same and article tag
Park et al. Control of concentration of nonhydrogen-bonded hydroxyl groups in polymer dielectrics for organic field-effect transistors with operational stability
Kim et al. Photo-cross-linkable organic–inorganic hybrid gate dielectric for high performance organic thin film transistors
Wang et al. UV-curable organic–inorganic hybrid gate dielectrics for organic thin film transistors
Park et al. Optimization of electrohydrodynamic-printed organic electrodes for bottom-contact organic thin film transistors
Cai et al. Solution-processable barium titanate and strontium titanate nanoparticle dielectrics for low-voltage organic thin-film transistors
Zhang et al. High-resolution inkjet-printed oxide thin-film transistors with a self-aligned fine channel bank structure
US20090001356A1 (en) Electronic devices having a solution deposited gate dielectric
Huang et al. Temperature-dependent ultra-thin polymer layer for low voltage organic thin-film transistors
US7935566B2 (en) Embossing printing for fabrication of organic field effect transistors and its integrated devices
TWI573194B (zh) 半導體用絕緣膜及使用其的有機薄膜電晶體
CN109326713A (zh) 一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器及其制备方法
Choi et al. OTFTs using hybrid films as gate dielectrics prepared via UV curing and sol–gel reaction
KR101386909B1 (ko) 트랜지스터용 자외선 경화형 하이브리드 게이트 절연막 조성물 및 이로부터 제조된 트랜지스터용 게이트 절연막
Massey Fabrication and Optimization of Organic FET and Organic Electrolyte Gated FET Devices for Applications as Label-free Biosensors
WO2009005972A1 (en) Electronic devices having a solution deposited gate dielectric
JP2017098489A (ja) 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ
JP2017098491A (ja) 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160406

Termination date: 20181117

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee