JP5918611B2 - 光半導体素子 - Google Patents
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以下、本発明の光半導体素子の第1実施形態について説明する。実施形態に係る光半導体素子10は、半導体レーザや光変調器等に用いられ、例えば1.5μm帯の光を利用するための素子である。
本発明の第1実施形態における光半導体素子10について図2を参照して説明する。図2は、本実施形態における光半導体素子10の断面構造の一例を説明するための図である。
次に、光半導体素子10の作製方法について図3を参照して説明する。図3は、光半導体素子10の作製方法の一例を説明するための図である。
以下、本発明の光半導体素子の第2実施形態について説明する。
先ず、光半導体素子10Aの構成について図4を参照して説明する。図4は、本実施形態における光半導体素子10Aの断面構造の一例を説明するための図である。
次に、光半導体素子10Aの作製方法について図5を参照して説明する。図5は、光半導体素子10Aの作製方法の一例を説明するための図である。
11 基板
12 光導波路層
13 n型InP層(n型半導体層)
14 p型InP層(p型半導体層)
16 n型電極
18 p型電極
31 犠牲層
32 空気層
121a,121b,122a,122b クラッド層
123 活性層
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された光導波路層であって、活性層と、前記活性層の上下に形成された第1のクラッド層および第2のクラッド層とを有する、光導波路層と、
前記半導体基板の上に形成され、前記光導波路層を、水平方向で挟むn型半導体層およびp型半導体層と、を備え、
前記各クラッド層は、前記半導体基板および前記各半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、
前記光導波路層の上面および下面の両面に、前記半導体基板および前記各半導体層よりも屈折率の小さい層をさらに備えることを特徴とする光半導体素子。 - 前記各クラッド層は、少なくともIn、Ga、Alのいずれかを含むIII 族元素と、少なくともN、P、Asのいずれかを含むV族元素とからなる化合物半導体であることを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。
- 前記光導波路層に電流を注入する、または電圧を印加する手段をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体素子。
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