JPH03220786A - 半導体レーザーの製造方法 - Google Patents
半導体レーザーの製造方法Info
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- JPH03220786A JPH03220786A JP1562090A JP1562090A JPH03220786A JP H03220786 A JPH03220786 A JP H03220786A JP 1562090 A JP1562090 A JP 1562090A JP 1562090 A JP1562090 A JP 1562090A JP H03220786 A JPH03220786 A JP H03220786A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザーの製造方法に関する。
本発明は、半導体レーザーの製造方法において、半導体
基板上にその一方の側面が成長回顧で他方の側面が成長
不可面であるストライプ状の半導体層を形成し、その後
レーザー構造を形成するための半導体層のエピタキシャ
ル成長を行うようにすることによって、半導体レーザー
の製造工程の簡略化を図ることができるとともに、エピ
タキシャル成長された半導体層に損傷が生じるのを防止
することができるようにしたものである。
基板上にその一方の側面が成長回顧で他方の側面が成長
不可面であるストライプ状の半導体層を形成し、その後
レーザー構造を形成するための半導体層のエピタキシャ
ル成長を行うようにすることによって、半導体レーザー
の製造工程の簡略化を図ることができるとともに、エピ
タキシャル成長された半導体層に損傷が生じるのを防止
することができるようにしたものである。
従来の半導体レーザーの製造方法においては、まず半導
体基板の全面にレーザー構造を形成するための半導体Ｎ
（活性層やクラッド層など）のエピタキシャル成長を行
い、その後半導体基板の裏面ラッピング、レーザー発振
用の電流の狭窄のためのプロトン注入あるいは〜１０１
１ｍ以下の幅を持つストライプの形成などのプロセスを
行っている。
体基板の全面にレーザー構造を形成するための半導体Ｎ
（活性層やクラッド層など）のエピタキシャル成長を行
い、その後半導体基板の裏面ラッピング、レーザー発振
用の電流の狭窄のためのプロトン注入あるいは〜１０１
１ｍ以下の幅を持つストライプの形成などのプロセスを
行っている。
上述のように、従来の半導体レーザーの製造方法は、レ
ーザー構造を形成するための半導体層のエピタキシャル
成長後に多くの工程が必要であるばかりでなく、このエ
ピタキシャル成長後に行われる裏面ラッピングや電流狭
窄のためのプロトン注入などのプロセスにおいて活性層
などの半導体層に損傷が生じることにより半導体レーザ
ーの特性の劣化を招いてしまうという問題があった。
ーザー構造を形成するための半導体層のエピタキシャル
成長後に多くの工程が必要であるばかりでなく、このエ
ピタキシャル成長後に行われる裏面ラッピングや電流狭
窄のためのプロトン注入などのプロセスにおいて活性層
などの半導体層に損傷が生じることにより半導体レーザ
ーの特性の劣化を招いてしまうという問題があった。
従って本発明の目的は、半導体レーザーの製造工程の簡
略化を図ることができる半導体レーザーの製造方法を提
供することにある。
略化を図ることができる半導体レーザーの製造方法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、エピタキシャル成長された活性層
などの半導体層に損傷が生じるのを防止することができ
る半導体レーザーの製造方法を提供することにある。
などの半導体層に損傷が生じるのを防止することができ
る半導体レーザーの製造方法を提供することにある。
本発明者の知見によれば、ある特定の結晶面方位を有す
る半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長させ、
この半導体層をエツチングによりある特定の方向に延び
るストライプ状の形状にパターンニングした場合、その
後に半導体層のエピタキシャル成長を行うと、このスト
ライプ状の半導体層の一方の側面では半導体層の成長が
起きるが、他方の側面ではほとんど半導体層の成長が起
きない。すなわち、このストライプ状の半導体層の一方
の側面は成長可面となるが、他方の側面は成長不可面と
なる。
る半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長させ、
この半導体層をエツチングによりある特定の方向に延び
るストライプ状の形状にパターンニングした場合、その
後に半導体層のエピタキシャル成長を行うと、このスト
ライプ状の半導体層の一方の側面では半導体層の成長が
起きるが、他方の側面ではほとんど半導体層の成長が起
きない。すなわち、このストライプ状の半導体層の一方
の側面は成長可面となるが、他方の側面は成長不可面と
なる。
本発明は、以上のような本発明者の知見に基づいて案出
されたものである。
されたものである。
すなわち、上記目的を達成するために、本発明は、半導
体レーザーの製造方法において、半導体基板（１）上に
その一方の側面が成長可面で他方の側面が成長不可面で
あるストライプ状の半導体層（２）を形成し、次いでレ
ーザー構造を形成するための半導体Ｊｉ （３，４，５
，６）のエピタキシャル成長を行うようにしている。
体レーザーの製造方法において、半導体基板（１）上に
その一方の側面が成長可面で他方の側面が成長不可面で
あるストライプ状の半導体層（２）を形成し、次いでレ
ーザー構造を形成するための半導体Ｊｉ （３，４，５
，６）のエピタキシャル成長を行うようにしている。
ここで、成長不可面とは、その上で半導体層（３，４，
５，６）の成長が全く起きない面のほか、半導体層（３
，４，５，６）の成長は起きるがその成長厚さが極めて
小さい面も含むものである。
５，６）の成長が全く起きない面のほか、半導体層（３
，４，５，６）の成長は起きるがその成長厚さが極めて
小さい面も含むものである。
上述のように構成された本発明の半導体レーザーの製造
方法によれば、レーザー構造を形成するための半導体層
（３，４，５，６）のエピタキシャル成長を行った場合
、ストライプ状の半導体層（２）の成長可面である一方
の側面では半導体層（３，４，５，６）のエピタキシャ
ル成長が起きるが、成長不可面である他方の側面では半
導体層（３，４，５，６）のエピタキシャル成長が全く
起きないか、あるいは起きてもその成長厚さは極めて小
さい。そして、ストライプ状の半導体層（２）の成長回
顧である一方の側面では、半導体層（３，４，５，６）
のエピタキシャル成長は、この側面に対してほぼ垂直な
方向もしくはこの方向からある角度傾いた方向に進み、
この側面に成長した半導体層（３，４，５，６）により
レーザー構造が形成される。
方法によれば、レーザー構造を形成するための半導体層
（３，４，５，６）のエピタキシャル成長を行った場合
、ストライプ状の半導体層（２）の成長可面である一方
の側面では半導体層（３，４，５，６）のエピタキシャ
ル成長が起きるが、成長不可面である他方の側面では半
導体層（３，４，５，６）のエピタキシャル成長が全く
起きないか、あるいは起きてもその成長厚さは極めて小
さい。そして、ストライプ状の半導体層（２）の成長回
顧である一方の側面では、半導体層（３，４，５，６）
のエピタキシャル成長は、この側面に対してほぼ垂直な
方向もしくはこの方向からある角度傾いた方向に進み、
この側面に成長した半導体層（３，４，５，６）により
レーザー構造が形成される。
このようにして形成されたレーザー構造においては、ス
トライプ状の半導体層（２）が従来の半導体レーザーに
おける裏面ラッピング後の半導体基板に相当する。この
裏面ラッピング後の半導体基板の厚さに相当するこのス
トライプ状の半導体層（２）の幅は、リソグラフィーや
エツチングにより決定することができる。このため、従
来の半導体レーザーの製造方法のように、レーザー構造
を形成するためのエピタキシャル成長を行った後に半導
体基板の裏面ラッピングを行う必要はなくなる。一方、
電流狭窄幅は、ストライプ状の半導体層（２）の厚さに
より決定することができる。
トライプ状の半導体層（２）が従来の半導体レーザーに
おける裏面ラッピング後の半導体基板に相当する。この
裏面ラッピング後の半導体基板の厚さに相当するこのス
トライプ状の半導体層（２）の幅は、リソグラフィーや
エツチングにより決定することができる。このため、従
来の半導体レーザーの製造方法のように、レーザー構造
を形成するためのエピタキシャル成長を行った後に半導
体基板の裏面ラッピングを行う必要はなくなる。一方、
電流狭窄幅は、ストライプ状の半導体層（２）の厚さに
より決定することができる。
このストライプ状の半導体層（２）の厚さは、半導体層
（２）のエピタキシャル成長を行う際に決定することが
できるので、所望の電流狭窄幅を容易に得ることができ
る。従って、従来の半導体レーザーの製造方法のように
、レーザー構造を形成するためのエピタキシャル成長を
行った後に、電流狭窄のためのプロトン注入を行ったり
、幅の狭いストライプを形成したりする必要がなくなる
。
（２）のエピタキシャル成長を行う際に決定することが
できるので、所望の電流狭窄幅を容易に得ることができ
る。従って、従来の半導体レーザーの製造方法のように
、レーザー構造を形成するためのエピタキシャル成長を
行った後に、電流狭窄のためのプロトン注入を行ったり
、幅の狭いストライプを形成したりする必要がなくなる
。
以上により、半導体レーザーの製造工程の簡略化を図る
ことができるとともに、エピタキシャル成長された半導
体層に損傷が生じるのを防止することができる。
ことができるとともに、エピタキシャル成長された半導
体層に損傷が生じるのを防止することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。以下の実施例は、いずれもｎ型ＡｌＧａＡｓ ／
ＧａＡｓ （へｌ：アルくニウム、Ｇａ：ガリウム、
Ａｓ：ヒ素）ダブルへテロ接合レーザーの製造に本発明
を適用した実施例である。なお、実施例の全図において
、同一部分には同一の符号を付す。
する。以下の実施例は、いずれもｎ型ＡｌＧａＡｓ ／
ＧａＡｓ （へｌ：アルくニウム、Ｇａ：ガリウム、
Ａｓ：ヒ素）ダブルへテロ接合レーザーの製造に本発明
を適用した実施例である。なお、実施例の全図において
、同一部分には同一の符号を付す。
第１図Ａ〜第１図りは本発明の一実施例によるｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブルへテロ接合レーザーの
製造方法を示す。
ｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブルへテロ接合レーザーの
製造方法を示す。
この実施例においては、第１図Ａに示すように、まず例
えば（１１２）面方位でその表面が（１１２）Ｂ面（Ａ
ｓ面）である半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えば有機金
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えばｎ型Ｇａ
Ａｓ層２のエピタキシャル成長を行った後、このｎ型Ｇ
ａＡｓ層２を例えば反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）
法によりエツチングしてストライプ状にパターンニング
する。このパターンニングにより形威されたストライプ
状のｎ型ＧａＡｓ層２の長手方向は＜１１０＞、方向と
なるようにする。この場合、このストライプ状のｎ型Ｇ
ａＡｓ層２の図中左側及び右側の側面はそれぞれ（１１
１）Ａ面（Ｇａ面）及び（１１１）Ｂ面である。なお、
このストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の厚さは、例えば
〜１μｍである。
えば（１１２）面方位でその表面が（１１２）Ｂ面（Ａ
ｓ面）である半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えば有機金
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えばｎ型Ｇａ
Ａｓ層２のエピタキシャル成長を行った後、このｎ型Ｇ
ａＡｓ層２を例えば反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）
法によりエツチングしてストライプ状にパターンニング
する。このパターンニングにより形威されたストライプ
状のｎ型ＧａＡｓ層２の長手方向は＜１１０＞、方向と
なるようにする。この場合、このストライプ状のｎ型Ｇ
ａＡｓ層２の図中左側及び右側の側面はそれぞれ（１１
１）Ａ面（Ｇａ面）及び（１１１）Ｂ面である。なお、
このストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の厚さは、例えば
〜１μｍである。
次に、例えばＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＡｌＧａＡｓのエ
ピタキシャル成長を行う。このＭＯＣＶＤにおいては、
トリメチル系の原料を用いる。例えば、ＡＩの原料とし
てはＴＭＡ（）リメチルアルミニウム、（ＣＨ３）３
Ａｌ） 、Ｇａの原料としてはＴＭＧ（トリメチルガリ
ウム、（ＣＨ３） ３ Ｇａ）を用いる。
ピタキシャル成長を行う。このＭＯＣＶＤにおいては、
トリメチル系の原料を用いる。例えば、ＡＩの原料とし
てはＴＭＡ（）リメチルアルミニウム、（ＣＨ３）３
Ａｌ） 、Ｇａの原料としてはＴＭＧ（トリメチルガリ
ウム、（ＣＨ３） ３ Ｇａ）を用いる。
Ａｓの原料としては、例えばＡＳＨ３（アルシン）を用
いる。このエピタキシャル成長によって、第１図Ｂに示
すように、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の（１１１
）Ａ面である図中左側の側面ではｎ型ＡｌＧａＡｓ層３
の成長が起きるが、（１１１） Ｂ面である図中右側の
側面ではｎ型ＡｌＧａＡｓ層３の成長は起きない。すな
わち、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の（１１１）
Ａ面である図中左側の側面は成長可面であり、（１１１
） Ｂ面である図中右側の側面は成長不可面である。な
お、この場合、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にも薄くｎ型
ＡｌＧａＡｓ層３が成長する。
いる。このエピタキシャル成長によって、第１図Ｂに示
すように、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の（１１１
）Ａ面である図中左側の側面ではｎ型ＡｌＧａＡｓ層３
の成長が起きるが、（１１１） Ｂ面である図中右側の
側面ではｎ型ＡｌＧａＡｓ層３の成長は起きない。すな
わち、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の（１１１）
Ａ面である図中左側の側面は成長可面であり、（１１１
） Ｂ面である図中右側の側面は成長不可面である。な
お、この場合、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にも薄くｎ型
ＡｌＧａＡｓ層３が成長する。
次に、上述と同様にしてトリメチル系の原料を用いたＭ
ＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ、 ｐ型ＡｌＧａＡｓ及びｐ
型ＧａＡｓのエピタキシャル成長を順次行う。これによ
って、第１図Ｃに示すように、上述のｎ型ＡｔＧａＡｓ
層３の場合と同様に、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２
の（１１１） Ａ面である図中左側の側面に成長したｎ
型ＡｌＧａＡｓ層３上ではＧａＡｓ層４、Ｐ型組ＧａＡ
ｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６が成長するが、（１１１）
Ｂ面である図中右側の側面ではこれらのＧａＡｓ層４、
ｐ型ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６の成長は起
きない。なお、ストライプ状のｎ型Ｇ’ａ Ａ ｓ層２
の上面でのｐ型ＧａＡｓ層６の成長は、その断面形状で
見て三角形の頂点が形威された時点で自動的に停止する
。
ＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ、 ｐ型ＡｌＧａＡｓ及びｐ
型ＧａＡｓのエピタキシャル成長を順次行う。これによ
って、第１図Ｃに示すように、上述のｎ型ＡｔＧａＡｓ
層３の場合と同様に、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２
の（１１１） Ａ面である図中左側の側面に成長したｎ
型ＡｌＧａＡｓ層３上ではＧａＡｓ層４、Ｐ型組ＧａＡ
ｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６が成長するが、（１１１）
Ｂ面である図中右側の側面ではこれらのＧａＡｓ層４、
ｐ型ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６の成長は起
きない。なお、ストライプ状のｎ型Ｇ’ａ Ａ ｓ層２
の上面でのｐ型ＧａＡｓ層６の成長は、その断面形状で
見て三角形の頂点が形威された時点で自動的に停止する
。
次に、第１図りに示すように、斜め蒸着法などにより、
Ｐ型ＧａＡｓ層６に対してオー逅ツクコンタクトする電
極７及びｎ型ＧａＡｓ層２に対してオーくツクコンタク
トする電極８を形成する。
Ｐ型ＧａＡｓ層６に対してオー逅ツクコンタクトする電
極７及びｎ型ＧａＡｓ層２に対してオーくツクコンタク
トする電極８を形成する。
この後、へき開などにより鏡面を形威して、目的とする
ｎ型ＡｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブルへテロ接合レー
ザーを完成させる。この場合、鏡面としては（１１０）
面を用いる。
ｎ型ＡｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブルへテロ接合レー
ザーを完成させる。この場合、鏡面としては（１１０）
面を用いる。
このようにして製造されたダブルへテロ接合レーザーに
おいては、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３及びｐ型ＡｌＧａＡｓ
層５がクラッド層を形威し、それらの間にはさまれたＧ
ａＡｓ層４が活性層を形成する。そして、電極７．８間
にしきい値電流以上の順方向電流を流すことによりレー
ザー発振を行わせることができる。この場合、レーザー
光の発光方向は（１１０＞方向またはこれと正反対の方
向である。
おいては、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３及びｐ型ＡｌＧａＡｓ
層５がクラッド層を形威し、それらの間にはさまれたＧ
ａＡｓ層４が活性層を形成する。そして、電極７．８間
にしきい値電流以上の順方向電流を流すことによりレー
ザー発振を行わせることができる。この場合、レーザー
光の発光方向は（１１０＞方向またはこれと正反対の方
向である。
以上のように、この実施例によれば、その一方の側面が
戊辰回顧（（１１１）Ａ面）であり、他方の側面が成長
不可面（（１１１）Ｂ面）であるストライプ状のｎ型Ｇ
ａＡｓ層２を形威し、その後ＭＯＣＶＤ法によりレーザ
ー構造を形成するためのエピタキシャル成長を行うこと
により、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の成長可面で
ある一方の側面０ （（１１１）Ａ面）にｎ型ＡｌＧａＡｓ層３、ＧａＡｓ
層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６を成
長させてレーザー構造を形成することができる。この場
合、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２が従来の半導体レ
ーザーにおける裏面ラッピング後の半導体基板に相当し
、従って従来のように半導体基板の裏面ラッピングを行
う必要はなくなる。また、電流狭窄幅は、ストライプ状
のｎ型ＧａＡｓ層２の厚さによって決定することができ
るので、電流狭窄のためのプロトン注入や幅の狭いスト
ライプの形成なとは不要となる。なお、この場合、電流
狭窄幅は、このｎ型ＧａＡｓ層２の厚さよりも小さくな
る。
戊辰回顧（（１１１）Ａ面）であり、他方の側面が成長
不可面（（１１１）Ｂ面）であるストライプ状のｎ型Ｇ
ａＡｓ層２を形威し、その後ＭＯＣＶＤ法によりレーザ
ー構造を形成するためのエピタキシャル成長を行うこと
により、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の成長可面で
ある一方の側面０ （（１１１）Ａ面）にｎ型ＡｌＧａＡｓ層３、ＧａＡｓ
層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６を成
長させてレーザー構造を形成することができる。この場
合、ストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２が従来の半導体レ
ーザーにおける裏面ラッピング後の半導体基板に相当し
、従って従来のように半導体基板の裏面ラッピングを行
う必要はなくなる。また、電流狭窄幅は、ストライプ状
のｎ型ＧａＡｓ層２の厚さによって決定することができ
るので、電流狭窄のためのプロトン注入や幅の狭いスト
ライプの形成なとは不要となる。なお、この場合、電流
狭窄幅は、このｎ型ＧａＡｓ層２の厚さよりも小さくな
る。
以上のように、レーザー構造を形成するためのエピタキ
シャル成長を行った後に裏面ラッピングやプロトン注入
あるいは幅の狭いストライプの形成などを行う必要がな
くなるので、ダブルへテロ接合レーザーの製造工程の簡
略化を図ることができるとともに、エピタキシャル成長
された活性層などに損傷が生しるのを防止することがで
き、これによってレーザー特性の劣化を防止することが
１ できる。
シャル成長を行った後に裏面ラッピングやプロトン注入
あるいは幅の狭いストライプの形成などを行う必要がな
くなるので、ダブルへテロ接合レーザーの製造工程の簡
略化を図ることができるとともに、エピタキシャル成長
された活性層などに損傷が生しるのを防止することがで
き、これによってレーザー特性の劣化を防止することが
１ できる。
なお、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にもｎ型ＡｌＧａＡｓ
層３、ＧａＡｓ層４、ｐ型合１ＧａＡｓ層５及びｐ型Ｇ
ａＡｓ層６が薄く成長することから、電極７，８間に電
流を流した場合に、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に成長し
たこれらのｎ型ＡｌＧａＡｓ層３、ＧａＡｓ層４、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６にもリーク電流
が流れることも考えられるが、このリーク電流は半絶縁
性ＧａＡｓ基板１上に成長したこれらのｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層３、ＧａＡｓ層４、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型
ＧａＡｓ層６にアイソレーション処理を施すことにより
解消することができる。
層３、ＧａＡｓ層４、ｐ型合１ＧａＡｓ層５及びｐ型Ｇ
ａＡｓ層６が薄く成長することから、電極７，８間に電
流を流した場合に、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に成長し
たこれらのｎ型ＡｌＧａＡｓ層３、ＧａＡｓ層４、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型ＧａＡｓ層６にもリーク電流
が流れることも考えられるが、このリーク電流は半絶縁
性ＧａＡｓ基板１上に成長したこれらのｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層３、ＧａＡｓ層４、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ層５及びｐ型
ＧａＡｓ層６にアイソレーション処理を施すことにより
解消することができる。
次に、本発明の他の実施例によるｎ型ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓダブルへテロ接合レーザーの製造方法について第
２図を参照しながら説明する。
ａＡｓダブルへテロ接合レーザーの製造方法について第
２図を参照しながら説明する。
第２図に示すように、この実施例においては、例えば面
方位が（１１３）でその表面が（１１３）Ｂ面である半
絶縁性ＧａＡｓ基板ｌを用い、まずこの半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板１上に上述の実施例と同様にしてストライプ状の
ｎ型ＧａＡｓ層２を形成する。ここ２ で、このストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の長手方向は
＜１１０＞方向となるようにする。このストライプ状の
ｎ型ＧａＡｓ層２の図中左側及び右側の側面はそれぞれ
（１１１）Ａ面及び（１１１）Ｂ面である。そして、こ
のストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の図中左側の側面（
（１１１）Ａ面）が成長回部であり、図中右側の側面（
（１１１）Ｂ面）が成長不可面である。
方位が（１１３）でその表面が（１１３）Ｂ面である半
絶縁性ＧａＡｓ基板ｌを用い、まずこの半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板１上に上述の実施例と同様にしてストライプ状の
ｎ型ＧａＡｓ層２を形成する。ここ２ で、このストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の長手方向は
＜１１０＞方向となるようにする。このストライプ状の
ｎ型ＧａＡｓ層２の図中左側及び右側の側面はそれぞれ
（１１１）Ａ面及び（１１１）Ｂ面である。そして、こ
のストライプ状のｎ型ＧａＡｓ層２の図中左側の側面（
（１１１）Ａ面）が成長回部であり、図中右側の側面（
（１１１）Ｂ面）が成長不可面である。
次に、上述の実施例と同様にしてトリメチル系の原料を
用いたＭＯＣＶＤ法により、ｎ型＾ｌＧａＡｓ、ＧａＡ
ｓ、 ｐ型ＡｌＧａＡｓびｐ型ＧａＡｓのエピタキシャ
ル成長を順次行う。これによって、ストライプ状のｎ型
ＧａＡｓ層２の図中左側の側面、すなわち成長回部にｎ
型ＡｌＧａＡｓ層３、ＧａＡｓ層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ
層５及びｐ型ＧａＡｓ層６がエピタキシャル成長してレ
ーザー構造が形成される。なお、ストライプ状のｎ型Ｇ
ａＡｓ層２の図中左側の側面（成長回部）にｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層３がエピタキシャル成長する場合、成長がある
程度進んだ状態でその成長面が（１１１）面に平行にな
ると考えられる。
用いたＭＯＣＶＤ法により、ｎ型＾ｌＧａＡｓ、ＧａＡ
ｓ、 ｐ型ＡｌＧａＡｓびｐ型ＧａＡｓのエピタキシャ
ル成長を順次行う。これによって、ストライプ状のｎ型
ＧａＡｓ層２の図中左側の側面、すなわち成長回部にｎ
型ＡｌＧａＡｓ層３、ＧａＡｓ層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ
層５及びｐ型ＧａＡｓ層６がエピタキシャル成長してレ
ーザー構造が形成される。なお、ストライプ状のｎ型Ｇ
ａＡｓ層２の図中左側の側面（成長回部）にｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層３がエピタキシャル成長する場合、成長がある
程度進んだ状態でその成長面が（１１１）面に平行にな
ると考えられる。
３
この後、上述の実施例と同様にして電極７，８の形成な
どの工程を経て、目的とするｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓダブルへテロ接合レーザーを完成させる。
どの工程を経て、目的とするｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓダブルへテロ接合レーザーを完成させる。
この実施例によれば、上述の実施例と同様に、ダブルへ
テロ接合レーザーの製造工程の簡略化を図ることができ
るとともに、エピタキシャル成長された活性層などに損
傷が生じるのを防止することができる。
テロ接合レーザーの製造工程の簡略化を図ることができ
るとともに、エピタキシャル成長された活性層などに損
傷が生じるのを防止することができる。
以上、本発明の実施例につ７き具体的に説明したが、本
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、その表面が（１１２
）Ｂ面または（１１３）Ｂ面である半絶縁性ＧａＡｓ基
板１を用いた場合について説明したが、例えばその表面
が（１１５）面、（１１７）Ｂ面、（１１９）Ｂ面など
である半絶縁性ＧａＡｓ基板１を用いることも可能であ
る。また、半絶縁性ＧａＡｓ基板１以外の他の半導体基
板を用いることも可能である。
）Ｂ面または（１１３）Ｂ面である半絶縁性ＧａＡｓ基
板１を用いた場合について説明したが、例えばその表面
が（１１５）面、（１１７）Ｂ面、（１１９）Ｂ面など
である半絶縁性ＧａＡｓ基板１を用いることも可能であ
る。また、半絶縁性ＧａＡｓ基板１以外の他の半導体基
板を用いることも可能である。
４
さらに、上述の実施例における各半導体層の導電型が逆
の場合にも本発明の適用が可能である。
の場合にも本発明の適用が可能である。
また、上述の実施例においては、ｎ型ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓダブルへテロ接合レーザーの製造に本発明を適用
した場合について説明したが、本発明は、他の半導体へ
テロ接合を用いた半導体レーザーの製造に適用すること
も可能であることは言うまでもない。
ａＡｓダブルへテロ接合レーザーの製造に本発明を適用
した場合について説明したが、本発明は、他の半導体へ
テロ接合を用いた半導体レーザーの製造に適用すること
も可能であることは言うまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、半導体基板上にそ
の一方の側面が成長回顧で他方の側面が戊辰不回顧であ
るストライプ状の半導体層を形威し、その後レーザー構
造を形成するための半導体層のエピタキシャル成長を行
うようにしているので、半導体レーザーの製造工程の簡
略化を図ることができるとともに、エピタキシャル成長
された半導体層に損傷が生じるのを防止することができ
る。
の一方の側面が成長回顧で他方の側面が戊辰不回顧であ
るストライプ状の半導体層を形威し、その後レーザー構
造を形成するための半導体層のエピタキシャル成長を行
うようにしているので、半導体レーザーの製造工程の簡
略化を図ることができるとともに、エピタキシャル成長
された半導体層に損傷が生じるのを防止することができ
る。
５
第１図Ａ〜第１図りは本発明の一実施例によるｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブルへテロ接合レーザーの
製造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は本
発明の他の実施例によるｎ型ＡｌＧａＡｓ ／ ＧａＡ
ｓダブルへテロ接合レーザーの製造方法を説明するため
の断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２：ｎ型ＧａＡｓ層、３
：ｎ型＾ｌＧａＡｓ１ｉ、 ４ ： ＧａＡｓ層、
５：ｐ型ＡｌＧａＡｓ層、 ６：ｐ型ＧａＡｓ層。
ｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブルへテロ接合レーザーの
製造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は本
発明の他の実施例によるｎ型ＡｌＧａＡｓ ／ ＧａＡ
ｓダブルへテロ接合レーザーの製造方法を説明するため
の断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２：ｎ型ＧａＡｓ層、３
：ｎ型＾ｌＧａＡｓ１ｉ、 ４ ： ＧａＡｓ層、
５：ｐ型ＡｌＧａＡｓ層、 ６：ｐ型ＧａＡｓ層。
Claims (1)
- 半導体基板上にその一方の側面が成長可面で他方の側面
が成長不可面であるストライプ状の半導体層を形成し、
その後レーザー構造を形成するための半導体層のエピタ
キシャル成長を行うようにしたことを特徴とする半導体
レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1562090A JPH03220786A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体レーザーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1562090A JPH03220786A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体レーザーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220786A true JPH03220786A (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=11893753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1562090A Pending JPH03220786A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体レーザーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03220786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013222844A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1562090A patent/JPH03220786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013222844A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子 |
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