JP7210876B2 - 光デバイス - Google Patents
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Description
まず、図3Aに示すように、基板101の上に、下部クラッド層110を形成する。公知の有機金属化学気相成長(MOCVD)や分子線エピタキシー(MBE)などにより、ノンドープの化合物半導体または半絶縁性の化合物半導体を定積することで、下部クラッド層110とすればよい。また、別途に用意した成長基板の上に形成した下部クラッド層110を、Siなどから構成した基板101にウェハ直接接合により貼り付けるようにしてもよい。
Claims (3)
- 基板の上に形成された化合物半導体からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に形成された化合物半導体からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層の上に接して形成された化合物半導体からなる活性層と、
前記第2半導体層の上で前記基板の平面に平行な方向に前記活性層を挟んで形成されたp型の化合物半導体からなる第3半導体層およびn型の化合物半導体からなる第4半導体層と、
前記活性層の上に形成された化合物半導体からなる第5半導体層と
を備え、
前記第2半導体層および前記第5半導体層は、前記活性層よりバンドギャップの大きい化合物半導体から構成され、
前記第3半導体層および前記第4半導体層は、前記活性層より屈折率が低く、かつ前記活性層よりバンドギャップの大きい化合物半導体から構成され、
前記第1半導体層は、前記第2半導体層、前記第3半導体層、および前記第4半導体層よりバンドギャップの大きい化合物半導体から構成され、
前記第1半導体層は、前記第2半導体層、前記第3半導体層、および前記第4半導体層の下に配置され、
前記第1半導体層は、化合物半導体からなる下部クラッド層を介して前記基板の上に形成され、
前記基板は、SiO 2 から構成され、
前記下部クラッド層、前記第1半導体層、前記第2半導体層、前記活性層、前記第5半導体層の合計膜厚は、400nm以下とされている
ことを特徴とする光デバイス。 - 請求項1記載の光デバイスにおいて、
前記第3半導体層に接続された第1電極と、
前記第4半導体層に接続された第2電極と
を更に備えることを特徴とする光デバイス。 - 請求項1または2記載の光デバイスにおいて、
前記活性層は、多重量子井戸構造とされていることを特徴とする光デバイス。
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HASEBE, Koichi et al.,Design and Fabrication of Directly-Modulated 1.3-μm Lateral-current-injection Lasers,2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)],IEEE,2016年06月26日,ThD1-5,DOI:10.1109/ICIPRM.2016.7528753 |
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