JP6613747B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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Description
(構造A)
半導体レーザ11aを説明する。基板13は、絶縁性又は半絶縁性の主面13aを有している。基板13の主面13aにおける絶縁性又は半絶縁性は、コレクタ領域19をエミッタ領域17から電気的に分離するために役立つ。基板13の主面13aの第1エリア上には、第2光学クラッド層29、発光領域15及び第1光学クラッド層27が順に配列されている。第2エリア13c上のエミッタ領域17の第1導電型半導体が、第2光学クラッド層29の側面、発光領域15の側面及び第1光学クラッド層27の側面に接触を成している。第3エリア13d上のコレクタ領域19の第1導電型半導体が、第2光学クラッド層29の側面、発光領域15の側面及び第1光学クラッド層27の側面に接触を成している。半導体レーザ11aは、エミッタ領域17上に設けられた第1電極31aと、コレクタ領域19上に設けられた第2電極31bとを備え、第1電極31a及び第2電極31bは、それぞれ、エミッタ領域17の第1導電型半導体及びコレクタ領域19の第1導電型半導体にオーミック接触を成す。矢印(C1)はエミッタ領域17内におけるキャリアの流れを示し、矢印(C2)はコレクタ領域19内におけるキャリアの流れを示す。基板13の主面13aに沿ってエミッタ領域17、発光領域15及びコレクタ領域19が配置されるので、第1電極31a及び第2電極31bを、比較的波長の長いレーザ光を伝搬させるメサ構造MSの上面から離すことができる。
半導体レーザ11bを説明する。基板13は、絶縁性又は半絶縁性の主面13aを有している。基板13の主面13aの第1エリア上には、第2光学クラッド層29、発光領域15及び第1光学クラッド層27が順に配列されている。第2エリア13c上のエミッタ領域17は、メサ構造MSの側面に接触を成す第1半導体層33aと、第1半導体層33a上に設けられた第2半導体層33bを備える。第1半導体層33aは、図2に示されるように、上位エネルギー準位E3に等しい又は高い(キャリア極性に応じた電位の向きに高い)伝導バンドエネルギーを有する半導体を有する。第2半導体層33bは、発光領域15の等価的な屈折率よりも小さい屈折率を有する半導体を備える。第1半導体層33aの伝導バンドエネルギーレベルは、大きな外部印加電圧を必要とせずに、エミッタ領域17から発光領域15の上位エネルギー準位E3へのキャリア注入を容易にする。第3エリア13d上のコレクタ領域19は、メサ構造MSの側面に接触を成す第3半導体層35aと、第3半導体層35a上に設けられた第4半導体層35bとを備える。第3半導体層35aは、図2に示されるように、下位エネルギー準位E2、好ましく緩和エネルギー準位E1に等しいか又は低い伝導バンドエネルギーを有する半導体を有する。第4半導体層35bは、発光領域15の等価的な屈折率よりも小さい屈折率を有する半導体を備える。第3半導体層35aの伝導バンドエネルギーレベルは、大きな外部印加電圧を必要とせずに、発光領域15のエネルギー準位からコレクタ領域19へのキャリア引き抜きを容易にする。半導体レーザ11bは、エミッタ領域17上に設けられた第1電極31aと、コレクタ領域19上に設けられた第2電極31bとを備え、第1電極31a及び第2電極31bは、それぞれ、エミッタ領域17の第1導電型半導体及びコレクタ領域19の第1導電型半導体にオーミック接触を成す。矢印(C3)はエミッタ領域17内におけるキャリアの流れを示し、矢印(C4)はコレクタ領域19内におけるキャリアの流れを示す。
半導体レーザ11cを説明する。基板13は、導電性を有している。この導電性に起因して、エミッタ領域17を基板13から絶縁する必要がある。この絶縁のために、本実施例では、半導体レーザ11cは、基板13の主面13aの第1エリア13b及び第2エリア13c上に設けられたアイソレーション領域37を備える。アイソレーション領域37は、絶縁性又は半絶縁性の半導体を備えており、エミッタ領域17及び発光領域を基板13から絶縁する。この構造では、アイソレーション領域37に光学クラッドの役割を付与することができ、可能な場合には、下部クラッド(第2光学クラッド層29)を省略してもよい。基板13の主面13aの第1エリア上には、第2光学クラッド層29、発光領域15及び第1光学クラッド層27が順に配列されている。アイソレーション領域37及び第2エリア13c上のエミッタ領域17の第1導電型半導体が、第2光学クラッド層29の一側面、発光領域15の一側面及び第1光学クラッド層27の一側面に接触を成している。第3エリア13d上のコレクタ領域19の第1導電型半導体が、アイソレーション領域37の他側面、第2光学クラッド層29の他側面、発光領域15の他側面及び第1光学クラッド層27の他側面に接触を成している。本実施例では、第2エリア13c上のエミッタ領域17は、メサ構造MSの側面に接触を成す第1半導体層33aと、第1半導体層上に設けられた第2半導体層33bを備える。第3エリア13d上のコレクタ領域19は、メサ構造MSの側面に接触を成す第3半導体層35aと、第3半導体層上に設けられた第4半導体層35bを備える。構造Cに、構造Aにおけるエミッタ領域17及びコレクタ領域19の構造を適用することができる。半導体レーザ11cでは、第1電極31aがエミッタ領域17上に設けられる一方、第3電極31cが基板13の裏面13e上に設けられる。第1電極31a及び第3電極31cは、それぞれ、エミッタ領域17の第1導電型半導体及び基板13の裏面13eの第1導電型半導体にオーミック接触を成す。矢印(C5)はエミッタ領域17内におけるキャリアの流れを示し、矢印(C6)は基板13及びコレクタ領域19内におけるキャリアの流れを示す。
図3を参照しながら、量子井戸構造の構造を説明する。引き続く説明では、電子がキャリアとして利用されるが、同様に、正孔をキャリアとして利用されることができる。上位エネルギー準位E3から下位エネルギー準位E2への遷移確率を高めるために、キャリアの引き抜きにより下位エネルギー準位E2上のキャリア密度を下げることが好適である。量子井戸構造21の一例は、複数(例えば2つ)の井戸層(21a、21b)と、これらの井戸層を隔てる一又は複数の障壁層とを備えることが良い。障壁層(21c)は、障壁層(21d)に比べて薄くして、井戸層(21a、21b)内の電子の波動関数がそれぞれ障壁層(21c)を介して井戸層(21b、21a)に浸みだして互いに結合する。この構造を「結合量子井戸」として参照する。結合量子井戸は、障壁層(21c)の中心線(厚み方向の中心)を基準にして左右に対称な井戸構造を有する。このような構造では、下位エネルギー準位E2よりLOフォノンエネルギーと同程度に低い緩和エネルギー準位E1を形成することができ、上位エネルギー準位E3から下位エネルギー準位E2に発光遷移した電子を速やかにフォノン散乱(共鳴)によって緩和エネルギー準位E1に遷移させることができる。また、結合量子井戸は、上位エネルギー準位E3の波動関数と下位エネルギー準位E2の波動関数との重なりを大きくして、発光遷移確率を増加させ、これによりレーザ利得を増大できる。
結合量子井戸の具体例。
井戸層/障壁層:アンドープInGaAs/アンドープAllnAs。
井戸層(21a)厚:4nm。
内側の障壁層(21d)厚:2nm。
井戸層(21b)厚:4nm。
外側の障壁層(21c)厚:10nm。
発振に係るエネルギー差(上位エネルギー準位E3と下位エネルギー準位E2との差):270meV(発振波長:4.6μm)。
光学利得:96cm−1/period。
Epop(下位エネルギー準位E2と緩和エネルギー準位E1との差):35.6meV。
基板13:InP基板。
また、発光領域が、量子カスケード半導体レーザにおける注入層を必須である構造を必要としない。これ故に、量子井戸構造の設計の自由度が大きい。また、例えば外側の障壁層のAlInAsの厚さも含めた4層の設計において、障壁層には引っ張りの応力を導入しまた井戸層には圧縮の応力を導入する格子の不整合を利用すると共に、引っ張りと圧縮の応力を量子井戸構造の全体として実質的に相殺することによって、良好な結晶性を保ちながら、大きな導電帯バンドギャップ差(深い量子井戸の形成)を形成することができる。これによって、キャリヤの漏洩を抑制することによる温度特性の改善、及び発振波長範囲の拡大を提供できる。
図4に示されるように、量子井戸構造の障壁層の少なくとも一部に、キャリアの極性と同じ極性のドーパントを添加することができる。この添加により、両井戸層への注入効率を改善できる。例えば、10nm厚のAlInAs障壁層において、井戸層に接する薄層領域21ca、21ccをアンドープにすると共に、これらの間にドーパント添加の薄層領域21cbを設けることができる。ドーピング濃度は自由キャリア吸収による損失を低減するために1017cm−3程度又はそれ以下であることが良い。このドーパント添加の薄層領域は、発光領域の半導体積層における面内方向の導電性を高めることができ、エミッタ領域から面内の方向に離れた位置において井戸層にキャリアを提供できる。
Claims (4)
- 半導体レーザであって、
第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を有する基板と、
前記主面に交差する第1軸の方向に配列された複数の単位セルを有する量子井戸構造を含み前記基板の前記第1エリア上に設けられた発光領域と、
前記第2エリア上に設けられた第1導電型の第1半導体を備え、前記発光領域に接触を成すエミッタ領域と、
前記第3エリア上に設けられた第1導電型の第2半導体を備え、前記発光領域に接触を成すコレクタ領域と、
を備え、
前記第1エリア及び前記第2エリアは、前記第1軸に交差する第2軸の方向に配列され、
前記第1エリア及び前記第3エリアは、前記第1軸に交差する第3軸の方向に配列され、
前記第2エリアは前記第3エリアから離れており、
前記単位セルの各々は、第1井戸層、第2井戸層、第1障壁層、及び第2障壁層を含み、
前記単位セル内において、前記第2障壁層、前記第1井戸層、前記第1障壁層、及び前記第2井戸層は、前記第1軸の方向に順に配列されて、上位エネルギー準位及び下位エネルギー準位を提供する、半導体レーザ。 - 前記第1障壁層の厚さは前記第2障壁層の厚さより小さい、請求項1に記載された半導体レーザ。
- 前記第1障壁層の一部又は全部に、ドーパントが添加されている、請求項1又は請求項2に記載された半導体レーザ。
- 前記第2障壁層の一部又は全部に、ドーパントが添加されている、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載された半導体レーザ。
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