JP5916753B2 - ナノインプリントリソグラフィ方法 - Google Patents
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Description
− 前記隣接領域128上に位置するレジストが、その活性化に十分な線量を吸収する。従って、このレジストは、現像後に定位置に残る。
− パターン127の底部に位置するレジストが、その活性化に不十分な線量を吸収する。従って、このレジストは、現像時に除去される。
− パターン127の底部に位置するレジストが、その活性化に十分な線量を吸収する。従って、このレジストは、現像後に定位置に残る。
− パターン127に隣接する前記領域128に位置するレジストが、その活性化に不十分な線量を吸収する。従って、このレジストは、現像時に除去される。
R+T+A=1
によりレジスト膜の吸収度を決定することが可能となる。
ここで、
R:反射率
T:透過率
A:吸収度
である。
51 突起突出部
52 突起突出部
53 突起突出部
54 突起突出部
55 突起突出部
61 パターン
62 パターン
63 パターン
64 パターン
65 パターン
71 トレンチ
72 トレンチ
73 パターン
101 第1のステップ
102 ステップ
103 ステップ
104 ステップ
105 現像ステップ
110 基板
111 底部部分
112 頂部部分
120 レジスト層
121 厚さ
122 厚さ
123 領域、パターン
124 厚さ、部分
125 幅狭パターン領域、幅狭トレンチ、パターン
126 パターン、部分、幅広パターン
127 パターン
128 隣接領域、レジスト、非押し付け部分、厚いレジスト部分、
129 隣接領域
130 型
131 高さ
132 突出部
140 日射
142 第1の日射線量
144 第2の日射線量
210 グラフ
212 商業的参照事項
214 線量−サイズ
216 厚さ
218 曲線、実験曲線、正弦波
220 グラフ
222 吸収度
224 厚さ
226 曲線、計算曲線、正弦波吸収度曲線
230 グラフ
232 線量窓
234 厚さ
236 厚さ
240 グラフ
242 曲線
244 曲線、高吸収度曲線
246 寸法
248 パターン
410 最大吸収度、最大値、吸収度ピーク
420 最小吸収度、最小値
610 レジスト
620 幅狭ライン
Claims (19)
- 感光性レジスト(120)が基板(110)上に堆積される準備ステップと、
前記レジスト中に隣接する2つの領域(128、129)により少なくとも部分的に範囲規定される少なくとも1つのインプリントパターン(127)を形成するために前記レジスト(120)中に型(130、50)を押し付ける少なくとも1つのステップであって、前記2つの領域(128、129)の一方(129)が、前記2つの領域(128、129)の他方(128)の厚さ(ef)未満の厚さ(er)を有する少なくとも1つのステップと、
を含む、ナノメートルインプリントリソグラフィ方法において、
前記方法は、前記2つの領域(128、129)が同じ日射線量を受ける、少なくとも前記2つの領域(128、129)を露光するステップを含むことを特徴とし、且つ、
前記2つの領域(128、129)の前記厚さ(er、ef)が、活性化されるために、前記2つの領域(128、129)の中の一方の前記レジストが前記2つの領域(128、129)の他方の前記レジストを活性化させるのに必要な日射線量とは異なる日射線量を必要とするように規定されること、並びに前記露光ステップにより与えられる日射線量が、前記2つの領域(128、129)の一方のみの前記レジストを活性化するのに十分な大きさとなるように、及び前記2つの領域(128、129)の他方を活性化するのには不十分になるように、決定されること、
を特徴とする方法。 - 前記レジスト(120)の厚さに応じた前記レジスト(120)による日射線量の吸収度により、実質的に正弦波状の曲線(218、226)が規定され、前記2つの領域(128、129)の一方の前記レジスト(120)の前記厚さが、前記正弦波曲線の最大値(410)に実質的に対応し、前記2つの領域(128、129)の他方の前記レジストの前記厚さが、前記正弦波曲線(218、226)の最小値(420)に実質的に対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記2つの領域(128、129)のレジストの前記厚さ(er、ef)は、前記2つの領域(128、129)の一方を活性化するのに必要な前記線量と、前記2つの領域(128、129)の他方を活性化するのに必要な前記線量との間の差が、少なくとも5mJ/cm2となるように決定される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記レジストはポジ感光性レジストであり、前記厚さ(er、ef)は、最小厚さ(er)を有する前記領域(129)の前記レジストが最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストの吸収度よりも低い吸収度を有するように決定され、前記露光ステップにより与えられる前記日射線量は、前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストを活性化し、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)の前記レジストを活性化しないことにより、前記インプリントパターン(127)の反転である最終パターン(126)を得るように規定される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジストはネガ感光性レジストであり、前記厚さ(er、ef)は、前記最小厚さを有する前記領域(129)が前記最大厚さ(er)を有する前記領域(128)の前記レジストの吸収度よりも高い吸収度を有するように決定され、前記露光ステップにより与えられる前記日射線量は、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)の前記レジストを活性化し、前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストを活性化しないことにより、前記インプリントパターン(127)の反転である最終パターン(126)を得るように規定される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジストの現像後に、追加のエッチングステップが実施されて、前記現像ステップ後に前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)内において前記基板(110)上に残るレジスト部分を除去する、請求項4または5に記載の方法。
- 前記レジストは、ポジ感光性レジストであり、前記厚さ(er、ef)は、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)の前記レジストが前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストの吸収度よりも高い吸収度を有するように決定され、前記露光ステップにより与えられる前記日射線量は、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)の前記レジストを活性化し、前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストを活性化しないことにより、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)のレジスト残渣を除去するように規定される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジストは、ネガ感光性レジストであり、前記厚さ(er、ef)は、前記最小厚さを有する前記領域(129)の前記レジストが前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストの吸収度よりも弱い吸収度を有するように決定され、前記露光ステップにより与えられる前記日射線量は、前記最大厚さ(ef)を有する前記領域(128)の前記レジストを活性化し、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)の前記レジストを活性化しないことにより、前記最小厚さ(er)を有する前記領域(129)のレジスト残渣を除去するように規定される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記押し付けるステップの後に、異なる厚さ(er0、er1、er2、er3)を有する複数のインプリントパターン(61、62、63、64、65)が得られ、これらの厚さの中の少なくとも1つが吸収度最大値に相当し、これらの厚さの中の別の少なくとも1つが吸収度最小値に相当する、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記型(50)は、異なる高さの突起突出部(51、52、53、54、55)を有する、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記露光ステップの際に、前記レジスト(120)の全てが前記日射線量に対して露光される、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- レジスト(120)の一部が、異なる日射線量(142、144)により日射される、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記露光ステップの際に、第1の寸法を有する少なくとも1つの第1のパターン(123)が第1の日射線量(142)により日射され、前記寸法が前記レジストの前記厚さに対して実質的に法線方向において測定されており、前記第1の寸法よりも小さい第2の寸法を有する少なくとも1つの第2のパターン(125)が前記第1の日射線量(142)よりも高い第2の日射線量(144)により日射される、請求項1から12のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の日射線量(142)は、前記第1のパターン(123)の前記2つの領域の一方のみを活性化するのに十分なものであり、前記第2の日射線量(144)は、前記第2のパターン(125)を活性化するには不十分であるが、前記第2のパターン(125)を境界画定する前記領域(128、129)の一方を活性化するのに十分なものである、請求項1から13のいずれかに記載の方法。
- 前記日射線量は、コヒーレント光源により供給される、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記露光ステップは、異なる波長を有する複数の光源と連続的に関与する、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記準備ステップの際に、前記感光性レジスト(120)が以下の材料、すなわちSiC、Ge、Ag、W、AlSiから選択された層または基板(110)の上に堆積されるステップを含む、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記準備ステップの際に、前記感光性レジスト(120)がシリコンから作製された層または基板(110)の上に堆積されるステップを含む、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。
- 感光性レジスト(120)の層によって覆われた基板(110)を備える多層アセンブリであって、
前記レジストが異なる厚さ(er、ef)を有する2つの領域(128、129)により少なくとも部分的に範囲規定された少なくとも1つのインプリントパターン(127)を有する多層アセンブリにおいて、
前記2つの領域(128、129)の前記厚さは、前記レジスト(120)の厚さに応じた前記レジスト(120)の日射線量の吸収度曲線(218、226)の最大値及び最小値のそれぞれに対応すること、
を特徴とする多層アセンブリ。
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