JP5912421B2 - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工装置及びレーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5912421B2 JP5912421B2 JP2011242380A JP2011242380A JP5912421B2 JP 5912421 B2 JP5912421 B2 JP 5912421B2 JP 2011242380 A JP2011242380 A JP 2011242380A JP 2011242380 A JP2011242380 A JP 2011242380A JP 5912421 B2 JP5912421 B2 JP 5912421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- pulse
- workpiece
- pulse laser
- pulsed laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 98
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 96
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 96
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 34
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
図1〜図3を参照して、本発明に係るレーザ加工装置の概要及びレーザ加工方法を説明する。図1は、2つのパルスレーザ光を重畳させて樹脂成形体を加工する状態を示す断面図である。図2は、本発明に係るレーザ加工装置の概略図である。図3は、本発明に係るレーザ加工方法を説明する波形図である。なお、本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素には同一の符号を付して、説明を適宜省略する。
(1)第1の光ダイオード34によって検出された第1のパルスレーザ光8のパルスのタイミングを示す、第1の信号
(2)第1の信号に基づいて同期手段20によって生成された同期信号
(3)同期信号に基づいて第2のパルスレーザ光発生手段22によって発生された第2のパルスレーザ光9のパルスのタイミングを示す、第2の信号
本実施例では、ファイバーレーザ光源が発生した第1のパルスレーザ光8のパルス列P1が有する各パルスと、SHG:YAGレーザ光源が発生した第2のパルスレーザ光9のパルス列P2が有する各パルスとの間におけるずれ時間Tdについて、Td=0である場合を説明する。実施例1で説明したように、同期手段20(図2参照)に適当な値を予め入力することによって、図3(1)に示されたようにずれ時間TdをTd=0に設定することができる。
(1)SHG:YAGレーザのエネルギー
(2)SHG:YAGレーザの繰り返し周波数
(3)ずれ時間Td
上述した3つの条件をそれぞれ変えて設定して、それぞれの条件の下で樹脂成形体1を切断して試料42を作成した。各試料42における14本の切断溝40の片側における熱影響層幅Whを測定顕微鏡を使用して測定して、それらの平均値を算出した。
本実施例では、ファイバーレーザ光源が発生した第1のパルスレーザ光8のパルス列P1が有する各パルスと、SHG:YAGレーザ光源が発生した第2のパルスレーザ光9のパルス列P2が有する各パルスとの間におけるずれ時間Tdについて、Td≠0である場合を説明する。実施例1で説明したように、同期手段20(図2参照)に適当な値を予め入力することによって、図3(2)に示されたようにずれ時間TdをTd≠0に設定することができる。
2 基板本体
3 半導体チップ
4 封止樹脂
5 境界線
6 複数の領域
7 ステージ
8 第1のパルスレーザ光
9 第2のパルスレーザ光
10 被照射部
11、12 穴
13 貫通穴
14 第1の照射領域
15 第2の照射領域
16 レーザ加工装置
17 レーザ光発生手段
18 重畳手段
19 照射手段
20 同期手段
21 第1のパルスレーザ光発生手段
22 第2のパルスレーザ光発生手段
23、26 ベンディングミラー
24 ダイクロイックミラー
25 光軸修正用ミラー
27 加工ヘッド
28 集光レンズ
29 上部保護ガラス
30 照射ノズル
31 アシストガス配管
32 アシストガス
33 開口
34 第1の光ダイオード
35 フィルタ
36 第2の光ダイオード
37 オシロスコープ
38 第3のパルスレーザ光
39 加工済成形体
40 切断溝
41 回転刃
42 試料
43 切断面
44 被評価部
45 熱影響層
46 高影響部
47 低影響部
F 送り速度
P1、P2 パルス列
Td ずれ時間
Ti パルス間隔
Wh 熱影響層幅
Wk 切断溝幅
Claims (12)
- 少なくとも2つのパルスレーザ光を使用して被加工物に対して加工を行うレーザ加工装置であって、
一定の繰り返し周波数f1を有する第1のパルスレーザ光を発生させる第1のパルスレーザ光発生手段と、
一定の繰り返し周波数f2を有する第2のパルスレーザ光を発生させる第2のパルスレーザ光発生手段と、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを重畳させる重畳手段と、
重畳された前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを前記被加工物に対して照射する照射手段と、
前記第1のパルスレーザ光のパルス列と前記第2のパルスレーザ光のパルス列とが一定の時間的な関係であるずれ時間Tdを有するように前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを同期させる同期手段とを備えるとともに、
前記繰り返し周波数f1=前記繰り返し周波数f2であり、かつ、前記ずれ時間Td=0であり、
前記被加工物において前記第1のパルスレーザ光によって照射される第1の照射領域は、前記被加工物において前記第2のパルスレーザ光によって照射される第2の照射領域に完全に含まれ、
前記被加工物に対して、前記第1のパルスレーザ光が熱加工を行い前記第2のパルスレーザ光がアブレーション加工を行うことを特徴とするレーザ加工装置。 - 少なくとも2つのパルスレーザ光を使用して被加工物に対して加工を行うレーザ加工装置であって、
一定の繰り返し周波数f1を有する第1のパルスレーザ光を発生させる第1のパルスレーザ光発生手段と、
一定の繰り返し周波数f2を有する第2のパルスレーザ光を発生させる第2のパルスレーザ光発生手段と、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを重畳させる重畳手段と、
重畳された前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを前記被加工物に対して照射する照射手段と、
前記第1のパルスレーザ光のパルス列と前記第2のパルスレーザ光のパルス列とが一定の時間的な関係であるずれ時間Tdを有するように前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを同期させる同期手段とを備えるとともに、
前記繰り返し周波数f1=前記繰り返し周波数f2であり、かつ、前記ずれ時間Td≠0であり、
前記被加工物において前記第1のパルスレーザ光によって照射される第1の照射領域は、前記被加工物において前記第2のパルスレーザ光によって照射される第2の照射領域に完全に含まれ、
前記被加工物に対して、前記第1のパルスレーザ光が熱加工を行い前記第2のパルスレーザ光がアブレーション加工を行うことを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項2に記載されたレーザ加工装置において、
前記同期手段は前記ずれ時間Tdを変更することを特徴とするレーザ加工装置。 - 少なくとも2つのパルスレーザ光を使用して被加工物に対して加工を行うレーザ加工装置であって、
一定の繰り返し周波数f1を有する第1のパルスレーザ光を発生させる第1のパルスレーザ光発生手段と、
一定の繰り返し周波数f2を有する第2のパルスレーザ光を発生させる第2のパルスレーザ光発生手段と、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを重畳させる重畳手段と、
重畳された前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを前記被加工物に対して照射する照射手段と、
前記第1のパルスレーザ光のパルス列と前記第2のパルスレーザ光のパルス列とが一定の時間的な関係であるずれ時間Tdを有するように前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを同期させる同期手段とを備えるとともに、
前記繰り返し周波数f1=N*前記繰り返し周波数f2であり(Nは2以上の整数)、かつ、前記第1のパルスレーザ光のパルス列のN周期毎に前記第1のパルスレーザ光のパルス列が有するパルスと前記第2のパルスレーザ光のパルス列が有するパルスとが同時に存在し、
前記被加工物において前記第1のパルスレーザ光によって照射される第1の照射領域は、前記被加工物において前記第2のパルスレーザ光によって照射される第2の照射領域に完全に含まれ、
前記被加工物に対して、前記第1のパルスレーザ光が熱加工を行い前記第2のパルスレーザ光がアブレーション加工を行うことを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載されたレーザ加工装置において、
前記被加工物は少なくとも2種類の異なる材料が重なる複合材料であることを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項5に記載されたレーザ加工装置において、
前記複合材料は、電子部品を製造する際に使用され回路基板と硬化樹脂とを有する樹脂成形体であるとともに、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とによって前記樹脂成形体が照射され、照射された前記樹脂成形体が個片化されることによって前記電子部品が製造されることを特徴とするレーザ加工装置。 - 少なくとも2つのパルスレーザ光を使用して被加工物に対して加工を行うレーザ加工方法であって、
一定の繰り返し周波数f1を有する第1のパルスレーザ光を発生させる工程と、
一定の繰り返し周波数f2を有する第2のパルスレーザ光を発生させる工程と、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを重畳させる工程と、
重畳された前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを前記被加工物に対して照射する工程と、
前記第1のパルスレーザ光のパルス列と前記第2のパルスレーザ光のパルス列とが一定の時間的な関係であるずれ時間Tdを有するように前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを同期させる工程とを備えるとともに、
前記繰り返し周波数f1=前記繰り返し周波数f2であり、
前記同期させる工程では前記ずれ時間Td=0にし、
前記照射する工程では、前記被加工物において前記第1のパルスレーザ光によって照射される第1の照射領域を、前記被加工物において前記第2のパルスレーザ光によって照射される第2の照射領域に完全に含め、
前記照射する工程では、前記被加工物に対して、前記第1のパルスレーザ光が熱加工を行い前記第2のパルスレーザ光がアブレーション加工を行うことを特徴とするレーザ加工方法。 - 少なくとも2つのパルスレーザ光を使用して被加工物に対して加工を行うレーザ加工方法であって、
一定の繰り返し周波数f1を有する第1のパルスレーザ光を発生させる工程と、
一定の繰り返し周波数f2を有する第2のパルスレーザ光を発生させる工程と、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを重畳させる工程と、
重畳された前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを前記被加工物に対して照射する工程と、
前記第1のパルスレーザ光のパルス列と前記第2のパルスレーザ光のパルス列とが一定の時間的な関係であるずれ時間Tdを有するように前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを同期させる工程とを備えるとともに、
前記繰り返し周波数f1=前記繰り返し周波数f2であり、
前記同期させる工程では前記ずれ時間Td≠0にし、
前記照射する工程では、前記被加工物において前記第1のパルスレーザ光によって照射される第1の照射領域を、前記被加工物において前記第2のパルスレーザ光によって照射される第2の照射領域に完全に含め、
前記照射する工程では、前記被加工物に対して、前記第1のパルスレーザ光が熱加工を行い前記第2のパルスレーザ光がアブレーション加工を行うことを特徴とするレーザ加工方法。 - 請求項8に記載されたレーザ加工方法において、
前記同期させる工程では前記ずれ時間Tdを変更することを特徴とするレーザ加工方法。 - 少なくとも2つのパルスレーザ光を使用して被加工物に対して加工を行うレーザ加工方法であって、
一定の繰り返し周波数f1を有する第1のパルスレーザ光を発生させる工程と、
一定の繰り返し周波数f2を有する第2のパルスレーザ光を発生させる工程と、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを重畳させる工程と、
重畳された前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを前記被加工物に対して照射する工程と、
前記第1のパルスレーザ光のパルス列と前記第2のパルスレーザ光のパルス列とが一定の時間的な関係であるずれ時間Tdを有するように前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを同期させる工程とを備えるとともに、
前記繰り返し周波数f1=N*前記繰り返し周波数f2であり(Nは2以上の整数)、
前記同期させる工程では、前記第1のパルスレーザ光のパルス列のN周期毎に前記第1のパルスレーザ光のパルス列が有するパルスと前記第2のパルスレーザ光のパルス列が有するパルスとを同時に存在させ、
前記照射する工程では、前記被加工物において前記第1のパルスレーザ光によって照射される第1の照射領域を、前記被加工物において前記第2のパルスレーザ光によって照射される第2の照射領域に完全に含め、
前記照射する工程では、前記被加工物に対して、前記第1のパルスレーザ光が熱加工を行い前記第2のパルスレーザ光がアブレーション加工を行うことを特徴とするレーザ加工方法。 - 請求項7〜10のいずれかに記載されたレーザ加工方法において、
前記被加工物は少なくとも2種類の異なる材料が重なる複合材料であることを特徴とするレーザ加工方法。 - 請求項11に記載されたレーザ加工方法において、
前記複合材料は、電子部品を製造する際に使用され回路基板と硬化樹脂とを有する樹脂成形体であり、
前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とを使用して前記樹脂成形体を照射することによって前記樹脂成形体を個片化し、個片化された前記樹脂成形体からなる前記電子部品が製造されることを特徴とするレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011242380A JP5912421B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011242380A JP5912421B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013094845A JP2013094845A (ja) | 2013-05-20 |
JP5912421B2 true JP5912421B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=48617361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011242380A Active JP5912421B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5912421B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015189895A1 (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-17 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
JP2017124413A (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 株式会社東芝 | レーザ装置及びレーザ照射方法 |
JP7380602B2 (ja) * | 2019-02-13 | 2023-11-15 | ソニーグループ株式会社 | レーザ加工機及びレーザ加工方法 |
JP2021030286A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | 株式会社豊田中央研究所 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208799A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜構成体の加工方法 |
JP3485868B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2004-01-13 | 住友重機械工業株式会社 | 紫外レーザを用いた孔開け方法 |
JP2003047923A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-18 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザクリーニング装置および方法 |
JP2006344909A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4599243B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2010-12-15 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP4977412B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2012-07-18 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5334439B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-11-06 | Towa株式会社 | 加工装置及び加工方法 |
WO2011115242A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | アイシン精機株式会社 | レーザによる二つの物質の重ね合わせ接合方法及び接合装置 |
-
2011
- 2011-11-04 JP JP2011242380A patent/JP5912421B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013094845A (ja) | 2013-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5193326B2 (ja) | 基板加工装置および基板加工方法 | |
JP6416901B2 (ja) | 平坦なワークピースを複数の部分に分割する方法及び装置 | |
TWI819817B (zh) | 雷射處理設備、雷射處理工件的方法及相關配置 | |
JP5432285B2 (ja) | 面取りした端部を有する形状にガラスをレーザ加工する方法 | |
WO2014156828A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5912421B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
US20170232558A1 (en) | Laser machining method and laser machining apparatus | |
KR20140017421A (ko) | 접합 기판의 가공 방법 그리고 가공 장치 | |
KR102617598B1 (ko) | 투명 가공물들의 레이저 용접을 위한 방법, 및 연관된 레이저 가공 기계 | |
TWI673783B (zh) | 封裝基板之加工方法 | |
JP2009190069A (ja) | レーザによる透明基板の加工方法および装置 | |
JP2010149165A (ja) | 電子部品製造用の切断装置及び切断方法 | |
JP2010129987A (ja) | ウエーハ加工方法、レーザ加工装置およびレーザ加工用プログラム | |
JP2011049454A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
TWI716589B (zh) | 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置 | |
JP2014121718A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2006346716A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP6246056B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置 | |
Ciszewski et al. | Processing of printed circuit boards using a 532 nm green laser | |
JP2018052814A (ja) | 脆性材料基板の改質層形成方法並びに改質層形成装置 | |
JP2008284577A (ja) | レーザ加工方法、フレキシブルプリント基板 | |
Tamhankar et al. | Investigating PCB processing using Q-switched DPSS nanosecond green laser | |
Okamoto et al. | Singulation Characteristics of Semiconductor Package Using Pulsed Fiber Laser and SHG: YAG Laser | |
JP2013010123A (ja) | レーザ加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140725 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5912421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |