JP5905672B2 - Radiation detector and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、放射線を検出する放射線検出器及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a radiation detector for detecting radiation and a method for manufacturing the same.

新世代のＸ線診断用検出器として、アクティブマトリクスを用いた平面形のＸ線検出器が開発されている。このＸ線検出器に照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像、あるいはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。このＸ線検出器では、Ｘ線をシンチレータ膜により可視光すなわち蛍光に変換させ、この蛍光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）フォトダイオードあるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子で信号電荷に変換することで画像を取得している。 A planar X-ray detector using an active matrix has been developed as a new generation X-ray diagnostic detector. By detecting the X-rays irradiated to the X-ray detector, an X-ray image or a real-time X-ray image is output as a digital signal. In this X-ray detector, X-rays are converted into visible light, that is, fluorescence by a scintillator film , and this fluorescence is converted into signal charges by a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or CCD (Charge Coupled Device). By acquiring the image.

シンチレータ膜の材料としては、一般的に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：ナトリウム（Ｎａ）、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、あるいは酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などが用いられる。シンチレータ膜は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータの材料としては上記の通り種々のものがあり、用途や必要な特性によって使い分けられる。 As a material of the scintillator film , cesium iodide (CsI): sodium (Na), cesium iodide (CsI): thallium (Tl), sodium iodide (NaI), or gadolinium oxysulfide (Gd 2 O) is generally used. 2 S) or the like is used. The scintillator film can improve resolution characteristics by forming grooves by dicing or the like, or by depositing by a vapor deposition method so that a columnar structure is formed. There are various scintillator materials as described above, and they are properly used depending on the application and necessary characteristics.

シンチレータ膜の上面には、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、反射膜を形成する場合がある。すなわち、シンチレータ膜で発光した蛍光のうち光電変換素子の反対側に向かう蛍光を反射膜で反射させて、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させる。 A reflective film may be formed on the top surface of the scintillator film in order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics. That is, of the fluorescence emitted from the scintillator film , the fluorescence directed to the opposite side of the photoelectric conversion element is reflected by the reflection film, and the fluorescence reaching the photoelectric conversion element side is increased.

反射膜は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属層をシンチレータ膜上に成膜する方法や、ＴｉＯ２などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜を塗布形成する方法などで形成される。また、シンチレータ膜上に形成するのではなく、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ膜に密着させてシンチレータ光を反射させる方式も実用化されている。 For the reflective film, a metal layer with high fluorescence reflectance such as silver alloy or aluminum is formed on the scintillator film , or a light-scattering reflective film made of a light-scattering substance such as TiO 2 and a binder resin is applied. It is formed by a forming method or the like. In addition, a method of reflecting scintillator light by bringing a reflector having a metal surface such as aluminum into close contact with the scintillator film instead of forming on the scintillator film has been put into practical use.

シンチレータ膜や反射層（あるいは反射板など）を外部雰囲気から保護して湿度などによる特性の劣化を抑えるための防湿構造は、検出器を実用的な製品とする上で重要な構成要素である。特に、湿度に対して劣化の大きい材料であるＣｓＩ：Ｔｌ膜やＣｓＩ：Ｎａ膜をシンチレータ膜とする場合には高い防湿性能が要求される。防湿構造としては、たとえばアルミニウム箔などの防湿層を周辺部で基板と接着封止して防湿性能を保つ構造や、アルミニウム箔や薄板などの防湿層と基板とを周囲のリング状構造物を介して接着封止する構造などがある。 A moisture-proof structure for protecting a scintillator film and a reflective layer (or a reflective plate, etc.) from an external atmosphere to suppress deterioration of characteristics due to humidity is an important component for making a detector a practical product. In particular, when a CsI: Tl film or a CsI: Na film, which is a material having a large deterioration with respect to humidity, is used as a scintillator film , high moisture-proof performance is required. As a moisture-proof structure, for example, a moisture-proof layer such as aluminum foil is adhered and sealed to the substrate at the periphery to maintain moisture-proof performance, or a moisture-proof layer such as aluminum foil or thin plate and the substrate are connected via a surrounding ring-shaped structure There are structures that are adhesively sealed.

特開２００９−１２８０２３号公報JP 2009-128023 A 特開平５−２４２８４１号公報JP-A-5-242841

防湿体としてハット形状の金属箔または薄板を用い、ハットの鍔部とアレイ基板表面とを接着封止する方法が一般的に知られている。アレイ基板は、ガラス基板にＴＦＴやフォトダイオードの画素を形成したものである。これら防湿体と基板との接着には、紫外線硬化型または熱硬化型の樹脂接着剤が用いられる。接着剤塗布、圧着、硬化する際に接着層薄膜化や幅狭化が発生し、基板に形成されている金属配線と金属性防湿体の間に絶縁接着層が十分な厚さ確保できず、電気的に短絡する危険がある。   A method is generally known in which a hat-shaped metal foil or thin plate is used as a moisture-proof body and the hat collar and the array substrate surface are bonded and sealed. The array substrate is obtained by forming TFT or photodiode pixels on a glass substrate. For adhesion between the moisture-proof body and the substrate, an ultraviolet curable resin adhesive or a thermosetting resin adhesive is used. When adhesive coating, pressure bonding, curing, adhesive layer thinning or narrowing occurs, the insulating adhesive layer can not secure a sufficient thickness between the metal wiring formed on the substrate and the metal moisture barrier, Risk of electrical short circuit.

また、防湿体の基板への接着を減圧雰囲気下で行い、防湿体内部を減圧状態とすることによって、飛行機輸送などの減圧下での機械的強度を保持する方法がある。この場合、防湿体は、外部大気圧で基板側に押され、基板の金属配線と防湿体とが近接する傾向にある。防湿体が過度に基板に近接した場合には、電気的短絡の危険が増すとともに、防湿体の変形により接着層に負荷がかかり接着層が剥がれる危険もある。   In addition, there is a method of maintaining the mechanical strength under reduced pressure such as airplane transportation by bonding the moisture-proof body to the substrate in a reduced-pressure atmosphere and putting the inside of the moisture-proof body in a reduced-pressure state. In this case, the moisture-proof body is pushed to the substrate side at the external atmospheric pressure, and the metal wiring on the substrate and the moisture-proof body tend to be close to each other. When the moisture-proof body is too close to the substrate, there is an increased risk of an electrical short circuit, and there is also a risk that the adhesive layer is peeled off due to a load applied to the adhesive layer due to deformation of the moisture-proof body.

そこで、本発明が解決しようとする課題は、防湿体とアレイ基板との間の接着層の健全性を向上させた放射線検出器を提供することである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a radiation detector that improves the soundness of the adhesive layer between the moisture-proof body and the array substrate.

上記課題を解決するために、実施の形態の放射線検出器は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板と、前記アレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように設けられて放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜と、前記アレイ基板と対向して前記シンチレータ膜を囲む鍔部を備えて前記シンチレータ膜を覆う防湿体と、前記鍔部と前記アレイ基板とを接着し、前記シンチレータ膜が形成された領域の外側を取り囲むように帯状に設けられ、且つ内縁端部が全周にわたって前記鍔部よりも内側に位置し、前記光電変換素子層の前記光電変換素子が配列された領域には設けられていない接着層と、を具備することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the radiation detector according to the embodiment includes an array substrate provided with a photoelectric conversion element layer in which photoelectric conversion elements that convert fluorescence into an electric signal are arranged, and the photoelectric sensor on the surface of the array substrate. A scintillator film that is provided so as to cover the conversion element layer and converts radiation into fluorescence; a moisture-proof body that covers the scintillator film with a collar portion facing the array substrate and surrounding the scintillator film; and the collar portion; The photoelectric conversion element layer is bonded to the array substrate and is provided in a band shape so as to surround the outside of the region where the scintillator film is formed, and an inner edge is located inside the collar over the entire circumference. And an adhesive layer not provided in a region where the photoelectric conversion elements are arranged .

また、実施形態の放射線検出器の製造方法は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けた基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜を形成する工程と、周囲に帯状の鍔部が形成された防湿体の前記鍔部および前記防湿体の前記鍔部よりも内側に少なくとも横並びに２重に接着剤を塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後に、前記鍔部の前記接着剤が塗布された面を前記基板の前記シンチレータ膜よりも外側の部分に減圧雰囲気下で押し付ける接着工程と、前記接着剤を硬化させて、前記シンチレータ膜が形成された領域の外側を取り囲むように帯状に設けられ、且つ内縁端部が全周にわたって前記鍔部よりも内側に位置し、前記光電変換素子層の前記光電変換素子が配列された領域には設けられていない接着層を形成する硬化工程と、を具備することを特徴とする。


In addition, in the method of manufacturing the radiation detector according to the embodiment, the radiation is fluorescent so as to cover the photoelectric conversion element layer on the surface of the substrate provided with the photoelectric conversion element layer in which the photoelectric conversion elements for converting the fluorescence into an electric signal are arranged. Forming a scintillator film to be converted into an adhesive, and applying the adhesive at least laterally and doublely to the inside of the heel portion of the moisture-proof body having a band-like ridge portion formed around and the heel portion of the moisture-proof body After the coating step, after the coating step, a bonding step of pressing the surface of the collar portion on which the adhesive is applied to a portion outside the scintillator film of the substrate in a reduced pressure atmosphere, and curing the adhesive Are provided in a band shape so as to surround the outside of the region where the scintillator film is formed, and an inner edge is located inside the collar over the entire circumference, and the photoelectric conversion element of the photoelectric conversion element layer There characterized by comprising, a curing process that to form an adhesive layer is not provided in the array region.


一実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。It is an expanded sectional view near a collar part of a moisture-proof body by one embodiment. 一実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the vicinity of the buttocks of the moisture-proof body according to one embodiment. 一実施形態による防湿体への接着剤の塗布方法を示す平面図である。It is a top view which shows the application method of the adhesive agent to the moisture-proof body by one Embodiment. 一実施形態による防湿体への接着剤の塗布方法を示す一部拡大平面図である。It is a partially expanded plan view which shows the application method of the adhesive agent to the moisture-proof body by one Embodiment. 一実施形態による防湿体への接着剤の塗布方法を示す一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view which shows the application method of the adhesive agent to the moisture-proof body by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。It is a typical perspective view of the radiation detection device by one embodiment. 一実施形態による放射線検出器の回路図である。It is a circuit diagram of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出装置のブロック図である。It is a block diagram of the radiation detection apparatus by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の上面図である。It is a top view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の側面図である。It is a side view of the radiation detector by one Embodiment. アレイ基板の表面の保護膜と防湿体が接触した状態の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the state which the protective film and moisture proof body of the surface of the array board | substrate contacted.

以下一実施形態の放射線検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, a radiation detector according to an embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or similar structure, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図６は、一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。   FIG. 6 is a schematic perspective view of a radiation detection apparatus according to an embodiment.

本実施形態の放射線検出器１１は、放射線像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサであり、たとえば一般医療用途などに用いられる。放射線検出装置１０は、この放射線検出器１１と、支持板３１と、回路基板３０と、フレキシブル基板３２とを有している。放射線検出器１１は、アレイ基板１２とシンチレータ膜１３とを有している。放射線検出器１１は、入射したＸ線を検出して蛍光に変換し、その蛍光を電気信号に変換する。放射線検出装置１０は、放射線検出器１１を駆動し、放射線検出器１１から出力された電気信号を画像情報として出力する。放射線検出装置１０が出力した画像情報は、外部のディスプレイなどに表示される。   The radiation detector 11 of this embodiment is an X-ray plane sensor that detects an X-ray image that is a radiation image, and is used for general medical applications, for example. The radiation detection apparatus 10 includes the radiation detector 11, a support plate 31, a circuit board 30, and a flexible board 32. The radiation detector 11 has an array substrate 12 and a scintillator film 13. The radiation detector 11 detects incident X-rays and converts them into fluorescence, and converts the fluorescence into electrical signals. The radiation detection apparatus 10 drives the radiation detector 11 and outputs an electrical signal output from the radiation detector 11 as image information. The image information output by the radiation detection apparatus 10 is displayed on an external display or the like.

アレイ基板１２は、ガラス基板１６を有している。ガラス基板１６の表面には、複数の微細な画素２０が正方格子状に配列されている。それぞれの画素２０は、薄膜トランジスタ２２とフォトダイオード２１とを有している。また、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の行と同数の制御ライン１８が各画素２０の間を延びている。さらに、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の列の数と同数のデータライン１９が各画素２０の間を延びている。シンチレータ膜１３は、アレイ基板１２の画素２０が配列された領域の表面に形成されている。   The array substrate 12 has a glass substrate 16. A plurality of fine pixels 20 are arranged in a square lattice pattern on the surface of the glass substrate 16. Each pixel 20 includes a thin film transistor 22 and a photodiode 21. On the surface of the glass substrate 16, the same number of control lines 18 as the square lattice rows in which the pixels 20 are arranged extend between the pixels 20. Further, the same number of data lines 19 as the number of square lattice columns in which the pixels 20 are arranged extend between the pixels 20 on the surface of the glass substrate 16. The scintillator film 13 is formed on the surface of the region where the pixels 20 of the array substrate 12 are arranged.

シンチレータ膜１３は、アレイ基板１２の表面に設けられ、Ｘ線が入射すると可視光領域の蛍光を発生する。発生した蛍光は、アレイ基板１２の表面に到達する。   The scintillator film 13 is provided on the surface of the array substrate 12 and generates fluorescence in the visible light region when X-rays enter. The generated fluorescence reaches the surface of the array substrate 12.

シンチレータ膜１３は、たとえばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを真空蒸着法で柱状構造に形成したものである。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状構造結晶の柱（ピラー）の太さは、最表面でたとえば８〜１２μｍ程度である。あるいは、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合し、アレイ基板１２上に塗布して焼成および硬化し、ダイサによりダイシングするなどで溝部を形成して四角柱状に形成してシンチレータ膜１３を形成してもよい。これらの柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素（Ｎ２）などの不活性ガスが封入され、あるいは真空状態としてもよい。   The scintillator film 13 is formed by forming, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl) or sodium iodide (NaI): thallium (Tl) into a columnar structure by a vacuum deposition method. The thickness of the pillar (pillar) of the columnar structure crystal of CsI: Tl is, for example, about 8 to 12 μm at the outermost surface. Alternatively, gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2 S) phosphor particles are mixed with a binder material, applied onto the array substrate 12, fired and cured, and formed into a square column by forming grooves by dicing with a dicer, etc. to form a scintillator film 13 may be formed. Between these columns, air or an inert gas such as nitrogen (N 2) for preventing oxidation may be sealed or in a vacuum state.

アレイ基板１２は、シンチレータ膜１３で発生した蛍光を受光して電気信号を発生する。その結果、入射したＸ線によってシンチレータ膜１３で発生した可視光像は、電気信号で表現された画像情報に変換される。   The array substrate 12 receives the fluorescence generated by the scintillator film 13 and generates an electrical signal. As a result, the visible light image generated on the scintillator film 13 by the incident X-rays is converted into image information expressed by an electrical signal.

放射線検出器１１は、シンチレータ膜１３が形成された面の反対側の面と支持板３１とが接触するように、支持板３１に支持されている。回路基板３０は、支持板３１の放射線検出器１１に対して反対側に配置されている。放射線検出器１１と回路基板３０との間は、フレキシブル基板３２で電気的に接続されている。   The radiation detector 11 is supported by the support plate 31 so that the surface opposite to the surface on which the scintillator film 13 is formed and the support plate 31 are in contact with each other. The circuit board 30 is disposed on the opposite side of the support plate 31 with respect to the radiation detector 11. The radiation detector 11 and the circuit board 30 are electrically connected by a flexible board 32.

図７は、本実施形態による放射線検出器の回路図である。   FIG. 7 is a circuit diagram of the radiation detector according to the present embodiment.

それぞれのフォトダイオード２１は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ２２を介して制御ライン１８およびデータライン１９に接続されている。また、それぞれのフォトダイオード２１には、蓄積キャパシタ２７が並列に接続されている。なお、蓄積キャパシタ２７は、フォトダイオード２１の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。   Each photodiode 21 is connected to a control line 18 and a data line 19 through a thin film transistor 22 which is a switching element. In addition, a storage capacitor 27 is connected to each photodiode 21 in parallel. The storage capacitor 27 may also serve as the capacitance of the photodiode 21 and is not always necessary.

フォトダイオード２１およびそれに並列に接続された蓄積キャパシタ２７は、薄膜トランジスタ２２のドレイン電極２５に接続されている。薄膜トランジスタ２２のゲート電極２３は、制御ライン１８に接続されている。薄膜トランジスタ２２のソース電極２４は、データライン１９に接続されている。   The photodiode 21 and the storage capacitor 27 connected in parallel to the photodiode 21 are connected to the drain electrode 25 of the thin film transistor 22. The gate electrode 23 of the thin film transistor 22 is connected to the control line 18. The source electrode 24 of the thin film transistor 22 is connected to the data line 19.

配列の同じ行に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２のゲート電極２３は、同一の制御ライン１８に接続されている。配列の同じ列に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２のソース電極２４は、同一のデータライン１９に接続されている。   The gate electrodes 23 of the thin film transistors 22 of the pixels 20 located in the same row of the array are connected to the same control line 18. The source electrodes 24 of the thin film transistors 22 of the pixels 20 located in the same column of the array are connected to the same data line 19.

同じ行の画素２０中の薄膜トランジスタ２２のゲート電極２３は、同じゲート線１３に接続されている。同じ列の画素２０中の薄膜トランジスタ２２のソース電極２４は、同じデータライン１９に接続されている。   The gate electrodes 23 of the thin film transistors 22 in the pixels 20 in the same row are connected to the same gate line 13. The source electrodes 24 of the thin film transistors 22 in the pixels 20 in the same column are connected to the same data line 19.

各薄膜トランジスタ２２は、フォトダイオード２１への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ２２は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。   Each thin film transistor 22 has a switching function for accumulating and discharging charges generated by the incidence of fluorescence on the photodiode 21. The thin film transistor 22 is at least partially composed of a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) as an amorphous semiconductor, which is a crystalline semiconductor material, or polysilicon (P-Si), which is a polycrystalline semiconductor. Has been.

なお、図６および図７において、画素は５行５列あるいは４行４列分しか記載していないが、実際にはもっと多く、解像度、撮像面積に応じて必要な画素が形成されている。   6 and 7, the pixels are only described for 5 rows and 5 columns or 4 rows and 4 columns, but actually, more pixels are formed according to the resolution and the imaging area.

図８は、本実施形態による放射線検出装置のブロック図である。   FIG. 8 is a block diagram of the radiation detection apparatus according to the present embodiment.

放射線検出装置１０は、放射線検出器１１と、ゲートドライバー３９と、行選択回路３５と、積分アンプ３３と、Ａ／Ｄ変換器３４と、並列／直列変換器３８と、画像合成回路３６とを有している。ゲートドライバー３９は、放射線検出器１１の各制御ライン１８に接続されている。ゲートドライバー３９は、各薄膜トランジスタ２２の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。積分アンプ３３は、放射線検出器１１の各データライン１９に接続されている。   The radiation detection apparatus 10 includes a radiation detector 11, a gate driver 39, a row selection circuit 35, an integration amplifier 33, an A / D converter 34, a parallel / serial converter 38, and an image synthesis circuit 36. Have. The gate driver 39 is connected to each control line 18 of the radiation detector 11. The gate driver 39 controls the operation state of each thin film transistor 22, that is, on and off. The integrating amplifier 33 is connected to each data line 19 of the radiation detector 11.

行選択回路３５は、ゲートドライバー３９に接続されている。並列／直列変換器３８は、積分アンプ３３に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、並列／直列変換器３８に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、画像合成回路３６に接続されている。   The row selection circuit 35 is connected to the gate driver 39. The parallel / serial converter 38 is connected to the integrating amplifier 33. The A / D converter 34 is connected to a parallel / serial converter 38. The A / D converter 34 is connected to the image composition circuit 36.

積分アンプ３３は、たとえば放射線検出器１１と回路基板３０とを接続するフレキシブル基板３２上に設けられている。その他の素子は、たとえば回路基板３０上に設けられている。   The integrating amplifier 33 is provided on a flexible substrate 32 that connects the radiation detector 11 and the circuit board 30, for example. The other elements are provided on the circuit board 30, for example.

ゲートドライバー３９は行選択回路３５からの信号を受信して、制御ライン１８の電圧を順番に変更していく。行選択回路３５は、Ｘ線画像を走査する所定の行を選択するための信号をゲートドライバー３９へと送る。積分アンプ３３は、放射線検出パネル２１からデータライン１９を通じて出力される極めて微小な電荷信号を増幅し出力する。   The gate driver 39 receives the signal from the row selection circuit 35 and sequentially changes the voltage of the control line 18. The row selection circuit 35 sends a signal for selecting a predetermined row for scanning the X-ray image to the gate driver 39. The integrating amplifier 33 amplifies and outputs a very small charge signal output from the radiation detection panel 21 through the data line 19.

図９は、本実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。   FIG. 9 is a partially enlarged sectional view of the radiation detector according to the present embodiment.

アレイ基板１２の表面には、フォトダイオード２１および薄膜トランジスタ２２などの検出素子、並びに、制御ライン１８およびデータライン１９などの金属配線を覆う絶縁性の保護膜２８が形成されている。シンチレータ膜１３は、保護膜２８の表面に、画素２０が配列された領域を覆うように形成されている。   On the surface of the array substrate 12, an insulating protective film 28 that covers detection elements such as the photodiodes 21 and the thin film transistors 22 and metal wirings such as the control lines 18 and the data lines 19 is formed. The scintillator film 13 is formed on the surface of the protective film 28 so as to cover the region where the pixels 20 are arranged.

シンチレータ膜１３の表面には、反射膜１４が設けられている。反射膜１４は、シンチレータ膜１３で発生した蛍光のうちアレイ基板１２から遠ざかっていくものをアレイ基板１２側へ反射させる。これにより、フォトダイオード２１に到達する蛍光光量が増大する。   A reflection film 14 is provided on the surface of the scintillator film 13. The reflection film 14 reflects the fluorescent light generated in the scintillator film 13 that moves away from the array substrate 12 to the array substrate 12 side. As a result, the amount of fluorescent light reaching the photodiode 21 increases.

反射膜１４は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属をシンチレータ膜上に成膜する方法で形成される。あるいは、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ膜１３に密着させたもの、ＴｉＯ２などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射膜１４を塗布形成してもよい。なお、反射膜１４は、放射線検出器１１に求められる解像度、輝度などの特性により、必ずしも必要ではない。 The reflective film 14 is formed by a method of depositing a metal having high fluorescence reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator film. Alternatively, a reflecting plate having a metal surface such as aluminum adhered to the scintillator film 13, or a diffuse reflecting film 14 made of a light scattering material such as TiO 2 and a binder resin may be formed by coating. Note that the reflective film 14 is not necessarily required due to characteristics such as resolution and luminance required for the radiation detector 11.

放射線検出器１１には、シンチレータ膜１３および反射膜１４を覆うように、防湿体１５が設けられている。   The radiation detector 11 is provided with a moisture-proof body 15 so as to cover the scintillator film 13 and the reflective film 14.

図１０は、本実施形態による放射線検出器の上面図である。図１１は、本実施形態による放射線検出器の側面図である。   FIG. 10 is a top view of the radiation detector according to the present embodiment. FIG. 11 is a side view of the radiation detector according to the present embodiment.

防湿体１５は、中央部が盛り上がったハット状に形成されている。防湿体１５の周辺部分は、平坦な帯状の鍔部５０となっている。鍔部５０は、アレイ基板１２の表面のシンチレータ膜１３が形成された領域の外側を取り囲む帯状に形成される。鍔部５０の内側には、天板部５１が形成されている。天板部５１は、シンチレータ膜１３よりも若干大きい平板状の部分である。鍔部５０と天板部５１との間には、斜面部５２が形成されている。   The moisture-proof body 15 is formed in a hat shape with a raised central portion. The peripheral portion of the moisture-proof body 15 is a flat belt-like collar portion 50. The flange portion 50 is formed in a band shape surrounding the outside of the region where the scintillator film 13 is formed on the surface of the array substrate 12. A top plate portion 51 is formed inside the collar portion 50. The top plate portion 51 is a flat plate portion that is slightly larger than the scintillator film 13. A slope portion 52 is formed between the flange portion 50 and the top plate portion 51.

鍔部５０は、アレイ基板１２と対向している。鍔部５０とアレイ基板１２との間は接着されている。アレイ基板１２上に形成されたシンチレータ膜１３および反射膜１４は、防湿体１５の天板部５１および斜面部５２で覆われている。防湿体１５は、シンチレータ膜１３および反射膜１４を外気や湿度から保護する。   The flange 50 faces the array substrate 12. The flange 50 and the array substrate 12 are bonded. The scintillator film 13 and the reflective film 14 formed on the array substrate 12 are covered with a top plate portion 51 and a slope portion 52 of the moisture-proof body 15. The moisture-proof body 15 protects the scintillator film 13 and the reflective film 14 from outside air and humidity.

防湿体１５は、たとえば厚さ０．１ｍｍのアルミニウム合金箔で形成されている。防湿体１５は、Ａ１Ｎ３０−Ｏ材などのアルミニウム合金箔やアルミニウム箔で形成される。鍔部５０の幅は、たとえば５ｍｍである。   The moisture-proof body 15 is made of, for example, an aluminum alloy foil having a thickness of 0.1 mm. The moisture-proof body 15 is formed of an aluminum alloy foil such as A1N30-O material or an aluminum foil. The width | variety of the collar part 50 is 5 mm, for example.

アレイ基板１２には、制御ライン１８およびデータライン１９のそれぞれの端部が露出した端子群２６が設けられている。端子群２６は、アレイ基板１２の辺に沿って配列されている。制御ライン１８につながる端子群２６と、データライン１９につながる端子群２６は、異なる辺に沿って配列されている。これらの端子群２６は、フレキシブル基板３２を介して、回路基板３０と電気的に接続されている。   The array substrate 12 is provided with a terminal group 26 in which the ends of the control line 18 and the data line 19 are exposed. The terminal group 26 is arranged along the side of the array substrate 12. The terminal group 26 connected to the control line 18 and the terminal group 26 connected to the data line 19 are arranged along different sides. These terminal groups 26 are electrically connected to the circuit board 30 via the flexible board 32.

図１は、本実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。図２は、本実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大平面図である。   FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the buttocks of the moisture-proof body according to the present embodiment. FIG. 2 is an enlarged plan view of the vicinity of the buttocks of the moisture-proof body according to the present embodiment.

防湿体１５の鍔部５０とアレイ基板１２との間には、接着層４０が介在している。接着層４０は、鍔部５０に沿って、アレイ基板１２の表面のシンチレータ膜１３が形成された領域の外側を取り囲む帯状に設けられている。接着層４０の内縁、すなわち、アレイ基板１２の表面のシンチレータ膜１３が形成された領域に近い方の縁４３は、全周にわたって鍔部５０の内縁５３よりも内側に位置している。接着層４０は、加熱硬化型または紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤で形成されている。   An adhesive layer 40 is interposed between the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 and the array substrate 12. The adhesive layer 40 is provided in a band shape that surrounds the outside of the region where the scintillator film 13 is formed on the surface of the array substrate 12 along the flange 50. The inner edge of the adhesive layer 40, that is, the edge 43 closer to the region where the scintillator film 13 is formed on the surface of the array substrate 12 is located on the inner side of the inner edge 53 of the flange 50 over the entire circumference. The adhesive layer 40 is formed of a heat curable or ultraviolet curable epoxy adhesive.

次に、本実施形態の放射線検出器の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the radiation detector of this embodiment is demonstrated.

まず、ガラス基板１６の表面に、光電変換部１７、ゲートライン１８およびシグナルライン１９などを形成して、アレイ基板１２を得る。次に、このアレイ基板１２上に、シンチレータ膜１３および反射膜１４を順次形成する。また、アルミニウム合金箔などをハット状にプレス成型することによって、防湿体１５を製造する。   First, the photoelectric conversion unit 17, the gate line 18, the signal line 19, and the like are formed on the surface of the glass substrate 16 to obtain the array substrate 12. Next, a scintillator film 13 and a reflective film 14 are sequentially formed on the array substrate 12. Moreover, the moisture-proof body 15 is manufactured by press-molding aluminum alloy foil or the like into a hat shape.

次に、このようにして得られたシンチレータ膜１３および反射膜１４と一体化したアレイ基板１２と、防湿体１５を接着する。   Next, the moisture barrier 15 is bonded to the array substrate 12 integrated with the scintillator film 13 and the reflective film 14 obtained in this way.

図３は、本実施形態による防湿体への接着剤の塗布方法を示す平面図である。図４は、本実施形態による防湿体への接着剤の塗布方法を示す一部拡大平面図である。図５は、本実施形態による防湿体への接着剤の塗布方法を示す一部拡大断面図である。   FIG. 3 is a plan view showing the method of applying the adhesive to the moisture-proof body according to the present embodiment. FIG. 4 is a partially enlarged plan view showing the method of applying the adhesive to the moisture-proof body according to the present embodiment. FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view showing a method for applying an adhesive to a moisture-proof body according to the present embodiment.

アレイ基板１２への防湿体１５の接着では、まず、防湿体１５の鍔部５０のアレイ基板１２と対向する面に紫外線硬化型の接着剤４１，４２をディスペンサーを用いて塗布する。接着剤４１，４２は、鍔部５０の全周にわたって少なくとも２重に塗布される。これらは、少なくとも鍔部５０のほぼ中央に塗布される接着剤４１と、鍔内縁に接するように塗布される接着剤４２とを含む。   In adhering the moisture-proof body 15 to the array substrate 12, first, UV curable adhesives 41 and 42 are applied to the surface of the collar portion 50 of the moisture-proof body 15 facing the array substrate 12 using a dispenser. The adhesives 41 and 42 are applied at least twice over the entire circumference of the flange 50. These include at least an adhesive 41 applied to substantially the center of the flange 50 and an adhesive 42 applied so as to contact the inner edge of the flange.

次に、接着剤４１，４２を塗布された防湿体１５を減圧雰囲気下でアレイ基板１２に押し付けて両者を圧着する。この圧着の際の雰囲気は、たとえば０．１気圧程度の減圧雰囲気である。また、接着層４０の厚さの均一化および接着剤４１，４２の鍔部５０の内側へのはみ出しの確保のため、圧着時の接着剤４１，４２の粘度はある程度高い方が好ましい。そこで、接着剤４１，４２の防湿体１５への塗布の前、あるいは塗布の後で、圧着前に接着剤をある程度硬化させてもよい。   Next, the moisture-proof body 15 to which the adhesives 41 and 42 are applied is pressed against the array substrate 12 in a reduced-pressure atmosphere to pressure-bond both. The atmosphere during the pressure bonding is a reduced pressure atmosphere of about 0.1 atm, for example. In addition, in order to make the thickness of the adhesive layer 40 uniform and to ensure that the adhesives 41 and 42 protrude to the inside of the flange portion 50, it is preferable that the viscosity of the adhesives 41 and 42 at the time of pressure bonding is somewhat high. Therefore, the adhesive may be cured to some extent before or after the application of the adhesives 41 and 42 to the moisture-proof body 15 or after the application.

このようにして、放射線検出器１１を製造することにより、接着層４０の内縁４３が鍔部５０の内縁５３よりも内側に位置するようにすることができる。   In this way, by manufacturing the radiation detector 11, the inner edge 43 of the adhesive layer 40 can be positioned inside the inner edge 53 of the flange portion 50.

このようにして、防湿構造を形成することによって、放射線検出器１１が完成する。この放射線検出器１１の制御ライン１８、データライン１９の各端子部２６にＴＡＢ接続により配線を繋いで、アンプ以降の回路に接続し、さらに筐体に組み込んで放射線検出装置が完成する。   In this manner, the radiation detector 11 is completed by forming the moisture-proof structure. A wiring is connected to each terminal portion 26 of the control line 18 and the data line 19 of the radiation detector 11 by TAB connection, connected to a circuit after the amplifier, and further incorporated into a housing to complete the radiation detection apparatus.

防湿体１５の鍔部５０への接着剤の塗布量および鍔部５０の幅方向での塗布位置を鍔部５０の周方向全体にわたって、完全に均一にすることは困難である。また、塗布量および塗布位置の不均一性および防湿体１５とアレイ基板１２との傾きなどによって、防湿体１５とアレイ基板１２とを圧着した際に、接着剤の潰れの態様が不均一になる場合がある。さらに、接着剤が完全に硬化していない状態で減圧雰囲気から大気圧に解放された場合、外部の大気圧によって接着剤が内側すなわちシンチレータ膜１３に近づく方向に動く可能性もある。   It is difficult to make the application amount of the adhesive to the flange 50 of the moisture-proof body 15 and the application position in the width direction of the flange 50 completely uniform over the entire circumferential direction of the flange 50. Moreover, when the moisture-proof body 15 and the array substrate 12 are pressure-bonded due to the non-uniformity of the application amount and the application position and the inclination between the moisture-proof body 15 and the array substrate 12, the state of the adhesive crushing becomes non-uniform. There is a case. Furthermore, when the adhesive is not completely cured and is released from the reduced pressure atmosphere to the atmospheric pressure, the external atmospheric pressure may cause the adhesive to move in the direction toward the inside, that is, the scintillator film 13.

このような接着剤の塗布量、塗布位置、潰れの不均一性、あるいは、圧力差による接着剤の移動、さらにこれらの組み合わせによって、アレイ基板１２と防湿体１５を接着する接着剤の幅や厚さが不均一になる場合がある。このような幅や厚さの不均一性が顕著になると、鍔部５０とアレイ基板１２との接着部の周方向の一部で接着力が低下したり、耐湿性能が劣化したりする可能性がある。さらに、接着層４０の厚さが薄くなると、アレイ基板１２の表面の保護膜２８と防湿体１５が接触する可能性もある。   The width and thickness of the adhesive that adheres the array substrate 12 and the moisture-proof body 15 by such an adhesive application amount, application position, unevenness of crushing, or movement of the adhesive due to a pressure difference, and combinations thereof. May become uneven. If such non-uniformity in width and thickness becomes significant, there is a possibility that the adhesive strength may be reduced at a part in the circumferential direction of the bonding portion between the flange portion 50 and the array substrate 12, and the moisture resistance performance may be deteriorated. There is. Furthermore, when the thickness of the adhesive layer 40 is reduced, the protective film 28 on the surface of the array substrate 12 and the moisture-proof body 15 may come into contact with each other.

また、アレイ基板１２、シンチレータ膜１３および反射体１４と、防湿体１５との間の空間５４は減圧雰囲気であるから、大気圧によって防湿体１５がアレイ基板１２側に押されて、防湿体１５にはアレイ基板１２およびシンチレータ膜１３に密着する方向の力が働く。この力などによって鍔部５０の内縁５３の曲げ加工部がアレイ基板１２側に押されて変形すると、接着層４０に引張応力が生じる。この引張応力により、接着層４０が破壊される可能性がある。   Further, since the space 54 between the array substrate 12, the scintillator film 13 and the reflector 14, and the moisture-proof body 15 is a reduced pressure atmosphere, the moisture-proof body 15 is pushed toward the array substrate 12 by the atmospheric pressure, and the moisture-proof body 15 In this case, a force in a direction in close contact with the array substrate 12 and the scintillator film 13 acts. When the bent portion of the inner edge 53 of the flange portion 50 is pushed and deformed by this force or the like, a tensile stress is generated in the adhesive layer 40. Due to this tensile stress, the adhesive layer 40 may be broken.

接着剤潰れの不均一性、未硬化接着剤の大気圧による流動、あるいは、大気圧などに起因する力による接着層の破壊が生じると、絶縁性の接着層４０を介さずに、防湿体１５とアレイ基板１２とが直接接触する可能性がある。   If the adhesive crushing is non-uniform, the uncured adhesive flows due to atmospheric pressure, or the adhesive layer breaks due to the force due to atmospheric pressure, the moisture-proof body 15 does not pass through the insulating adhesive layer 40. And the array substrate 12 may be in direct contact with each other.

図１２は、アレイ基板の表面の保護膜と防湿体が接触した状態の例を示す断面図である。   FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a state where the protective film on the surface of the array substrate and the moisture-proof body are in contact with each other.

防湿体１５とアレイ基板１２とが直接接触すると、保護膜２８が破壊されて、アレイ基板１２に形成された金属配線２９と防湿体１５とが直接接触し、アレイ基板１２上の配線が短絡してしまう可能性がある。シンチレータ膜１３が形成されたアレイ基板１２と防湿体１５の鍔部５０を紫外線硬化型などの接着剤を介して、たとえば減圧雰囲気下で接着封止する防湿構造では、防湿体１５の鍔部５０とアレイ基板１２との間に絶縁性接着剤を確実に形成し、応力緩和のためＡＬハット自体の変形を抑えることが、機械的・電気的に安定させる上で重要となる。   When the moisture-proof body 15 and the array substrate 12 are in direct contact, the protective film 28 is destroyed, the metal wiring 29 formed on the array substrate 12 and the moisture-proof body 15 are in direct contact, and the wiring on the array substrate 12 is short-circuited. There is a possibility that. In the moisture-proof structure in which the array substrate 12 on which the scintillator film 13 is formed and the flange 50 of the moisture-proof body 15 are bonded and sealed, for example, under a reduced-pressure atmosphere via an ultraviolet curable adhesive, the flange 50 of the moisture-proof body 15 In order to stabilize mechanically and electrically, it is important to reliably form an insulating adhesive between the substrate and the array substrate 12 and suppress deformation of the AL hat itself for stress relaxation.

本実施形態では、防湿体１５とアレイ基板１２とを接着する接着層４０が、接着層４０の内縁４３が防湿体１５の鍔部５０の内縁５３よりも内側に位置するように広がっている。このため、接着層４０の鍔部５０の内縁５３よりも内側にはみ出して硬化した部分が、防湿体１５のアレイ基板１２への近接を抑制する。   In the present embodiment, the adhesive layer 40 that bonds the moisture-proof body 15 and the array substrate 12 spreads so that the inner edge 43 of the adhesive layer 40 is located inside the inner edge 53 of the flange 50 of the moisture-proof body 15. For this reason, the portion of the adhesive layer 40 that protrudes inward from the inner edge 53 of the flange portion 50 and hardens suppresses the proximity of the moisture-proof body 15 to the array substrate 12.

さらに、このようにはみ出して硬化した接着剤によって、防湿体１５の鍔部５０の内縁５３近傍の斜面部５２とアレイ基板１２との間の空隙が埋められる。その結果、鍔部５０の内縁５３よりも内側には、接着層４０の厚さが鍔部５０とアレイ基板１２との間よりも厚い部分が形成される。この接着層４０の厚い部分は、斜面部５２に沿って盛り上がった形状となる。このため、防湿体１５の鍔部５０の近傍の曲げ加工部が固定され、外部大気圧などによる防湿体１５の変形が抑制される。その結果、接着層４０に発生する引張応力が低減される。このように接着層４０に発生する応力が抑制されるため、接着層４０が剥がれる可能性が低減される。   Furthermore, the gap between the slope substrate 52 and the array substrate 12 in the vicinity of the inner edge 53 of the flange 50 of the moisture-proof body 15 is filled with the adhesive that protrudes and hardens in this way. As a result, a portion where the thickness of the adhesive layer 40 is thicker than between the flange 50 and the array substrate 12 is formed inside the inner edge 53 of the flange 50. The thick portion of the adhesive layer 40 has a shape that rises along the slope portion 52. For this reason, the bending process part near the collar part 50 of the moisture-proof body 15 is fixed, and the deformation | transformation of the moisture-proof body 15 by external atmospheric pressure etc. is suppressed. As a result, the tensile stress generated in the adhesive layer 40 is reduced. Thus, since the stress which generate | occur | produces in the contact bonding layer 40 is suppressed, possibility that the contact bonding layer 40 will peel is reduced.

また、接着層４０の内縁４３がシンチレータ膜１３に接するようにすることにより、シンチレータ膜１３の外縁と防湿体１５の鍔部５０との間でアレイ基板１２の表面が接着層４０で覆われることとなり、防湿体１５のアレイ基板１２との接触の可能性が極めて小さくなる。特に、接着層４０の内縁４３が全周にわたってシンチレータ膜１３に接するようにすると、シンチレータ膜１３の外縁と防湿体１５の鍔部５０との間のアレイ基板１２の表面が全て接着層４０で覆われるため、効果が大きい。   Further, by making the inner edge 43 of the adhesive layer 40 contact the scintillator film 13, the surface of the array substrate 12 is covered with the adhesive layer 40 between the outer edge of the scintillator film 13 and the flange 50 of the moisture-proof body 15. Thus, the possibility of contact of the moisture-proof body 15 with the array substrate 12 becomes extremely small. In particular, when the inner edge 43 of the adhesive layer 40 is in contact with the scintillator film 13 over the entire circumference, the entire surface of the array substrate 12 between the outer edge of the scintillator film 13 and the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 is covered with the adhesive layer 40. Therefore, the effect is great.

このように、本実施形態では、接着層４０の機械強度が増加するため、高信頼性の防湿構造となる。また、特に防湿体１５としてアルミニウムなどの金属を用いた場合に、防湿体１５とアレイ基板１２上の配線間の電気的短絡の可能性が抑制される。その結果、放射線検出器１１の製造時およびその後の使用中の健全性が向上する。   Thus, in this embodiment, since the mechanical strength of the contact bonding layer 40 increases, it becomes a highly reliable moisture-proof structure. In particular, when a metal such as aluminum is used as the moisture barrier 15, the possibility of an electrical short circuit between the moisture barrier 15 and the wiring on the array substrate 12 is suppressed. As a result, the soundness during the production of the radiation detector 11 and the subsequent use is improved.

また、本実施形態の製造方法のように、防湿体１５の鍔部５０への接着剤塗布を鍔部５０の中央部と鍔部５０の内縁５３の少なくとも２重に塗布する多重塗布法にて行うことにより、接着剤同士の繋がりが改善される。さらに、防湿体１５の鍔部５０の外側および内側への接着剤のはみ出し量を、より精度よく制御することができる。   Further, as in the manufacturing method of the present embodiment, the adhesive application to the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 is performed by a multiple application method in which the central portion of the flange portion 50 and the inner edge 53 of the flange portion 50 are applied at least twice. By doing so, the connection between the adhesives is improved. Furthermore, the amount of adhesive protruding to the outside and inside of the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 can be controlled more accurately.

接着剤を多重塗布した防湿体１５をシンチレータ膜１３および反射膜１４と一体化されたアレイ基板１２と減圧雰囲気下で接着封止すると、鍔部５０の中央部に塗布した接着剤４１は鍔部５０で押し広げられて均一厚の接着層４０を形成し、鍔部５０の内縁５３に塗布された接着剤４２は、鍔部５０の中央方向に広がって中央部に塗布した接着剤に繋がると共に、鍔部５０の内側にはみ出すこととなる。   When the moisture-proof body 15 to which multiple adhesives are applied is bonded and sealed to the array substrate 12 integrated with the scintillator film 13 and the reflective film 14 under a reduced pressure atmosphere, the adhesive 41 applied to the central portion of the flange 50 is the flange. The adhesive layer 42 is spread by 50 to form an adhesive layer 40 having a uniform thickness, and the adhesive 42 applied to the inner edge 53 of the flange 50 spreads in the center direction of the flange 50 and leads to the adhesive applied to the center. , It protrudes inside the flange 50.

また、このように接着剤４１，４２を２重に塗布する方法を用いることにより、接着剤未硬化状態で大気開放された場合であっても、接着剤流動による接着層薄膜化を抑制できる。接着剤を１重に塗布する方法では、圧着時に十分接着剤を拡げて接着層の幅を確保するために、接着剤の粘度をある程度小さくしておく必要がある。   Further, by using the method in which the adhesives 41 and 42 are applied in a double manner as described above, even if the adhesive is uncured and released into the atmosphere, the adhesive layer thinning due to the adhesive flow can be suppressed. In the method in which the adhesive is applied in a single layer, it is necessary to reduce the viscosity of the adhesive to some extent in order to sufficiently expand the adhesive and secure the width of the adhesive layer at the time of pressure bonding.

しかし、本実施の形態のように接着剤を多重に塗布する方法では、圧着前の接着剤形成面積を広くとる事ができるため、高粘度の接着剤でも良好な接着層４０の形成が可能である。接着剤の粘度の高い方が流動性は低くなり、外部大気圧による接着剤流動は抑えられる。接着剤の粘度は、材料自体の樹脂粘度を調整することによって高めることができる。あるいは、紫外線硬化型接着剤の場合には、圧着前の紫外線照射量を増やすことによって高粘度化することができる。   However, in the method of applying multiple adhesives as in the present embodiment, it is possible to widen the adhesive formation area before pressure bonding, and therefore it is possible to form a good adhesive layer 40 even with a high viscosity adhesive. is there. The higher the viscosity of the adhesive, the lower the fluidity, and the adhesive flow due to the external atmospheric pressure can be suppressed. The viscosity of the adhesive can be increased by adjusting the resin viscosity of the material itself. Alternatively, in the case of an ultraviolet curable adhesive, the viscosity can be increased by increasing the amount of ultraviolet irradiation before pressure bonding.

接着剤を防湿体１５の鍔部５０に単に１重に塗布した場合と２重に塗布した場合とで、同等の圧着力で圧着したときの接着層４０の厚さを観察した。その結果、１重に塗布した場合には、接着層の厚さの平均値が５０μｍであったのに対して、最薄部で厚さが１５μｍ程度の部分が観察された。一方、本実施の形態のように接着剤を２重に塗布した場合には、接着層４０の厚さのばらつきは小さく、最薄部でも５０μｍ以上の膜厚が確保されていた。このように、本実施の形態では、接着層４０に薄い部分が生じにくく、十分な厚さの接着層４０を鍔部５０の全周にわたって形成できることがわかった。   The thickness of the adhesive layer 40 was observed when the adhesive was applied to the collar portion 50 of the moisture-proof body 15 simply and twice when the adhesive was applied with the same pressure. As a result, when applied in a single layer, the average value of the thickness of the adhesive layer was 50 μm, whereas the thinnest portion with a thickness of about 15 μm was observed. On the other hand, when the adhesive was applied twice as in the present embodiment, the variation in the thickness of the adhesive layer 40 was small, and a film thickness of 50 μm or more was secured even at the thinnest part. Thus, in this Embodiment, it turned out that a thin part is hard to produce in the contact bonding layer 40, and it turned out that the contact bonding layer 40 of sufficient thickness can be formed over the perimeter of the collar part 50. FIG.

以上のように、接着剤の多重塗布により、接着層４０を防湿体内側にはみ出した構成とする事で、機械的強度増加と、基板金属配線との絶縁性確保が可能となり、高い防湿性能と信頼性を持った放射線検出器を提供できる。   As described above, by adopting a configuration in which the adhesive layer 40 protrudes from the inside of the moisture-proof body by multiple application of the adhesive, it is possible to increase the mechanical strength and ensure insulation from the substrate metal wiring, and to achieve high moisture-proof performance. It is possible to provide a radiation detector with reliability.

このように、接着剤多重塗布により、接着剤をＡＬハット内側にはみ出した構成とする事で、機械的強度増加と、基板金属配線との絶縁性確保が可能となり、高い防湿性能と信頼性を持った放射線検出器を提供できる。   In this way, by adopting a configuration in which the adhesive protrudes inside the AL hat by multiple application of adhesive, it becomes possible to increase mechanical strength and ensure insulation from the substrate metal wiring, and to have high moisture proof performance and reliability A radiation detector can be provided.

また、防湿体１５の材料としてアルミニウムやアルミニウム合金を用いた場合だけでなく、他の金属材料を用いた場合も同様である。特に、アルミニウムあるいはアルミニウム合金の箔の場合には、金属材料としてはＸ線吸収係数が小さいため、防湿体１５内でのＸ線吸収ロスを抑えることができる点でメリット大きく、ハット状に加工する場合にも加工性に優れる。   The same applies not only when aluminum or an aluminum alloy is used as the material of the moisture-proof body 15 but also when other metal materials are used. In particular, in the case of aluminum or aluminum alloy foil, since the X-ray absorption coefficient is small as a metal material, the X-ray absorption loss in the moisture-proof body 15 can be suppressed, and it is processed into a hat shape. Also excellent in workability.

防湿体１５のアレイ基板１２への接着を減圧雰囲気にて行うことは、飛行機輸送を想定した減圧下での機械的強度に優れた防湿構造を形成できる点でも有効である。防湿体１５のアレイ基板１２への接着を大気圧下で行う場合でも、十分な接着層厚と接着層幅を確保するために、本実施の形態のような２重塗布の方法は有効である。   Adhering the moisture-proof body 15 to the array substrate 12 in a reduced-pressure atmosphere is also effective in that a moisture-proof structure having excellent mechanical strength under reduced pressure assuming airplane transportation can be formed. Even when the moisture-proof body 15 is bonded to the array substrate 12 under atmospheric pressure, the double coating method as in the present embodiment is effective in order to ensure a sufficient adhesive layer thickness and adhesive layer width. .

接着剤４１，４２を防湿体１５に塗布する代わりに、アレイ基板１２側に塗布してもよい。このような方法であっても、防湿体１５の鍔部５０の中央部と鍔部５０の内縁５３に対応する場所に多重塗布を行う事で、防湿体１５に接着剤４１，４２を塗布した場合と同様の効果を得ることができる。ただし、アレイ基板１２側に接着剤を塗布する場合は、防湿体１５とアレイ基板１２との貼り合わせの位置ずれによる影響が大きいため、防湿体１５側へ接着剤を塗布する方法の方が、プロセス安定化の点で優れている。   Instead of applying the adhesives 41 and 42 to the moisture-proof body 15, they may be applied to the array substrate 12 side. Even in such a method, the adhesives 41 and 42 were applied to the moisture-proof body 15 by performing multiple application on the center portion of the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 and the location corresponding to the inner edge 53 of the flange portion 50. The same effect as the case can be obtained. However, when the adhesive is applied to the array substrate 12 side, since the influence of the positional deviation of the bonding between the moistureproof body 15 and the array substrate 12 is large, the method of applying the adhesive to the moistureproof body 15 side is better. Excellent in process stabilization.

本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although one embodiment of the present invention has been described, this embodiment is presented as an example and is not intended to limit the scope of the invention. The novel embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. This embodiment and its modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１０…放射線検出装置、１１…放射線検出器、１２…アレイ基板、１３…シンチレータ膜、１４…反射膜、１５…防湿体、１６…ガラス基板、１７…光電変換部、１８…制御ライン、１９…データライン、２０…画素、２１…フォトダイオード、２２…薄膜トランジスタ、２３…ゲート電極、２４…ソース電極、２５…ドレイン電極、２６…端子群、２７…蓄積キャパシタ、２８…保護膜、２９…金属配線、３０…回路基板、３１…支持板、３２…フレキシブル基板、３３…積分アンプ、３４…Ａ／Ｄ変換器、３５…行選択回路、３６…画像合成回路、３８…並列／直列変換器、３９…ゲートドライバー、４０…接着層、４１…接着剤、４２…接着剤、５０…鍔部、５１…天板部、５２…斜面部

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Radiation detection apparatus, 11 ... Radiation detector, 12 ... Array substrate, 13 ... Scintillator film | membrane, 14 ... Reflection film, 15 ... Moisture-proof body, 16 ... Glass substrate, 17 ... Photoelectric conversion part, 18 ... Control line, 19 ... Data line, 20 ... pixel, 21 ... photodiode, 22 ... thin film transistor, 23 ... gate electrode, 24 ... source electrode, 25 ... drain electrode, 26 ... terminal group, 27 ... storage capacitor, 28 ... protective film, 29 ... metal wiring , 30 ... Circuit board, 31 ... Support plate, 32 ... Flexible board, 33 ... Integration amplifier, 34 ... A / D converter, 35 ... Row selection circuit, 36 ... Image composition circuit, 38 ... Parallel / serial converter, 39 ... Gate driver, 40 ... Adhesive layer, 41 ... Adhesive, 42 ... Adhesive, 50 ... Bridge, 51 ... Top plate, 52 ... Slope

Claims (5)

蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板と、
前記アレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように設けられて放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜と、
前記アレイ基板と対向して前記シンチレータ膜を囲む鍔部を備えて前記シンチレータ膜を覆う防湿体と、
前記鍔部と前記アレイ基板とを接着し、前記シンチレータ膜が形成された領域の外側を取り囲むように帯状に設けられ、且つ内縁端部が全周にわたって前記鍔部よりも内側に位置し、前記光電変換素子層の前記光電変換素子が配列された領域には設けられていない接着層と、
を具備することを特徴とする放射線検出器。 An array substrate provided with a photoelectric conversion element layer in which photoelectric conversion elements for converting fluorescence into an electrical signal are arranged;
A scintillator film that is provided on the surface of the array substrate so as to cover the photoelectric conversion element layer and converts radiation into fluorescence;
A moisture-proof body that covers the scintillator film with a collar that faces the array substrate and surrounds the scintillator film;
Adhering the flange and the array substrate , provided in a band shape so as to surround the outside of the region where the scintillator film is formed, and the inner edge is located inside the flange over the entire circumference , An adhesive layer that is not provided in a region where the photoelectric conversion elements of the photoelectric conversion element layer are arranged ; and
A radiation detector comprising: 前記接着層の前記鍔部よりも内側の部分は前記鍔部と前記アレイ基板との間の部分よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。   2. The radiation detector according to claim 1, wherein a portion inside the flange portion of the adhesive layer is thicker than a portion between the flange portion and the array substrate. 前記防湿体は金属で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。   The radiation detector according to claim 1, wherein the moisture-proof body is made of metal. 前記接着層は紫外線硬化型の絶縁性樹脂接着剤および熱硬化型の絶縁性樹脂接着剤のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。   The radiation detection according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive layer is one of an ultraviolet curable insulating resin adhesive and a thermosetting insulating resin adhesive. vessel. 蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けた基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜を形成する工程と、
周囲に帯状の鍔部が形成された防湿体の前記鍔部および前記防湿体の前記鍔部よりも内側に少なくとも横並びに２重に接着剤を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後に、前記鍔部の前記接着剤が塗布された面を前記基板の前記シンチレータ膜よりも外側の部分に減圧雰囲気下で押し付ける接着工程と、
前記接着剤を硬化させて、前記シンチレータ膜が形成された領域の外側を取り囲むように帯状に設けられ、且つ内縁端部が全周にわたって前記鍔部よりも内側に位置し、前記光電変換素子層の前記光電変換素子が配列された領域には設けられていない接着層を形成する硬化工程と、
を具備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。 Forming a scintillator film that converts radiation into fluorescence so as to cover the photoelectric conversion element layer on the surface of a substrate provided with a photoelectric conversion element layer in which photoelectric conversion elements that convert fluorescence into electrical signals are arranged;
An application step of applying an adhesive at least laterally and double inside the heel portion of the moisture-proof body in which a band-shaped ridge portion is formed and the heel portion of the moisture-proof body;
After the application step, an adhesion step of pressing the surface of the collar portion on which the adhesive is applied to a portion outside the scintillator film of the substrate in a reduced pressure atmosphere;
The photoelectric conversion element layer is provided in a band shape so as to surround the outside of the region where the scintillator film is formed by curing the adhesive , and the inner edge end portion is located on the inner side of the collar over the entire circumference. the of the photoelectric conversion elements arranged region and a curing step you forming an adhesive layer is not provided,
The manufacturing method of the radiation detector characterized by comprising.
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