JP5660122B2 - Radiation detection panel, radiation image detector, method for manufacturing radiation detection panel, and method for manufacturing radiation image detector - Google Patents

Radiation detection panel, radiation image detector, method for manufacturing radiation detection panel, and method for manufacturing radiation image detector Download PDF

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Description

本発明は、放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法に関する。   The present invention relates to a radiation detection panel, a radiation image detector, a method for manufacturing a radiation detection panel, and a method for manufacturing a radiation image detector.

基板上にフォトダイオード等の複数の光電変換素子を二次元状に配列し、光電変換素子の放射線入射側にシンチレータを配置した放射線検出パネルを用いた放射線画像検出器(Flat Panel Detector(FPD)ともいう。)が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
このような放射線画像検出器は、通常、放射線検出パネルに照射された放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の光に変換し、変換した光を光電変換素子に入射させて素子内で電荷を発生させ、発生した電荷を取り出すことで、放射線情報を変換して最終的に電気信号として検出するように構成されている。
A radiation image detector (Flat Panel Detector (FPD)) using a radiation detection panel in which a plurality of photoelectric conversion elements such as photodiodes are two-dimensionally arranged on a substrate and a scintillator is arranged on the radiation incident side of the photoelectric conversion element Has been developed (see, for example, Patent Document 1).
Such a radiation image detector usually converts radiation irradiated to the radiation detection panel into light of other wavelengths such as visible light with a scintillator, and makes the converted light incident on a photoelectric conversion element to charge inside the element. Is generated, and the generated charge is taken out to convert radiation information and finally detect it as an electrical signal.

さらに、近年では、ケーブルレスで駆動可能な可搬型に構成されたカセッテ型の放射線画像検出器が開発されている。放射線画像検出器をこのように構成した場合、患者のベッドサイド等におけるポータブル撮影をはじめとする自由度の高い撮影が可能となる。また、据置き型の検出器と異なり、容易に持ち運びができるため、撮影室が複数あるような場合に、用途等に応じて1つの放射線画像検出器を異なる撮影室に移動させて撮影を行うことも可能となる。
このように可搬型に構成された放射線画像検出器においては、持ち運びをより容易なものとするために、更なる軽量化が望まれている。
Furthermore, in recent years, cassette-type radiation image detectors that are portable and can be driven without a cable have been developed. When the radiation image detector is configured in this manner, it is possible to perform imaging with a high degree of freedom including portable imaging on the patient's bedside or the like. In addition, unlike a stationary detector, it can be easily carried, so when there are multiple radiographing rooms, one radiographic image detector is moved to a different radiographing room depending on the application and so on. It is also possible.
Thus, in the radiographic image detector comprised by the portable type, in order to make it easier to carry, further weight reduction is desired.

ところで、放射線画像検出器が備える放射線検出パネルは、シンチレータが一方の面に形成されたシンチレータ基板と、シンチレータの下側に積層されシンチレータにより変換された光を検出して電気信号に変換する光電変換素子が一方の面に形成された素子基板と、等を備えて構成されており、これらが積層された積層構造となっている。そして、シンチレータ基板および素子基板には、ともに厚みが0.6mm程度のガラス基板が用いられている(例えば、特許文献2参照)。   By the way, the radiation detection panel included in the radiation image detector includes a scintillator substrate having a scintillator formed on one surface, and photoelectric conversion that detects light converted by the scintillator stacked on the lower side of the scintillator and converts it into an electrical signal. The element is configured to include an element substrate formed on one surface, and the like, and has a stacked structure in which these are stacked. A glass substrate having a thickness of about 0.6 mm is used for both the scintillator substrate and the element substrate (see, for example, Patent Document 2).

このように、シンチレータ基板および素子基板には、ともに厚みが0.6mm程度のガラス基板が用いられているため、放射線検出パネルの重量は、放射線画像検出器の総重量の約1/4も占めている。したがって、放射線検出パネルの軽量化が実現できれば、放射線画像検出器の軽量化が可能となる。
放射線検出パネルの軽量化を実現する手法としては、例えば、厚み0.6mmのガラス基板に代えて、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板(樹脂基板)や、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板(例えば、特許文献3参照)を用いる手法、厚み0.6mmよりも薄い薄型のガラス基板を用いる手法等が考えられる。
Thus, since the glass substrate having a thickness of about 0.6 mm is used for both the scintillator substrate and the element substrate, the weight of the radiation detection panel occupies about 1/4 of the total weight of the radiation image detector. ing. Therefore, if the radiation detection panel can be reduced in weight, the radiation image detector can be reduced in weight.
As a technique for reducing the weight of the radiation detection panel, for example, instead of a glass substrate having a thickness of 0.6 mm, a lightweight plastic substrate (resin substrate) having a specific gravity smaller than that of the glass substrate, aluminum, titanium, nickel, copper A method using a graphite substrate (see, for example, Patent Document 3) having a thin film formed on the surface thereof, a method using a thin glass substrate thinner than 0.6 mm, and the like can be considered.

特表2003−532072号公報Japanese translation of PCT publication No. 2003-532072 特開2009−104042号公報JP 2009-104042 A USP6172371号公報US Pat. No. 6,172,371

しかしながら、単に、厚み0.6mmのガラス基板に代えて、プラスチック基板を用いたり、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板を用いたり、薄型のガラス基板を用いたりするだけでは、従来と同等の性能を維持できない、従来と同様の方法で製造できない等の不都合が生じてしまう。   However, instead of using a 0.6 mm thick glass substrate, a plastic substrate, a graphite substrate with a thin film of aluminum, titanium, nickel, copper or the like formed on the surface, or a thin glass substrate may be used. If this is done, there will be inconveniences such as inability to maintain the same performance as in the prior art, and inability to manufacture in the same manner as in the prior art.

具体的には、シンチレータは、素子基板と、シンチレータ基板と、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせるための接着剤と、により密閉された内部空間内に配置されているが、プラスチック基板はガラス基板よりも防湿性に劣るため、ガラス基板に代えてプラスチック基板を用いると、シンチレータが劣化し易くなるという不都合が生じてしまう。
また、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板は光を透過することができないため、ガラス基板に代えてアルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できないという不都合が生じてしまう。
また、厚み0.6mmよりも薄い薄型のガラス基板は、厚み0.6mmのガラス基板よりも破壊に要するエネルギーが小さく壊れ易いため、厚み0.6mmのガラス基板に代えて薄型のガラス基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によって、この薄型のガラス基板に割れや亀裂などが入るという不都合が生じてしまう。
Specifically, the scintillator is disposed in an internal space sealed by an element substrate, a scintillator substrate, and an adhesive for bonding the element substrate and the scintillator substrate, but the plastic substrate is a glass substrate. Therefore, if a plastic substrate is used instead of the glass substrate, the inconvenience that the scintillator is likely to deteriorate is caused.
In addition, a graphite substrate with a thin film of aluminum, titanium, nickel, copper, etc. formed on the surface cannot transmit light, so a thin film of aluminum, titanium, nickel, copper, etc. is formed on the surface instead of a glass substrate. When the graphite substrate is used, there is a disadvantage that a photo-curing adhesive cannot be used for bonding the element substrate and the scintillator substrate.
Further, a thin glass substrate having a thickness of less than 0.6 mm requires less energy and is more easily broken than a glass substrate having a thickness of 0.6 mm. Therefore, a thin glass substrate is used instead of a glass substrate having a thickness of 0.6 mm. Due to the load when the element substrate and the scintillator substrate are bonded together, there arises a disadvantage that the thin glass substrate is cracked or cracked.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、軽量化を図りつつ、不都合の発生を防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems. A radiation detection panel, a radiation image detector, a method for manufacturing a radiation detection panel, and radiation that can prevent inconvenience while reducing the weight. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an image detector.

前記の問題を解決するために、本発明の放射線検出パネルは、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第1の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第2の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記接着剤は、光硬化型の接着剤であり、
前記第2の基板は、光透過性のプラスチック基板と、前記プラスチック基板の少なくとも一方の面に形成された光透過性の無機系薄膜と、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the radiation detection panel of the present invention includes:
A first substrate having a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally on the surface;
A scintillator that converts radiation into light is formed on the surface, and the second substrate is disposed in a state where the scintillator and the plurality of photoelectric conversion elements face each other;
An adhesive that is disposed in a portion around the plurality of photoelectric conversion elements and the scintillator, and that bonds the first substrate and the second substrate;
The adhesive is a photocurable adhesive,
The second substrate includes a light transmissive plastic substrate and a light transmissive inorganic thin film formed on at least one surface of the plastic substrate.

また、本発明の放射線検出パネルは、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第1の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第2の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記第2の基板は、前記第1の基板よりも薄く一方の面に前記シンチレータが形成されたガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、を備えることを特徴とする。
The radiation detection panel of the present invention is
A first substrate having a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally on the surface;
A scintillator that converts radiation into light is formed on the surface, and the second substrate is disposed in a state where the scintillator and the plurality of photoelectric conversion elements face each other;
An adhesive that is disposed in a portion around the plurality of photoelectric conversion elements and the scintillator, and that bonds the first substrate and the second substrate;
The second substrate includes a glass substrate that is thinner than the first substrate and has the scintillator formed on one surface thereof, and a plastic substrate that is bonded to the other surface of the glass substrate. To do.

また、本発明の放射線画像検出器は、上記の本発明の放射線検出パネルを備えることを特徴とする。   Moreover, the radiographic image detector of this invention is equipped with said radiation detection panel of this invention, It is characterized by the above-mentioned.

また、本発明の放射線検出パネルの製造方法は、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第1の基板の当該複数の光電変換素子の周囲の部分、或いは、放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第2の基板の当該シンチレータの周囲の部分に、接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記接着剤を介して、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記第1の基板、前記第2の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、を有し、
前記第2の基板は、前記シンチレータが一方の面に形成され、前記第1の基板よりも薄いガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、前記ガラス基板と前記プラスチック基板とを剥離可能に接着する接着層と、を備えて構成されており、
さらに、前記接着剤硬化工程の後、前記プラスチック基板を前記ガラス基板から剥離する剥離工程を有することを特徴とする。
Moreover, the method for producing the radiation detection panel of the present invention comprises:
A portion of the first substrate having a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally on the surface thereof, or a second substrate on the surface of which a scintillator for converting radiation into light is formed. An adhesive disposing step of disposing an adhesive on the peripheral portion of the scintillator,
A temporary bonding step of temporarily bonding the first substrate and the second substrate through the adhesive in a state where the plurality of photoelectric conversion elements and the scintillator face each other;
A reduced pressure bonding step of depressurizing an internal space formed by the first substrate, the second substrate, and the adhesive, and bonding the first substrate and the second substrate;
An adhesive curing step for curing the adhesive in a state where the first substrate and the second substrate are bonded together,
The second substrate includes the scintillator formed on one surface, a glass substrate thinner than the first substrate, a plastic substrate bonded to the other surface of the glass substrate, the glass substrate and the plastic An adhesive layer that releasably adheres to the substrate.
Furthermore, after the said adhesive agent hardening process, it has the peeling process which peels the said plastic substrate from the said glass substrate, It is characterized by the above-mentioned.

また、本発明の放射線画像検出器の製造方法は、上記の本発明の放射線検出パネルの製造方法により製造された放射線検出パネルを用いて放射線画像検出器を製造することを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the radiographic image detector of this invention manufactures a radiographic image detector using the radiation detection panel manufactured by the manufacturing method of the said radiation detection panel of this invention.

本発明のような方式の放射線検出パネルおよび放射線画像検出器によれば、接着剤は、光硬化型の接着剤であり、第2の基板は、光透過性のプラスチック基板と、プラスチック基板の一方の面に積層され、当該第2の基板の表面を形成する光透過性の無機系薄膜と、を備えて構成されている。
すなわち、第2の基板として、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板を用いているため、素子基板とシンチレータ基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネルを軽量化することができる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器の落下強度を向上させることが可能となる。
According to the radiation detection panel and the radiation image detector of the system of the present invention, the adhesive is a photo-curing adhesive, and the second substrate is one of a light transmissive plastic substrate and a plastic substrate. And a light-transmitting inorganic thin film that forms the surface of the second substrate.
That is, since a plastic substrate having a specific gravity smaller and lighter than that of the glass substrate is used as the second substrate, radiation detection is performed as compared with the case where the element substrate and the scintillator substrate are formed of the same thickness glass substrate. The panel can be reduced in weight.
In addition, since the radiation detection panel can be reduced in weight as described above, the radiation image detector can be easily carried especially when the radiation image detector is configured to be portable. It becomes.
Moreover, since the weight of the radiation detection panel can be reduced in this way, it is possible to improve the drop strength of the radiation image detector.

また、プラスチック基板はガラス基板よりも防湿性に劣るが、本発明における第2の基板は、当該第2の基板の表面が無機系薄膜で形成されており、この無機系薄膜で、第1の基板と、第2の基板と、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせるための接着剤と、により密閉された内部空間への湿気(水蒸気)の流入を妨害し得る構成となっているため、シンチレータが劣化し易くなる等の不都合の発生を防止することが可能となる。
また、本発明のように接着剤が光硬化型の接着剤である場合、光を透過することができない基板を用いると、当該接着剤を硬化させることができないが、本発明における第2の基板は、当該第2の基板が備えるプラスチック基板と無機系薄膜とがともに光透過性であり、当該接着剤を硬化させる波長の光を透過し得る構成となっているため、第1の基板と第2の基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できない等の不都合の発生を防止することが可能となる。
In addition, the plastic substrate is inferior in moisture resistance to the glass substrate, but the second substrate in the present invention has the surface of the second substrate formed of an inorganic thin film. It becomes the structure which can obstruct the inflow of moisture (water vapor | steam) to the internal space sealed by the board | substrate, the 2nd board | substrate, and the adhesive agent for bonding a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate. Therefore, it is possible to prevent inconveniences such as the scintillator being easily deteriorated.
Further, when the adhesive is a photo-curing adhesive as in the present invention, if a substrate that cannot transmit light is used, the adhesive cannot be cured, but the second substrate in the present invention Since the plastic substrate and the inorganic thin film included in the second substrate are both light transmissive and can transmit light having a wavelength that cures the adhesive, the first substrate and the first thin film It is possible to prevent the occurrence of inconveniences such as the inability to use a photo-curing adhesive for bonding to the second substrate.

また、本発明のような方式の放射線検出パネルおよび放射線画像検出器によれば、第2の基板は、シンチレータが一方の面に形成され、第1の基板よりも薄いガラス基板と、ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、ガラス基板とプラスチック基板とを接着する接着層と、を備えて構成されている。
すなわち、第2の基板として、第1の基板よりも薄く軽量な薄型のガラス基板を用いているため、第1の基板と第2の基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネルを軽量化することができる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器の落下強度を向上させることが可能となる。
Further, according to the radiation detection panel and the radiation image detector of the system as in the present invention, the second substrate has a scintillator formed on one surface, a glass substrate thinner than the first substrate, and a glass substrate. It comprises a plastic substrate bonded to the other surface, and an adhesive layer that bonds the glass substrate and the plastic substrate.
That is, since a thin glass substrate that is thinner and lighter than the first substrate is used as the second substrate, the first substrate and the second substrate are configured by glass substrates having the same thickness. In comparison, the radiation detection panel can be reduced in weight.
In addition, since the radiation detection panel can be reduced in weight as described above, the radiation image detector can be easily carried especially when the radiation image detector is configured to be portable. It becomes.
Moreover, since the weight of the radiation detection panel can be reduced in this way, it is possible to improve the drop strength of the radiation image detector.

また、薄型のガラス基板は壊れ易いが、本発明における第2の基板は、薄型のガラス基板にガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板が貼り付けられて形成されており、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る構成となっているため、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせる際の荷重によって第2の基板に割れや亀裂などが入る等の不都合の発生を防止することが可能となる。   Although the thin glass substrate is fragile, the second substrate in the present invention is formed by attaching a plastic substrate that is less brittle and less fragile than the glass substrate to the thin glass substrate. The second substrate is cracked or cracked by the load when the first substrate and the second substrate are bonded to each other. It is possible to prevent such inconveniences.

また、本発明のような方式の放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法によれば、接着剤硬化工程の後、プラスチック基板をガラス基板から剥離する剥離工程を有している。
したがって、接着剤硬化工程の後に剥離工程を行うことで、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせた後、ガラス基板からプラスチック基板を剥離することができるため、放射線検出パネルが備える第2の基板をガラス基板のみから構成されたものとすることが可能となる。
Moreover, according to the manufacturing method of the radiation detection panel of the system like this invention, and the manufacturing method of a radiographic image detector, it has the peeling process which peels a plastic substrate from a glass substrate after an adhesive agent hardening process.
Therefore, by performing the peeling step after the adhesive curing step, the plastic substrate can be peeled off from the glass substrate after the first substrate and the second substrate are bonded together. It becomes possible to make 2 board | substrates only from the glass substrate.

第1の実施の形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the radiographic image detector which concerns on 1st Embodiment. 図1のA−A線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line of FIG. 第1の実施の形態に係る放射線検出パネルが備える第1の基板表面の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the 1st board | substrate surface with which the radiation detection panel which concerns on 1st Embodiment is provided. 図3の第1の基板上の小領域に形成された光電変換素子や薄膜トランジスタなどの構成を示す拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view showing a configuration of a photoelectric conversion element, a thin film transistor, and the like formed in a small region on the first substrate in FIG. 3. COFやPCB基板などが取り付けられた第1の基板を説明する図である。It is a figure explaining the 1st board | substrate with which COF, a PCB board | substrate, etc. were attached. 蛍光体が柱状構造を有するシンチレータの構成およびその第2の基板への貼付を説明する拡大模式図である。It is an expansion schematic diagram explaining the structure of the scintillator in which fluorescent substance has a columnar structure, and its sticking to the 2nd board | substrate. 第1の実施の形態に係る放射線検出パネルの拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the radiation detection panel concerning a 1st embodiment. 接着剤の中に設置されているスペーサの一例として断面円形状の棒状のスペーサを表す図である。It is a figure showing the rod-shaped spacer of a cross-sectional circle shape as an example of the spacer installed in the adhesive agent. 接着剤の中に設置されているスペーサの一例として球形状のスペーサを表す図である。It is a figure showing a spherical spacer as an example of the spacer installed in the adhesive agent. 第1の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the portion near the adhesive of the radiation detection panel according to the first embodiment. シンチレータの蛍光体が層状に形成された放射線検出パネルの拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the radiation detection panel in which the fluorescent substance of the scintillator was formed in layers. 第1の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the radiation detection panel which concerns on 1st Embodiment. 減圧貼り合わせ工程等に用いられるチャンバの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the chamber used for a pressure reduction bonding process. フィルムの下方空間が減圧されて第1の基板と第2の基板とが貼り合わされた状態を表す図である。It is a figure showing the state where the downward space of the film was decompressed and the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate were bonded together. 第1の基板上に間隙が形成されるように配置された接着剤を表す斜視図である。It is a perspective view showing the adhesive agent arrange | positioned so that a gap | interval may be formed on a 1st board | substrate. 第1の基板と第2の基板との仮貼り合わせにより接着剤の間隙の部分に開口部が形成されることを説明する図である。It is a figure explaining opening being formed in the part of the gap of adhesives by temporary pasting together the 1st substrate and the 2nd substrate. 減圧貼り合わせ工程で接着剤が延在方向に押し広げられて開口部が封止されることを説明する図である。It is a figure explaining that an adhesive is expanded in the extending direction and an opening part is sealed by a decompression bonding process. 第1の実施の形態に係る放射線画像検出器の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the radiographic image detector which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the portion near the adhesive of the radiation detection panel according to the second embodiment. ガラス基板からプラスチック基板が剥離された放射線検出パネルを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the radiation detection panel by which the plastic substrate was peeled from the glass substrate. 第2の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the radiation detection panel which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に係る放射線画像検出器を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the radiographic image detector which concerns on 3rd Embodiment. 図21におけるB−B線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the BB line in FIG. シンチレータの拡大図であり、シンチレータがガラス基板に貼付される状態を表す図である。It is an enlarged view of a scintillator, and is a figure showing the state by which a scintillator is stuck on a glass substrate. 放射線画像検出器の基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the board | substrate of a radiographic image detector. COFやPCB基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。It is a side view explaining the board | substrate with which COF, a PCB board | substrate, etc. were attached. 放射線画像検出器の等価回路を表すブロック図である。It is a block diagram showing the equivalent circuit of a radiographic image detector. 第3の実施の形態に係る放射線画像検出器の光電変換素子やシンチレータを含む部分の拡大された断面図である。It is sectional drawing to which the part containing the photoelectric conversion element and scintillator of the radiographic image detector which concerns on 3rd Embodiment was expanded. 第3の実施の形態に係る放射線画像検出器の基板部分の断面図である。It is sectional drawing of the board | substrate part of the radiographic image detector which concerns on 3rd Embodiment. 平坦化層を接着剤の外側まで延在させるように構成した放射線画像検出器の基板部分の断面図である。It is sectional drawing of the board | substrate part of the radiographic image detector comprised so that a planarization layer might be extended to the outer side of an adhesive agent. 従来の放射線画像検出器の基板部分の断面図である。It is sectional drawing of the board | substrate part of the conventional radiographic image detector.

以下、図を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the scope of the invention is not limited to the illustrated examples.

[第1の実施の形態]
まず、第1の実施の形態に係る放射線検出パネル3、放射線画像検出器1、放射線検出パネル3の製造方法および放射線画像検出器1の製造方法について説明する。
[First Embodiment]
First, the radiation detection panel 3, the radiation image detector 1, the manufacturing method of the radiation detection panel 3, and the manufacturing method of the radiation image detector 1 according to the first embodiment will be described.

[放射線検出パネルおよび放射線画像検出器]
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル3および放射線画像検出器1の構成について説明する。
[Radiation detection panel and radiation image detector]
First, the configuration of the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described.

なお、以下では、図1や図2に示すように、放射線画像検出器1や放射線検出パネル3における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、放射線画像検出器1の筐体2における放射線が入射する面X側を上側に向け、筐体2における放射線が入射する面Xとは反対側の面Y側を下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。   In the following, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, the relative positional relationship of each member in the radiation image detector 1 and the radiation detection panel 3, particularly the vertical relationship, in the housing 2 of the radiation image detector 1. Description will be made based on the positional relationship when the surface X side on which the radiation is incident is directed upward and the surface Y side opposite to the surface X on which the radiation is incident in the housing 2 is directed downward.

図1は、本実施形態に係る放射線画像検出器1の外観斜視図であり、図2は、図1のA−A線に沿う断面図である。
放射線画像検出器1は、図1や図2に示すように、放射線検出パネル3が筐体2内に収納されて構成されている。
FIG. 1 is an external perspective view of the radiation image detector 1 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
As shown in FIGS. 1 and 2, the radiation image detector 1 includes a radiation detection panel 3 housed in a housing 2.

筐体2は、カーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板51とバック板52とで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、筐体2の側面部分には、LED等で構成されたインジケータ53、蓋54、外部の装置と接続される端子55、電源スイッチ56等が配置されている。
The housing 2 is formed of a material such as a carbon plate or plastic. 1 and 2 show a case where the housing 2 is a so-called lunch box type formed by a frame plate 51 and a back plate 52, but the housing 2 is formed in a rectangular tube shape. The so-called monocoque type can also be used.
In addition, an indicator 53 made of LEDs or the like, a lid 54, a terminal 55 connected to an external device, a power switch 56, and the like are disposed on the side surface of the housing 2.

筐体2の内部には、図2に示すように、第1の基板4(以下「素子基板4」という。)、第2の基板5(以下「シンチレータ基板5」という。)、シンチレータ6等を備えた放射線検出パネル3が配置されている。
また、放射線検出パネル3の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台7が配置され、基台7には、CPU(Central Processing Unit)やRAM(Random Access Memory)などの各種の電子部品8等が配設されたPCB基板9、緩衝部材10等が取り付けられている。
Inside the housing 2, as shown in FIG. 2, a first substrate 4 (hereinafter referred to as “element substrate 4”), a second substrate 5 (hereinafter referred to as “scintillator substrate 5”), a scintillator 6 and the like. The radiation detection panel 3 provided with is arranged.
A base 7 is arranged below the radiation detection panel 3 via a lead thin plate (not shown), and the base 7 has various types such as a CPU (Central Processing Unit) and a RAM (Random Access Memory). A PCB substrate 9 on which electronic components 8 and the like are disposed, a buffer member 10 and the like are attached.

本実施形態では、素子基板4は、放射線や紫外線などの光を透過する光透過性のガラス基板で構成されている。
また、本実施形態では、素子基板4の厚みは、0.6mm程度に設定されている。
なお、素子基板4は、ガラス基板に限定されるものではなく、例えば、光透過性のプラスチック基板で構成されていてもよい。
また、素子基板4の厚みは、0.6mmに限定されるものではない。
In the present embodiment, the element substrate 4 is composed of a light-transmissive glass substrate that transmits light such as radiation and ultraviolet rays.
In the present embodiment, the thickness of the element substrate 4 is set to about 0.6 mm.
In addition, the element substrate 4 is not limited to a glass substrate, For example, you may be comprised with the light transmissive plastic substrate.
Further, the thickness of the element substrate 4 is not limited to 0.6 mm.

図3は、素子基板4表面の構成を示す平面図である。素子基板4の表面(すなわちシンチレータ6(図2参照)に対向する側の面)4a上には、複数の走査線11と複数の信号線12とが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線13が、複数の信号線12と平行に配置されており、本実施形態では、各バイアス線13は、素子基板4上の一方側の端部で1本の結線14により結束されている。   FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the surface of the element substrate 4. On the surface of the element substrate 4 (that is, the surface facing the scintillator 6 (see FIG. 2)) 4a, a plurality of scanning lines 11 and a plurality of signal lines 12 are arranged so as to cross each other. A plurality of bias lines 13 are arranged in parallel with the plurality of signal lines 12. In the present embodiment, each bias line 13 is connected to one end 14 on the element substrate 4 by a single connection 14. They are united.

また、素子基板4の表面4a上で複数の走査線11と複数の信号線12とにより区画された各小領域Rには、光電変換素子15がそれぞれ設けられている。このように、本実施形態では、素子基板(第1の基板)4は、その表面4aに複数の光電変換素子15が二次元状に配列されて形成されている。また、光電変換素子15はそれぞれバイアス線13に接続されており、本実施形態では、図示しないバイアス電源からバイアス線13を介して光電変換素子15にバイアス電圧が印加されるように構成されている。   In addition, photoelectric conversion elements 15 are respectively provided in the small regions R partitioned by the plurality of scanning lines 11 and the plurality of signal lines 12 on the surface 4 a of the element substrate 4. Thus, in this embodiment, the element substrate (first substrate) 4 is formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements 15 in a two-dimensional manner on the surface 4a. The photoelectric conversion elements 15 are connected to the bias lines 13 respectively. In this embodiment, a bias voltage is applied to the photoelectric conversion elements 15 from a bias power source (not shown) via the bias lines 13. .

本実施形態では、光電変換素子15として、放射線の照射を受けたシンチレータ6から出力された光の照射を受けると光エネルギを吸収して内部に電子正孔対を発生させることで光エネルギを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
また、図4の拡大図に示すように、各小領域Rには、各光電変換素子15につき1つの薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor。以下「TFT」という。)16が設けられており、TFT16のソース電極16sが光電変換素子15の1つの電極と、ドレイン電極16dが信号線12と、ゲート電極16gが走査線11とそれぞれ接続されている。
In this embodiment, the photoelectric conversion element 15 is charged with light energy by absorbing light energy and generating electron-hole pairs inside when irradiated with light output from the scintillator 6 that has been irradiated with radiation. A photodiode is used to convert to.
As shown in the enlarged view of FIG. 4, each small region R is provided with one thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) 16 for each photoelectric conversion element 15, and the source of the TFT 16. The electrode 16s is connected to one electrode of the photoelectric conversion element 15, the drain electrode 16d is connected to the signal line 12, and the gate electrode 16g is connected to the scanning line 11.

本実施形態の放射線検出パネル3では、図3に示すように、上記のように構成された素子基板4の表面4a上において、走査線11や信号線12、結線14の端部がそれぞれ入出力端子(パッドともいう)18に接続されている。
また、図5に示すように、走査線11、信号線12、結線14、光電変換素子15等は、これらを腐食や損傷から保護する絶縁層、すなわち窒化シリコン(SiNx)等からなるパッシベーション層17で被覆されている。
In the radiation detection panel 3 of the present embodiment, as shown in FIG. 3, on the surface 4a of the element substrate 4 configured as described above, the ends of the scanning lines 11, the signal lines 12, and the connection lines 14 are input / output, respectively. It is connected to a terminal (also referred to as a pad) 18.
As shown in FIG. 5, the scanning line 11, the signal line 12, the connection line 14, the photoelectric conversion element 15 and the like are provided with an insulating layer for protecting them from corrosion and damage, that is, a passivation layer 17 made of silicon nitride (SiNx) or the like. It is covered with.

また、図5に示すように、各入出力端子18には、COF(Chip On Film)19が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)などの異方性導電性接着材料20を介して圧着されている。また、COF19は、素子基板4の裏面4b側に引き回されており、裏面4b側でPCB基板9とCOF19とが圧着されて接続されている。   In addition, as shown in FIG. 5, each input / output terminal 18 has a COF (Chip On Film) 19 formed of an anisotropic conductive paste (Anisotropic Conductive Film) or an anisotropic conductive paste (Anisotropic Conductive Paste). Crimping is performed via the isotropic conductive adhesive material 20. The COF 19 is routed to the back surface 4b side of the element substrate 4, and the PCB substrate 9 and the COF 19 are pressure-bonded and connected to the back surface 4b side.

また、図5に示すように、素子基板4の表面4aにおける複数の光電変換素子15等が形成された部分には、複数の光電変換素子15等による表面の凹凸を平坦化し、図5では図示を省略するシンチレータ6が光電変換素子15に対向するように配置された際にその下地とするために、パッシベーション層17を介して複数の光電変換素子15等を被覆するように透明な樹脂等が塗布されて平坦化層21が形成されている。   Further, as shown in FIG. 5, the surface unevenness of the plurality of photoelectric conversion elements 15 etc. is flattened on the portion of the surface 4a of the element substrate 4 where the plurality of photoelectric conversion elements 15 etc. are formed. When the scintillator 6 is disposed so as to face the photoelectric conversion element 15, a transparent resin or the like is provided so as to cover the plurality of photoelectric conversion elements 15 or the like via the passivation layer 17. The planarizing layer 21 is formed by coating.

本実施形態では、平坦化層21は、シンチレータ6の蛍光体6aから出力される光を透過する透明のアクリル系感光性樹脂で形成されている。なお、図5では、シンチレータ6のほか、電子部品8等の図示が省略されている。   In the present embodiment, the planarizing layer 21 is formed of a transparent acrylic photosensitive resin that transmits light output from the phosphor 6 a of the scintillator 6. In FIG. 5, illustration of the electronic component 8 and the like in addition to the scintillator 6 is omitted.

シンチレータ6(図2参照)は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレータ6として、X線等の放射線が入射すると、波長が300nm〜800nmの電磁波、すなわち可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられている。蛍光体としては、例えばCsI:Tl等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。   The scintillator 6 (see FIG. 2) converts incident radiation into light of another wavelength, and has a phosphor as a main component. Specifically, in this embodiment, the scintillator 6 outputs an electromagnetic wave having a wavelength of 300 nm to 800 nm, that is, light that ranges from ultraviolet light to infrared light centering on visible light when radiation such as X-rays enters. It is used. As the phosphor, for example, a material in which a luminescent center substance is activated in a base material such as CsI: Tl is preferably used.

シンチレータ6は、本実施形態では、図6の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜6bの上に、例えば気相成長法により蛍光体6aを成長させて形成されたものであり、蛍光体6aの柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。   In the present embodiment, as shown in the enlarged view of FIG. 6, the scintillator 6 is formed on a support film 6 b formed of various polymer materials such as a cellulose acetate film, a polyester film, and a polyethylene terephthalate film. The phosphor 6a is grown by a phase growth method, and is made of a columnar crystal of the phosphor 6a. As the vapor growth method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like is preferably used.

いずれの手法においても、蛍光体6aを支持膜6b上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。蛍光体6aの各柱状結晶は、支持膜6b付近では太く、先端(図6中では下側の端部)Paに向かうに従って細くなっていき、先端Paは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成される。   In either method, the phosphor 6a can be vapor-phase grown as an independent elongated columnar crystal on the support film 6b. Each columnar crystal of the phosphor 6a is thick in the vicinity of the support film 6b, and becomes thinner toward the tip (lower end in FIG. 6) Pa, and the tip Pa has an acute-angled substantially conical shape. Grown and formed.

本実施形態では、このようにして蛍光体6aが柱状結晶として形成されたシンチレータ6は、蛍光体6aの柱状結晶の鋭角状の先端Paが下側、すなわち前述した素子基板4の複数の光電変換素子15側を向くように、その支持膜6bがシンチレータ基板(第2の基板)5の下方側の表面5aに貼付されている。このようにして、シンチレータ6は、シンチレータ基板5で支持されている。   In the present embodiment, the scintillator 6 in which the phosphor 6a is formed as a columnar crystal in this way has the acute-angled tip Pa of the columnar crystal of the phosphor 6a on the lower side, that is, the plurality of photoelectric conversions of the element substrate 4 described above. The support film 6 b is attached to the lower surface 5 a of the scintillator substrate (second substrate) 5 so as to face the element 15 side. In this way, the scintillator 6 is supported by the scintillator substrate 5.

なお、蛍光体6aの柱状結晶の全体がフィルム等で覆われた状態でシンチレータ6が形成される場合もあり、その場合には、フィルムの厚さは均一とされ、後述するように蛍光体6aの先端Paが平坦化層21の表面に当接する際には、蛍光体6aの先端Paがフィルムを介して平坦化層21の表面に当接する状態となる。   The scintillator 6 may be formed in a state where the entire columnar crystal of the phosphor 6a is covered with a film or the like. In this case, the thickness of the film is uniform, and the phosphor 6a is described later. When the tip Pa of the phosphor contacts the surface of the planarizing layer 21, the tip Pa of the phosphor 6a contacts the surface of the planarizing layer 21 through the film.

本実施形態では、シンチレータ基板(第2の基板)5は、例えば、図7に示すように、光透過性のプラスチック基板501と、プラスチック基板501の一方の面に積層され、当該シンチレータ基板5の表面5aを形成する光透過性の無機系薄膜502と、プラスチック基板501の他方の面に積層され、当該シンチレータ基板5の裏面5bを形成する光透過性の無機系薄膜503と、を備えて構成されている。
また、本実施形態では、シンチレータ基板5の厚みは、素子基板4と同等又はそれ以下に設定されており、無機系薄膜502,503の厚みはそれぞれ1μm程度に設定されている。
In this embodiment, the scintillator substrate (second substrate) 5 is laminated on one surface of a plastic substrate 501 and a plastic substrate 501 as shown in FIG. A light-transmitting inorganic thin film 502 that forms the front surface 5a, and a light-transmitting inorganic thin film 503 that is laminated on the other surface of the plastic substrate 501 and forms the back surface 5b of the scintillator substrate 5. Has been.
In the present embodiment, the thickness of the scintillator substrate 5 is set to be equal to or less than that of the element substrate 4, and the thicknesses of the inorganic thin films 502 and 503 are each set to about 1 μm.

プラスチック基板501としては、PET(polyethylene terephthalate)、アクリル、ナイロン、ポリカーボネート等の透明な樹脂基板(プラスチック基板)が好ましく用いられる。
また、無機系薄膜502,503としては、SiNやSiOなどからなる透明なケイ素化合物薄膜、酸化インジウムや酸化亜鉛、酸化錫などからなる透明な酸化金属系薄膜、或いはこれらの組み合わせからなる透明な薄膜が好ましく用いられる。
すなわち、シンチレータ基板5は、透明なプラスチック基板501の両面に、透明な無機系薄膜502,503を積層することによって形成することができる。
As the plastic substrate 501, a transparent resin substrate (plastic substrate) such as PET (polyethylene terephthalate), acrylic, nylon, or polycarbonate is preferably used.
As the inorganic thin films 502 and 503, a transparent silicon compound thin film made of SiN or SiO, a transparent metal oxide thin film made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, or the like, or a transparent thin film made of a combination thereof. Is preferably used.
That is, the scintillator substrate 5 can be formed by laminating transparent inorganic thin films 502 and 503 on both surfaces of a transparent plastic substrate 501.

なお、プラスチック基板501は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤22(後述)を硬化させる波長の光とを透過できる基板であれば、透明な基板に限定されるものではない。すなわち、例えば、接着剤22が紫外線硬化型の接着剤である場合、プラスチック基板501は、少なくとも放射線と紫外線とを透過できる基板であればよい。
また、プラスチック基板501は、フレキシブルなフィルム状の基板であってもよいし、リジッドな板状の基板であってもよい。
Note that the plastic substrate 501 is not limited to a transparent substrate as long as it can transmit at least radiation and light having a wavelength for curing an adhesive 22 (described later) that is a photo-curable adhesive. That is, for example, when the adhesive 22 is an ultraviolet curable adhesive, the plastic substrate 501 may be any substrate that can transmit at least radiation and ultraviolet rays.
In addition, the plastic substrate 501 may be a flexible film-like substrate or a rigid plate-like substrate.

また、無機系薄膜502,503は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤22(後述)を硬化させる波長の光とを透過できる薄膜であれば、透明な薄膜に限定されるものではない。すなわち、例えば、接着剤22が紫外線硬化型の接着剤である場合、無機系薄膜502,503は、少なくとも放射線と紫外線とを透過できる薄膜であればよい。
なお、無機系薄膜502,503は、導電性を有していてもよいし、導電性を有していなくてもよい。
The inorganic thin films 502 and 503 are limited to transparent thin films as long as they can transmit at least radiation and light having a wavelength for curing the adhesive 22 (described later) that is a photo-curing adhesive. is not. That is, for example, when the adhesive 22 is an ultraviolet curable adhesive, the inorganic thin films 502 and 503 may be thin films that can transmit at least radiation and ultraviolet rays.
Note that the inorganic thin films 502 and 503 may have electrical conductivity or may not have electrical conductivity.

また、シンチレータ基板5は、少なくとも表面5aが無機系薄膜502で形成されているものであれば、裏面5bは無機系薄膜503で形成されずにプラスチック基板501が露出していてもよい。
ここで、無機系薄膜503は、放射線検出パネル3の製造過程で発生する歪応力等のプラスチック基板501に加わる応力のバランスに応じて適宜に設置可能なものである。したがって、シンチレータ基板5においては、プラスチック基板501の一方の面にのみ、すなわちプラスチック基板501におけるシンチレータ6側(表面5a側)の面にのみ無機系薄膜502が積層されたものであっても、放射線検出パネル3の製造過程で発生する歪応力等の影響で当該シンチレータ基板5が反ってしまう等の不都合が生じないのであれば、プラスチック基板501の他方の面には、すなわちプラスチック基板501におけるシンチレータ6側と反対側(裏面5b側)の面には無機系薄膜503は積層されていなくてもよい。
As long as the scintillator substrate 5 has at least the front surface 5a formed of the inorganic thin film 502, the plastic substrate 501 may be exposed without forming the back surface 5b of the inorganic thin film 503.
Here, the inorganic thin film 503 can be appropriately installed according to the balance of stress applied to the plastic substrate 501 such as strain stress generated in the manufacturing process of the radiation detection panel 3. Therefore, in the scintillator substrate 5, even if the inorganic thin film 502 is laminated only on one surface of the plastic substrate 501, that is, on the surface of the plastic substrate 501 on the scintillator 6 side (front surface 5a side) If there is no inconvenience such as warping of the scintillator substrate 5 due to the strain stress generated in the manufacturing process of the detection panel 3, the other surface of the plastic substrate 501, that is, the scintillator 6 in the plastic substrate 501 is used. The inorganic thin film 503 may not be laminated on the surface opposite to the side (the back surface 5b side).

また、シンチレータ基板5の厚みは、当該シンチレータ基板5が素子基板4よりも軽量であれば、素子基板4と同等又はそれ以下に限定されるものではない。
また、無機系薄膜502の厚みは、当該無機系薄膜502で、後述する内部空間Cへの湿気(水蒸気)の流入を妨害できるのであれば、1μmに限定されるものではない。
また、無機系薄膜503の厚みは、当該無機系薄膜503で、プラスチック基板501に加わる応力のバランスをとることができるのであれば、1μmに限定されるものではない。
The thickness of the scintillator substrate 5 is not limited to the same as or less than that of the element substrate 4 as long as the scintillator substrate 5 is lighter than the element substrate 4.
Further, the thickness of the inorganic thin film 502 is not limited to 1 μm as long as the inorganic thin film 502 can block the inflow of moisture (water vapor) into the internal space C described later.
The thickness of the inorganic thin film 503 is not limited to 1 μm as long as the inorganic thin film 503 can balance the stress applied to the plastic substrate 501.

図7は、図2における放射線検出パネル3の端部部分の拡大図である。なお、図7において、放射線検出パネル3の各部材の相対的な大きさや厚さ、部材間の間隔等は、必ずしも実際の放射線検出パネル3の構造を反映していない。   FIG. 7 is an enlarged view of an end portion of the radiation detection panel 3 in FIG. In FIG. 7, the relative size and thickness of each member of the radiation detection panel 3, the interval between the members, and the like do not necessarily reflect the actual structure of the radiation detection panel 3.

図7に示すように、放射線検出パネル3は、シンチレータ基板5が、シンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paが複数の光電変換素子15や平坦化層21に対向するように配置されて形成されている。   As shown in FIG. 7, the radiation detection panel 3 is configured such that the scintillator substrate 5 is disposed such that the acute-angled tip Pa of the phosphor 6 a of the scintillator 6 faces the plurality of photoelectric conversion elements 15 and the planarization layer 21. Is formed.

また、素子基板4とシンチレータ基板5との間隙部分であってシンチレータ6や複数の光電変換素子15の周囲の部分には、その全周にわたって接着剤22が配置されており、素子基板4とシンチレータ基板5とは接着剤22によって接着されている。また、素子基板4とシンチレータ基板5との間の部分には、それらと接着剤22とにより、外部から区画された内部空間Cが形成されている。   In addition, an adhesive 22 is disposed over the entire periphery of the gap between the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 and around the scintillator 6 and the plurality of photoelectric conversion elements 15. The substrate 5 is bonded with an adhesive 22. Further, an internal space C partitioned from the outside is formed by a portion between the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 and the adhesive 22.

素子基板4とシンチレータ基板5とが接着剤22によりシンチレータ6や複数の光電変換素子15の周囲の部分の全周にわたって接着しているため、シンチレータ6や光電変換素子15などを含む内部空間Cは密閉されている。また、内部空間Cは、その内部圧力が大気圧より低くなるように、その内部が減圧されて形成されている。また、シンチレータ6は湿気があると劣化する場合があるため、減圧されている内部空間Cの内部の空気がドライエアや、Ar等の不活性ガスで置換されていればより好ましい。   Since the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded by the adhesive 22 over the entire circumference of the periphery of the scintillator 6 and the plurality of photoelectric conversion elements 15, the internal space C including the scintillator 6, the photoelectric conversion elements 15, etc. It is sealed. Further, the internal space C is formed by reducing the internal pressure so that the internal pressure is lower than the atmospheric pressure. In addition, since the scintillator 6 may deteriorate when there is moisture, it is more preferable that the air inside the decompressed internal space C is replaced with dry air or an inert gas such as Ar.

本実施形態では、接着剤22は、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤であり、防湿性の高いシールが形成できる等の観点から、光硬化型のエポキシ系樹脂を用いた接着剤や、光硬化型のアクリル系樹脂を用いた接着剤が好ましく用いられる。
光硬化型の接着剤としては、例えば、光開始剤や光重合性化合物などを含む紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能である。
なお、以下では、接着剤22として、光硬化型の接着剤の一種である紫外線硬化型の接着剤を用いた場合について説明するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。
In the present embodiment, the adhesive 22 is a photo-curing adhesive that cures when irradiated with light, and an adhesive that uses a photo-curing epoxy resin from the viewpoint of forming a highly moisture-proof seal. Alternatively, an adhesive using a photocurable acrylic resin is preferably used.
As the photocurable adhesive, for example, an ultraviolet curable resin containing a photoinitiator, a photopolymerizable compound, or the like can be used.
In the following, a case where an ultraviolet curable adhesive which is a kind of a photocurable adhesive is used as the adhesive 22 will be described, but the present embodiment is not limited to this.

本実施形態では、接着剤22中には、図8Aに示すような断面円形状の棒状のスペーサS(Sa)や、図8Bに示すような球形状のスペーサS(Sb)が複数設置されている。   In the present embodiment, a plurality of rod-shaped spacers S (Sa) having a circular cross section as shown in FIG. 8A and spherical spacers S (Sb) as shown in FIG. 8B are installed in the adhesive 22. Yes.

その際、例えば、図9に示すように、内部空間Cが減圧されているため、大気圧により素子基板4やシンチレータ基板5を介して接着剤22を押し潰す方向に外力が加わるが、スペーサSの直径が小さすぎると、接着剤22やスペーサSによって素子基板4とシンチレータ基板5との間隔を維持できなくなる可能性がある。
そのため、外力で素子基板4とシンチレータ基板5とが接近して、シンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paが平坦化層21等に強く押し付けられて損傷してしまう場合がある。蛍光体6aの鋭角状の先端Paが損傷すると、得られた放射線画像の鮮鋭性が低下する。
At this time, for example, as shown in FIG. 9, since the internal space C is depressurized, an external force is applied in the direction of crushing the adhesive 22 via the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 by the atmospheric pressure. If the diameter is too small, the distance between the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 may not be maintained by the adhesive 22 or the spacer S.
Therefore, the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 may approach each other due to an external force, and the acute-angled tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 may be strongly pressed against the planarizing layer 21 or the like to be damaged. When the acute-angled tip Pa of the phosphor 6a is damaged, the sharpness of the obtained radiographic image is lowered.

また、逆に、スペーサSの直径が大きすぎると、接着剤22に近い部分ではシンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paが平坦化層21から離れてしまい、シンチレータ6と光電変換素子15との距離が遠くなる。
しかし、接着剤22から遠いシンチレータ部分では、大気圧により蛍光体6aの先端Paが平坦化層21の表面に当接するため、シンチレータ6と光電変換素子15との距離が近くなる。そのため、シンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paと光電変換素子15との距離が放射線検出パネル3の全域で一様でなくなり、得られる放射線画像の鮮鋭性が損なわれてしまう。
Conversely, if the diameter of the spacer S is too large, the acute-angled tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 is separated from the flattening layer 21 at a portion close to the adhesive 22, and the scintillator 6 and the photoelectric conversion element 15 are separated. And the distance will be longer.
However, in the scintillator portion far from the adhesive 22, the tip Pa of the phosphor 6 a comes into contact with the surface of the planarization layer 21 due to the atmospheric pressure, so that the distance between the scintillator 6 and the photoelectric conversion element 15 becomes short. Therefore, the distance between the acute-angled tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 and the photoelectric conversion element 15 is not uniform throughout the radiation detection panel 3, and the sharpness of the obtained radiographic image is impaired.

そこで、スペーサSとしては、例えば、図9に示すように、スペーサSの直径が、シンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paが平坦化層21の表面に当接するように配置された状態において素子基板4とシンチレータ基板5との間隔と略同一であるようなスペーサを用いることが好ましい。   Therefore, as the spacer S, for example, as shown in FIG. 9, the spacer S has a diameter arranged such that the sharp tip Pa of the phosphor 6 a of the scintillator 6 is in contact with the surface of the planarization layer 21. It is preferable to use a spacer that is substantially the same as the distance between the element substrate 4 and the scintillator substrate 5.

このようなスペーサSを用いることで、上記のような事態が生じることを防止して、大気圧を利用してシンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paを適切に平坦化層21に当接させることが可能となる。また、そのため、シンチレータ6を損傷することなく、蛍光体6aの鋭角状の先端Paと光電変換素子15との距離を、放射線検出パネル3の全域において一様とすることが可能となる。また、そのため、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を得ることが可能となる。   By using such a spacer S, it is possible to prevent the above-described situation from occurring and appropriately apply the acute-angled tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 to the planarizing layer 21 using atmospheric pressure. It is possible to contact. For this reason, the distance between the acute-angled tip Pa of the phosphor 6 a and the photoelectric conversion element 15 can be made uniform throughout the radiation detection panel 3 without damaging the scintillator 6. For this reason, it is possible to obtain a radiation image with uniform sharpness in the entire image.

本実施形態では、スペーサSは、金属(合金を含む)、セラミック、ガラス等の無機系材料で形成されている。
なお、スペーサSは、無機系材料で形成されたものに限定されるものではなく、例えば、樹脂系(プラスチック系)スペーサ等の有機系材料で形成されたスペーサであってもよいし、有機系材料で形成されたスペーサの表面に無機系材料で形成されたコーティング層が設けられたものであってもよいし、無機系材料で形成されたスペーサの表面に有機系材料で形成されたコーティング層が設けられたものであってもよい。
In the present embodiment, the spacer S is formed of an inorganic material such as a metal (including an alloy), ceramic, or glass.
The spacers S are not limited to those formed of an inorganic material, and may be spacers formed of an organic material such as a resin (plastic) spacer, or an organic material. The surface of the spacer formed of the material may be provided with a coating layer formed of an inorganic material, or the surface of the spacer formed of an inorganic material may be coated with an organic material. May be provided.

また、本実施形態においては、複数のスペーサSは、素子基板4とシンチレータ基板5との間に配置された接着剤22の延在方向に略同一の間隔をおいて配置されていることとする。スペーサS同士の間隔は、後述するように素子基板4とシンチレータ基板5とが減圧貼り合わせされる際等に、素子基板4やシンチレータ基板5に外力が加わっても割れや亀裂などが入らないように、素子基板4やシンチレータ基板5の材質やスペーサS自体の材質などに応じて適宜の間隔に設定される。   In the present embodiment, the plurality of spacers S are disposed at substantially the same interval in the extending direction of the adhesive 22 disposed between the element substrate 4 and the scintillator substrate 5. . The spacing between the spacers S is such that when the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded together under reduced pressure, as will be described later, even if an external force is applied to the element substrate 4 or the scintillator substrate 5, no cracks or cracks are generated. In addition, the distance is set appropriately according to the material of the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 and the material of the spacer S itself.

このように、複数のスペーサSを、接着剤22の延在方向に略同一の間隔をおいて配置することによって、素子基板4やシンチレータ基板5に加わった外力を複数のスペーサSが的確に分散して対抗するため、素子基板4やシンチレータ基板5に割れや亀裂などが生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板4やシンチレータ基板5に割れや亀裂などが生じることが的確に防止されるため、割れ等が生じてその近傍の光電変換素子15やシンチレータ6の蛍光体6aが損傷される等の不具合が生じることが確実に防止される。
また、割れ等が生じないため、内部空間Cに外気が流入せず、内部空間Cの減圧状態が維持される。そのため、シンチレータ6の蛍光体6aの先端Paと平坦化層21とが離間してシンチレータ6の蛍光体6aの先端Paと光電変換素子15とが離れて画像の鮮鋭性が失われたり、内部空間Cに湿気を帯びた外気が流入して内部空間Cが湿気を有する状態になってシンチレータ6が劣化したりするといった不具合の発生を確実に防止することが可能となる。
In this way, by arranging the plurality of spacers S at substantially the same interval in the extending direction of the adhesive 22, the plurality of spacers S accurately disperse the external force applied to the element substrate 4 and the scintillator substrate 5. Therefore, it is possible to accurately prevent the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 from being cracked or cracked.
In addition, since the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are accurately prevented from being cracked or cracked as described above, the cracks and the like are generated, and the photoelectric conversion element 15 and the phosphor 6a of the scintillator 6 in the vicinity thereof are damaged. It is possible to reliably prevent problems such as
Further, since no cracks or the like occur, outside air does not flow into the internal space C, and the decompressed state of the internal space C is maintained. Therefore, the tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 and the flattening layer 21 are separated from each other, the tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 and the photoelectric conversion element 15 are separated, and the sharpness of the image is lost. It is possible to surely prevent the occurrence of a problem such that the outside air with moisture flows into C and the internal space C is in a moisture state and the scintillator 6 is deteriorated.

なお、本実施形態では、シンチレータ6の蛍光体6aが、上記のように柱状結晶構造を有する場合について説明したが、シンチレータ6の蛍光体6aは必ずしも柱状結晶構造を有するものである必要はなく、本発明は、例えば図10に示したように、蛍光体6aが層状に形成されたシンチレータ6を用いる場合にも同様に適用することが可能である。In the present embodiment, the case where the phosphor 6a of the scintillator 6 has a columnar crystal structure as described above is described. However, the phosphor 6a of the scintillator 6 does not necessarily have a columnar crystal structure. For example, as shown in FIG. 10, the present invention can be similarly applied to the case where a scintillator 6 * in which the phosphors 6a are formed in layers is used.

この場合、シンチレータ6は、例えばGOS(Gd22S:Tb)等で構成された蛍光体6aをシンチレータ基板5に塗布して層状に形成される。そして、シンチレータ6が光電変換素子15に対向するようにシンチレータ基板5が素子基板4上に載置され、素子基板4とシンチレータ基板5とが接着剤22で接着される。そして、内部空間Cが減圧されて密閉される。In this case, the scintillator 6 * is formed in layers by applying a phosphor 6a made of, for example, GOS (Gd 2 O 2 S: Tb) to the scintillator substrate 5. Then, the scintillator substrate 5 is placed on the element substrate 4 so that the scintillator 6 * faces the photoelectric conversion element 15, and the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded by the adhesive 22. And the internal space C is pressure-reduced and sealed.

このように構成すれば、上記の実施形態の場合と同様に、大気圧により、内部空間Cの内部でシンチレータ6の蛍光体6aの光電変換素子15側の先端(端面)Pbが平坦化層21に対して全面的に当接するようになる。
そのため、蛍光体6aの先端Pbと光電変換素子15との距離を放射線検出パネル3の全域において一様とすることが可能となり、放射線検出パネル3の素子基板4上の全ての光電変換素子15において鮮鋭性が一様となり、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を検出することが可能となる。
If comprised in this way, the front-end | tip (end surface) Pb by the side of the photoelectric conversion element 15 of the fluorescent substance 6a of the scintillator 6 * will become the planarization layer inside the internal space C by atmospheric pressure similarly to the case of said embodiment. 21 comes into contact with the entire surface.
Therefore, the distance between the tip Pb of the phosphor 6a and the photoelectric conversion element 15 can be made uniform over the entire area of the radiation detection panel 3, and in all the photoelectric conversion elements 15 on the element substrate 4 of the radiation detection panel 3. The sharpness is uniform, and it is possible to detect a radiographic image with uniform sharpness in the entire image.

次に、本実施形態に係る放射線検出パネル3や放射線画像検出器1の作用について説明する。   Next, the operation of the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described.

本実施形態では、放射線検出パネル3の軽量化を図るために、シンチレータ基板5として、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板501を用いるようにした。
この場合、単にシンチレータ基板としてプラスチック基板501を用いるだけでは、有機系材料からなるプラスチック基板501は無機系材料からなるガラス基板よりも防湿性に劣るため、外部から内部空間Cに湿気(水蒸気)が流入し易くなって、シンチレータ6が劣化し易くなる等の不都合が生じてしまう。
In the present embodiment, in order to reduce the weight of the radiation detection panel 3, a plastic substrate 501 having a specific gravity smaller and lighter than that of a glass substrate is used as the scintillator substrate 5.
In this case, simply using the plastic substrate 501 as the scintillator substrate, the plastic substrate 501 made of an organic material is inferior in moisture resistance to the glass substrate made of an inorganic material, and therefore moisture (water vapor) is externally introduced into the internal space C. It becomes easy to flow in, and inconveniences such as the scintillator 6 being easily deteriorated occur.

これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板5の表面5aが無機系薄膜502で形成されているため、この無機系薄膜502によって、内部空間Cへの湿気(水蒸気)の流入を妨害することができる。   On the other hand, in this embodiment, since the surface 5a of the scintillator substrate 5 is formed of the inorganic thin film 502, the inorganic thin film 502 may block the inflow of moisture (water vapor) into the internal space C. it can.

また、接着剤として、無機物同士を十分な接着性で貼り合わせることができる接着剤、有機物同士を十分な接着性で貼り合わせることができる接着剤は知られているが、これらと同等の十分な接着性で無機物と有機物とを貼り合わせることができる接着剤は知られていない。   In addition, as an adhesive, an adhesive that can bond together inorganic materials with sufficient adhesiveness, and an adhesive that can bond organic materials with sufficient adhesiveness are known. There is no known adhesive capable of bonding an inorganic material and an organic material with adhesiveness.

例えば、素子基板およびシンチレータ基板がともにガラス基板である場合、接着剤で、素子基板表面のガラス面(或いは、本実施形態のように素子基板表面がSiNx等からなるパッシベーション層で覆われている場合はパッシベーション層)と、シンチレータ基板表面のガラス面とを接着、すなわち無機物同士を接着することになるため、十分な接着性で素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせることが可能である。   For example, when both the element substrate and the scintillator substrate are glass substrates, the adhesive is coated with the glass surface of the element substrate surface (or the element substrate surface is covered with a passivation layer made of SiNx or the like as in the present embodiment). Since the passivation layer is bonded to the glass surface of the scintillator substrate, that is, the inorganic materials are bonded to each other, the element substrate and the scintillator substrate can be bonded to each other with sufficient adhesiveness.

一方、単にシンチレータ基板としてプラスチック基板501を用いるだけでは、接着剤で、素子基板表面のガラス面(或いは、SiNx等からなるパッシベーション層)と、シンチレータ基板表面のプラスチック面とを接着、すなわち無機物と有機物とを接着することになる。
この場合、無機物同士の接着よりも接着性に劣るため、素子基板とシンチレータ基板とを十分な接着性で貼り合わせることができず、素子基板とシンチレータ基板との間に隙間ができてしまう等の虞がある。これでは、外部から内部空間Cに湿気(水蒸気)を含む外気が流入してシンチレータ6が劣化し易くなる、外部から内部空間Cに外気が流入して内部空間Cの減圧状態が維持できなくなり蛍光体6aの先端Pa,Pbと光電変換素子15との距離が放射線検出パネル3の全域において一様にならなくなる等の不都合が生じてしまう。
On the other hand, if the plastic substrate 501 is simply used as the scintillator substrate, the glass surface of the element substrate surface (or the passivation layer made of SiNx) and the plastic surface of the scintillator substrate surface are bonded with an adhesive, that is, an inorganic material and an organic material. Will be bonded.
In this case, since the adhesion is inferior to the adhesion between inorganic substances, the element substrate and the scintillator substrate cannot be bonded together with sufficient adhesion, and a gap is formed between the element substrate and the scintillator substrate. There is a fear. In this case, the outside air containing moisture (water vapor) flows into the internal space C from the outside and the scintillator 6 is likely to deteriorate. The external air flows into the internal space C from the outside, and the reduced pressure state of the internal space C cannot be maintained. Inconveniences such as the distance between the distal ends Pa and Pb of the body 6a and the photoelectric conversion element 15 not being uniform over the entire area of the radiation detection panel 3 occur.

これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板5の表面5aが無機系薄膜502で形成されているため、素子基板4とシンチレータ基板5との接着が、素子基板表面のパッシベーション層17とシンチレータ基板表面の無機系薄膜502との接着、すなわち無機物同士の接着となって、十分な接着性で素子基板4とシンチレータ基板5とを貼り合わせることができる。   On the other hand, in this embodiment, since the surface 5a of the scintillator substrate 5 is formed of the inorganic thin film 502, the adhesion between the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 is caused by the passivation layer 17 on the element substrate surface and the scintillator substrate surface. Thus, the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 can be bonded to each other with sufficient adhesiveness.

また、本実施形態のように接着剤22が光硬化型の接着剤である場合、シンチレータ基板として、前述したアルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板のような、光を透過することができない基板を用いると、接着剤22を硬化できない。したがって、シンチレータ基板として光を透過することができない基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに接着剤22、すなわち光硬化型の接着剤が使用できない等の不都合が生じてしまう。   Further, when the adhesive 22 is a photo-curable adhesive as in this embodiment, the scintillator substrate is a graphite substrate having a thin film of aluminum, titanium, nickel, copper, etc. formed on the surface as described above. If a substrate that cannot transmit light is used, the adhesive 22 cannot be cured. Therefore, when a substrate that cannot transmit light is used as the scintillator substrate, there arises a disadvantage that the adhesive 22, that is, a photocurable adhesive cannot be used for bonding the element substrate and the scintillator substrate.

これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板5が光透過性のプラスチック基板501と光透過性の無機系薄膜502,503とにより構成されているため、接着剤22を硬化させる波長の光を透過することができる。   On the other hand, in this embodiment, since the scintillator substrate 5 includes the light-transmitting plastic substrate 501 and the light-transmitting inorganic thin films 502 and 503, the light having a wavelength for curing the adhesive 22 is transmitted. can do.

また、シンチレータ基板として、単に前述したような薄型のガラス基板を用いると、薄型のガラス基板は壊れ易いため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板に割れや亀裂などが入る等の不都合が生じてしまう。   In addition, if a thin glass substrate as described above is simply used as the scintillator substrate, the thin glass substrate is fragile, so that the scintillator substrate is cracked or cracked by a load applied to the element substrate and the scintillator substrate. Such inconveniences occur.

これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板5がガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板501により構成されているため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐えることができる。   On the other hand, in the present embodiment, since the scintillator substrate 5 is made of the plastic substrate 501 that is less brittle and less fragile than the glass substrate, it can withstand the load when the element substrate and the scintillator substrate are bonded together.

以上説明した第1の実施の形態に係る放射線検出パネル3および放射線画像検出器1によれば、接着剤22は、光硬化型の接着剤であり、シンチレータ基板(第2の基板)5は、光透過性のプラスチック基板501と、プラスチック基板501の一方の面に積層され、当該シンチレータ基板5の表面5aを形成する光透過性の無機系薄膜502と、を備えて構成されている。
すなわち、シンチレータ基板5として、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板501を用いているため、素子基板とシンチレータ基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネル3を軽量化することができる。
According to the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 according to the first embodiment described above, the adhesive 22 is a photo-curing adhesive, and the scintillator substrate (second substrate) 5 is: A light-transmitting plastic substrate 501 and a light-transmitting inorganic thin film 502 which is laminated on one surface of the plastic substrate 501 and forms the surface 5a of the scintillator substrate 5 are configured.
That is, since the plastic substrate 501 having a specific gravity smaller and lighter than that of the glass substrate is used as the scintillator substrate 5, radiation detection is performed as compared with the case where the element substrate and the scintillator substrate are formed of the same thickness glass substrate. The panel 3 can be reduced in weight.

また、このように放射線検出パネル3の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器1が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器1の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネル3の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器1の落下強度を向上させることが可能となる。
In addition, since the radiation detection panel 3 can be reduced in weight as described above, the radiation image detector 1 can be easily carried especially when the radiation image detector 1 is configured to be portable. It becomes possible.
Further, since the weight of the radiation detection panel 3 can be reduced as described above, the drop strength of the radiation image detector 1 can be improved.

また、プラスチック基板501はガラス基板よりも防湿性に劣るが、本実施形態におけるシンチレータ基板5は、シンチレータ基板5の表面5aが無機系薄膜502で形成されており、この無機系薄膜502で、内部空間Cへの湿気(水蒸気)の流入を妨害し得る構成となっているため、シンチレータ6が劣化し易くなる等の不都合の発生を防止することが可能となる。   Although the plastic substrate 501 is inferior in moisture resistance to the glass substrate, the scintillator substrate 5 in this embodiment has the surface 5a of the scintillator substrate 5 formed of an inorganic thin film 502. Since the structure can block the inflow of moisture (water vapor) into the space C, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience such as the scintillator 6 being easily deteriorated.

また、無機物と有機物とを十分な接着性で貼り合わせることは困難であるが、本実施形態においては、シンチレータ基板5の表面5aが無機系薄膜502で形成されており、接着剤22で、素子基板4の表面4aを形成するパッシベーション層17と、シンチレータ基板5の表面5aを形成する無機系薄膜502とを接着、すなわち無機物同士を接着することになるため、素子基板およびシンチレータ基板がともにガラス基板である場合と同等の十分な接着性で素子基板4とシンチレータ基板5とを貼り合わせることができる。   Further, although it is difficult to bond the inorganic material and the organic material with sufficient adhesion, in this embodiment, the surface 5a of the scintillator substrate 5 is formed of the inorganic thin film 502, and the adhesive 22 Since the passivation layer 17 forming the surface 4a of the substrate 4 and the inorganic thin film 502 forming the surface 5a of the scintillator substrate 5 are bonded, that is, the inorganic substances are bonded to each other, both the element substrate and the scintillator substrate are glass substrates. The element substrate 4 and the scintillator substrate 5 can be bonded together with sufficient adhesiveness equivalent to that in the case of the above.

また、本実施形態のように接着剤22が光硬化型の接着剤である場合、光を透過することができない基板を用いると、接着剤22を硬化させることができない。これに対し、本実施形態におけるシンチレータ基板5は、シンチレータ基板5が備えるプラスチック基板501と無機系薄膜502,503とがともに光透過性であり、接着剤22を硬化させる波長の光を透過し得る構成となっているため、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できない等の不都合の発生を防止することが可能となる。   Further, when the adhesive 22 is a photo-curing adhesive as in this embodiment, the adhesive 22 cannot be cured if a substrate that cannot transmit light is used. On the other hand, in the scintillator substrate 5 in this embodiment, the plastic substrate 501 and the inorganic thin films 502 and 503 included in the scintillator substrate 5 are both light transmissive, and can transmit light having a wavelength that cures the adhesive 22. Due to this configuration, it is possible to prevent the occurrence of inconveniences such as the inability to use a photo-curing adhesive for bonding the element substrate and the scintillator substrate.

また、シンチレータ基板として単に薄型のガラス基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板に割れや亀裂などが入ってしまう虞がある。これに対し、本実施形態におけるシンチレータ基板5は、ガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板501により構成されており、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る構成となっているため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板5に割れや亀裂などが入る等の不都合の発生を防止することが可能となる。   If a thin glass substrate is simply used as the scintillator substrate, the scintillator substrate may be cracked or cracked by a load applied when the element substrate and the scintillator substrate are bonded together. On the other hand, the scintillator substrate 5 in the present embodiment is configured by a plastic substrate 501 that is less brittle and less fragile than a glass substrate, and can withstand a load when the element substrate and the scintillator substrate are bonded together. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience such as a crack or a crack in the scintillator substrate 5 due to a load when the element substrate and the scintillator substrate are bonded together.

また、本実施形態では、シンチレータ基板(第2の基板)5は、さらに、プラスチック基板501の他方の面に積層され、当該シンチレータ基板5の裏面5bを形成する光透過性の無機系薄膜503を備えて構成されている。
したがって、プラスチック基板501の両面に無機系薄膜502,503が設けられているため、プラスチック基板501の一方の面にのみ無機系薄膜502が設けられている場合と比較して、製造過程で発生する歪応力等のプラスチック基板501に加わる応力のバランスが均一化されるため、放射線検出パネル3の製造過程で発生する歪応力等の影響でシンチレータ基板5が反ってしまう等の不都合の発生を防止することが可能となる。
In this embodiment, the scintillator substrate (second substrate) 5 is further laminated on the other surface of the plastic substrate 501, and the light-transmitting inorganic thin film 503 that forms the back surface 5b of the scintillator substrate 5 is provided. It is prepared for.
Therefore, since the inorganic thin films 502 and 503 are provided on both surfaces of the plastic substrate 501, the generation occurs in the manufacturing process as compared with the case where the inorganic thin film 502 is provided only on one surface of the plastic substrate 501. Since the balance of the stress applied to the plastic substrate 501 such as strain stress is made uniform, the occurrence of inconvenience such as the scintillator substrate 5 warping due to the strain stress generated in the manufacturing process of the radiation detection panel 3 is prevented. It becomes possible.

[放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法]
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル3の製造方法および放射線画像検出器1の製造方法について説明する。
[Method for manufacturing radiation detection panel and method for manufacturing radiation image detector]
Next, a method for manufacturing the radiation detection panel 3 and a method for manufacturing the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described.

なお、以下では、蛍光体6aが柱状結晶構造を有するシンチレータ6を用いた放射線検出パネル3や放射線画像検出器1の製造方法について説明するが、蛍光体6aが層状に形成されたシンチレータ6を用いた放射線検出パネル3や放射線画像検出器についても同様に説明され、本発明が適用される。Hereinafter, the manufacturing method of the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 using the scintillator 6 in which the phosphor 6a has a columnar crystal structure will be described. However, the scintillator 6 * in which the phosphor 6a is formed in a layer shape is described. The used radiation detection panel 3 and radiation image detector are also described in the same manner, and the present invention is applied.

まず、本実施形態に係る放射線検出パネル3の製造方法について、図11に示すフローチャートに基づいて説明する。   First, the manufacturing method of the radiation detection panel 3 according to the present embodiment will be described based on the flowchart shown in FIG.

まず、素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板5のシンチレータ6の周囲の部分に、複数のスペーサSを含む接着剤22を配置する(接着剤配置工程:ステップS1)。   First, the adhesive 22 including a plurality of spacers S is disposed on the periphery of the plurality of photoelectric conversion elements 15 on the element substrate 4 or on the periphery of the scintillator 6 of the scintillator substrate 5 (adhesive placement step: step). S1).

ここで、素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板5のシンチレータ6の周囲の部分に、複数のスペーサSが接着剤22の延在方向に略同一の間隔をおいて配置される状態に接着剤22を配置する方法としては、種々の方法を採用することができる。
例えば、接着剤22に予め複数のスペーサSを投入して攪拌し、シリンジ等を用いて複数のスペーサSを含む接着剤22を、素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板5のシンチレータ6の周囲の部分に塗布することで、複数のスペーサSが接着剤22の延在方向に略同一の間隔をおいて配置される状態を実現できるのであれば、その方法を採用することができる。
また、先に、素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板5のシンチレータ6の周囲の部分に、スペーサSを含まない接着剤22を塗布して配置しておき、素子基板4上に配置した接着剤22に対して複数のスペーサSを接着剤22の延在方向に略同一の間隔をおいて配置する方法を採用することもできる。
Here, a plurality of spacers S are provided at substantially the same interval in the extending direction of the adhesive 22 in the peripheral portion of the plurality of photoelectric conversion elements 15 of the element substrate 4 or the peripheral portion of the scintillator 6 of the scintillator substrate 5. Various methods can be adopted as a method of arranging the adhesive 22 in a state where the adhesive 22 is arranged.
For example, a plurality of spacers S are put in the adhesive 22 in advance and stirred, and the adhesive 22 including the plurality of spacers S is used as a part around the plurality of photoelectric conversion elements 15 on the element substrate 4 or using a syringe or the like. If the state in which the plurality of spacers S are arranged at substantially the same interval in the extending direction of the adhesive 22 can be realized by applying to the portion around the scintillator 6 of the scintillator substrate 5, the method Can be adopted.
First, the adhesive 22 not including the spacer S is applied and disposed on the periphery of the plurality of photoelectric conversion elements 15 on the element substrate 4 or on the periphery of the scintillator 6 of the scintillator substrate 5. A method in which a plurality of spacers S are arranged at substantially the same interval in the extending direction of the adhesive 22 with respect to the adhesive 22 arranged on the element substrate 4 can also be adopted.

なお、以下では、接着剤22を素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分に配置する場合を例にとって説明するが、接着剤配置工程(ステップS1)以降の各工程において、接着剤22をシンチレータ基板5のシンチレータ6の周囲の部分に配置する場合も同様に説明することが可能である。   In the following description, the case where the adhesive 22 is arranged around the plurality of photoelectric conversion elements 15 of the element substrate 4 will be described as an example. However, in each step after the adhesive arranging step (step S1), the adhesive is used. The same can be said for the case where 22 is arranged around the scintillator 6 of the scintillator substrate 5.

次いで、接着剤22を介して、素子基板4とシンチレータ基板5とを、シンチレータ6と複数の光電変換素子15とが対向する状態で仮貼り合わせする(仮貼り合わせ工程:ステップS2)。   Next, the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are temporarily bonded via the adhesive 22 in a state where the scintillator 6 and the plurality of photoelectric conversion elements 15 face each other (temporary bonding step: step S2).

なお、仮貼り合わせとは、後述する減圧貼り合わせ工程(ステップS4)において素子基板4とシンチレータ基板5とを本格的に貼り合わせる前に、素子基板4上にシンチレータ基板5を載置して、或いは、シンチレータ基板5上に素子基板4を載置して、接着剤22により素子基板4とシンチレータ基板5とが仮に貼り合わされた状態をいう。   In addition, the temporary bonding means that the scintillator substrate 5 is placed on the element substrate 4 before the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded in a full-scale in the decompression bonding step (step S4) described later. Alternatively, the element substrate 4 is placed on the scintillator substrate 5 and the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are temporarily bonded by the adhesive 22.

次に、このようにして仮貼り合わせされた放射線検出パネル3に対して減圧貼り合わせ工程(ステップS4)等の処理を行うが、本実施形態では、これらの処理を、図12に示すようなチャンバ30内で行っている。
なお、このチャンバ30と同様の機能を奏するものであれば、減圧貼り合わせ工程(ステップS4)等の処理を行う装置は図12に示すチャンバ30に限定されない。
Next, the radiation detection panel 3 temporarily bonded in this way is subjected to processes such as a reduced pressure bonding process (step S4). In this embodiment, these processes are performed as shown in FIG. This is done in the chamber 30.
In addition, as long as the same function as the chamber 30 is exhibited, the apparatus for performing the processing such as the decompression bonding step (step S4) is not limited to the chamber 30 illustrated in FIG.

本実施形態では、チャンバ30は、基台31と、フィルム32と、基台31に対して着脱可能な蓋部材33と、を備えている。そして、基台31と蓋部材33との各側面には、Oリング状のシール部材34a,34bがそれぞれ配設されており、蓋部材33が基台31に取り付けられた際には、基台31のシール部材34aと蓋部材33のシール部材34bで上下からフィルム32を挟持するようにしてフィルム32を密封状に固定している。   In the present embodiment, the chamber 30 includes a base 31, a film 32, and a lid member 33 that can be attached to and detached from the base 31. Then, O-ring-shaped sealing members 34 a and 34 b are respectively disposed on the side surfaces of the base 31 and the lid member 33, and when the lid member 33 is attached to the base 31, the base The film 32 is sealed in a sealed manner so that the film 32 is sandwiched from above and below by the seal member 34 a of 31 and the seal member 34 b of the lid member 33.

また、基台31の底部は平面状に形成されており、図示しない開口部を介して減圧用ポンプ35が取り付けられている。フィルム32は、紫外線を透過し、伸縮性を有する素材で形成されている。また、本実施形態では、蓋部材33には、その内部に紫外線照射装置36が取り付けられており、さらに、図示しない開口部を介してポンプ37が取り付けられている。なお、ポンプ37を設ける代わりに、蓋部材33に単に開口部を設けるように構成することも可能である。   Further, the bottom of the base 31 is formed in a planar shape, and a decompression pump 35 is attached through an opening (not shown). The film 32 is made of a material that transmits ultraviolet rays and has elasticity. Moreover, in this embodiment, the ultraviolet irradiation device 36 is attached to the inside of the lid member 33, and further, a pump 37 is attached via an opening (not shown). Instead of providing the pump 37, the lid member 33 can be simply provided with an opening.

仮貼り合わせ工程(ステップS2)が終了すると、図12に示したように、仮貼り合わせされた放射線検出パネル3をチャンバ30の基台31上に載置する。
そして、放射線検出パネル3のシンチレータ基板5の上方側からシンチレータ基板5を被覆するようにフィルム32を載置し(フィルム載置工程:ステップS3)、基台31のシール部材34aと蓋部材33のシール部材34bで上下からフィルム32を挟持するようにしてフィルム32の上方から基台31に蓋部材33を取り付ける。
When the temporary bonding step (step S2) is completed, the temporarily bonded radiation detection panel 3 is placed on the base 31 of the chamber 30 as shown in FIG.
And the film 32 is mounted so that the scintillator board | substrate 5 may be coat | covered from the upper side of the scintillator board | substrate 5 of the radiation detection panel 3 (film mounting process: step S3), the sealing member 34a of the base 31, and the cover member 33 of the cover member 33 The lid member 33 is attached to the base 31 from above the film 32 so that the film 32 is sandwiched from above and below by the seal member 34b.

ここで、前述したように、素子基板4とシンチレータ基板5と接着剤22とで外部から区画された内部空間C内の湿気(水蒸気)を排除するために、チャンバ30内の空気、或いは少なくとも放射線検出パネル3を含むフィルム32の下方の空間(以下「下方空間R1」という。)内の空気をドライエアや不活性ガスで置換するように構成してもよい。   Here, as described above, in order to remove moisture (water vapor) in the internal space C partitioned from the outside by the element substrate 4, the scintillator substrate 5, and the adhesive 22, air in the chamber 30, or at least radiation. You may comprise so that the air in the space (henceforth "lower space R1") below the film 32 containing the detection panel 3 may be substituted with dry air or an inert gas.

次いで、減圧用ポンプ35を駆動して、放射線検出パネル3を含むフィルム32の下方空間R1を減圧することで、放射線検出パネル3の内部空間Cを大気圧より低い圧力(例えば0.2気圧〜0.5気圧)に徐々に減圧していく。   Next, the decompression pump 35 is driven to depressurize the lower space R1 of the film 32 including the radiation detection panel 3, thereby reducing the internal space C of the radiation detection panel 3 to a pressure lower than atmospheric pressure (for example, from 0.2 atm to The pressure is gradually reduced to 0.5 atm).

チャンバ30の蓋部材33とフィルム32との間の空間(以下「上方空間R2」という。図12参照)は下方空間R1よりも高圧になるため、チャンバ30の下方空間R1を減圧していくと、図13に示すように、放射線検出パネル3のシンチレータ基板5の上方からフィルム32が張り付くようになり、放射線検出パネル3は、フィルム32を介して上方の上方空間R2からの圧力で押圧されて、素子基板4とシンチレータ基板5とが貼り合わされる(減圧貼り合わせ工程:ステップS4)。   A space between the lid member 33 of the chamber 30 and the film 32 (hereinafter referred to as “upper space R2”, see FIG. 12) has a higher pressure than the lower space R1, and therefore when the lower space R1 of the chamber 30 is reduced in pressure. As shown in FIG. 13, the film 32 comes to stick from above the scintillator substrate 5 of the radiation detection panel 3, and the radiation detection panel 3 is pressed by the pressure from the upper space R <b> 2 above through the film 32. The element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded together (decompression bonding process: step S4).

このように減圧貼り合わせ工程(ステップS4)を行っても、シンチレータ基板5はガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板501により構成されており、素子基板とシンチレータ基板とを減圧貼り合わせする際の荷重に耐えることができるため、シンチレータ基板5に割れや亀裂などが入る等の不都合が生じることがない。   The scintillator substrate 5 is formed of the plastic substrate 501 that is less brittle and less fragile than the glass substrate even when the reduced pressure bonding step (step S4) is performed, and when the element substrate and the scintillator substrate are bonded under reduced pressure. Therefore, the scintillator substrate 5 does not suffer from inconveniences such as cracks and cracks.

ところで、仮貼り合わせ工程(ステップS2)の終了時点で、素子基板4やシンチレータ基板5が接着剤22に密着してしまうと、内部空間Cが、内部圧力が大気圧の状態で密閉される。そして、この状態で上記のような減圧貼り合わせを行うと、外部は減圧されるが、内部空間Cの内部は大気圧のままであるため、内部空間Cの気体が接着剤22によるシールを破って外部に噴出して、接着剤22によるシールが破壊されてしまい、接着不良を生じてしまう。   By the way, when the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 come into close contact with the adhesive 22 at the end of the temporary bonding step (step S2), the internal space C is sealed with the internal pressure at atmospheric pressure. In this state, if the above-described decompression bonding is performed, the outside is decompressed, but the inside of the internal space C remains at atmospheric pressure, so the gas in the internal space C breaks the seal by the adhesive 22. The liquid is ejected to the outside, and the seal by the adhesive 22 is broken, resulting in poor adhesion.

また、接着剤22によるシールが破壊された部分で内部空間Cと外部とをつなぐ気体の流路が形成されてしまうため、外部を大気圧に戻すと内部空間Cに外気が流入する。そのため、湿気(水蒸気)を含む外気が流入して、シンチレータ6が劣化する等の不具合が生じてしまう。   In addition, since a gas flow path connecting the internal space C and the outside is formed at the portion where the seal by the adhesive 22 is broken, the outside air flows into the internal space C when the outside is returned to atmospheric pressure. For this reason, the outside air containing moisture (water vapor) flows in, causing problems such as deterioration of the scintillator 6.

そこで、本実施形態では、上記の接着剤配置工程(ステップS1)の段階で、図14に示すように、接着剤22を、素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分に、接着剤22の延在方向に間隙Gが形成されるように塗布して配置することとする。接着剤22を、シンチレータ基板5のシンチレータ6の周囲の部分に配置する場合も同様である。
なお、図14および後述する図15、図16では、スペーサSの図示が省略されている。また、間隙Gは1カ所だけでなく、複数の箇所に形成することも可能である。
Therefore, in the present embodiment, at the stage of the above-described adhesive placement step (step S1), the adhesive 22 is bonded to the peripheral portions of the plurality of photoelectric conversion elements 15 on the element substrate 4 as shown in FIG. The agent 22 is applied and arranged so that a gap G is formed in the extending direction of the agent 22. The same applies to the case where the adhesive 22 is disposed on the scintillator substrate 5 around the scintillator 6.
In FIG. 14 and FIGS. 15 and 16 to be described later, the illustration of the spacer S is omitted. Further, the gap G can be formed not only at one place but also at a plurality of places.

このように間隙Gを形成すると、仮貼り合わせ工程(ステップS2)で素子基板4とシンチレータ基板5とが仮貼り合わせされた際、図15に示すように、接着剤22の間隙Gの部分に、内部空間Cとその外側の空間とを連通する開口部24が形成される。そして、チャンバ30等を用いた減圧貼り合わせ工程(ステップS4)で、下方空間R1を徐々に減圧すると、内部空間Cの内部の気体が接着剤22の開口部24を通って排出され、内部空間Cの内部の圧力が減圧される。   When the gap G is formed in this way, when the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are temporarily bonded in the temporary bonding step (step S2), as shown in FIG. The opening 24 that communicates the internal space C with the space outside thereof is formed. Then, when the pressure in the lower space R1 is gradually reduced in the reduced pressure bonding step (step S4) using the chamber 30 or the like, the gas inside the inner space C is discharged through the opening 24 of the adhesive 22, and the inner space. The pressure inside C is reduced.

また、開口部24の開口の大きさ、すなわち接着剤22の間隙Gの間隔を適切な大きさに形成しておけば、図16に示すように、上方空間R2からの大気圧による押圧等で放射線検出パネル3の素子基板4とシンチレータ基板5とが互いに接近する際に、接着剤22が延在方向に押し広げられて接着剤22同士が結合して開口部24を封止し、内部空間Cを密閉することが可能となる。   Further, if the size of the opening 24, that is, the gap G of the adhesive 22 is formed to an appropriate size, as shown in FIG. 16, it can be pressed by the atmospheric pressure from the upper space R2. When the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 of the radiation detection panel 3 approach each other, the adhesive 22 is spread in the extending direction, and the adhesives 22 are joined together to seal the opening 24, C can be sealed.

このようにして、減圧貼り合わせ工程(ステップS4)では、下方空間R1が減圧される際に、内部空間Cの内部の気体が開口部24を通って排出されて内部空間Cが減圧されるとともに、フィルム32を介する上方空間R2からの圧力による押圧のため、シンチレータ基板5が素子基板4側に徐々に移動し、シンチレータ6の蛍光体6aの先端Paと素子基板4の平坦化層21とが図9に示した状態に当接する。   Thus, in the decompression bonding step (step S4), when the lower space R1 is decompressed, the gas inside the internal space C is discharged through the opening 24 and the internal space C is decompressed. The scintillator substrate 5 gradually moves to the element substrate 4 side due to the pressing by the pressure from the upper space R2 through the film 32, and the tip Pa of the phosphor 6a of the scintillator 6 and the planarization layer 21 of the element substrate 4 are It contacts the state shown in FIG.

そして、その状態で、開口部24が封止されて、接着剤22と素子基板4やシンチレータ基板5とが密着した状態で素子基板4とシンチレータ基板5とが接着剤22を介して貼り合わされる。また、内部空間Cが所定の圧力(例えば0.2気圧〜0.5気圧)に減圧された状態で密閉される。   In this state, the opening 24 is sealed, and the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded via the adhesive 22 in a state where the adhesive 22 and the element substrate 4 or the scintillator substrate 5 are in close contact with each other. . Further, the internal space C is sealed in a state where the pressure is reduced to a predetermined pressure (for example, 0.2 atmospheric pressure to 0.5 atmospheric pressure).

なお、その際、チャンバ30の蓋部材33側のポンプ37を駆動させてチャンバ30の上方空間R2を適度に加圧したり減圧したりして、放射線検出パネル3の素子基板4とシンチレータ基板5とを確実に貼り合わせるように構成することも可能であり、チャンバ30の上方空間R2の圧調整は適宜行われる。   At that time, the pump 37 on the lid member 33 side of the chamber 30 is driven to moderately pressurize or depressurize the upper space R2 of the chamber 30, and the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 of the radiation detection panel 3 Can be configured to be securely bonded together, and pressure adjustment in the upper space R2 of the chamber 30 is appropriately performed.

また、前述したように、チャンバ30の蓋部材33にポンプ37を設ける代わりに単なる開口部を設けた場合でも、チャンバ30の上方空間R2の内部圧力が大気圧に維持され、下方空間R1よりも高圧となるため、放射線検出パネル3を適度に加圧して素子基板4とシンチレータ基板5とを確実に貼り合わせることが可能となる。   Further, as described above, even if the lid member 33 of the chamber 30 is provided with a simple opening instead of providing the pump 37, the internal pressure of the upper space R2 of the chamber 30 is maintained at the atmospheric pressure, which is higher than that of the lower space R1. Since the pressure is high, the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 can be securely bonded together by appropriately pressing the radiation detection panel 3.

減圧貼り合わせ工程(ステップS4)が終了すると、続いて、貼り合わされた放射線検出パネル3に対して、チャンバ30の蓋部材33に設けられた紫外線照射装置36(図13参照)から紫外線を照射し、接着剤22を硬化させて、素子基板4とシンチレータ基板5とを確実に貼り合わせることによって(接着剤硬化工程:ステップS5)、放射線検出パネル3を製造する。   When the decompression bonding step (step S4) is completed, subsequently, the bonded radiation detection panel 3 is irradiated with ultraviolet rays from an ultraviolet irradiation device 36 (see FIG. 13) provided on the lid member 33 of the chamber 30. The radiation detection panel 3 is manufactured by curing the adhesive 22 and securely bonding the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 (adhesive curing step: step S5).

このように接着剤硬化工程(ステップS5)を行って、シンチレータ基板5側から紫外線、すなわち接着剤22を硬化させる波長の光を照射しても、シンチレータ基板5は光透過性のプラスチック基板501と光透過性の無機系薄膜502,503とにより構成されており、紫外線を透過することができるため、接着剤22を硬化できない等の不都合が生じることがない。   Even if the adhesive curing step (step S5) is performed in this manner and the ultraviolet light, that is, the light having a wavelength for curing the adhesive 22 is irradiated from the scintillator substrate 5, the scintillator substrate 5 is separated from the light-transmitting plastic substrate 501. Since it is composed of the light-transmitting inorganic thin films 502 and 503 and can transmit ultraviolet rays, there is no inconvenience that the adhesive 22 cannot be cured.

なお、本実施形態では、シンチレータ基板5やフィルム32が紫外線を透過する材料で形成されているため、紫外線照射装置36から照射された紫外線が接着剤22に到達して、接着剤22が確実に硬化する。しかしながら、フィルム32やシンチレータ基板5を透過した紫外線が、シンチレータ6や光電変換素子15などに到達すると、それらに悪影響を及ぼす場合がある。   In this embodiment, since the scintillator substrate 5 and the film 32 are formed of a material that transmits ultraviolet rays, the ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation device 36 reach the adhesive 22, and the adhesive 22 is surely secured. Harden. However, when the ultraviolet rays that have passed through the film 32 and the scintillator substrate 5 reach the scintillator 6, the photoelectric conversion element 15, and the like, they may adversely affect them.

そのため、それを防止するために、シンチレータ基板5とシンチレータ6との間に、光(紫外線)を遮光する遮光層を形成することが好ましい。
なお、遮光層は、シンチレータ基板5とシンチレータ6との間ではなく、シンチレータ基板5とシンチレータ6との間に設けるとともに、シンチレータ基板5のシンチレータ6が設けられた面とは反対側の面側に形成することも可能である。また、遮光層は紫外線を遮光するが、放射線は透過するものであることが必要である。
Therefore, in order to prevent this, it is preferable to form a light blocking layer that blocks light (ultraviolet rays) between the scintillator substrate 5 and the scintillator 6.
The light shielding layer is provided not between the scintillator substrate 5 and the scintillator 6, but between the scintillator substrate 5 and the scintillator 6, and on the surface of the scintillator substrate 5 opposite to the surface on which the scintillator 6 is provided. It is also possible to form. The light shielding layer shields ultraviolet rays but needs to transmit radiation.

上記のようにして、素子基板4とシンチレータ基板5とが接着剤22を介して減圧環境下で貼り合わされて内部空間Cが密閉され、接着剤22全体が硬化すると、製造された放射線検出パネル3を大気圧中に移しても内部空間Cには外気が流入せず、内部空間Cの減圧状態が維持される。   As described above, when the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are bonded together under a reduced pressure environment via the adhesive 22 to seal the internal space C and the entire adhesive 22 is cured, the manufactured radiation detection panel 3 is manufactured. Even if it is moved to atmospheric pressure, the outside air does not flow into the internal space C, and the decompressed state of the internal space C is maintained.

また、このように内部空間Cの減圧状態が維持されるため、素子基板4やシンチレータ基板5が大気圧でその厚さ方向に常時押圧される状態となる。そのため、図9に示したように、放射線検出パネル3を、シンチレータ6の蛍光体6aの鋭角状の先端Paやシンチレータ6の層状の蛍光体6aの先端Pbが、素子基板4上に形成された複数の光電変換素子15やそれをパッシベーション層17を介して被覆する平坦化層21の表面に当接する状態に維持することが可能となる。Further, since the decompressed state of the internal space C is maintained in this way, the element substrate 4 and the scintillator substrate 5 are constantly pressed in the thickness direction at atmospheric pressure. Therefore, as shown in FIG. 9, the radiation detection panel 3 is formed on the element substrate 4 with the acute-angled tip Pa of the phosphor 6 a of the scintillator 6 and the tip Pb of the layered phosphor 6 a of the scintillator 6 *. In addition, the plurality of photoelectric conversion elements 15 and the planarizing layer 21 covering the photoelectric conversion elements 15 via the passivation layer 17 can be maintained in contact with each other.

そのため、放射線検出パネル3を、図2等に示したように筐体2内に収納して保持すれば、シンチレータ6,6が損傷されることのない状態で、蛍光体6aの先端Pa,Pbと光電変換素子15との距離を放射線検出パネル3の全域において均一にすることが可能となり、前述したような有効な機能を有する放射線検出パネル3を製造することが可能となる。Therefore, if the radiation detection panel 3 is housed and held in the housing 2 as shown in FIG. 2 and the like, the tip Pa, the phosphor Pa of the phosphor 6a without damage to the scintillators 6, 6 * . The distance between Pb and the photoelectric conversion element 15 can be made uniform over the entire area of the radiation detection panel 3, and the radiation detection panel 3 having an effective function as described above can be manufactured.

さらに、製造された放射線検出パネル3を大気圧中に移しても、シンチレータ基板5の表面5aが無機系薄膜502で形成されているため、この無機系薄膜502で、内部空間Cへの湿気(水蒸気)の流入を妨害することができる。   Furthermore, even if the manufactured radiation detection panel 3 is moved to atmospheric pressure, the surface 5a of the scintillator substrate 5 is formed of the inorganic thin film 502. Therefore, moisture (into the internal space C) ( Can prevent the inflow of water vapor).

また、シンチレータ基板5の表面5aが無機系薄膜502で形成されており、接着剤22で、素子基板4の表面4aを形成するパッシベーション層17と、シンチレータ基板5の表面5aを形成する無機系薄膜502とを接着、すなわち無機物同士を接着することになるため、十分な接着性で素子基板4とシンチレータ基板5とを貼り合わせることができる。   Further, the surface 5 a of the scintillator substrate 5 is formed of an inorganic thin film 502, and the passivation layer 17 that forms the surface 4 a of the element substrate 4 and the inorganic thin film that forms the surface 5 a of the scintillator substrate 5 with the adhesive 22. The element substrate 4 and the scintillator substrate 5 can be bonded to each other with sufficient adhesiveness.

したがって、製造された放射線検出パネル3においては、外部から内部空間Cに湿気(水蒸気)が流入してシンチレータ6が劣化し易くなる、外部から内部空間Cに外部から内部空間Cに外気が流入して内部空間Cの減圧状態が維持できなくなり蛍光体6aの先端Pa,Pbと光電変換素子15との距離が放射線検出パネル3の全域において一様にならなくなる等の不都合が生じることがない。   Therefore, in the manufactured radiation detection panel 3, moisture (water vapor) flows into the internal space C from the outside and the scintillator 6 is likely to deteriorate, and external air flows from the outside into the internal space C from the outside. As a result, the reduced pressure state of the internal space C cannot be maintained, and there is no inconvenience that the distance between the tips Pa and Pb of the phosphor 6a and the photoelectric conversion element 15 is not uniform over the entire area of the radiation detection panel 3.

次に、本実施形態に係る放射線画像検出器1の製造方法について、図17に示すフローチャートに基づいて説明する。   Next, a method for manufacturing the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described based on the flowchart shown in FIG.

まず、上記のようにして放射線検出パネル3の製造工程(ステップS10)が終了すると、続いて、シンチレータ基板5と貼り合わされた素子基板4上に形成された入出力端子18に、異方性導電接着フィルムを貼付したり異方性導電ペーストを塗布したりする等してCOF19を圧着し(COF圧着工程:ステップS11)、さらに、入出力端子18とCOF19との通電を検査する(COF通電検査工程:ステップS12)。   First, when the manufacturing process of the radiation detection panel 3 (step S10) is completed as described above, the anisotropic input / output terminal 18 formed on the element substrate 4 bonded to the scintillator substrate 5 is then subjected to anisotropic conduction. The COF 19 is pressure-bonded by attaching an adhesive film or applying an anisotropic conductive paste (COF pressure-bonding step: step S11), and further, the current-carrying between the input / output terminal 18 and the COF 19 is checked (COF current-carrying inspection). Process: Step S12).

次いで、COF19が素子基板4の裏面4b側に引き回されてPCB基板9とCOF19とが圧着されて接続され(PCB基板圧着工程:ステップS13)、素子基板4等における金属製の部材の露出部分等の腐食する可能性がある部分に対して腐食防止のためにシリコンゴムや樹脂を塗布する(腐食防止工程:ステップS14)。   Next, the COF 19 is routed to the back surface 4b side of the element substrate 4, and the PCB substrate 9 and the COF 19 are crimped and connected (PCB substrate crimping step: step S13), and the exposed portion of the metal member in the element substrate 4 or the like For example, silicon rubber or resin is applied to a portion that may be corroded to prevent corrosion (corrosion prevention step: step S14).

次いで、上記のようにしてCOF19やPCB基板9などが取り付けられた放射線検出パネル3に、図示しない支持台や基台などを固定してモジュール化した後(モジュール形成工程:ステップS15)、そのモジュール化された放射線検出パネル3を筐体2内に収納して(モジュール収納工程:ステップS16)、放射線画像検出器1を製造する。   Next, after fixing the support base and the base (not shown) to the radiation detection panel 3 to which the COF 19 and the PCB substrate 9 and the like are attached as described above, a module is formed (module forming step: step S15), and then the module The converted radiation detection panel 3 is stored in the housing 2 (module storage step: step S16), and the radiation image detector 1 is manufactured.

[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態に係る放射線検出パネル3、放射線画像検出器1、放射線検出パネル3の製造方法および放射線画像検出器1の製造方法について説明する。
なお、第2の実施の形態においては、接着剤22およびシンチレータ基板5Aの構成が第1の実施の形態と異なる。したがって、異なる箇所のみについて説明し、その他の共通する部分は同一符号を付して説明は省略する。
[Second Embodiment]
Next, the radiation detection panel 3, the radiation image detector 1, the manufacturing method of the radiation detection panel 3, and the manufacturing method of the radiation image detector 1 according to the second embodiment will be described.
In the second embodiment, the configurations of the adhesive 22 and the scintillator substrate 5A are different from those of the first embodiment. Therefore, only different parts will be described, and other common parts will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

[放射線検出パネルおよび放射線画像検出器]
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル3および放射線画像検出器1の構成について説明する。
[Radiation detection panel and radiation image detector]
First, the configuration of the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described.

なお、以下では、蛍光体6aが柱状結晶構造を有するシンチレータ6を用いた放射線検出パネル3や放射線画像検出器1について説明するが、蛍光体6aが層状に形成されたシンチレータ6を用いた放射線検出パネル3や放射線画像検出器1についても同様に説明され、本発明が適用される。In the following, the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 using the scintillator 6 in which the phosphor 6a has a columnar crystal structure will be described. However, the radiation using the scintillator 6 * in which the phosphor 6a is formed in layers. The detection panel 3 and the radiation image detector 1 are also described in the same manner, and the present invention is applied.

まず、本実施形態では、接着剤22は、加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤、或いは、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤であり、防湿性の高いシールが形成できる等の観点から、エポキシ系樹脂を用いた接着剤や、アクリル系樹脂を用いた接着剤が好ましく用いられる。
熱硬化型の接着剤としては、例えば、熱硬化性樹脂を用いた接着剤やさらに硬化促進剤等が添加された接着剤などを用いることが可能である。
また、光硬化型の接着剤としては、例えば、光開始剤や光重合性化合物などを含む紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能である。
なお、以下では、接着剤22として光硬化型の接着剤の一種である紫外線硬化型の接着剤を用いた場合について説明するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。
First, in this embodiment, the adhesive 22 is a thermosetting adhesive that is cured by heating or a photocurable adhesive that is cured when irradiated with light, and can form a highly moisture-proof seal. From such viewpoints, an adhesive using an epoxy resin and an adhesive using an acrylic resin are preferably used.
As the thermosetting adhesive, for example, an adhesive using a thermosetting resin or an adhesive to which a curing accelerator or the like is added can be used.
Further, as the photocurable adhesive, for example, an ultraviolet curable resin containing a photoinitiator, a photopolymerizable compound, or the like can be used.
In the following, a case where an ultraviolet curable adhesive which is a kind of a photocurable adhesive is used as the adhesive 22 will be described, but the present embodiment is not limited to this.

また、本実施形態では、シンチレータ基板(第2の基板)5Aは、例えば、図18に示すように、シンチレータ6が一方の面に形成され、素子基板(第1の基板)4よりも薄いガラス基板504と、ガラス基板504の他方の面に接着されたプラスチック基板505と、ガラス基板504とプラスチック基板505とを接着する接着層506と、を備えて構成されている。   In the present embodiment, the scintillator substrate (second substrate) 5A is made of, for example, a glass whose scintillator 6 is formed on one surface and is thinner than the element substrate (first substrate) 4 as shown in FIG. The substrate 504 includes a plastic substrate 505 bonded to the other surface of the glass substrate 504, and an adhesive layer 506 that bonds the glass substrate 504 and the plastic substrate 505.

ガラス基板504としては、厚みが素子基板4の半分以下、すなわち厚みが0.3mm以下の透明なガラス基板が好ましく用いられる。
なお、ガラス基板504の厚みは、素子基板4よりも薄く、かつ、シンチレータ基板5Aが素子基板4よりも軽量であれば、0.3mm以下に限定されるものではない。
また、ガラス基板504は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤22を硬化させる波長の光とを透過できる基板であれば、透明な基板に限定されるものではない。
また、ガラス基板504は、接着剤22が光硬化型の接着剤でない場合、少なくとも放射線を透過できればよい。
As the glass substrate 504, a transparent glass substrate having a thickness of half or less of the element substrate 4, that is, a thickness of 0.3 mm or less is preferably used.
The thickness of the glass substrate 504 is not limited to 0.3 mm or less as long as it is thinner than the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A is lighter than the element substrate 4.
The glass substrate 504 is not limited to a transparent substrate as long as it can transmit at least radiation and light having a wavelength that cures the adhesive 22 that is a photocurable adhesive.
Moreover, the glass substrate 504 should just be able to permeate | transmit a radiation at least, when the adhesive agent 22 is not a photocurable adhesive agent.

また、プラスチック基板505としては、PET、アクリル、ナイロン、ポリカーボネート等の透明な樹脂基板(プラスチック基板)が好ましく用いられる。
なお、プラスチック基板505は、フレキシブルなフィルム状の基板であってもよいし、リジッドな板状の基板であってもよい。
また、プラスチック基板505の厚みは、素子基板4とシンチレータ基板5Aとを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板5Aに割れや亀裂などが入ることを防止でき、かつ、シンチレータ基板5Aが素子基板4よりも軽量であれば、特に限定されるものではない。
また、プラスチック基板505は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤22を硬化させる波長の光とを透過できる基板であれば、透明な基板に限定されるものではない。
また、プラスチック基板505は、接着剤22が光硬化型の接着剤でない場合、少なくとも放射線を透過できればよい。
Further, as the plastic substrate 505, a transparent resin substrate (plastic substrate) such as PET, acrylic, nylon, or polycarbonate is preferably used.
Note that the plastic substrate 505 may be a flexible film substrate or a rigid plate substrate.
Further, the thickness of the plastic substrate 505 can prevent the scintillator substrate 5A from being cracked or cracked by the load when the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A are bonded together, and the scintillator substrate 5A is more than the element substrate 4. If it is lightweight, it will not specifically limit.
The plastic substrate 505 is not limited to a transparent substrate as long as it can transmit at least radiation and light having a wavelength that cures the adhesive 22 that is a photocurable adhesive.
Further, the plastic substrate 505 only needs to be able to transmit at least radiation when the adhesive 22 is not a photocurable adhesive.

また、接着層506としては、ガラス基板504とプラスチック基板505とを貼り合わせることができる透明な接着層が好ましく用いられる。
なお、接着層506は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤22を硬化させる波長の光とを透過できる層であれば、透明な層に限定されるものではない。
また、接着層506、接着剤22が光硬化型の接着剤でない場合、少なくとも放射線を透過できればよい。
Further, as the adhesive layer 506, a transparent adhesive layer capable of bonding the glass substrate 504 and the plastic substrate 505 is preferably used.
Note that the adhesive layer 506 is not limited to a transparent layer as long as it can transmit at least radiation and light having a wavelength that cures the adhesive 22 that is a photocurable adhesive.
In the case where the adhesive layer 506 and the adhesive 22 are not photo-curing adhesives, it is sufficient that at least radiation can be transmitted.

ここで、ガラス基板504に貼り付けられたプラスチック基板505は、シンチレータ基板5Aを、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る基板とするために設けられたものである。
したがって、素子基板4とシンチレータ基板5Aとが貼り合わされた後であれば、例えば、図19に示すように、プラスチック基板505を接着層506とともにガラス基板504から剥離してもよい。
Here, the plastic substrate 505 attached to the glass substrate 504 is provided to make the scintillator substrate 5A a substrate that can withstand the load when the element substrate and the scintillator substrate are attached to each other.
Therefore, after the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A are bonded, the plastic substrate 505 may be peeled off from the glass substrate 504 together with the adhesive layer 506 as shown in FIG.

この場合、接着層506として、紫外線を照射すると接着力が低下する紫外線剥離型の接着剤からなる接着層や、加熱すると接着力が低下する熱剥離型の接着剤からなる接着層などの、所定条件が付与されると接着力が低下する接着層を採用すれば、プラスチック基板505をガラス基板504から容易に剥離することが可能となる。   In this case, the adhesive layer 506 is a predetermined layer such as an adhesive layer made of an ultraviolet peelable adhesive whose adhesive strength decreases when irradiated with ultraviolet light, or an adhesive layer made of a heat peelable adhesive whose adhesive strength decreases when heated. If an adhesive layer whose adhesive strength decreases when conditions are applied is adopted, the plastic substrate 505 can be easily peeled from the glass substrate 504.

次に、本実施形態に係る放射線検出パネル3や放射線画像検出器1の作用について説明する。   Next, the operation of the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described.

本実施形態では、放射線検出パネル3の軽量化を図るために、シンチレータ基板5Aとして、素子基板4よりも薄く軽量な薄型のガラス基板504を用いるようにした。
この場合、単にシンチレータ基板として薄型のガラス基板504を用いるだけでは、薄型のガラス基板504は壊れ易いため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板に割れや亀裂などが入る等の不都合が生じてしまう。
In the present embodiment, in order to reduce the weight of the radiation detection panel 3, a thin glass substrate 504 that is thinner and lighter than the element substrate 4 is used as the scintillator substrate 5A.
In this case, simply using the thin glass substrate 504 as the scintillator substrate, the thin glass substrate 504 is easily broken, and therefore, the scintillator substrate is cracked or cracked by a load when the element substrate and the scintillator substrate are bonded together. Inconvenience will occur.

これに対し、本実施形態では、ガラス基板504に、ガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板505が貼り付けられているため、シンチレータ基板5Aは素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐えることができる。   On the other hand, in the present embodiment, since the plastic substrate 505 that is less brittle and less fragile than the glass substrate is attached to the glass substrate 504, the scintillator substrate 5A has a load when the element substrate and the scintillator substrate are attached to each other. Can withstand.

なお、この他の点は第1の実施の形態で示したものと同様であるので、その説明は省略する。   Since other points are the same as those shown in the first embodiment, description thereof is omitted.

以上説明した第2の実施の形態に係る放射線検出パネル3および放射線画像検出器1によれば、シンチレータ基板(第2の基板)5Aは、シンチレータ6が一方の面に形成され、素子基板(第1の基板)4よりも薄いガラス基板504と、ガラス基板504の他方の面に接着されたプラスチック基板505と、ガラス基板504とプラスチック基板505とを接着する接着層506と、を備えて構成されている。
すなわち、シンチレータ基板5Aとして、素子基板4よりも薄く軽量な薄型のガラス基板504を用いているため、素子基板とシンチレータ基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネル3を軽量化することができる。
According to the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 according to the second embodiment described above, the scintillator substrate (second substrate) 5A has the scintillator 6 formed on one surface and the element substrate (first substrate). 1 substrate) 4, a glass substrate 504 thinner than 4, a plastic substrate 505 bonded to the other surface of the glass substrate 504, and an adhesive layer 506 that bonds the glass substrate 504 and the plastic substrate 505 to each other. ing.
That is, since the thin glass substrate 504 that is thinner and lighter than the element substrate 4 is used as the scintillator substrate 5A, the radiation of the radiation is higher than that in the case where the element substrate and the scintillator substrate are formed of the same thickness glass substrate. The detection panel 3 can be reduced in weight.

また、このように放射線検出パネル3の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器1が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器1の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネル3の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器1の落下強度を向上させることが可能となる。
In addition, since the radiation detection panel 3 can be reduced in weight as described above, the radiation image detector 1 can be easily carried especially when the radiation image detector 1 is configured to be portable. It becomes possible.
Further, since the weight of the radiation detection panel 3 can be reduced as described above, the drop strength of the radiation image detector 1 can be improved.

また、薄型のガラス基板504は壊れ易いが、本実施形態におけるシンチレータ基板5は、ガラス基板504にガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板505が貼り付けられて形成されており、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る構成となっているため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板5Aに割れや亀裂などが入る等の不都合の発生を防止することが可能となる。   Although the thin glass substrate 504 is easily broken, the scintillator substrate 5 in this embodiment is formed by attaching a plastic substrate 505 that is less brittle and less fragile than the glass substrate to the glass substrate 504. Since it has a structure capable of withstanding the load when the scintillator substrate is bonded, it prevents the occurrence of inconvenience such as a crack or a crack entering the scintillator substrate 5A due to the load when the element substrate and the scintillator substrate are bonded. It becomes possible.

また、シンチレータ基板として単にプラスチック基板を用いると、シンチレータ基板の防湿性が低い、素子基板とシンチレータ基板とを十分な接着性で貼り合わせることができない等の影響で、外部から内部空間Cに湿気(水蒸気)が流入してシンチレータ6が劣化してしまったり、外部から内部空間Cに外気が流入して内部空間Cの減圧状態が維持できなくなり蛍光体6aの先端Pa,Pbと光電変換素子15との距離が放射線検出パネル3の全域において一様にならなくなってしまったりする虞がある。これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板5Aのシンチレータ6側はガラス基板504であり、無機系材料で形成されているため、シンチレータ6が劣化し易くなる、蛍光体6aの先端Pa,Pbと光電変換素子15との距離が放射線検出パネル3の全域において一様にならなくなる等の不都合の発生を防止することが可能となる。   In addition, if a plastic substrate is simply used as the scintillator substrate, moisture (external to the internal space C from the outside due to the low moisture resistance of the scintillator substrate and the inability to bond the element substrate and the scintillator substrate to each other). The scintillator 6 deteriorates due to the inflow of water vapor), or the outside air flows into the internal space C from the outside and the decompressed state of the internal space C cannot be maintained, and the tips Pa and Pb of the phosphor 6a and the photoelectric conversion element 15 May not be uniform over the entire area of the radiation detection panel 3. On the other hand, in this embodiment, the scintillator substrate 5A has a glass substrate 504 on the scintillator substrate 5A side, which is formed of an inorganic material. Therefore, the scintillator 6 is easily deteriorated, and the front ends Pa and Pb of the phosphor 6a are easily deteriorated. It is possible to prevent the occurrence of inconveniences such as the distance from the photoelectric conversion element 15 not being uniform over the entire area of the radiation detection panel 3.

また、シンチレータ基板として光を透過することができない基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに接着剤22として光硬化型の接着剤を使用できないが、本実施形態では、シンチレータ基板5Aを光透過性のガラス基板504と光透過性のプラスチック基板505と光透過性の接着層506とにより構成可能であるため、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できない等の不都合の発生を防止することが可能となる。   If a substrate that cannot transmit light is used as the scintillator substrate, a photo-curing adhesive cannot be used as the adhesive 22 for bonding the element substrate and the scintillator substrate. In this embodiment, the scintillator substrate 5A is used. Can be composed of a light-transmitting glass substrate 504, a light-transmitting plastic substrate 505, and a light-transmitting adhesive layer 506, so that a light-curable adhesive is used for bonding the element substrate and the scintillator substrate. It is possible to prevent the occurrence of inconvenience such as inability.

また、本実施形態では、シンチレータ基板(第2の基板)5Aは、さらに、ガラス基板504とプラスチック基板505とを剥離可能に接着する接着層506を備えて構成されている。
したがって、ガラス基板504とプラスチック基板505とが剥離可能であるため、素子基板4とシンチレータ基板5Aとを貼り合わせた後、ガラス基板504からプラスチック基板505を剥離することによって、シンチレータ基板5Aをガラス基板504のみから構成されたものとすることができる。
In the present embodiment, the scintillator substrate (second substrate) 5A is further provided with an adhesive layer 506 that adheres the glass substrate 504 and the plastic substrate 505 in a peelable manner.
Therefore, since the glass substrate 504 and the plastic substrate 505 can be peeled, the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A are bonded together, and then the plastic substrate 505 is peeled from the glass substrate 504, whereby the scintillator substrate 5A is removed from the glass substrate. It can be composed only of 504.

[放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法]
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル3の製造方法および放射線画像検出器1の製造方法について説明する。
[Method for manufacturing radiation detection panel and method for manufacturing radiation image detector]
Next, a method for manufacturing the radiation detection panel 3 and a method for manufacturing the radiation image detector 1 according to the present embodiment will be described.

なお、以下では、蛍光体6aが柱状結晶構造を有するシンチレータ6を用いた放射線検出パネル3や放射線画像検出器1の製造方法について説明するが、蛍光体6aが層状に形成されたシンチレータ6を用いた放射線検出パネル3や放射線画像検出器1の製造方法についても同様に説明され、本発明が適用される。Hereinafter, the manufacturing method of the radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 using the scintillator 6 in which the phosphor 6a has a columnar crystal structure will be described. However, the scintillator 6 * in which the phosphor 6a is formed in a layer shape is described. The manufacturing method of the used radiation detection panel 3 and the radiation image detector 1 is also described in the same manner, and the present invention is applied.

まず、本実施形態に係る放射線検出パネル3の製造方法について、図20に示すフローチャートに基づいて説明する。   First, the manufacturing method of the radiation detection panel 3 according to the present embodiment will be described based on the flowchart shown in FIG.

まず、接着剤配置工程(ステップS1)を行うが、接着剤配置工程(ステップS1)〜接着剤硬化工程(ステップS5)は、図11のフローチャートで示した第1の実施の形態に係る放射線検出パネル3の製造方法における接着剤配置工程(ステップS1)〜接着剤硬化工程(ステップS5)と同一であるため、詳細な説明は省略する。   First, the adhesive placement process (step S1) is performed. The adhesive placement process (step S1) to the adhesive curing process (step S5) are performed according to the radiation detection according to the first embodiment shown in the flowchart of FIG. Since it is the same as the adhesive arrangement process (step S1) to the adhesive curing process (step S5) in the method for manufacturing the panel 3, detailed description thereof is omitted.

素子基板4の複数の光電変換素子15の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板5Aのシンチレータ6の周囲の部分に、複数のスペーサSを含む接着剤22を配置する(接着剤配置工程:ステップS1)と、接着剤22を介して、素子基板4とシンチレータ基板5Aとを、複数の光電変換素子15とシンチレータ6とが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程(ステップS2)と、放射線検出パネル3のシンチレータ基板5の上方側からシンチレータ基板5を被覆するようにフィルム32を載置するフィルム載置工程(ステップS3)と、素子基板4、シンチレータ基板5Aおよび接着剤22により形成される内部空間Cを減圧して、素子基板4とシンチレータ基板5Aとを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程(ステップS4)と、素子基板4とシンチレータ基板5Aとが貼り合わされた状態で、接着剤22を硬化させる接着剤硬化工程(ステップS5)と、を行うことによってガラス基板504にプラスチック基板505が貼り付けられた状態の放射線検出パネル3(図18参照)を製造する。   An adhesive 22 including a plurality of spacers S is disposed on the periphery of the plurality of photoelectric conversion elements 15 on the element substrate 4 or on the periphery of the scintillator 6 of the scintillator substrate 5A (adhesive placement step: step S1). And a temporary bonding step (step S2) for temporarily bonding the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A through the adhesive 22 in a state where the plurality of photoelectric conversion elements 15 and the scintillator 6 face each other, and radiation detection. A film placement step (step S3) for placing the film 32 so as to cover the scintillator substrate 5 from the upper side of the scintillator substrate 5 of the panel 3, and an interior formed by the element substrate 4, the scintillator substrate 5A and the adhesive 22 A reduced pressure bonding step (step S4) for depressurizing the space C and bonding the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A; Radiation in a state where the plastic substrate 505 is adhered to the glass substrate 504 by performing the adhesive curing step (step S5) for curing the adhesive 22 in a state where the daughter substrate 4 and the scintillator substrate 5A are adhered to each other. The detection panel 3 (see FIG. 18) is manufactured.

そして、ガラス基板504からプラスチック基板505が剥離された状態の放射線検出パネル3(図19参照)を製造する場合は、さらに、接着剤硬化工程(ステップS5)の後、プラスチック基板505をガラス基板504から剥離する剥離工程(ステップS6)を行う。これより、ガラス基板504から接着層506とともにプラスチック基板505が剥離された状態の放射線検出パネル3を製造することができる。   And when manufacturing the radiation detection panel 3 (refer FIG. 19) in the state by which the plastic substrate 505 was peeled from the glass substrate 504, after the adhesive hardening process (step S5), the plastic substrate 505 is glass substrate 504 further. The peeling process (step S6) which peels from is performed. Thus, the radiation detection panel 3 in a state where the plastic substrate 505 is peeled off from the glass substrate 504 together with the adhesive layer 506 can be manufactured.

この剥離工程(ステップS6)では、接着層506が、紫外線剥離型の接着剤からなる接着層であれば、ガラス基板504にプラスチック基板505が貼り付けられた状態の放射線検出パネル3(図18参照)に、例えばシンチレータ基板5Aの裏面5b側から紫外線を照射することにより、接着層506の接着力を低下させて、プラスチック基板505をガラス基板504から剥離する。   In this peeling step (step S6), if the adhesive layer 506 is an adhesive layer made of an ultraviolet peelable adhesive, the radiation detection panel 3 with the plastic substrate 505 attached to the glass substrate 504 (see FIG. 18). ), For example, by irradiating ultraviolet rays from the back surface 5b side of the scintillator substrate 5A, the adhesive force of the adhesive layer 506 is reduced, and the plastic substrate 505 is peeled from the glass substrate 504.

また、接着層506が、熱剥離型の接着剤からなる接着層であれば、ガラス基板504にプラスチック基板505が貼り付けられた状態の放射線検出パネル3(図18参照)を加熱することにより、接着層506の接着力を低下させて、プラスチック基板505をガラス基板504から剥離する。   Further, if the adhesive layer 506 is an adhesive layer made of a heat-peelable adhesive, by heating the radiation detection panel 3 (see FIG. 18) in a state where the plastic substrate 505 is attached to the glass substrate 504, The adhesive strength of the adhesive layer 506 is reduced, and the plastic substrate 505 is peeled from the glass substrate 504.

また、第2の実施の形態の放射線画像検出器1の製造方法は、図17のフローチャートで示した第1の実施の形態に係る放射線画像検出器1の製造方法と同一であるため、説明は省略する。   Moreover, since the manufacturing method of the radiographic image detector 1 of 2nd Embodiment is the same as the manufacturing method of the radiographic image detector 1 which concerns on 1st Embodiment shown in the flowchart of FIG. Omitted.

以上説明した第2の実施の形態に係る放射線検出パネル3の製造方法や放射線画像検出器1の製造方法によれば、接着剤硬化工程(ステップS5)の後、プラスチック基板505をガラス基板504から剥離する剥離工程(ステップS6)を行ってもよい。
したがって、接着剤硬化工程(ステップS5)の後に剥離工程(ステップS6)を行うことで、素子基板4とシンチレータ基板5Aとを貼り合わせた後、ガラス基板504からプラスチック基板505を剥離することができるため、放射線検出パネル3が備えるシンチレータ基板5Aをガラス基板504のみから構成されたものとすることが可能となる。
According to the manufacturing method of the radiation detection panel 3 and the manufacturing method of the radiation image detector 1 according to the second embodiment described above, the plastic substrate 505 is removed from the glass substrate 504 after the adhesive curing step (step S5). You may perform the peeling process (step S6) which peels.
Therefore, the plastic substrate 505 can be peeled from the glass substrate 504 after the element substrate 4 and the scintillator substrate 5A are bonded together by performing the peeling step (step S6) after the adhesive curing step (step S5). Therefore, the scintillator substrate 5A included in the radiation detection panel 3 can be configured only from the glass substrate 504.

[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態に係る放射線画像検出器1001について説明する。
[Third Embodiment]
Next, a radiation image detector 1001 according to the third embodiment will be described.

なお、以下では、放射線画像検出器(放射線画像撮影装置)が、持ち運び可能な可搬型(すなわちいわゆるカセッテ型)である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像検出器に対しても適用される。   In the following, the case where the radiation image detector (radiation image capturing apparatus) is a portable type (that is, a so-called cassette type) will be described. However, the radiation image detector formed integrally with a support stand or the like This also applies to

図21は、本実施形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図であり、図22は、図21のB−B線に沿う断面図である。本実施形態では、放射線画像検出器1001は、図21や図22に示すように、筐体1002内にシンチレータ1003や第1基板1004等が収納されて構成されている。   FIG. 21 is an external perspective view of the radiation image detector according to the present embodiment, and FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. In the present embodiment, the radiation image detector 1001 is configured by housing a scintillator 1003, a first substrate 1004, and the like in a housing 1002, as shown in FIGS.

筐体1002は、少なくとも放射線入射面Xが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図21や図22では、筐体1002がフレーム板1002Aとバック板1002Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体1002を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。   The housing 1002 is formed of a material such as a carbon plate or plastic that transmits at least the radiation incident surface X. 21 and 22 show a case where the casing 1002 is a so-called lunch box type formed by a frame plate 1002A and a back plate 1002B. However, the casing 1002 is integrally formed in a rectangular tube shape. It is also possible to use a so-called monocoque type.

また、図21に示すように、筐体1002の側面部分には、電源スイッチ1036や、LED等で構成されたインジケータ1037、バッテリ1024(図26参照)の交換等のために開閉可能とされた蓋部材1038等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材1038の側面部には、図示しない外部装置と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置1039が埋め込まれている。   Further, as shown in FIG. 21, the side portion of the housing 1002 can be opened and closed for replacement of a power switch 1036, an indicator 1037 composed of an LED or the like, and a battery 1024 (see FIG. 26). A lid member 1038 and the like are disposed. In the present embodiment, an antenna device 1039 that is a communication unit for wirelessly communicating with an external device (not shown) is embedded in the side surface of the lid member 1038.

また、図22に示すように、筐体1002の内部には、第1の基板1004(以下第1基板1004という。)の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台1031が配置され、基台1031には、電子部品1032等が配設されたPCB基板1033や緩衝部材1034等が取り付けられている。なお、本実施形態では、第1基板1004やシンチレータ1003の放射線入射面Xには、それらを保護するための第2の基板1035(以下第2基板1035という。)が配設されている。   Further, as shown in FIG. 22, a base 1031 is disposed inside the housing 1002 below a first substrate 1004 (hereinafter referred to as the first substrate 1004) via a lead thin plate (not shown). A PCB substrate 1033 on which electronic components 1032 and the like are disposed, a buffer member 1034 and the like are attached to the base 1031. In the present embodiment, a second substrate 1035 (hereinafter referred to as a second substrate 1035) for protecting the first substrate 1004 and the radiation incident surface X of the scintillator 1003 is disposed.

本実施形態では、シンチレータ1003は、図23の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜1003bの上に、例えば気相成長法により蛍光体1003aを成長させて形成されたものであり、蛍光体1003aの柱状結晶からなっている。   In the present embodiment, as shown in the enlarged view of FIG. 23, the scintillator 1003 is formed on a support film 1003b formed of various polymer materials such as a cellulose acetate film, a polyester film, and a polyethylene terephthalate film. The phosphor 1003a is grown by a phase growth method, and is made of a columnar crystal of the phosphor 1003a.

シンチレータ1003は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレータ1003として、X線等の放射線が入射すると、波長が300nm〜800nmの電磁波、すなわち、可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられるようになっている。   The scintillator 1003 converts incident radiation into light of another wavelength, and uses a phosphor as a main component. Specifically, in this embodiment, the scintillator 1003 outputs an electromagnetic wave having a wavelength of 300 nm to 800 nm, that is, light ranging from ultraviolet light to infrared light centering on visible light when radiation such as X-rays enters. Is being used.

本実施形態では、シンチレータ1003の蛍光体1003aは、ハロゲン化物を含有する材料で形成されており、特にCsI:Tl等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。   In the present embodiment, the phosphor 1003a of the scintillator 1003 is formed of a material containing a halide, and in particular, a material in which a luminescent center substance is activated in a base material such as CsI: Tl is preferably used.

そして、本実施形態では、蛍光体1003aを支持膜1003b上に互いに独立した細長い柱状結晶として形成されており、蛍光体1003aの各柱状結晶は、支持膜1003b付近では太く、先端(図23中では下側の端部)Paに向かうに従って細くなっていき、先端Paは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成されるようになっている。   In the present embodiment, the phosphor 1003a is formed as long and narrow columnar crystals independent of each other on the support film 1003b. Each columnar crystal of the phosphor 1003a is thick in the vicinity of the support film 1003b and has a tip (in FIG. 23). The lower end Pa) is narrowed toward Pa, and the tip Pa is formed to grow into an acute-angled substantially conical shape.

なお、シンチレータ1003は、上記のように蛍光体1003aが柱状結晶として形成される場合に限定されず、本発明は、シンチレータ1003が、例えば支持膜1003b上や第2基板1035の面上に塗布したペースト状の蛍光体1003aを硬化させて形成されたシンチレータ等である場合についても適用される。   The scintillator 1003 is not limited to the case where the phosphor 1003a is formed as a columnar crystal as described above, and the present invention is applied to the scintillator 1003 on, for example, the support film 1003b or the surface of the second substrate 1035. The present invention is also applied to a scintillator formed by curing the paste-like phosphor 1003a.

本実施形態では、シンチレータ1003は、蛍光体1003aの柱状結晶の鋭角状の先端Paが下側、すなわち第1基板1004側を向くように配置され、支持膜1003bが第2基板1035に貼付されることにより、シンチレータ1003が第2基板1035に固定されるようになっている。   In this embodiment, the scintillator 1003 is arranged so that the acute-angled tip Pa of the columnar crystal of the phosphor 1003a faces the lower side, that is, the first substrate 1004 side, and the support film 1003b is attached to the second substrate 1035. Thus, the scintillator 1003 is fixed to the second substrate 1035.

なお、本実施形態では、第2基板1035は、後述する第1基板1004と同様にガラス基板で構成されている。これは、第1基板1004と第2基板1035は周囲の温度によってそれぞれ膨張するが、その際、互いの熱膨張係数が異なるものであると、温度によって貼り合わせた両方の基板1004、1035が撓む等の問題が生じる。この問題を回避するために、本実施形態では、上記のように両方の基板1004、1035を同じ材質のガラス基板としているが、少なくとも、第1基板1004と第2基板1035とが同等の熱膨張係数を有する材料で構成されていることが好ましい。   In the present embodiment, the second substrate 1035 is formed of a glass substrate in the same manner as the first substrate 1004 described later. This is because the first substrate 1004 and the second substrate 1035 expand according to the ambient temperature, and if the coefficients of thermal expansion differ from each other at that time, both the substrates 1004 and 1035 bonded together depending on the temperature bend. Problems occur. In order to avoid this problem, in the present embodiment, both the substrates 1004 and 1035 are made of the same glass substrate as described above, but at least the first substrate 1004 and the second substrate 1035 have the same thermal expansion. It is preferable that it is made of a material having a coefficient.

第1基板1004は、本実施形態では、上記のようにガラス基板で構成されており、図24に示すように、第1基板1004のシンチレータ1003に対向する側の面1004a上には、複数の走査線1005と複数の信号線1006とが互いに交差するように配設されている。第1基板1004の面1004a上の複数の走査線1005と複数の信号線1006により区画された各小領域rには、光電変換素子(放射線検出素子)1007がそれぞれ設けられている。   In the present embodiment, the first substrate 1004 is composed of the glass substrate as described above. As shown in FIG. 24, a plurality of surfaces on the surface 1004a of the first substrate 1004 facing the scintillator 1003 are provided. The scanning line 1005 and the plurality of signal lines 1006 are disposed so as to intersect each other. A photoelectric conversion element (radiation detection element) 1007 is provided in each small region r partitioned by a plurality of scanning lines 1005 and a plurality of signal lines 1006 on the surface 1004a of the first substrate 1004.

このように、走査線1005と信号線1006で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の光電変換素子1007が設けられた領域r全体、すなわち図24に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。   As described above, the entire region r in which the plurality of photoelectric conversion elements 1007 arranged in a two-dimensional manner are provided in each small region r partitioned by the scanning line 1005 and the signal line 1006, that is, shown by a one-dot chain line in FIG. The region is a detection unit P.

本実施形態では、光電変換素子1007としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各光電変換素子1007は、スイッチ手段であるTFT1008のソース電極に接続されている。また、TFT1008のドレイン電極は信号線1006に接続されている。   In this embodiment, a photodiode is used as the photoelectric conversion element 1007. However, for example, a phototransistor or the like can also be used. Each photoelectric conversion element 1007 is connected to a source electrode of a TFT 1008 which is a switch means. The drain electrode of the TFT 1008 is connected to the signal line 1006.

そして、TFT1008は、後述する走査駆動手段1015から走査線1005を介してゲート電極にオン電圧が印加されるとオン状態となり、光電変換素子1007内に蓄積されている電荷を信号線1006に放出させるようになっている。また、TFT1008は接続された走査線1005にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、光電変換素子1007から信号線1006への電荷の放出を停止して光電変換素子1007内に電荷を保持するようになっている。   The TFT 1008 is turned on when an on-voltage is applied to the gate electrode from a scanning driving unit 1015 described later via the scanning line 1005, and the charge accumulated in the photoelectric conversion element 1007 is released to the signal line 1006. It is like that. Further, the TFT 1008 is turned off when a turn-off voltage is applied to the connected scanning line 1005, so that discharge of charge from the photoelectric conversion element 1007 to the signal line 1006 is stopped and the charge is held in the photoelectric conversion element 1007. It has become.

本実施形態では、列状に配置された複数の光電変換素子1007にそれぞれバイアス線1009が接続されており、各バイアス線1009は、第1基板1004の検出部Pの外側の位置で1本の結線1010に結束されている。   In the present embodiment, a bias line 1009 is connected to each of the plurality of photoelectric conversion elements 1007 arranged in a row, and each bias line 1009 is one position at a position outside the detection unit P of the first substrate 1004. It is bound to the connection 1010.

また、各走査線1005や各信号線1006、バイアス線1009の結線1010は、それぞれ第1基板1004の端縁部付近に設けられた入出力端子(パッドともいう)1011に接続されている。各入出力端子1011には、図25に示すように、IC1012a等のチップが組み込まれたCOF(Chip On Film)1012が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電性接着材料1013を介して接続されている。   Each scanning line 1005, each signal line 1006, and connection line 1010 of the bias line 1009 are connected to input / output terminals (also referred to as pads) 1011 provided in the vicinity of the edge of the first substrate 1004. As shown in FIG. 25, each input / output terminal 1011 includes a COF (Chip On Film) 1012 in which a chip such as an IC 1012a is incorporated, and an anisotropic conductive adhesive film (Anisotropic Conductive Film) or anisotropic conductive paste (Anisotropic conductive paste). It is connected via an anisotropic conductive adhesive material 1013 such as Conductive Paste).

また、COF1012は、第1基板1004の裏面1004b側に引き回され、裏面1004b側で前述したPCB基板1033に接続されるようになっている。本実施形態では、このようにして、放射線画像検出器1001の第1基板1004部分が形成されている。   The COF 1012 is routed to the back surface 1004b side of the first substrate 1004 and is connected to the PCB substrate 1033 described above on the back surface 1004b side. In the present embodiment, the first substrate 1004 portion of the radiation image detector 1001 is thus formed.

なお、図25では、電子部品1032等の図示が省略されている。また、本実施形態では、走査線1005や信号線1006、バイアス線1009等は、アルミニウム或いはアルミニウムを含む合金で形成されている。   In FIG. 25, illustration of the electronic component 1032 and the like is omitted. In this embodiment, the scanning line 1005, the signal line 1006, the bias line 1009, and the like are formed of aluminum or an alloy containing aluminum.

ここで、図26を用いて放射線画像検出器1001の回路構成について説明する。   Here, the circuit configuration of the radiation image detector 1001 will be described with reference to FIG.

各光電変換素子1007の第1基板1004に近い側には下部電極1007bが設けられ、第1基板1004から遠い側には上部電極1007aが設けられている。そして、各光電変換素子1007の上部電極1007aにはそれぞれバイアス線1009が接続されており、各バイアス線1009は結線1010に結束されてバイアス電源1014に接続されている。各バイアス線1009は、バイアス電源1014からバイアス電圧(本実施形態では逆バイアス電圧)をそれぞれ各光電変換素子1007の上部電極1007aに供給するようになっている。   A lower electrode 1007 b is provided on the side closer to the first substrate 1004 of each photoelectric conversion element 1007, and an upper electrode 1007 a is provided on the side farther from the first substrate 1004. A bias line 1009 is connected to the upper electrode 1007 a of each photoelectric conversion element 1007, and each bias line 1009 is bound to a connection 1010 and connected to a bias power source 1014. Each bias line 1009 supplies a bias voltage (reverse bias voltage in this embodiment) from a bias power supply 1014 to the upper electrode 1007a of each photoelectric conversion element 1007.

また、各光電変換素子1007の下部電極1007bはTFT1008のソース電極1008s(図26中ではSと表記されている。)に接続されており、各TFT1008のゲート電極1008g(図26中ではGと表記されている。)は、走査駆動手段1015のゲートドライバ1015bから延びる走査線1005の各ラインL1〜Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT1008のドレイン電極1008d(図26中ではDと表記されている。)は各信号線1006にそれぞれ接続されている。   The lower electrode 1007b of each photoelectric conversion element 1007 is connected to the source electrode 1008s (denoted as S in FIG. 26) of the TFT 1008, and the gate electrode 1008g (denoted as G in FIG. 26) of each TFT 1008. Are connected to the lines L1 to Lx of the scanning line 1005 extending from the gate driver 1015b of the scanning driving means 1015, respectively. Further, the drain electrode 1008d (denoted as D in FIG. 26) of each TFT 1008 is connected to each signal line 1006.

走査駆動手段1015は、ゲートドライバ1015bにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路1015aと、走査線1005の各ラインL1〜Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えるゲートドライバ1015bとを備えている。ゲートドライバ1015bは、前述したように、走査線1005の各ラインL1〜Lxを介してTFT1008のゲート電極1008gに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各TFT1008のオン状態とオフ状態とを制御するようになっている。   The scan driver 1015 includes a power supply circuit 1015a that supplies an on voltage and an off voltage to the gate driver 1015b, and a gate driver 1015b that switches a voltage applied to each of the lines L1 to Lx of the scan line 1005 between the on voltage and the off voltage. It has. As described above, the gate driver 1015b switches the voltage applied to the gate electrode 1008g of the TFT 1008 via the lines L1 to Lx of the scanning line 1005 between the on voltage and the off voltage, and sets the on state of each TFT 1008. It is designed to control the off state.

また、各信号線1006は、読み出しIC1016内に形成された各読み出し回路1017にそれぞれ接続されている。読み出し回路1017は、増幅回路1018と、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)回路1019等で構成されている。   Each signal line 1006 is connected to each readout circuit 1017 formed in the readout IC 1016. The readout circuit 1017 includes an amplifier circuit 1018, a correlated double sampling circuit 1019, and the like.

そして、例えば、放射線画像撮影の際、被写体を介して放射線画像検出器1001に放射線が照射されると、シンチレータ1003で放射線が所定の波長の電磁波に変換されて、その直下の光電変換素子1007に照射される。そして、光電変換素子1007内では、照射された放射線の線量(電磁波の光量)に応じて電荷(電気信号)が発生する。   For example, when radiographic image capturing is performed, when radiation is irradiated to the radiographic image detector 1001 through the subject, the scintillator 1003 converts the radiation into an electromagnetic wave having a predetermined wavelength, and the photoelectric conversion element 1007 directly below the radiation is converted. Irradiated. In the photoelectric conversion element 1007, electric charges (electric signals) are generated according to the dose of irradiated radiation (the amount of electromagnetic waves).

各光電変換素子1007からの電荷の読み出し処理においては、走査駆動手段1015のゲートドライバ1015bから走査線1005の各ラインL1〜Lxを介してゲート電極1008gにオン電圧が印加されたTFT1008がオン状態となり、光電変換素子1007から信号線1006に電荷が放出される。   In the charge reading process from each photoelectric conversion element 1007, the TFT 1008 in which the on-voltage is applied to the gate electrode 1008g from the gate driver 1015b of the scanning driving unit 1015 via the lines L1 to Lx of the scanning line 1005 is turned on. Electric charge is released from the photoelectric conversion element 1007 to the signal line 1006.

そして、光電変換素子1007から放出された電荷量に応じて増幅回路1018から電圧値が出力され、それを相関二重サンプリング回路1019で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがマルチプレクサ1021に出力される。マルチプレクサ1021から順次出力された画像データは、A/D変換器1020で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段1023に出力されて順次保存されるようになっている。   Then, a voltage value is output from the amplifier circuit 1018 in accordance with the amount of charge released from the photoelectric conversion element 1007, and this is correlated double-sampled by the correlated double sampling circuit 1019, and analog value image data is output to the multiplexer 1021. Is done. The image data sequentially output from the multiplexer 1021 is sequentially converted into digital value image data by the A / D converter 1020, output to the storage means 1023 and sequentially stored.

制御手段1022は、CPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、FPGA(Field Programmable Gate Array)等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。制御手段1022は、放射線画像検出器1001の各部材の動作等を制御するようになっている。   The control means 1022 is configured by a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), a computer in which an input / output interface and the like are connected to a bus, an FPGA (Field Programmable Gate Array), and the like. ing. It may be configured by a dedicated control circuit. The control means 1022 controls the operation of each member of the radiation image detector 1001.

制御手段1022には、DRAM(Dynamic RAM)等で構成される記憶手段1023や、放射線画像検出器1001の各機能部に電力を供給するバッテリ1024が接続されている。また、制御手段1022には、前述したアンテナ装置1039が接続されており、また、図示を省略するが、前述した電源スイッチ1036やインジケータ1037等(図21参照)が接続されている。   The control unit 1022 is connected to a storage unit 1023 configured by a DRAM (Dynamic RAM) or the like, and a battery 1024 that supplies power to each functional unit of the radiation image detector 1001. The control unit 1022 is connected to the antenna device 1039 described above, and is connected to the power switch 1036, the indicator 1037, and the like (see FIG. 21), which are not illustrated.

ところで、本実施形態では、図27の拡大された断面図に示すように、第1基板1004の第2基板1035に対向する側の面、すなわち前述した第1基板1004の表面1004aは、当該表面1004a上に形成された光電変換素子1007や走査線1005、信号線1006、バイアス線1009、結線1010等の配線(以下、それらを総称して配線1050という。)を防護するための無機層1051で被覆されている。   By the way, in this embodiment, as shown in the enlarged sectional view of FIG. 27, the surface of the first substrate 1004 facing the second substrate 1035, that is, the surface 1004a of the first substrate 1004 described above, An inorganic layer 1051 for protecting the photoelectric conversion element 1007, the scanning line 1005, the signal line 1006, the bias line 1009, the connection line 1010, and the like (hereinafter collectively referred to as the wiring 1050) formed on the photoelectric conversion element 1007a. It is covered.

本実施形態では、無機層1051は窒化珪素(SiN)を主成分とする無機材料で形成されている。なお、本実施形態では、無機層1051は、図24に示した第1基板1004の表面1004aのうち、COF1012(図25参照)が接続される入出力端子1011の部分以外の全ての部分を被覆するように形成されている。   In this embodiment, the inorganic layer 1051 is formed of an inorganic material containing silicon nitride (SiN) as a main component. In the present embodiment, the inorganic layer 1051 covers all parts of the surface 1004a of the first substrate 1004 shown in FIG. 24 other than the part of the input / output terminal 1011 to which the COF 1012 (see FIG. 25) is connected. It is formed to do.

また、無機層1051の第2基板1035側の表面には、各光電変換素子1007や配線1050によって生じている無機層1051の表面の凹凸を平坦にするための平坦化層1052が形成されている。本実施形態では、平坦化層1052は、アクリル系の樹脂が無機層1051上に積層され、それが硬化されて形成されている。   Further, a planarization layer 1052 is formed on the surface of the inorganic layer 1051 on the second substrate 1035 side in order to flatten the unevenness of the surface of the inorganic layer 1051 caused by each photoelectric conversion element 1007 and the wiring 1050. . In this embodiment, the planarization layer 1052 is formed by laminating an acrylic resin on the inorganic layer 1051 and curing it.

そして、図27や図28に示すように、前述したように蛍光体1003aの先端Paが第1基板1004側を向くように配置され固定された第2基板1035が、シンチレータ1003の蛍光体1003aの先端Paが第1基板1004上に形成された平坦化層1052の表面に当接する状態で第1基板1004上に配置されるようになっている。しかし、本実施形態では、シンチレータ1003の蛍光体1003aと平坦化層1052とは直接的には接着されていない。なお、図28では、無機層1051の図示が省略されている。   27 and 28, as described above, the second substrate 1035, which is arranged and fixed so that the tip Pa of the phosphor 1003a faces the first substrate 1004 side, is formed of the phosphor 1003a of the scintillator 1003. The tip Pa is arranged on the first substrate 1004 in a state where it abuts on the surface of the planarization layer 1052 formed on the first substrate 1004. However, in this embodiment, the phosphor 1003a of the scintillator 1003 and the planarization layer 1052 are not directly bonded. In FIG. 28, the inorganic layer 1051 is not shown.

本実施形態では、図28に示すように、第1基板1004と第2基板1035とは、第1の基板1004と第2の基板1035との間の、検出部Pやシンチレータ1003の外側の位置で接着剤1053により接着されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 28, the first substrate 1004 and the second substrate 1035 are positions between the first substrate 1004 and the second substrate 1035 outside the detection unit P and the scintillator 1003. It is bonded with an adhesive 1053.

そして、本実施形態では、第1基板1004と第2基板1035と接着剤1053で包囲された内部空間Cが外部の大気圧より減圧された状態で第1基板1004と第2基板1035が接着剤1053で貼り合わされるようになっており、それにより、第1基板1004と第2基板1035が外気圧で外側から押圧されて、シンチレータ1003の蛍光体1003aが平坦化層1052に当接(或いは圧接)した状態が維持されるようになっている。   In this embodiment, the first substrate 1004 and the second substrate 1035 are bonded to each other with the internal space C surrounded by the first substrate 1004, the second substrate 1035, and the adhesive 1053 being depressurized from the external atmospheric pressure. 1053 so that the first substrate 1004 and the second substrate 1035 are pressed from the outside by an external pressure, and the phosphor 1003a of the scintillator 1003 abuts (or presses) the planarization layer 1052. ) Is maintained.

また、図28に示すように、平坦化層1052は、各光電変換素子1007等が形成された検出部Pの外側の位置まで延設され形成されており、接着剤1053は、少なくとも平坦化層1052の延在方向(すなわち図中では左右方向)の端面1052aを被覆するように配置されている。   As shown in FIG. 28, the planarization layer 1052 is formed to extend to a position outside the detection portion P where each photoelectric conversion element 1007 and the like are formed, and the adhesive 1053 includes at least the planarization layer. It is arranged so as to cover the end face 1052a in the extending direction of 1052 (that is, in the horizontal direction in the drawing).

本実施形態では、接着剤1053は、防湿性を有する材料で形成されており、特にエポキシ系の樹脂が好ましく用いられる。また、本実施形態では、接着剤1053は、光(特に紫外線)が照射されることにより硬化する光硬化型(紫外線硬化型)の接着剤が用いられているが、これに限定されず、例えば加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤等を用いることも可能である。また、接着剤1053として光硬化型の接着剤を用いる場合には、光開始剤や光重合性化合物等のほか、硬化促進剤等を含有する接着等を用いることが可能である。   In this embodiment, the adhesive 1053 is formed of a moisture-proof material, and an epoxy resin is particularly preferably used. In the present embodiment, the adhesive 1053 is a photo-curing (ultraviolet-curing) adhesive that cures when irradiated with light (particularly ultraviolet rays), but is not limited thereto. It is also possible to use a thermosetting adhesive that is cured by heating. In the case where a photocurable adhesive is used as the adhesive 1053, it is possible to use an adhesive containing a curing accelerator or the like in addition to a photoinitiator, a photopolymerizable compound, or the like.

なお、図24や図25に入出力端子1011は、図28では図示が省略されており、接着剤1053のさらに外側の第1基板1004上に配置されるようになっている。すなわち、接着剤1053は、図24では、検出部Pの端部と各入出力端子1011との間に配置されるようになっており、検出部Pの端部と各入出力端子1011との間隔は、実際には接着剤1053が配置される分だけ図24に記載した間隔よりも広く設計される。   24 and 25, the input / output terminals 1011 are not shown in FIG. 28, and are arranged on the first substrate 1004 further outside the adhesive 1053. That is, the adhesive 1053 is arranged between the end of the detection unit P and each input / output terminal 1011 in FIG. 24, and between the end of the detection unit P and each input / output terminal 1011. The interval is actually designed to be wider than the interval described in FIG. 24 by the amount that the adhesive 1053 is disposed.

次に、本実施形態に係る放射線画像検出器1001の作用について説明する。   Next, the operation of the radiation image detector 1001 according to this embodiment will be described.

本実施形態では、上記のように、配線1050等が無機層1051(図27参照)で被覆されている。しかし、前述したように、無機層1051を緻密に、すなわち小孔がない全くない状態に形成したり、分厚く形成したりすると、無機層1051内に生じる応力のために第1基板1004等に曲がり等の変形が生じてしまう。   In the present embodiment, as described above, the wiring 1050 and the like are covered with the inorganic layer 1051 (see FIG. 27). However, as described above, when the inorganic layer 1051 is formed densely, that is, without any small holes, or thickly formed, the first layer 1004 or the like is bent due to stress generated in the inorganic layer 1051. Such deformation will occur.

そのため、本実施形態においても、無機層1051は、顕微鏡レベルの無数の小孔を有する状態に形成されており、仮に内部空間Cに湿気を含む空気が入り込んでシンチレータ1003の蛍光体1003aが潮解した場合には、無機層1051自体では、蛍光体1003aから溶け出したハロゲンを含む成分が配線1050に到達することを確実に防止することはできず、アルミニウム等で形成された走査線1005や信号線1006、バイアス線1009等の配線1050がハロゲンを含む成分で腐食されることを防止することができない。   Therefore, also in this embodiment, the inorganic layer 1051 is formed in a state having innumerable small holes at the microscopic level, and it is assumed that air containing moisture enters the internal space C and the phosphor 1003a of the scintillator 1003 is deliquescent. In this case, the inorganic layer 1051 itself cannot reliably prevent the component containing halogen dissolved from the phosphor 1003a from reaching the wiring 1050, and the scanning line 1005 or signal line formed of aluminum or the like can be prevented. The wiring 1050 such as 1006 and the bias line 1009 cannot be prevented from being corroded by a component containing halogen.

すなわち、放射線画像検出器100を例えば図30に示したように構成し、例えばシンチレータ107の蛍光体106をハロゲン化物を含有する材料で形成したような場合、各基板101、105と接着剤108で包囲され各光電変換素子102やシンチレータ107が内包された内部空間Cに湿気を含む空気が入り込むと、蛍光体106が潮解してハロゲンを含む成分が溶け出して、アルミニウム等で形成された信号線等の配線103を腐食する場合がある。そして、配線103が腐食されると断線する等して、放射線画像検出器100が設計通りに機能しなくなる場合がある。   That is, when the radiation image detector 100 is configured as shown in FIG. 30 and the phosphor 106 of the scintillator 107 is formed of a material containing a halide, for example, the substrates 101 and 105 and the adhesive 108 are used. When air containing moisture enters the internal space C in which each photoelectric conversion element 102 and scintillator 107 are enclosed, the phosphor 106 is deliquesced, and the components containing halogen are melted to form a signal line formed of aluminum or the like The wiring 103 such as the above may be corroded. If the wiring 103 is corroded, the radiation image detector 100 may not function as designed due to disconnection or the like.

このような現象が生じることを防止するために、例えば基板101上に設けられた各光電変換素子102や配線103等を図示しない無機層等で被覆し、その上側に平坦化層103を形成するように構成される場合もある。しかし、上記のように蛍光体106から溶け出したハロゲンを含む成分が配線103等に到達しないようにするために、無機層を緻密に(すなわち小孔がない全くない状態で)形成したり分厚く形成したりすると、無機層内に生じる応力のために、基板101に曲がり等の変形が生じてしまう場合がある。   In order to prevent such a phenomenon from occurring, for example, the photoelectric conversion elements 102 and the wirings 103 provided on the substrate 101 are covered with an inorganic layer (not shown) and the planarization layer 103 is formed on the upper side. It may be configured as follows. However, in order to prevent the halogen-containing component dissolved from the phosphor 106 from reaching the wiring 103 or the like as described above, the inorganic layer is formed densely (that is, without any small holes) or thickened. If formed, the substrate 101 may be bent or deformed due to stress generated in the inorganic layer.

そのため、各光電変換素子102や配線103を無機層で被覆するように構成するとしても、無機層を必要以上に緻密に形成したり分厚く形成することができず、無機層が顕微鏡レベルの小孔を有する状態にしか形成することができない。そのため、通常、配線103等を被覆する無機層を形成するだけでは、蛍光体106から溶け出したハロゲンを含む成分が配線103に到達することを確実に防止することができない。   Therefore, even if each photoelectric conversion element 102 and the wiring 103 are configured to be covered with an inorganic layer, the inorganic layer cannot be formed more densely or thicker than necessary, and the inorganic layer is a microscopic small hole. It can be formed only in a state having Therefore, normally, it is not possible to reliably prevent a component containing halogen dissolved from the phosphor 106 from reaching the wiring 103 only by forming an inorganic layer covering the wiring 103 or the like.

しかし、本実施形態では、上記のように、平坦化層1052が、各光電変換素子1007等が形成された検出部P(図24や図26等参照)の外側の位置まで延設され形成されており、接着剤1053の下方の位置まで延設されている。そのため、図28に示したように、少なくとも内部空間C内では、配線1050や光電変換素子1007は、無機層1051の上方からさらに平坦化層1052で被覆された状態になっている。   However, in the present embodiment, as described above, the planarization layer 1052 is formed so as to extend to a position outside the detection portion P (see FIG. 24, FIG. 26, etc.) where the respective photoelectric conversion elements 1007 are formed. It extends to a position below the adhesive 1053. Therefore, as illustrated in FIG. 28, at least in the internal space C, the wiring 1050 and the photoelectric conversion element 1007 are further covered with the planarization layer 1052 from above the inorganic layer 1051.

そのため、上記のように仮に内部空間Cに湿気を含む空気が入り込んでシンチレータ1003の蛍光体1003aが潮解してハロゲンを含む成分が蛍光体1003aから溶け出したとしても、平坦化層1052によりその成分が配線1050等に到達することが阻止される。このように、本実施形態では、平坦化層1052がハロゲンを含む成分等から配線1050等を的確に防護して、ハロゲンを含む成分等により配線1050が腐食されることを確実に防止することが可能となる。   Therefore, even if air containing moisture enters the internal space C as described above and the phosphor 1003a of the scintillator 1003 is deliquescent, the component containing halogen is dissolved out of the phosphor 1003a by the planarization layer 1052. Is prevented from reaching the wiring 1050 and the like. As described above, in this embodiment, the planarization layer 1052 can appropriately protect the wiring 1050 and the like from components containing halogen, and can reliably prevent the wiring 1050 from being corroded by components containing halogen and the like. It becomes possible.

一方、このように平坦化層1052で配線1050を防護することができるため、これを敷衍して、平坦化層1052を第1基板1004のさらに広い範囲を被覆するように設けることが考えられる。   On the other hand, since the wiring 1050 can be protected by the planarization layer 1052 as described above, it is conceivable that the planarization layer 1052 is provided so as to cover a wider area of the first substrate 1004.

しかし、このように構成すると、例えば図29に示すように、平坦化層1052が接着剤1053の外側まで延在するようになるが、この状態では、今度は、アクリル系の樹脂等で形成された平坦化層1052を介して、すなわち平坦化層1052内を通って、外気中の水分が内部空間Cに入り込んでしまう場合がある。上記のように、第1基板1004と第2基板1035と接着剤1053で包囲された内部空間Cが外部の大気圧より減圧された状態である場合には、この平坦化層1052を介した外気中の水分の流入が、より生じ易くなる。   However, with this configuration, for example, as shown in FIG. 29, the planarizing layer 1052 extends to the outside of the adhesive 1053. In this state, the planarizing layer 1052 is now formed of an acrylic resin or the like. In some cases, moisture in the outside air enters the internal space C through the flattening layer 1052, that is, through the flattening layer 1052. As described above, when the internal space C surrounded by the first substrate 1004, the second substrate 1035, and the adhesive 1053 is in a state where the pressure is reduced from the external atmospheric pressure, the outside air through the planarizing layer 1052 is used. The inflow of moisture inside is more likely to occur.

そして、このように外気中の水分が内部空間C内に流入すると、内部空間C内の空気が湿気を帯びるようになり、シンチレータ1003の蛍光体1003aが潮解し易くなる。すなわち、図29に示したように平坦化層1052が接着剤1053の外側まで延在するように設けると、接着剤1053の外側まで延設された平坦化層1052の存在により、蛍光体1003aからハロゲンを含む成分が溶け出すそもそもの原因であるシンチレータ1003の蛍光体1003aの潮解を、逆に助長してしまうことになる。   When the moisture in the outside air flows into the internal space C in this way, the air in the internal space C becomes damp and the phosphor 1003a of the scintillator 1003 is easily deliquescent. That is, as shown in FIG. 29, when the planarization layer 1052 is provided so as to extend to the outside of the adhesive 1053, the presence of the planarization layer 1052 extended to the outside of the adhesive 1053 causes the phosphor 1003a to In contrast, the deliquescent of the phosphor 1003a of the scintillator 1003, which is the cause of the component containing the halogen, is promoted.

それに対して、本実施形態(図28参照)のように、平坦化層1052を、各光電変換素子1007等が形成された検出部Pの外側からさらに外側の接着剤1053の下方の位置まで延設させるが、接着剤1053の外側までは延設させず、接着剤1053を平坦化層1052の延在方向の端面1052aを被覆するように配置されるように構成することで、平坦化層1052が外気に触れないようにすることができる。   On the other hand, as in the present embodiment (see FIG. 28), the planarization layer 1052 extends from the outside of the detection part P where the photoelectric conversion elements 1007 and the like are formed to a position below the adhesive 1053 on the outside. However, the flattening layer 1052 is configured not to extend to the outside of the adhesive 1053 but to be disposed so as to cover the end surface 1052a in the extending direction of the flattening layer 1052. Can be kept out of the open air.

そのため、上記のように、平坦化層1052によりハロゲンを含む成分が配線1050等に到達して配線1050を腐食することを確実に阻止することが可能となるだけでなく、平坦化層1052を介して外気中の水分が内部空間Cに入り込むことが的確に防止されるため、ハロゲンを含む成分が溶け出すそもそもの原因であるシンチレータ1003の蛍光体1003aの潮解が生じることを的確に防止することが可能となる。   Therefore, as described above, not only can the component containing halogen reach the wiring 1050 and the like and corrode the wiring 1050 by the planarization layer 1052, but also the wiring 1050 can be prevented from corroding. Thus, since moisture in the outside air is accurately prevented from entering the internal space C, it is possible to accurately prevent the occurrence of deliquescence of the phosphor 1003a of the scintillator 1003, which is the primary cause of the halogen-containing component melting away. It becomes possible.

その際、上記の本実施形態のように、接着剤1053をエポキシ系の樹脂等の防湿性を有する材料で形成すれば、外気中の水分が接着剤1053や平坦化層1052を介して内部空間Cに入り込むことも確実に防止されるようになるため、より好ましい。   At this time, if the adhesive 1053 is formed of a moisture-proof material such as an epoxy-based resin as in the above-described embodiment, moisture in the outside air passes through the adhesive 1053 and the planarizing layer 1052 to the internal space. It is more preferable because it can be surely prevented from entering C.

以上説明した第3の実施の形態に係る放射線画像検出器1001によれば、検出部Pに形成された光電変換素子1007や、走査線1005や信号線1006、バイアス線1009、結線1010等の配線1050等を被覆するように積層されて形成された有機物からなる平坦化層1052を、検出部Pの外側の位置まで延設するとともに、接着剤1053で少なくとも平坦化層1052の延在方向の端面1052a(図28参照)を被覆するように構成した。   According to the radiation image detector 1001 according to the third embodiment described above, the photoelectric conversion element 1007 formed in the detection unit P, the wiring such as the scanning line 1005, the signal line 1006, the bias line 1009, and the connection 1010 are provided. The planarizing layer 1052 made of an organic material formed so as to cover 1050 or the like is extended to a position outside the detection portion P, and at least an end surface in the extending direction of the planarizing layer 1052 with an adhesive 1053 It was comprised so that 1052a (refer FIG. 28) might be coat | covered.

そのため、仮に内部空間Cに湿気を含む空気が入り込んでシンチレータ1003の蛍光体1003aが潮解してハロゲンを含む成分が溶け出したとしても、平坦化層1052によりハロゲンを含む成分等が配線1050等に到達することが阻止される。そのため、平坦化層1052により配線1050等が的確に防護されて、ハロゲンを含む成分等により配線1050が腐食されることを確実に防止することが可能となる。   Therefore, even if air containing moisture enters the internal space C and the phosphor 1003a of the scintillator 1003 is deliquescent and the components containing halogen are dissolved, the components containing halogen and the like are caused by the planarization layer 1052 to the wiring 1050 and the like. It is blocked from reaching. Therefore, the wiring 1050 and the like are accurately protected by the planarization layer 1052, and the wiring 1050 can be reliably prevented from being corroded by a component containing halogen or the like.

また、接着剤1053が、平坦化層1052の延在方向の端面1052aを被覆するように配置されるため、外気中の水分が平坦化層1052を介して内部空間Cに入り込むことが防止される。そのため、シンチレータ1003の蛍光体1003aからハロゲンを含む成分が溶け出すそもそもの原因である蛍光体1003aの潮解が発生することを的確に防止することが可能となり、ハロゲンを含む成分等により配線1050が腐食されることをさらに確実に防止することが可能となる。   Further, since the adhesive 1053 is disposed so as to cover the end surface 1052a in the extending direction of the planarization layer 1052, moisture in the outside air is prevented from entering the internal space C through the planarization layer 1052. . Therefore, it is possible to accurately prevent the occurrence of deliquescence of the phosphor 1003a, which is the cause of the component containing halogen from the phosphor 1003a of the scintillator 1003, and the wiring 1050 is corroded by the component containing halogen. It is possible to prevent this from happening more reliably.

なお、上記のように有機物からなる平坦化層1052を無機層1051に積層して設ける場合、両者の密着性が必ずしも強くなるように形成できない場合がある。しかし、本実施形態のように、平坦化層1052を、検出部Pの外側の位置まで延設するとともに、接着剤1053で少なくとも平坦化層1052の延在方向の端面1052aを被覆するように構成すれば、接着剤1053と平坦化層1052が密着し、また、接着剤1053と無機層1051が密着する。   Note that in the case where the planarization layer 1052 made of an organic material is provided over the inorganic layer 1051 as described above, there may be cases where the adhesiveness between the two cannot necessarily be increased. However, as in the present embodiment, the planarization layer 1052 is extended to a position outside the detection portion P, and at least the end surface 1052a in the extending direction of the planarization layer 1052 is covered with an adhesive 1053. Then, the adhesive 1053 and the planarization layer 1052 are in close contact, and the adhesive 1053 and the inorganic layer 1051 are in close contact.

そのため、接着剤1053により平坦化層1052と無機層1051との密着性を補強することが可能となり、平坦化層1052が無機層1051から剥がれてしまうことを確実に防止することが可能となるといった効果もある。   Therefore, the adhesive 1053 can reinforce the adhesion between the planarization layer 1052 and the inorganic layer 1051, and the planarization layer 1052 can be surely prevented from peeling off from the inorganic layer 1051. There is also an effect.

なお、本発明は上記の各実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
また、上記の各実施形態の構成を組み合わせて適用しても良い。すなわち、第1の実施の形態と第3の実施の形態とを組み合わせることも可能であるし、第2の実施の形態と第3の実施の形態とを組み合わせることも可能である。
Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
Moreover, you may apply combining the structure of said each embodiment. That is, it is possible to combine the first embodiment and the third embodiment, and it is also possible to combine the second embodiment and the third embodiment.

放射線画像撮影を行う分野(特に医療分野)において利用可能性がある。   It can be used in the field of radiographic imaging (especially in the medical field).

1,1001 放射線画像検出器
3 放射線検出パネル
4 素子基板(第1の基板)
4a 表面
5,5A シンチレータ基板(第2の基板)
5a 表面
5b 裏面
6,6,1003 シンチレータ
15,1007 光電変換素子
22,1053 接着剤
501 プラスチック基板
502 無機系薄膜
503 無機系薄膜
504 ガラス基板
505 プラスチック基板
506 接着層
1003a 蛍光体
1004 第1基板(第1の基板)
1004a 表面(第1の基板の第2の基板に対向する側の面)
1005 走査線
1006 信号線
1035 第2基板(第2の基板)
1051 無機層
1052 平坦化層
1052a 端面
C 内部空間
P 検出部
r 領域
1,1001 Radiation image detector 3 Radiation detection panel 4 Element substrate (first substrate)
4a Surface 5, 5A Scintillator substrate (second substrate)
5a Front surface 5b Back surface 6, 6 * , 1003 Scintillator 15, 1007 Photoelectric conversion element 22, 1053 Adhesive agent 501 Plastic substrate 502 Inorganic thin film 503 Inorganic thin film 504 Glass substrate 505 Plastic substrate 506 Adhesive layer 1003a Phosphor 1004 First substrate ( First substrate)
1004a Surface (surface of the first substrate facing the second substrate)
1005 Scan line 1006 Signal line 1035 Second substrate (second substrate)
1051 Inorganic layer 1052 Flattening layer 1052a End face C Internal space P Detection part r Area

Claims (16)

表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第1の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第2の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記接着剤は、光硬化型の接着剤であり、
前記第2の基板は、光透過性のプラスチック基板と、前記プラスチック基板の少なくとも一方の面に形成された光透過性の無機系薄膜と、を備えることを特徴とする放射線検出パネル。
A first substrate having a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally on the surface;
A scintillator that converts radiation into light is formed on the surface, and the second substrate is disposed in a state where the scintillator and the plurality of photoelectric conversion elements face each other;
An adhesive that is disposed in a portion around the plurality of photoelectric conversion elements and the scintillator, and that bonds the first substrate and the second substrate;
The adhesive is a photocurable adhesive,
The radiation detection panel, wherein the second substrate includes a light transmissive plastic substrate and a light transmissive inorganic thin film formed on at least one surface of the plastic substrate.
前記第2の基板は、さらに、前記プラスチック基板の他方の面に形成された光透過性の無機系薄膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出パネル。 The radiation detection panel according to claim 1, wherein the second substrate further includes a light-transmitting inorganic thin film formed on the other surface of the plastic substrate. 表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第1の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第2の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記第2の基板は、前記第1の基板よりも薄く一方の面に前記シンチレータが形成されたガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、を備えることを特徴とする放射線検出パネル。
A first substrate having a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally on the surface;
A scintillator that converts radiation into light is formed on the surface, and the second substrate is disposed in a state where the scintillator and the plurality of photoelectric conversion elements face each other;
An adhesive that is disposed in a portion around the plurality of photoelectric conversion elements and the scintillator, and that bonds the first substrate and the second substrate;
The second substrate includes a glass substrate that is thinner than the first substrate and has the scintillator formed on one surface thereof, and a plastic substrate that is bonded to the other surface of the glass substrate. Radiation detection panel.
前記ガラス基板と前記プラスチック基板とは剥離可能に接着されていることを特徴とする請求項3に記載の放射線検出パネル。 The radiation detection panel according to claim 3, wherein the glass substrate and the plastic substrate are detachably bonded. 前記プラスチック基板は、フィルム状の基板であることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の放射線検出パネル。 The plastic substrate, a radiation detection panel according to claims 1 to any one of claims 4, which is a film-like substrate. 請求項1、請求項2、又は、請求項1又は請求項2を引用する請求項5に記載の放射線検出パネルであって、
前記第1の基板の前記表面には、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された前記複数の光電変換素子とを備える検出部が設けられ、
前記シンチレータは、照射された放射線を光に変換する蛍光体を備え、
前記接着剤は、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記第1の基板と前記第2の基板との間の位置であって、前記検出部および前記シンチレータの外側の位置で接合し、
前記検出部の前記シンチレータに対向する面側に積層された有機物からなる平坦化層を備え、
前記平坦化層は、前記検出部の外側の位置まで延設され、
前記接着剤は、少なくとも前記平坦化層の延在方向の端面を被覆するように配置されている放射線検出パネルが、
筐体内に収納されて構成されていることを特徴とする放射線画像検出器。
A radiation detection panel according to claim 1, claim 2, or claim 5 quoting claim 1 or claim 2 ,
The surface of the first substrate is two-dimensionally arranged in a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other, and in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines. A detection unit comprising the plurality of photoelectric conversion elements arranged in a shape,
The scintillator includes a phosphor that converts irradiated radiation into light,
The adhesive is a position between the first substrate and the second substrate between the first substrate and the second substrate, at a position outside the detection unit and the scintillator. Joined,
A flattening layer made of an organic material laminated on the surface of the detection unit facing the scintillator;
The planarization layer extends to a position outside the detection unit,
The adhesive has a radiation detection panel arranged so as to cover at least an end surface in the extending direction of the planarizing layer,
A radiation image detector, which is housed in a housing .
請求項3、請求項4、又は、請求項3又は請求項4を引用する請求項5に記載の放射線検出パネルであって、
前記第1の基板の前記表面には、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された前記複数の光電変換素子とを備える検出部が設けられ、
前記シンチレータは、照射された放射線を光に変換する蛍光体を備え、
前記接着剤は、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記第1の基板と前記第2の基板との間の位置であって、前記検出部および前記シンチレータの外側の位置で接合し、
前記検出部の前記シンチレータに対向する面側に積層された有機物からなる平坦化層を備え、
前記平坦化層は、前記検出部の外側の位置まで延設され、
前記接着剤は、少なくとも前記平坦化層の延在方向の端面を被覆するように配置されており、
前記第2の基板の前記プラスチック基板が前記ガラス基板から剥離された状態の放射線検出パネルが、
筐体内に収納されて構成されていることを特徴とする放射線画像検出器。
The radiation detection panel according to claim 3, claim 4, or claim 5 quoting claim 3 or claim 4,
The surface of the first substrate is two-dimensionally arranged in a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other, and in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines. A detection unit comprising the plurality of photoelectric conversion elements arranged in a shape,
The scintillator includes a phosphor that converts irradiated radiation into light,
The adhesive is a position between the first substrate and the second substrate between the first substrate and the second substrate, at a position outside the detection unit and the scintillator. Joined,
A flattening layer made of an organic material laminated on the surface of the detection unit facing the scintillator;
The planarization layer extends to a position outside the detection unit,
The adhesive is disposed so as to cover at least the end surface in the extending direction of the planarizing layer ,
The radiation detection panel in a state where the plastic substrate of the second substrate is peeled off from the glass substrate,
Ray image detector release you, characterized in that it is constructed is accommodated in the housing.
前記シンチレータの前記蛍光体は、ハロゲン化物を含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の放射線画像検出器。 The radiographic image detector according to claim 6 or 7, wherein the phosphor of the scintillator is formed of a material containing a halide. 前記シンチレータの前記蛍光体は、前記ハロゲン化物としてCsIを含有することを特徴とする請求項8に記載の放射線画像検出器。 The radiographic image detector according to claim 8, wherein the phosphor of the scintillator contains CsI as the halide. 前記シンチレータの前記蛍光体は、柱状結晶として形成されていることを特徴とする請求項6から請求項9の何れか一項に記載の放射線画像検出器。 The radiographic image detector according to claim 6 , wherein the phosphor of the scintillator is formed as a columnar crystal. 前記検出部を含む前記第1の基板の前記第2の基板に対向する側の面は、無機層で被覆されており、当該無機層の前記第2の基板側の表面に前記平坦化層が形成されていることを特徴とする請求項6から請求項10の何れか一項に記載の放射線画像検出器。 The surface of the first substrate including the detection unit facing the second substrate is covered with an inorganic layer, and the planarizing layer is formed on the surface of the inorganic layer on the second substrate side. radiation image detector according to claims 6 to any one of claims 10, characterized in that it is formed. 前記接着剤は、防湿性を有することを特徴とする請求項6から請求項11の何れか一項に記載の放射線画像検出器。 The radiographic image detector according to claim 6 , wherein the adhesive has moisture resistance. 前記接着剤として、エポキシ系の樹脂が用いられていることを特徴とする請求項12に記載の放射線画像検出器。 The radiation image detector according to claim 12, wherein an epoxy resin is used as the adhesive. 前記第2の基板は、前記第1の基板と同等の熱膨張係数を有する材料で構成されていることを特徴とする請求項6から請求項13の何れか一項に記載の放射線画像検出器。 The radiographic image detector according to any one of claims 6 to 13, wherein the second substrate is made of a material having a thermal expansion coefficient equivalent to that of the first substrate. . 表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第1の基板の当該複数の光電変換素子の周囲の部分、或いは、放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第2の基板の当該シンチレータの周囲の部分に、接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記接着剤を介して、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記第1の基板、前記第2の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、を有し、
前記第2の基板は、前記シンチレータが一方の面に形成され、前記第1の基板よりも薄いガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、前記ガラス基板と前記プラスチック基板とを剥離可能に接着する接着層と、を備えて構成されており、
さらに、前記接着剤硬化工程の後、前記プラスチック基板を前記ガラス基板から剥離する剥離工程を有することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。
A portion of the first substrate having a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally on the surface thereof, or a second substrate on the surface of which a scintillator for converting radiation into light is formed. An adhesive disposing step of disposing an adhesive on the peripheral portion of the scintillator,
A temporary bonding step of temporarily bonding the first substrate and the second substrate through the adhesive in a state where the plurality of photoelectric conversion elements and the scintillator face each other;
A reduced pressure bonding step of depressurizing an internal space formed by the first substrate, the second substrate, and the adhesive, and bonding the first substrate and the second substrate;
An adhesive curing step for curing the adhesive in a state where the first substrate and the second substrate are bonded together,
The second substrate includes the scintillator formed on one surface, a glass substrate thinner than the first substrate, a plastic substrate bonded to the other surface of the glass substrate, the glass substrate and the plastic An adhesive layer that releasably adheres to the substrate.
Furthermore, it has the peeling process which peels the said plastic substrate from the said glass substrate after the said adhesive hardening process, The manufacturing method of the radiation detection panel characterized by the above-mentioned.
請求項15に記載の放射線検出パネルの製造方法により製造された放射線検出パネルを筐体内に収納して放射線画像検出器を製造することを特徴とする放射線画像検出器の製造方法。 A method for producing a radiation image detector, comprising: housing a radiation detection panel produced by the method for producing a radiation detection panel according to claim 15 in a housing to produce a radiation image detector.
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