JP2006220439A - Scintillator panel, device for detecting radiation, and its manufacturing method - Google Patents

Scintillator panel, device for detecting radiation, and its manufacturing method Download PDF

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Satoshi Okada
岡田  聡
Yoshihiro Ogawa
善広 小川
Shinichi Takeda
慎市 竹田
Kazumi Nagano
和美 長野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem wherein when a phosphor layer is removed or repaired, a phosphor protective layer is difficult to be removed from a sensor panel or a support substrate. <P>SOLUTION: The radiation detection system comprises the phosphor layer 7 which is placed on at least pixel area of the sensor panel having the pixel area comprising a plurality of photoelectric conversion elements 2 arranged in a matrix and converts radiation into light detectable with the photoelectric conversion elements, a phosphor protective member 12 having a non-adhesive surface which covers at least part of the surface of the sensor panel outside the pixel area or part of the surface of a support member and the surface and side of the phosphor layer collectively, and an adhesive member 8 placed between part of the surface of the sensor panel outside the pixel area or part of the surface of the support member and the phosphor protective member. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システムに関し、特に、X線撮影等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関する。なお、本明細書においては、放射線の範疇に、X線、γ線などの電磁波も含むものとして説明する。   The present invention relates to a scintillator panel, a radiation detection apparatus, a manufacturing method thereof, and a radiation imaging system used for medical diagnostic equipment, non-destructive inspection equipment, and the like, and more particularly to a scintillator panel, radiation detection equipment, and radiation used for X-ray photography. The present invention relates to an imaging system. In the present specification, description will be made assuming that the category of radiation includes electromagnetic waves such as X-rays and γ-rays.

近年、少なくとも大面積の平面に形成された光電変換素子の表面にX線を照射することによって発光する蛍光体層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。   In recent years, digital radiation detection devices in which a phosphor layer that emits light by irradiating X-rays on the surface of a photoelectric conversion element formed on at least a large area plane has been commercialized.

これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許文献1に開示されているように、複数のフォトセンサー及びTFT等の電気素子が2次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器(「センサーパネル」とも言う)上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を直接形成してなる放射線検出装置(「直接蒸着タイプ」又は「直接タイプ」等とも言う)が知られている。   Among these digital radiation detection devices, as disclosed in Patent Document 1, as a highly sensitive and sharp device, a photoelectric conversion element portion in which a plurality of electric elements such as photosensors and TFTs are two-dimensionally arranged A radiation detector (“direct vapor deposition type” or “direct vapor deposition type”) that directly forms a phosphor layer for converting radiation into light that can be detected by a photoelectric conversion element on a photodetector (also referred to as “sensor panel”). Also known as "direct type").

図9に、特許文献1に記載された直接タイプの放射線検出装置の概略断面図を示す。図9において、101はガラス基板、102はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとTFTからなる光電変換素子部、103は配線部、104は電極取り出し部(電極パッド部)、105は窒化シリコン等よりなるパッシベーション膜を示し、これら要素によってセンサーパネル106が構成される。センサーパネル106上には、光電変換素子部103に対応するように蛍光体層(シンチレータ層)107が形成されている。さらに、シンチレータ層107の上面及び側面を被覆し、センサーパネル106の表面に接するように蛍光体保護層109が形成されている。また更に、蛍光体保護層109上に、蛍光体層107にて発せられた光を光電変換素子部102に向けて反射するよう反射層110が設けられ、更に反射層110を保護する反射層保護層111が設けられている。また、センサーパネル106に接し、蛍光体保護層109、反射層110、反射層保護層111からなる保護部材112の端面に封止樹脂113が設けられている。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a direct type radiation detection apparatus described in Patent Document 1. In FIG. 9, 101 is a glass substrate, 102 is a photoelectric conversion element portion comprising a photosensor and TFT using amorphous silicon, 103 is a wiring portion, 104 is an electrode extraction portion (electrode pad portion), 105 is silicon nitride or the like. A passivation film is shown, and the sensor panel 106 is constituted by these elements. A phosphor layer (scintillator layer) 107 is formed on the sensor panel 106 so as to correspond to the photoelectric conversion element portion 103. Further, a phosphor protective layer 109 is formed so as to cover the upper surface and side surfaces of the scintillator layer 107 and to be in contact with the surface of the sensor panel 106. Furthermore, a reflective layer 110 is provided on the phosphor protective layer 109 so as to reflect the light emitted from the phosphor layer 107 toward the photoelectric conversion element unit 102, and further, the reflective layer protection for protecting the reflective layer 110. A layer 111 is provided. In addition, a sealing resin 113 is provided on the end surface of the protective member 112 that is in contact with the sensor panel 106 and includes the phosphor protective layer 109, the reflective layer 110, and the reflective layer protective layer 111.

また、特許文献2等に開示されているように、複数のフォトセンサー及びTFT(Thin film transistor:薄膜トランジスタ)等の電気素子が2次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を支持基板に形成したシンチレータパネルを貼り合わせてなる放射線検出装置(「貼り合わせタイプ」又は「間接タイプ」等とも言う)が知られている。   Further, as disclosed in Patent Document 2 and the like, a plurality of photosensors and electrical elements such as TFTs (Thin Film Transistors) are arranged on a photodetector including a photoelectric conversion element portion that is two-dimensionally arranged. , A radiation detection device (also referred to as “bonding type” or “indirect type”) formed by bonding a scintillator panel in which a phosphor layer for converting radiation into light that can be detected by a photoelectric conversion element is formed on a support substrate It has been known.

図10に、特許文献2に記載された間接タイプの放射線検出装置の概略断面図を示す。図10において、反射層110、反射層保護層(蛍光体下地層)114が設けられた支持基板115の反射層110が形成された表面側に蛍光体層(シンチレータ層)107が設けられて、更に蛍光体層107の表面及び側面と、支持基板115を被覆して蛍光体保護層109が設けられ、シンチレータパネル116を構成している。蛍光体層107が形成されている側のシンチレータパネル116とセンサーパネル106とが接着剤(不図示)を介して貼り合わされて、放射線検出装置を構成している。蛍光体保護層109は、ポリパラキシリレン製樹脂などの有機膜が好適に用いられる。
特開2000−284053号公報 特開2000−356679号公報
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the indirect type radiation detection apparatus described in Patent Document 2. In FIG. 10, a phosphor layer (scintillator layer) 107 is provided on the surface side of the support substrate 115 on which the reflective layer 110 and the reflective layer protective layer (phosphor base layer) 114 are provided. Further, a phosphor protective layer 109 is provided so as to cover the surface and side surfaces of the phosphor layer 107 and the support substrate 115, thereby forming a scintillator panel 116. The scintillator panel 116 on the side where the phosphor layer 107 is formed and the sensor panel 106 are bonded together via an adhesive (not shown) to form a radiation detection apparatus. As the phosphor protective layer 109, an organic film such as polyparaxylylene resin is preferably used.
JP 2000-284053 A JP 2000-356679 A

しかしながら、特許文献1に記載されているような直接タイプの放射線検出装置において、センサーパネル106上に蛍光体層107を形成した際に、蛍光体層に欠陥が発生した場合、欠陥不良部分が蛍光体層112だけであってもセンサーパネル100ごとに不良品として処分していた。特に、蒸着によって形成されるCsI:Na、およびCsI:Tl等のハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体からなる蛍光体層は、蛍光体層の形成時に異常成長(スプラッシュ)欠陥が発生する場合がある。そのため、放射線検出装置の製造工程における歩留りが低下し、また、放射線検出装置の高コスト化の原因となっている。   However, in the direct type radiation detection apparatus as described in Patent Document 1, when a defect occurs in the phosphor layer 107 when the phosphor layer 107 is formed on the sensor panel 106, the defect defect portion is fluorescent. Even the body layer 112 alone is disposed as a defective product for each sensor panel 100. In particular, a phosphor layer having a columnar crystal structure composed of alkali halides such as CsI: Na and CsI: Tl formed by vapor deposition has abnormal growth (splash) defects when the phosphor layer is formed. There is a case. For this reason, the yield in the manufacturing process of the radiation detection apparatus is reduced, and the cost of the radiation detection apparatus is increased.

また、特許文献2に記載されているような間接タイプの放射線検出装置においては、蛍光体層107の欠陥、特に柱状結晶構造を有する蛍光体層107に発生する恐れがある異常成長(スプラッシュ)欠陥が発生した場合、欠陥部分が光電変換素子部102や配線部103を圧迫したり傷つけたりする恐れがあり、更には光電変換素子部102を破壊してしまう恐れがあった。   Further, in the indirect type radiation detection apparatus as described in Patent Document 2, defects in the phosphor layer 107, particularly abnormal growth (splash) defects that may occur in the phosphor layer 107 having a columnar crystal structure. When this occurs, there is a risk that the defective portion may compress or damage the photoelectric conversion element portion 102 or the wiring portion 103, and may further destroy the photoelectric conversion element portion 102.

上述の課題を解決するために、異常成長(スプラッシュ)欠陥が発生した蛍光体層107を除去もしくは補修することが求められるが、そのためには蛍光体保護層109を蛍光体層107と、センサーパネル106もしくは支持基板115から剥離されなければならない。しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載されている蛍光体保護層109は、CVD法によって形成されたポリパラキシリレン製の有機膜を用いているため、柱状結晶を有する蛍光体層107の上面の結晶間に入り込むようにして固着して形成されている。そのため、蛍光体保護層109を剥離する際に、蛍光体層107が破壊されてしまい、蛍光体保護層109の剥離及び蛍光体層107の補修に大きな困難を伴っていた。特に、特許文献1に記載されているような直接タイプの放射線検出装置においては、破壊された蛍光体層107の結晶が、センサーパネル106の周辺領域に設けられた電極取り出し部104に付着し、センサーパネル106を破壊してしまう恐れがあった。   In order to solve the above-mentioned problems, it is required to remove or repair the phosphor layer 107 in which abnormal growth (splash) defects have occurred. For that purpose, the phosphor protective layer 109 is replaced with the phosphor layer 107 and the sensor panel. 106 or the supporting substrate 115 must be peeled off. However, since the phosphor protective layer 109 described in Patent Document 1 and Patent Document 2 uses an organic film made of polyparaxylylene formed by a CVD method, the phosphor layer 107 having a columnar crystal is used. It is formed to be fixed so as to enter between the crystals on the upper surface. For this reason, when the phosphor protective layer 109 is peeled off, the phosphor layer 107 is destroyed, and the peeling of the phosphor protective layer 109 and the repair of the phosphor layer 107 are accompanied with great difficulty. In particular, in the direct type radiation detection apparatus as described in Patent Document 1, the broken crystal of the phosphor layer 107 adheres to the electrode extraction unit 104 provided in the peripheral region of the sensor panel 106, and The sensor panel 106 may be destroyed.

本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor has come up with various aspects of the invention described below.

本発明に係る第1の放射線検出装置は、2次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、該センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層と、少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する、非接着性表面を有する蛍光体保護部材と、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材との間に配された接着部材と、を有するものである。   A first radiation detection apparatus according to the present invention includes a sensor panel having a pixel region composed of a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally, and radiation disposed on at least the pixel region of the sensor panel. Non-adhesiveness that collectively covers a phosphor layer that converts light that can be sensed by the photoelectric conversion element, a part of the surface of the sensor panel outside the pixel region, and a surface and side surfaces of the phosphor layer. A phosphor protective member having a surface; and an adhesive member disposed between a part of the surface of the sensor panel outside the pixel region and the phosphor protective member.

本発明に係る第2の放射線検出装置は、2次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、支持部材上に形成された蛍光体層と、少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、を有するシンチレータパネルと、を有するものである。   A second radiation detection apparatus according to the present invention includes a sensor panel having a pixel region composed of a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally, a phosphor layer formed on a support member, and at least the support member A phosphor protective layer having a non-adhesive surface that collectively covers a part of the surface of the phosphor layer and the surface and side surfaces of the phosphor layer; and between the part of the surface of the support member and the phosphor protective layer A scintillator panel having an arranged adhesive member.

本発明に係るシンチレータパネルは、支持部材上に形成された蛍光体層と、少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、を有するものである。   A scintillator panel according to the present invention has a phosphor layer formed on a support member, and a non-adhesive surface that collectively covers at least a part of the surface of the support member and the surface and side surfaces of the phosphor layer. A phosphor protective layer; and an adhesive member disposed between a part of the surface of the support member and the phosphor protective layer.

本発明に係る放射線検出装置の製造方法は、2次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルを準備する工程と、前記センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護部材を用いて一括で被覆し、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材とを接着部材で接着する工程と、を有するものである。   The manufacturing method of the radiation detection apparatus according to the present invention includes a step of preparing a sensor panel having a pixel region composed of a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally, and radiation is applied to at least the pixel region of the sensor panel. A step of providing a phosphor layer that converts light that can be sensed by the photoelectric conversion element, a part of the surface of the sensor panel at least outside the pixel region, and the surface and side surfaces of the phosphor layer are non-adhesive. A step of covering in a lump using a phosphor protective member having a surface and adhering a part of the surface of the sensor panel outside the pixel region and the phosphor protective member with an adhesive member.

本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、支持部材上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、少なくとも前記支持部材の前記蛍光体層が設けられた表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護層を用いて一括で被覆し、前記支持時部材の前記表面の一部と前記蛍光体保護層とを接着部材で接着する工程と、を有するものである。   The method of manufacturing a scintillator panel according to the present invention includes a step of providing a phosphor layer on a support member that converts radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element, and at least the phosphor layer of the support member is provided. A part of the surface and the surface and side surfaces of the phosphor layer are collectively covered with a phosphor protective layer having a non-adhesive surface, and the part of the surface of the supporting member and the phosphor are protected. Adhering the layer with an adhesive member.

本発明によれば、非接着性の表面を有する蛍光体保護部材で蛍光体層の表面、側面、及び下地である保護層を被覆し、且つ蛍光体保護部材の周囲の領域に設けられた接着部材によって保護層と接着される構成を用いるため、蛍光体保護部材の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層のリペアが容易な蛍光体保護部材が配置可能となる。また、蛍光体層のリペアの際に蛍光体層を破壊することなく蛍光体保護部材を剥離することが容易となる。よって蛍光体保護部材が設けられた後の蛍光体層の検査や、検査によって発見された蛍光体層のリペアが容易な構成が得られる。   According to the present invention, the phosphor protective member having a non-adhesive surface covers the phosphor layer surface, side surfaces, and the protective layer that is the base, and is provided in an area around the phosphor protective member. Since the structure bonded to the protective layer by the member is used, the phosphor protective member can be easily installed and peeled off. This makes it possible to arrange a phosphor protective member that ensures the moisture resistance and impact resistance of the phosphor layer and that allows easy repair of the phosphor layer. Moreover, it becomes easy to peel off the phosphor protective member without destroying the phosphor layer when repairing the phosphor layer. Therefore, it is possible to obtain a configuration in which the phosphor layer after the phosphor protective member is provided can be easily inspected and the phosphor layer discovered by the inspection can be repaired.

また、本発明によれば、非接着性の表面を有する蛍光体保護層で蛍光体層の表面、側面、及び蛍光体下地層を被覆し、且つ蛍光体保護層の周囲の領域に設けられた接着部材によって蛍光体下地層と接着される構成を用いるため、蛍光体保護層の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層のリペアが容易な蛍光体保護層が配置可能となる。また、蛍光体層のリペアの際に蛍光体層を破壊することなく蛍光体保護層を剥離することが容易となる。よって蛍光体保護層が設けられた後の蛍光体層の検査や、検査によって発見された蛍光体層のリペアが容易な構成が得られる。   Further, according to the present invention, the phosphor protective layer having a non-adhesive surface covers the surface, side surfaces, and phosphor underlayer of the phosphor layer, and is provided in a region around the phosphor protective layer. Since the configuration in which the phosphor base layer is adhered by the adhesive member is used, the phosphor protective layer can be easily installed and peeled off. This makes it possible to dispose a phosphor protective layer that ensures the moisture resistance and impact resistance of the phosphor layer and allows easy repair of the phosphor layer. Further, it becomes easy to peel off the phosphor protective layer without destroying the phosphor layer when repairing the phosphor layer. Therefore, it is possible to obtain a configuration in which the phosphor layer after the phosphor protective layer is provided can be easily inspected and the phosphor layer discovered by the inspection can be repaired.

以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて詳細に説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略平面図である。図2は、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。図3は、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を示す概略断面図である。図4は、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。図5は、本発明の第2の実施形態に係るシンチレータパネル及び放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。図6は、本発明の第2の実施形態に係るシンチレータパネルの修復方法を示す概略断面図である。図7は、本発明の第1の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。図8は、本発明の第1の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view showing the main configuration of the radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the main configuration of the radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the method for manufacturing the radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a method for repairing a radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the main configuration of a scintillator panel and a radiation detection apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a scintillator panel repairing method according to the second embodiment of the present invention. FIG. 7: is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the radiation detection apparatus which concerns on the other Example in the 1st Embodiment of this invention. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for repairing a radiation detection apparatus according to another example of the first embodiment of the present invention.

<第1の実施形態>
図1及び図2を用いて、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置を詳細に説明する。
<First Embodiment>
The radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

図1及び図2に示す放射線検出装置において、1はガラス基板などの絶縁性基板、2は絶縁性基板1上に2次元状に配置されて画素領域を形成し且つアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとTFTとからなる画素に対応する光電変換素子部である。3は絶縁性基板1上に形成され且つ光電変換素子部2に接続される配線部、4は配線部3に接続される電極取り出し部(電極パッド部)である。5は光電変換素子部2及び配線部を被覆する窒化シリコンなどからなる保護膜と、保護膜を被覆する有機樹脂などからあるパッシベーション膜と、によって構成された保護層である。これら各要素1から5によってセンサーパネル(「2次元光検出器」、「光電変換パネル」などとも呼ぶ)6が構成される。7はセンサーパネル6の画素領域に対応する保護層5上に配された、放射線を光電変換素子部2が感知可能な光に変換する波長変換体である蛍光体層である。9は蛍光体層7を被覆しして蛍光体層7を外部からの水分や衝撃から保護するための蛍光体保護層、10は蛍光体層8で発生した光を光電変換素子部2の方へ反射するための反射層、11は反射層10を保護するための反射層保護層である。これら各要素9から11によって蛍光体保護シートが構成される。8は蛍光体保護層9もしくは蛍光体保護シートを、蛍光体層7が形成された下地となる部材(本実施形態では保護層5)における蛍光体層7が形成された領域の周囲の領域に接着させるための接着部材である。これら蛍光体保護シートとその周辺領域に設けられた接着部材8によって蛍光体保護部材12が構成される。   1 and 2, 1 is an insulating substrate such as a glass substrate, 2 is a photosensor that is two-dimensionally arranged on the insulating substrate 1 to form a pixel region, and uses amorphous silicon. And a photoelectric conversion element portion corresponding to a pixel composed of TFT. Reference numeral 3 denotes a wiring part formed on the insulating substrate 1 and connected to the photoelectric conversion element part 2, and 4 denotes an electrode extraction part (electrode pad part) connected to the wiring part 3. Reference numeral 5 denotes a protective layer composed of a protective film made of silicon nitride or the like for covering the photoelectric conversion element portion 2 and the wiring portion, and a passivation film made of an organic resin or the like for covering the protective film. Each of these elements 1 to 5 constitutes a sensor panel (also referred to as “two-dimensional photodetector”, “photoelectric conversion panel”, etc.) 6. Reference numeral 7 denotes a phosphor layer that is a wavelength conversion body that is disposed on the protective layer 5 corresponding to the pixel region of the sensor panel 6 and converts radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element unit 2. Reference numeral 9 denotes a fluorescent material protective layer for covering the fluorescent material layer 7 to protect the fluorescent material layer 7 from moisture and impact from the outside, and reference numeral 10 denotes light emitted from the fluorescent material layer 8 to the photoelectric conversion element portion 2. Reference numeral 11 denotes a reflection layer for protecting the reflection layer 10. These elements 9 to 11 constitute a phosphor protective sheet. Reference numeral 8 denotes a phosphor protective layer 9 or a phosphor protective sheet on a region around the region where the phosphor layer 7 is formed in the base member (the protective layer 5 in this embodiment) on which the phosphor layer 7 is formed. It is an adhesive member for bonding. The phosphor protective member 12 is constituted by the phosphor protective sheet and the adhesive member 8 provided in the peripheral region.

次に各構成要素について詳細に説明する。絶縁性基板1はガラス基板が好適に用いられるが、他の絶縁性基板材料、例えばプラスチック基板などを用いてもよい。光電変換素子部2は、ガラス基板1上に設けられ、フォトセンサー(光電変換素子)とスイッチ素子からなる画素である。フォトセンサーには、アモルファスシリコンなどにより形成されたPIN型フォトダイオード、MIS型フォトセンサーなどが好適に用いられる。また、スイッチ素子には、アモルファスシリコンやポリシリコンなどにより形成された薄膜トランジスタ(TFT)などが好適に用いられる。配線部3はAl等の金属材料が好適に用いられる。電極取り出し部4は、配線部3と同様の材料により形成されており、保護層5の除去により露出された配線部3が好適に用いられる。また、電極取り出し部4はセンサーパネル6の周辺領域に設けられることが好ましい。保護層5を構成する保護膜は、光電変換素子部2及び配線部3を被覆して保護するものであり、蛍光体層8から発せられる光を透過する材料が好適に用いられる。例えば、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料により形成される。また、保護層5を構成するパッシベーション膜は、保護膜を被覆して光電変換素子部2及び配線部3に影響される保護膜上の表面形状を平坦にするために用いられるものであり、例えばポリイミド、アクリル、変性アクリル樹脂、ポリスルフォン、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等の透明な有機樹脂が好適に用いられる。   Next, each component will be described in detail. The insulating substrate 1 is preferably a glass substrate, but other insulating substrate materials such as a plastic substrate may be used. The photoelectric conversion element unit 2 is a pixel that is provided on the glass substrate 1 and includes a photosensor (photoelectric conversion element) and a switch element. As the photosensor, a PIN photodiode formed of amorphous silicon or the like, an MIS photosensor, or the like is preferably used. As the switch element, a thin film transistor (TFT) formed of amorphous silicon or polysilicon is preferably used. The wiring part 3 is preferably made of a metal material such as Al. The electrode lead-out part 4 is formed of the same material as that of the wiring part 3, and the wiring part 3 exposed by removing the protective layer 5 is preferably used. Moreover, it is preferable that the electrode extraction part 4 is provided in the peripheral region of the sensor panel 6. The protective film constituting the protective layer 5 covers and protects the photoelectric conversion element portion 2 and the wiring portion 3, and a material that transmits light emitted from the phosphor layer 8 is preferably used. For example, it is formed of an inorganic material such as silicon nitride or silicon oxide. The passivation film constituting the protective layer 5 is used to cover the protective film and flatten the surface shape on the protective film affected by the photoelectric conversion element portion 2 and the wiring portion 3. Transparent organic resins such as polyimide, acrylic, modified acrylic resin, polysulfone, polyarylate, polycarbonate, polybutylene terephthalate, and polyethylene terephthalate are preferably used.

蛍光体層7は、放射されるX線等の放射線により光電変換素子部2で感知可能な光を発光する材料が好ましく、GdS:Tbに代表される粒子状結晶とバインダー樹脂からなるシンチレータや、CsI:Tlに代表される柱状結晶構造を有するシンチレータが好適に用いられる。特に、アモルファスシリコンからなるフォトセンサーが良好に吸収する波長領域の光を発する柱状結晶構造を有するアルカリハライド:付活剤からなるシンチレータが好適に用いられ、CsI:Tlの他に、CsI:Na,NaI:Tl,LiI:Eu,KI:Tl等が好適に用いられる。 The phosphor layer 7 is preferably made of a material that emits light that can be sensed by the photoelectric conversion element portion 2 by radiation such as X-rays, and is composed of particulate crystals typified by Gd 2 O 2 S: Tb and a binder resin. A scintillator having a columnar crystal structure typified by CsI: Tl is preferably used. Particularly, a scintillator made of an alkali halide: activator having a columnar crystal structure that emits light in a wavelength region that is favorably absorbed by a photosensor made of amorphous silicon is preferably used. In addition to CsI: Tl, CsI: Na, NaI: Tl, LiI: Eu, KI: Tl, etc. are preferably used.

接着部材8は、真空状態での接着が可能であることと、リペアするために簡便に剥すことが可能であることと、を満足する材料が好ましい。例えば、ホットメルト型の熱可塑性接着剤、熱硬化性接着剤、ゴム系接着剤等が、また、感圧型(粘着型)のアクリル熱可塑性接着剤、ゴム系接着剤等が好適に用いられる。特に、加熱により接着性を喪失するホットメルト型の熱可塑性接着剤、熱硬化性接着剤、ゴム系接着剤等の接着性樹脂が望ましい。ここで、簡便に剥がすこととは、剥がす際に接着部材8以外の構成要素に不要な破壊を招かない程度の影響で剥がすことが可能であるということである。   The adhesive member 8 is preferably made of a material that can be bonded in a vacuum state and can be easily peeled off for repair. For example, hot melt type thermoplastic adhesives, thermosetting adhesives, rubber adhesives, etc., pressure sensitive (adhesive type) acrylic thermoplastic adhesives, rubber adhesives, etc. are preferably used. In particular, an adhesive resin such as a hot-melt thermoplastic adhesive, a thermosetting adhesive, or a rubber-based adhesive that loses adhesiveness when heated is desirable. Here, the simple peeling means that it can be peeled off due to an effect that does not cause unnecessary damage to the components other than the adhesive member 8 when peeling.

蛍光体保護層9は、蛍光体層7の表面7a、側面7b、及び蛍光体層7が形成されている下地となる保護層5における蛍光体層7が形成された領域の周囲の領域を一括して被覆して設けられている。しかしながら、蛍光体保護層9の表面は接着性を有しておらず、蛍光体層7及び保護層5とは接着していない。蛍光体保護層9と保護層5との接着は接着部材8によって確保されている。このように、接着性を有さない蛍光体保護層9によって蛍光体層7の表面7a、側面7b、及び保護層5における周囲の領域を一括して被覆し、且つ蛍光体保護層9と保護層5を接着部材8によって接着する構成とすることにより、蛍光体層7の耐湿性、耐衝撃性を確保し、且つ、蛍光体保護層9を蛍光体層7から容易に剥離することが可能となる。蛍光体保護層9には、非接着性の表面で且つ蛍光体層7の表面7a、側面7b、及び保護層5を被覆できる程度の柔軟性を有するシート状の部材であることが求められる。ここで、柔軟性については、例えば柱状結晶構造を有するCsI:Tlなどの蛍光体層における柱状結晶間のような蛍光体層7の微小な表面形状に追従する柔軟性を有すると、蛍光体保護層9の剥離の際に蛍光体層7の構造を破壊してしまう恐れがあるため好ましくない。本発明において蛍光体保護層9には、蛍光体層7の表面7aの微細な凹部を被覆せず、且つ、蛍光体層7の表面7aの微細な凸部の一部、側面7bの一部、及び下地となる保護層5の一部が少なくとも被覆される柔軟性が求められる。上記特性を満たす蛍光体保護層9の材料としては、ポリエチレンテレフタレート(以下PETと略す)等のポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(以下ABSと略す)、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体等が好適に用いられる。また、上記特性を満たす蛍光体保護層9の厚さとしては、10〜50μmが望ましい。   The fluorescent substance protective layer 9 collects the area | region around the area | region in which the fluorescent substance layer 7 was formed in the protective layer 5 used as the base | substrate on which the fluorescent substance layer 7 surface 7a, side surface 7b, and fluorescent substance layer 7 are formed It is provided with a cover. However, the surface of the phosphor protective layer 9 does not have adhesiveness, and the phosphor layer 7 and the protective layer 5 are not adhered. Adhesion between the phosphor protective layer 9 and the protective layer 5 is ensured by the adhesive member 8. In this way, the surface 7a, the side surface 7b of the phosphor layer 7 and the surrounding areas of the protective layer 5 are collectively covered with the phosphor protective layer 9 having no adhesiveness, and the phosphor protective layer 9 and the phosphor protective layer 9 are protected. By adopting a configuration in which the layer 5 is adhered by the adhesive member 8, it is possible to ensure the moisture resistance and impact resistance of the phosphor layer 7 and to easily peel the phosphor protective layer 9 from the phosphor layer 7. It becomes. The phosphor protective layer 9 is required to be a sheet-like member that is a non-adhesive surface and is flexible enough to cover the surface 7 a, the side surface 7 b, and the protective layer 5 of the phosphor layer 7. Here, with regard to flexibility, for example, when it has flexibility to follow the minute surface shape of the phosphor layer 7 such as between columnar crystals in a phosphor layer such as CsI: Tl having a columnar crystal structure, the phosphor is protected. This is not preferable because the structure of the phosphor layer 7 may be destroyed when the layer 9 is peeled off. In the present invention, the phosphor protective layer 9 is not covered with fine concave portions on the surface 7a of the phosphor layer 7, and a part of fine convex portions on the surface 7a of the phosphor layer 7 and a part of the side surface 7b. And the softness | flexibility by which at least one part of the protective layer 5 used as a foundation | substrate is coat | covered is calculated | required. Examples of the material for the phosphor protective layer 9 that satisfies the above characteristics include polyesters such as polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as PET), acrylic resins, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymers (hereinafter abbreviated as ABS), cellulose, epoxy resins, Fluorine resin, polyamide, polycarbonate, polyimide, polypropylene, polyurethane, silicone, vinyl polymer, vinyl copolymer and the like are preferably used. Moreover, as thickness of the fluorescent substance protective layer 9 which satisfy | fills the said characteristic, 10-50 micrometers is desirable.

蛍光体保護層9上に、蛍光体層7より発する光をセンサーパネル7へと反射するために設けられる反射層10は、蛍光体層7からの光を反射し、且つ、外部からの水分の浸入を防止する材料が望ましく、特に金属材料が望ましい。具体的には、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt及びAu等の反射率の高い金属が望ましい。蛍光体保護層9とは接着剤(不図示)を用いて貼り合わせてもよいし、蛍光体保護層9上に蒸着により形成してもよい。   The reflection layer 10 provided on the phosphor protective layer 9 for reflecting the light emitted from the phosphor layer 7 to the sensor panel 7 reflects the light from the phosphor layer 7 and prevents moisture from the outside. Materials that prevent intrusion are desirable, and metallic materials are particularly desirable. Specifically, metals having high reflectivity such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au are desirable. The phosphor protective layer 9 may be bonded using an adhesive (not shown), or may be formed on the phosphor protective layer 9 by vapor deposition.

反射層10に剛性保護の目的で積層される反射層保護層11は、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂材料が好適に用いられる。これら蛍光体保護層9、反射層10、反射層保護層11及び接着部材8によって蛍光体保護部材12が構成される。   A resin material such as polyethylene terephthalate is preferably used for the reflective layer protective layer 11 laminated on the reflective layer 10 for the purpose of protecting rigidity. A phosphor protective member 12 is configured by the phosphor protective layer 9, the reflective layer 10, the reflective layer protective layer 11, and the adhesive member 8.

ここで、先の記載では、蛍光体保護層9が蛍光体層7の耐湿性及び耐衝撃性を確保すると説明したが、反射層10が高い耐湿性及び耐衝撃性を有しているため、蛍光体保護部材12として耐湿性及び耐衝撃性を有していれば、蛍光体保護層9として耐湿性及び耐衝撃性を確保する必要はない。その際には蛍光体保護部材12として、少なくとも蛍光体保護層9と反射層10との積層構造の部材において、先に述べた蛍光体保護層9に求められる特性を有していればよい。その場合には、蛍光体保護部材12の柔軟性に対しては、蛍光体保護層7の材料及び厚さとともに、反射層10の材料及び厚さが影響する。蛍光体保護部材12に求められる柔軟性を確保するためには、接着部材8を除く蛍光体保護部材12全体での厚さが10〜200μmであることが望ましい。   Here, in the above description, the phosphor protective layer 9 has been described as ensuring the moisture resistance and impact resistance of the phosphor layer 7, but the reflective layer 10 has high moisture resistance and impact resistance. If the phosphor protective member 12 has moisture resistance and impact resistance, it is not necessary to ensure the moisture resistance and impact resistance as the phosphor protective layer 9. In that case, as the phosphor protective member 12, at least a member having a laminated structure of the phosphor protective layer 9 and the reflective layer 10 may have the characteristics required for the phosphor protective layer 9 described above. In that case, the material and thickness of the reflective layer 10 as well as the material and thickness of the phosphor protective layer 7 affect the flexibility of the phosphor protective member 12. In order to ensure the flexibility required for the phosphor protection member 12, it is desirable that the thickness of the entire phosphor protection member 12 excluding the adhesive member 8 is 10 to 200 μm.

次に、図3(a)〜(d)を用いて、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を詳細に説明する。   Next, the manufacturing method of the radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

絶縁性基板1の表面に、光電変換素子部2が2次元状に複数個形成されて画素領域を構成し、また、配線部3が形成される。次に、光電変換素子部2及び配線部3を被覆して保護膜を形成し、更に保護膜上にパッシベーション膜を形成して保護層5を形成し、電極取り出し部4となる領域上の保護層5を除去して電極取り出し部4を設ける。以上の工程によりセンサーパネル6が形成される。上記形成されたセンサーパネル6の画素領域を含む領域上に、周知の蒸着法により柱状結晶構造を有するCsI:Tlからなる蛍光体層7が堆積形成される。そして、シート状に形成された蛍光体保護層9、反射層10、反射層保護層11からなる蛍光体保護シートと、その周辺領域に設けられた接着部材8とによって構成された蛍光体保護部材12を準備する(図3(a))。   A plurality of photoelectric conversion element portions 2 are two-dimensionally formed on the surface of the insulating substrate 1 to form a pixel region, and a wiring portion 3 is formed. Next, a protective film is formed by covering the photoelectric conversion element portion 2 and the wiring portion 3, and further a passivation film is formed on the protective film to form a protective layer 5, thereby protecting the region that becomes the electrode extraction portion 4. The layer 5 is removed to provide an electrode extraction portion 4. The sensor panel 6 is formed by the above process. A phosphor layer 7 made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is deposited and formed on a region including the pixel region of the sensor panel 6 formed as described above by a known vapor deposition method. And the fluorescent substance protective member comprised by the fluorescent substance protective sheet which consists of the fluorescent substance protective layer 9, the reflection layer 10, and the reflective layer protective layer 11 formed in the sheet form, and the adhesive member 8 provided in the peripheral region 12 is prepared (FIG. 3A).

次に、準備した蛍光体保護部材12を蛍光体層7の表面7a全体を被覆するようにセンサーパネル6及び蛍光体層7上に配置する(図3(b))。   Next, the prepared phosphor protection member 12 is disposed on the sensor panel 6 and the phosphor layer 7 so as to cover the entire surface 7a of the phosphor layer 7 (FIG. 3B).

次に、上記状態のパネルを、貼り合わせ用装置である真空チャンバー20の真空室26内の下部支持台25上に配置し、真空室26を真空状態とする。ここで、真空チャンバー20は、下部チャンバー21、上部チャンバー22、ダイアフラム23、Oリングシール24、下部支持台25、真空室26、加圧室27によって構成されている(図3(c))。   Next, the panel in the above state is placed on the lower support base 25 in the vacuum chamber 26 of the vacuum chamber 20 which is a bonding apparatus, and the vacuum chamber 26 is brought into a vacuum state. Here, the vacuum chamber 20 includes a lower chamber 21, an upper chamber 22, a diaphragm 23, an O-ring seal 24, a lower support base 25, a vacuum chamber 26, and a pressurizing chamber 27 (FIG. 3C).

次に、上記状態において、加圧室27の圧力を上昇させることによりダイアフラム23が蛍光体保護部材12の反射層保護層11側の表面を押圧し、蛍光体保護層9と蛍光体層7の表面7a、側面7b、及び保護層5を被覆し、更に接着部材8を保護層5に接着させる。これにより、蛍光体層7が外気から遮断された状態を得ることができる(図3(d))。その後、加圧室27の加圧をやめ、真空室26を開放して取り出し、放射線検出装置が得られる。ここで、接着部材8にホットメルト型の熱可塑性接着剤の接着性樹脂を用いた場合には、加熱手段を設けることが好ましい。その場合には、下部支持台25が加熱手段を有していてもよい。   Next, in the above state, when the pressure in the pressurizing chamber 27 is increased, the diaphragm 23 presses the surface of the phosphor protective member 12 on the reflective layer protective layer 11 side, and the phosphor protective layer 9 and the phosphor layer 7 The front surface 7 a, the side surface 7 b, and the protective layer 5 are covered, and the adhesive member 8 is further adhered to the protective layer 5. Thereby, the state by which the fluorescent substance layer 7 was interrupted | blocked from external air can be obtained (FIG.3 (d)). Thereafter, the pressurization of the pressurizing chamber 27 is stopped, the vacuum chamber 26 is opened and taken out, and a radiation detection apparatus is obtained. Here, when an adhesive resin of a hot melt type thermoplastic adhesive is used for the adhesive member 8, it is preferable to provide a heating means. In that case, the lower support base 25 may have a heating means.

ここで、本実施の形態では、貼り合わせ用装置として真空チャンバー20を用いた説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、蛍光体保護部材12に全体的に加圧できるものであればよい。例えば、真空室内に加圧用ローラーを備えた真空チャンバーを用いてもよい。加熱手段が必要な接着部材8を用いる場合には、加圧用ローラーに加熱手段を設けて加熱加圧ローラーを用いてもよい。このように、発明に使用されうる貼り合わせ用装置は、蛍光体層7を被覆する蛍光体保護部材12と保護層5である蛍光体層7の下地との間を真空にした状態で蛍光体保護部材12に圧力をかけ、その状態で固着手段8を下地に接着できるものであれば好適に用いられる。   Here, in the present embodiment, the vacuum chamber 20 is used as the bonding apparatus. However, the present invention is not limited to this, and the phosphor protective member 12 can be entirely pressurized. I just need it. For example, a vacuum chamber provided with a pressure roller in a vacuum chamber may be used. When the adhesive member 8 that requires heating means is used, a heating and pressure roller may be used by providing the pressure roller with heating means. Thus, the bonding apparatus that can be used in the present invention is a phosphor in a state where the space between the phosphor protective member 12 that covers the phosphor layer 7 and the base of the phosphor layer 7 that is the protective layer 5 is evacuated. Any material can be used as long as it can apply pressure to the protective member 12 and adhere the fixing means 8 to the base in that state.

次に、図4(a)〜(d)を用いて、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の蛍光体層修理(リペア)方法を詳細に説明する。ここでは、31に示される異物が蛍光体層7表面に存在することが検査により確認された状況を例に説明する。   Next, the phosphor layer repair (repair) method of the radiation detection apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. Here, an example will be described in which it is confirmed by inspection that the foreign matter 31 is present on the surface of the phosphor layer 7.

検査により異物31が蛍光体層7表面に存在することが確認されると、異物31が大きいものであれば画像欠陥の原因となりうるため除去する必要性が生じる(図4(a))。そこで、接着部材8と下地である保護層5との接着を解消し、蛍光体層7を被覆している蛍光体保護部材12を剥離する(図4(b))。ここで、接着部材8は保護層5と画素領域外において接着しているので、多少の損傷は取得される画像には影響を及ぼさない。また、上記説明のように、接着部材8は、簡便に剥がすことが可能な材料が用いられているため、剥離に大きな力は加わらないため、保護層5及び蛍光体層7の破壊が防止される。また更に、蛍光体保護層9が接着性を有さない材料を用いて構成されているため、蛍光体保護層9と蛍光体層7の接触面が接着されておらず、蛍光体保護部材12が剥離される際の蛍光体層7の破壊が防止される。   If it is confirmed by inspection that the foreign matter 31 is present on the surface of the phosphor layer 7, if the foreign matter 31 is large, it may cause an image defect, so that it is necessary to remove the foreign matter 31 (FIG. 4A). Therefore, the adhesion between the adhesive member 8 and the protective layer 5 as a base is removed, and the phosphor protective member 12 covering the phosphor layer 7 is peeled off (FIG. 4B). Here, since the adhesive member 8 is bonded to the protective layer 5 outside the pixel region, some damage does not affect the acquired image. Further, as described above, since the adhesive member 8 is made of a material that can be easily peeled off, a large force is not applied to the peeling, so that the protection layer 5 and the phosphor layer 7 are prevented from being broken. The Furthermore, since the phosphor protective layer 9 is made of a material having no adhesiveness, the contact surface between the phosphor protective layer 9 and the phosphor layer 7 is not adhered, and the phosphor protective member 12 is not bonded. The phosphor layer 7 is prevented from being broken when the is peeled off.

次に、露出された蛍光体層7から画素欠陥の原因となりうる異物31を除去する(図4(c))。その後、先に説明した方法により蛍光体保護部材12を用いて蛍光体層7及び保護層5を被覆し、放射線検出装置を取得する(図4(d))。   Next, the foreign material 31 that may cause pixel defects is removed from the exposed phosphor layer 7 (FIG. 4C). Thereafter, the phosphor protective member 12 is used to cover the phosphor layer 7 and the protective layer 5 by the method described above, and a radiation detection apparatus is obtained (FIG. 4D).

上記説明のように、非接着性の表面を有する蛍光体保護層9で蛍光体層7の表面7a、側面7b、及び下地である保護層5を被覆し、且つ蛍光体保護層9の周囲の領域に設けられた接着部材8によって保護層5と接着される構成を用いるため、蛍光体保護層9の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層7の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層7のリペアが容易な蛍光体保護層9が配置可能となる。   As described above, the phosphor protective layer 9 having a non-adhesive surface covers the surface 7 a and the side surface 7 b of the phosphor layer 7 and the protective layer 5 that is the base, and around the phosphor protective layer 9. Since the structure bonded to the protective layer 5 by the adhesive member 8 provided in the region is used, the phosphor protective layer 9 can be easily installed and peeled off. This makes it possible to dispose the phosphor protective layer 9 that ensures the moisture resistance and impact resistance of the phosphor layer 7 and allows the phosphor layer 7 to be easily repaired.

<第2の実施形態>
次に、図5(a)及び図5(b)を用いて、本発明の第2の実施形態に係る放射線検出装置を詳細に説明する。ここで、第1の実施形態において説明された構成要素については同じ番号を付与し、説明を割愛する。
<Second Embodiment>
Next, the radiation detection apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 (a) and 5 (b). Here, the same numbers are assigned to the components described in the first embodiment, and the description is omitted.

図5(a)及び図5(b)に示す放射線検出装置において、61は支持基板、62は絶縁層、63は反射層、64は蛍光体下地層であり、これら各要素61から64によって支持部材が構成される。これら支持部材上に、蛍光体層7と、蛍光体層7の表面、側面、及び蛍光体下地層64を一括して被覆する蛍光体保護層9と、蛍光体保護層9の周囲の領域に設けられ、蛍光体保護層9と蛍光体下地層64を接着する接着部材8とが設けられ、これら各要素7から9、61から64によってシンチレータパネル60が構成される。65は接着剤、66は封止部材である。シンチレータパネル60の蛍光体層7が設けられた側の表面と、センサーパネル6の光電変換素子部2が設けられた側の表面とを、接着剤65及び封止部材66とを用いて貼り合わせることにより、放射線検出装置が得られる。   In the radiation detection apparatus shown in FIGS. 5A and 5B, 61 is a support substrate, 62 is an insulating layer, 63 is a reflective layer, and 64 is a phosphor underlayer, and is supported by these elements 61 to 64. A member is constructed. On these supporting members, the phosphor layer 7, the phosphor protective layer 9 that collectively covers the surface and side surfaces of the phosphor layer 7, and the phosphor base layer 64, and the region around the phosphor protective layer 9 The phosphor protective layer 9 and the adhesive member 8 for adhering the phosphor base layer 64 are provided, and the scintillator panel 60 is constituted by these elements 7 to 9 and 61 to 64. 65 is an adhesive, and 66 is a sealing member. The surface of the scintillator panel 60 on which the phosphor layer 7 is provided and the surface of the sensor panel 6 on which the photoelectric conversion element portion 2 is provided are bonded using an adhesive 65 and a sealing member 66. Thereby, a radiation detection apparatus is obtained.

次に各構成要素について詳細に説明する。支持基板61は蛍光体層7を支持するための基板であり、放射線が良好に透過する材料によって構成されることが望ましい。支持基板61に用いられる材料としては、放射線透過性が良好なガラス、アモルファスカーボン(以下a−Cと示す)、炭素繊維強化樹脂(以下CFRP:Carbon Fiber Reinforced Plasticsと示す)などが好適に用いられる。絶縁層62は支持基板61に導電性の材料が用いられた場合に、蛍光体層7と支持基板61との間で電気的化学的腐食が発生することを防止するための部材であり、支持基板61が非導電性の材料により構成されている場合には設ける必要はない。絶縁層62はポリイミド、ポリパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロポリパラキシリレン等の有機膜、エチレンやスチレンをモノマーとするプラズマ重合法によって形成される有機膜、などの光透過性が高く且つ透湿性が低い有機膜等の有機絶縁性樹脂を用いることが好ましい。また、SiO,SiN,TiO,MgFなどの光透過性が高く且つ透湿性が低い無機膜を用いることが可能である。反射層63は蛍光体層7で発生した光を反射するための部材であり、特に金属材料が望ましい。具体的には、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt及びAu等の反射率の高い金属が望ましい。蛍光体下地層64は、蛍光体層7が形成されるため表面の平坦性を有することが望ましい。また、反射層63として導電性の材料が用いられた場合には、蛍光体層7と反射層63との間での電気的化学的腐食の発生を防止するために絶縁性であることが望ましい。蛍光体下地層64を構成する材料としては、高い平坦性と絶縁性を有する材料が望ましく、ポリイミド、ポリパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロポリパラキシリレン等の有機膜、エチレンやスチレンをモノマーとするプラズマ重合法によって形成される有機膜、などの光透過性が高く且つ透湿性が低い有機膜等の有機絶縁性樹脂を用いることが好ましい。また、SiO,SiN,TiO,MgFなどの光透過性が高く且つ透湿性が低い無機膜を用いることが可能である。接着剤65は、シンチレータパネル60の蛍光体層7が設けられた側の表面と、センサーパネル6の光電変換素子部2が設けられた側の表面とを貼り合わせるための部材であり、アクリル樹脂接着剤やシリコン系樹脂接着剤、またはホットメルト樹脂などが好適に用いられる。封止部材66はシンチレータパネル60とセンサーパネル6との接着界面の周囲を被覆し、接着界面に水分の侵入を防止する部材である。封止部材66を構成する材料としては、シリコーン系樹脂、アクリル樹脂等が好適に用いられる。 Next, each component will be described in detail. The support substrate 61 is a substrate for supporting the phosphor layer 7 and is preferably made of a material that transmits radiation well. As the material used for the support substrate 61, glass having good radiation transparency, amorphous carbon (hereinafter referred to as aC), carbon fiber reinforced resin (hereinafter referred to as CFRP: Carbon Fiber Reinforced Plastics), and the like are preferably used. . The insulating layer 62 is a member for preventing electrochemical corrosion between the phosphor layer 7 and the support substrate 61 when a conductive material is used for the support substrate 61. When the substrate 61 is made of a non-conductive material, it is not necessary to provide it. The insulating layer 62 transmits light such as an organic film such as polyimide, polyparaxylylene, polydichloroparaxylylene, polytetrachloropolyparaxylylene, or an organic film formed by a plasma polymerization method using ethylene or styrene as a monomer. It is preferable to use an organic insulating resin such as an organic film having high properties and low moisture permeability. In addition, it is possible to use an inorganic film having high light transmittance and low moisture permeability, such as SiO 2 , SiN, TiO 2 , and MgF 2 . The reflection layer 63 is a member for reflecting the light generated in the phosphor layer 7, and a metal material is particularly desirable. Specifically, metals having high reflectivity such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au are desirable. The phosphor underlayer 64 desirably has a flat surface because the phosphor layer 7 is formed. Further, when a conductive material is used as the reflective layer 63, it is desirable that the material be insulative in order to prevent the occurrence of electrochemical corrosion between the phosphor layer 7 and the reflective layer 63. . The material constituting the phosphor underlayer 64 is preferably a material having high flatness and insulating properties, such as an organic film such as polyimide, polyparaxylylene, polydichloroparaxylylene, polytetrachloropolyparaxylylene, ethylene, and the like. It is preferable to use an organic insulating resin such as an organic film having high light transmittance and low moisture permeability, such as an organic film formed by plasma polymerization using styrene as a monomer. In addition, it is possible to use an inorganic film having high light transmittance and low moisture permeability, such as SiO 2 , SiN, TiO 2 , and MgF 2 . The adhesive 65 is a member for bonding the surface of the scintillator panel 60 on the side where the phosphor layer 7 is provided and the surface of the sensor panel 6 on the side where the photoelectric conversion element portion 2 is provided. An adhesive, a silicon-based resin adhesive, a hot melt resin, or the like is preferably used. The sealing member 66 is a member that covers the periphery of the adhesion interface between the scintillator panel 60 and the sensor panel 6 and prevents moisture from entering the adhesion interface. As a material constituting the sealing member 66, a silicone resin, an acrylic resin, or the like is preferably used.

次に、本発明の第2の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing a radiation detection apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described.

第1の実施形態と同様な方法により、センサーパネル6を準備する。   The sensor panel 6 is prepared by the same method as in the first embodiment.

支持基板61、絶縁層62、反射層63、及び蛍光体下地層64が積層された蛍光体支持部材を準備し、蛍光体支持部材の蛍光体下地層64における任意の領域に、周知の蒸着法により柱状結晶構造を有するCsI:Tlからなる蛍光体層7を堆積形成する。そして、シート状に形成された蛍光体保護層9と、その周辺領域に設けられた接着部材8とを準備する。   A phosphor support member in which a support substrate 61, an insulating layer 62, a reflective layer 63, and a phosphor base layer 64 are laminated is prepared, and a known vapor deposition method is applied to an arbitrary region in the phosphor base layer 64 of the phosphor support member. Thus, the phosphor layer 7 made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is deposited. And the fluorescent substance protective layer 9 formed in the sheet form and the adhesive member 8 provided in the peripheral region are prepared.

次に、準備した蛍光体保護層9を蛍光体層7の表面全体を被覆するように支持部材及び蛍光体層7上に配置する。   Next, the prepared phosphor protective layer 9 is disposed on the support member and the phosphor layer 7 so as to cover the entire surface of the phosphor layer 7.

次に、上記状態のパネルを、第1の実施形態で説明した真空チャンバー20の真空室26内の下部支持台25上に配置し、真空室26を真空状態とする。   Next, the panel in the above state is placed on the lower support base 25 in the vacuum chamber 26 of the vacuum chamber 20 described in the first embodiment, and the vacuum chamber 26 is brought into a vacuum state.

次に、上記状態において、加圧室27の圧力を上昇させることによりダイアフラム23が蛍光体保護層9の表面を押圧し、蛍光体保護層9と蛍光体層7の表面、側面、及び蛍光体下地層64を被覆し、更に接着部材8を蛍光体下地層64に接着させる。これにより、蛍光体層7が外気から遮断された状態を得ることができる。その後、加圧室27の加圧をやめ、真空室26を開放して取り出し、シンチレータパネル60が得られる。   Next, in the above state, the diaphragm 23 presses the surface of the phosphor protective layer 9 by increasing the pressure in the pressurizing chamber 27, and the surfaces, side surfaces, and phosphors of the phosphor protective layer 9 and the phosphor layer 7. The base layer 64 is covered, and the adhesive member 8 is further bonded to the phosphor base layer 64. Thereby, the state which the fluorescent substance layer 7 was interrupted | blocked from external air can be obtained. Thereafter, the pressurization of the pressurizing chamber 27 is stopped, the vacuum chamber 26 is opened and taken out, and the scintillator panel 60 is obtained.

得られたシンチレータパネル60の蛍光体層7が設けられた側の表面と、先に準備されたセンサーパネル6の光電変換素子部2が設けられた側の表面とを接着剤65を用いて接着固定する。更にシンチレータパネル60とセンサーパネル6との接着界面を被覆するよう周囲を封止部材66で封止して、図5(b)に示される放射線検出装置が得られる。   Using the adhesive 65, the surface of the scintillator panel 60 on the side where the phosphor layer 7 is provided and the surface of the sensor panel 6 on which the photoelectric conversion element portion 2 is provided are bonded. Fix it. Further, the periphery is sealed with a sealing member 66 so as to cover the adhesive interface between the scintillator panel 60 and the sensor panel 6, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 5B is obtained.

次に、図6(a)〜(e)を用いて、本発明の第2の実施形態に係るシンチレータパネルの蛍光体層修理(リペア)方法を詳細に説明する。ここでは、34に示される異物が蛍光体層7内部に存在し、異物突起領域33が形成されていることが検査により確認された状況を例に説明する。   Next, the phosphor layer repair (repair) method for the scintillator panel according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. Here, a case where the foreign matter indicated by 34 is present in the phosphor layer 7 and the foreign matter projection region 33 is formed by inspection is described as an example.

検査により異物34が蛍光体層7内に存在することが確認されると、異物34が大きいものであれば画像欠陥の原因となりうるため、また異物突起領域33が貼り合わせの際に光電変換素子部2を破壊する恐れが生じるため、除去する必要性が生じる(図6(a))。そこで、接着部材8と蛍光体下地層64との接着を解消し、蛍光体層7を被覆している蛍光体保護層9を剥離する(図6(b))。ここで、接着部材8は、蛍光体下地層64から簡便に剥がすことが可能な材料が用いられており、剥離に大きな力は加わらないため、蛍光体下地層64及び蛍光体層7の破壊が防止される。また更に、蛍光体保護層9が接着性を有さない材料を用いて構成されているため、蛍光体保護層9と蛍光体層7の接触面が接着されておらず、蛍光体保護層9が剥離される際の蛍光体層7の破壊が防止される。   If it is confirmed by inspection that the foreign matter 34 is present in the phosphor layer 7, if the foreign matter 34 is large, an image defect may be caused. Since there exists a possibility that the part 2 may be destroyed, the necessity to remove arises (FIG. 6 (a)). Therefore, the adhesion between the adhesive member 8 and the phosphor base layer 64 is eliminated, and the phosphor protective layer 9 covering the phosphor layer 7 is peeled off (FIG. 6B). Here, since the adhesive member 8 is made of a material that can be easily peeled off from the phosphor base layer 64 and a large force is not applied to the peeling, the phosphor base layer 64 and the phosphor layer 7 are destroyed. Is prevented. Furthermore, since the phosphor protective layer 9 is made of a material having no adhesiveness, the contact surface between the phosphor protective layer 9 and the phosphor layer 7 is not adhered, and the phosphor protective layer 9 The phosphor layer 7 is prevented from being broken when the is peeled off.

次に、露出された蛍光体層7の内部に異物34が存在するため、蛍光体層7を全て支持部材上から除去する(図6(c))。蛍光体層7が除去された支持部材上に上記製造方法の説明と同様の方法により、新たな蛍光体層7を再度形成する(図6(d))。その後、先に説明した方法により蛍光体保護層9を用いて蛍光体層7及び蛍光体下地層64を被覆し、シンチレータパネル60を取得する(図6(e))。   Next, since the foreign material 34 exists inside the exposed phosphor layer 7, the phosphor layer 7 is entirely removed from the support member (FIG. 6C). On the support member from which the phosphor layer 7 has been removed, a new phosphor layer 7 is formed again by the same method as described in the above manufacturing method (FIG. 6D). Thereafter, the phosphor protective layer 9 is used to cover the phosphor layer 7 and the phosphor underlayer 64 by the method described above, and the scintillator panel 60 is obtained (FIG. 6E).

上記説明のように、非接着性の表面を有する蛍光体保護層9で蛍光体層7の表面、側面、及び蛍光体下地層64を被覆し、且つ蛍光体保護層9の周囲の領域に設けられた接着部材8によって蛍光体下地層64と接着される構成を用いるため、蛍光体保護層9の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層7の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層7のリペアが容易な蛍光体保護層9が配置可能となる。   As described above, the phosphor protective layer 9 having a non-adhesive surface covers the surface and side surfaces of the phosphor layer 7 and the phosphor underlayer 64, and is provided in a region around the phosphor protective layer 9. Since the configuration in which the phosphor base layer 64 is adhered by the adhesive member 8 is used, the phosphor protective layer 9 can be easily installed and peeled off. This makes it possible to dispose the phosphor protective layer 9 that ensures the moisture resistance and impact resistance of the phosphor layer 7 and allows the phosphor layer 7 to be easily repaired.

<実施例1>
以下に、図1から4に基づく第1の実施形態に示された放射線検出装置の実施例を具体的に示す。
<Example 1>
Examples of the radiation detection apparatus shown in the first embodiment based on FIGS. 1 to 4 will be specifically described below.

厚さ0.7mmのガラス基板1の表面における430mm×430mmの領域に、アモルファスシリコンからなるMIS型フォトセンサーとTFTによって構成される画素サイズ160μm×160μmの光電変換素子部2が2次元状に複数個形成されて画素領域が設けられ、また、MIS型フォトセンサーにバイアスを印加するバイアス配線、TFTに駆動信号を印加する駆動配線、TFTによって転送された信号電荷を出力する信号配線などのAlからなる配線部3が形成される。次に、光電変換素子部2及び配線部3を被覆して窒化シリコンからなる保護膜を形成し、更に保護膜上にポリイミドからなるパッシベーション膜を形成して保護層5を形成し、電極取り出し部4となる領域上の保護層5を除去して電極取り出し部4を設ける。以上の工程によりセンサーパネル6が形成される。   In a region of 430 mm × 430 mm on the surface of a glass substrate 1 having a thickness of 0.7 mm, a plurality of photoelectric conversion element portions 2 each having a pixel size of 160 μm × 160 μm constituted by MIS type photosensors and TFTs made of amorphous silicon are two-dimensionally formed. Each pixel area is provided, and a bias wiring for applying a bias to the MIS type photosensor, a driving wiring for applying a driving signal to the TFT, a signal wiring for outputting a signal charge transferred by the TFT, etc. from Al The wiring part 3 is formed. Next, a protective film made of silicon nitride is formed so as to cover the photoelectric conversion element part 2 and the wiring part 3, and a passivation film made of polyimide is further formed on the protective film to form a protective layer 5, and an electrode lead-out part The protective layer 5 on the region to be 4 is removed to provide the electrode extraction portion 4. The sensor panel 6 is formed by the above process.

次に、形成された保護層5の画素領域上に、ヨウ化セシウム(CsI)にタリウム(Tl)が添加された、柱状結晶構造のCsI:Tlを、真空蒸着法により成膜時間4時間で厚さ550μm形成する。Tlの添加濃度は0.1〜0.3mol%とした。CsI:Tlの柱状結晶の頂面側(蒸着終了表面側)の柱径は平均約5μmであった。形成されたCsI:Tlを200℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で2時間熱処理することによって、蛍光体層7が得られる。そして、シート状に形成された厚さ50μmのPETからなる蛍光体保護層9、厚さ40μmのAlからなる反射層10、厚さ50μmのPETからなる反射層保護層11によって形成された蛍光体保護シートと、その周辺領域に設けられたホットメルト樹脂の接着部材8とによって構成された蛍光体保護部材12を準備する(図3(a))。   Next, CsI: Tl having a columnar crystal structure in which thallium (Tl) is added to cesium iodide (CsI) is deposited on the pixel region of the formed protective layer 5 by a vacuum deposition method in a film formation time of 4 hours. A thickness of 550 μm is formed. The concentration of Tl added was 0.1 to 0.3 mol%. The average column diameter of the CsI: Tl columnar crystal on the top side (deposition surface side) was about 5 μm. The formed CsI: Tl is heat-treated in a clean oven in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours, whereby the phosphor layer 7 is obtained. Then, the phosphor formed by the phosphor protective layer 9 made of PET having a thickness of 50 μm, the reflective layer 10 made of Al having a thickness of 40 μm, and the reflective layer protective layer 11 made of PET having a thickness of 50 μm formed in a sheet shape. A phosphor protective member 12 including a protective sheet and a hot-melt resin adhesive member 8 provided in the peripheral region is prepared (FIG. 3A).

次に、準備した蛍光体保護部材12を蛍光体層7の表面7a全体を被覆するようにセンサーパネル6及び蛍光体層7上に配置する(図3(b))。   Next, the prepared phosphor protection member 12 is disposed on the sensor panel 6 and the phosphor layer 7 so as to cover the entire surface 7a of the phosphor layer 7 (FIG. 3B).

次に、上記状態のパネルを、真空チャンバー20の真空室26内の下部支持台25上に配置し、真空室26を−700mmHg程度に排気して真空状態とする。(図3(c))。   Next, the panel in the above state is placed on the lower support 25 in the vacuum chamber 26 of the vacuum chamber 20, and the vacuum chamber 26 is evacuated to about -700 mmHg to be in a vacuum state. (FIG. 3C).

次に、上記状態において、加圧室27の圧力を上昇させることによりダイアフラム23が蛍光体保護部材12の反射層保護層11側の表面を加圧圧力5kg/cmで押圧し、さらに加熱手段を有する下部支持台25を120℃に加温して保持する。これにより蛍光体保護層9と蛍光体層7の表面7a、側面7b、及び保護層5を被覆し、更に接着部材8を保護層5に接着され、蛍光体層7が外気から遮断された状態を得ることができる(図3(d))。その後、加圧室27の加圧をやめ、加温をとめて40℃まで冷却し真空室26を開放して取り出し、図4(a)に示される放射線検出装置が得られる。 Next, in the above state, by increasing the pressure in the pressurizing chamber 27, the diaphragm 23 presses the surface of the phosphor protective member 12 on the reflective layer protective layer 11 side with a pressurized pressure of 5 kg / cm 2 , and further heating means A lower support base 25 having a temperature of 120 ° C. is heated and held. Thus, the phosphor protective layer 9 and the surface 7a, the side surface 7b, and the protective layer 5 of the phosphor layer 7 are covered, the adhesive member 8 is further adhered to the protective layer 5, and the phosphor layer 7 is shielded from the outside air. Can be obtained (FIG. 3D). Thereafter, the pressurization of the pressurization chamber 27 is stopped, the heating is stopped, the temperature is cooled to 40 ° C., the vacuum chamber 26 is opened, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 4A is obtained.

得られた放射線検出装置を検査したところ、31に示される異物が蛍光体層7表面に存在することが確認された。異物31があらかじめ定められた規定値より大きく、画像欠陥の原因となりうるため除去する必要性が生じた。   When the obtained radiation detection apparatus was inspected, it was confirmed that the foreign matter indicated by 31 is present on the surface of the phosphor layer 7. Since the foreign material 31 is larger than a predetermined value, which may cause an image defect, it is necessary to remove the foreign material 31.

放射線検出装置を120℃に加熱して、ホットメルト樹脂からなる接着部材8を溶融して保護層5との接着を解消し、蛍光体層7を被覆している蛍光体保護部材12を剥離する(図4(b))。   The radiation detecting device is heated to 120 ° C., the adhesive member 8 made of hot melt resin is melted to eliminate the adhesion with the protective layer 5, and the phosphor protective member 12 covering the phosphor layer 7 is peeled off. (FIG. 4B).

次に、露出された蛍光体層7から画素欠陥の原因となりうる異物31を除去する(図4(c))。その後、先に説明した方法により蛍光体保護部材12を用いて蛍光体層7及び保護層5を被覆し、放射線検出装置が取得される(図4(d))。得られた放射線検出装置を検査したところ、画素欠陥の原因となりうる異物は確認されなかった。検査の後、センサーパネル6上の電極取り出し部4に、異方導電性接着剤(不図示)を介してフレキシブル回路基板(不図示)の端子部を熱圧着し、放射線検出装置が得られた。   Next, the foreign material 31 that may cause pixel defects is removed from the exposed phosphor layer 7 (FIG. 4C). Thereafter, the phosphor protective member 12 is used to cover the phosphor layer 7 and the protective layer 5 by the method described above, and a radiation detection apparatus is obtained (FIG. 4D). When the obtained radiation detection apparatus was inspected, no foreign matter that could cause pixel defects was found. After the inspection, the terminal part of the flexible circuit board (not shown) was thermocompression bonded to the electrode extraction part 4 on the sensor panel 6 via an anisotropic conductive adhesive (not shown), and a radiation detection device was obtained. .

<実施例2>
以下に、図5から6に基づく第2の実施形態に示された放射線検出装置の実施例を具体的に示す。
<Example 2>
Examples of the radiation detection apparatus shown in the second embodiment based on FIGS. 5 to 6 will be specifically described below.

厚さ0.7mmのガラス基板1の表面における430mm×430mmの領域に、アモルファスシリコンからなるMIS型フォトセンサーとTFTによって構成される画素サイズ160μm×160μmの光電変換素子部2が2次元状に複数個形成されて画素領域が設けられ、また、MIS型フォトセンサーにバイアスを印加するバイアス配線、TFTに駆動信号を印加する駆動配線、TFTによって転送された信号電荷を出力する信号配線などのAlからなる配線部3が形成される。次に、光電変換素子部2及び配線部3を被覆して窒化シリコンからなる保護膜を形成し、更に保護膜上にポリイミドからなるパッシベーション膜を形成して保護層5を形成し、電極取り出し部4となる領域上の保護層5を除去して電極取り出し部4を設ける。以上の工程によりセンサーパネル6が準備される。   In a region of 430 mm × 430 mm on the surface of a glass substrate 1 having a thickness of 0.7 mm, a plurality of photoelectric conversion element portions 2 each having a pixel size of 160 μm × 160 μm constituted by MIS type photosensors and TFTs made of amorphous silicon are two-dimensionally formed. Each pixel area is provided, and a bias wiring for applying a bias to the MIS type photosensor, a driving wiring for applying a driving signal to the TFT, a signal wiring for outputting a signal charge transferred by the TFT, etc. from Al The wiring part 3 is formed. Next, a protective film made of silicon nitride is formed so as to cover the photoelectric conversion element part 2 and the wiring part 3, and a passivation film made of polyimide is further formed on the protective film to form a protective layer 5, and an electrode lead-out part The protective layer 5 on the region to be 4 is removed to provide the electrode extraction portion 4. The sensor panel 6 is prepared by the above process.

次に、厚さ1mmのa−Cからなる支持基板61上に、厚さ8μmのポリイミドからなる絶縁層62、厚さ0.3μmのAlからなる反射層63、及び厚さ8μmのポリイミドからなる蛍光体下地層64が積層された蛍光体支持部材を準備し、蛍光体支持部材の蛍光体下地層64における任意の領域に、柱状結晶構造のCsI:Tlを、真空蒸着法により成膜時間4時間で厚さ550μm形成する。Tlの添加濃度は0.1〜0.3mol%とした。CsI:Tlの柱状結晶の頂面側(蒸着終了表面側)の柱径は平均約5μmであった。形成されたCsI:Tlを200℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で2時間熱処理することによって、蛍光体層7が得られる。そして、シート状に形成された厚さ15μmのPETからなる蛍光体保護層9と、その周辺領域に設けられた粘着材からなる接着部材8とを準備する。   Next, an insulating layer 62 made of polyimide having a thickness of 8 μm, a reflective layer 63 made of Al having a thickness of 0.3 μm, and a polyimide having a thickness of 8 μm are formed on a support substrate 61 made of aC having a thickness of 1 mm. A phosphor support member on which the phosphor underlayer 64 is laminated is prepared, and CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed in an arbitrary region of the phosphor underlayer 64 of the phosphor support member by a vacuum deposition method. A thickness of 550 μm is formed over time. The concentration of Tl added was 0.1 to 0.3 mol%. The average column diameter of the CsI: Tl columnar crystal on the top side (deposition surface side) was about 5 μm. The formed CsI: Tl is heat-treated in a clean oven in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours, whereby the phosphor layer 7 is obtained. Then, a phosphor protective layer 9 made of PET having a thickness of 15 μm formed in a sheet shape and an adhesive member 8 made of an adhesive material provided in the peripheral region are prepared.

次に、準備した蛍光体保護層9を蛍光体層7の表面全体を被覆するように支持部材及び蛍光体層7上に配置する。   Next, the prepared phosphor protective layer 9 is disposed on the support member and the phosphor layer 7 so as to cover the entire surface of the phosphor layer 7.

次に、上記状態のパネルを、真空チャンバー20の真空室26内の下部支持台25上に配置し、真空室26を−700mmHg程度に排気して真空状態とする。を真空状態とする。   Next, the panel in the above state is placed on the lower support 25 in the vacuum chamber 26 of the vacuum chamber 20, and the vacuum chamber 26 is evacuated to about -700 mmHg to be in a vacuum state. Is in a vacuum state.

次に、上記状態において、加圧室27の圧力を上昇させることによりダイアフラム23が蛍光体保護層9の表面を加圧圧力5kg/cmで押圧し、蛍光体保護層9と蛍光体層7の表面、側面、及び蛍光体下地層64を被覆し、更に接着部材8を蛍光体下地層64に接着させる。これにより、蛍光体層7が外気から遮断された状態を得ることができる。その後、加圧室27の加圧をやめ、真空室26を開放して取り出し、図6(a)に示されるシンチレータパネル60が得られた。 Next, in the above state, when the pressure in the pressurizing chamber 27 is increased, the diaphragm 23 presses the surface of the phosphor protective layer 9 with a pressurizing pressure of 5 kg / cm 2 , and the phosphor protective layer 9 and the phosphor layer 7 are pressed. The surface, side surfaces, and phosphor base layer 64 are covered, and the adhesive member 8 is further adhered to the phosphor base layer 64. Thereby, the state which the fluorescent substance layer 7 was interrupted | blocked from external air can be obtained. Thereafter, the pressurization of the pressurizing chamber 27 was stopped, the vacuum chamber 26 was opened and taken out, and a scintillator panel 60 shown in FIG. 6A was obtained.

得られたシンチレータパネル60を検査したところ、34に示される異物が蛍光体層7内部に存在し、異物突起領域33が存在することが確認された。異物34及び異物突起領域33があらかじめ定められた規定値より大きく、画像欠陥の原因及び光電変換素子部2の破壊の原因となりうるため除去する必要性が生じた。   When the obtained scintillator panel 60 was inspected, it was confirmed that the foreign matter indicated by 34 was present in the phosphor layer 7 and the foreign matter projection region 33 was present. The foreign matter 34 and the foreign matter projection region 33 are larger than a predetermined value, which may cause image defects and damage to the photoelectric conversion element portion 2, thus necessitating removal.

そこで、接着部材8と蛍光体下地層64との接着を解消し、蛍光体層7を被覆している蛍光体保護層9を剥離する(図6(b))。   Therefore, the adhesion between the adhesive member 8 and the phosphor base layer 64 is eliminated, and the phosphor protective layer 9 covering the phosphor layer 7 is peeled off (FIG. 6B).

次に、露出された蛍光体層7の内部に異物34が存在するため、蛍光体層7を全て支持部材上から除去する(図6(c))。蛍光体層7が除去された支持部材上に上記製造方法の説明と同様の方法により、新たな蛍光体層7を再度形成する(図6(d))。その後、先に説明した方法により蛍光体保護層9を用いて蛍光体層7及び蛍光体下地層64を被覆し、シンチレータパネル60を取得する(図6(e))。   Next, since the foreign material 34 exists inside the exposed phosphor layer 7, the phosphor layer 7 is entirely removed from the support member (FIG. 6C). On the support member from which the phosphor layer 7 has been removed, a new phosphor layer 7 is formed again by the same method as described in the above manufacturing method (FIG. 6D). Thereafter, the phosphor protective layer 9 is used to cover the phosphor layer 7 and the phosphor underlayer 64 by the method described above, and the scintillator panel 60 is obtained (FIG. 6E).

得られたシンチレータパネル60を検査したところ、異物及び異物突起領域33が存在しないことが確認された。確認されたシンチレータパネル60の蛍光体層7が設けられた側の表面と、先に準備されたセンサーパネル6の光電変換素子部2が設けられた側の表面とを、アクリル製樹脂からなる接着剤65を用いて接着固定する。更にシンチレータパネル60とセンサーパネル6との接着界面を被覆するよう周囲を、アクリル樹脂からなる封止部材66で封止した。更に、センサーパネル6上の電極取り出し部4に、異方導電性接着剤(不図示)を介してフレキシブル回路基板(不図示)の端子部を熱圧着し、図5(b)に示される放射線検出装置が得られた。   When the obtained scintillator panel 60 was inspected, it was confirmed that the foreign matter and the foreign matter projection region 33 did not exist. The surface of the confirmed scintillator panel 60 on the side where the phosphor layer 7 is provided and the surface of the sensor panel 6 on which the photoelectric conversion element portion 2 is provided are bonded to each other with an acrylic resin. Adhesive fixing is performed using the agent 65. Further, the periphery was sealed with a sealing member 66 made of acrylic resin so as to cover the adhesive interface between the scintillator panel 60 and the sensor panel 6. Furthermore, the terminal part of a flexible circuit board (not shown) is thermocompression bonded to the electrode extraction part 4 on the sensor panel 6 via an anisotropic conductive adhesive (not shown), and the radiation shown in FIG. A detection device was obtained.

<実施例3>
以下に、図7から8に基づく第1の実施形態に示された放射線検出装置の実施例を具体的に示す。
<Example 3>
Examples of the radiation detection apparatus shown in the first embodiment based on FIGS. 7 to 8 will be specifically described below.

厚さ0.7mmのガラス基板1の表面における430mm×430mmの領域に、アモルファスシリコンからなるMIS型フォトセンサーとTFTによって構成される画素サイズ160μm×160μmの光電変換素子部2が2次元状に複数個形成されて画素領域が設けられ、また、MIS型フォトセンサーにバイアスを印加するバイアス配線、TFTに駆動信号を印加する駆動配線、TFTによって転送された信号電荷を出力する信号配線などのAlからなる配線部3が形成される。次に、光電変換素子部2及び配線部3を被覆して窒化シリコンからなる保護膜を形成し、更に保護膜上にポリイミドからなるパッシベーション膜を形成して保護層5を形成し、電極取り出し部4となる領域上の保護層5を除去して電極取り出し部4を設ける。以上の工程によりセンサーパネル6が形成される。   In a region of 430 mm × 430 mm on the surface of a glass substrate 1 having a thickness of 0.7 mm, a plurality of photoelectric conversion element portions 2 each having a pixel size of 160 μm × 160 μm constituted by MIS type photosensors and TFTs made of amorphous silicon are two-dimensionally formed. Each pixel area is provided, and a bias wiring for applying a bias to the MIS type photosensor, a driving wiring for applying a driving signal to the TFT, a signal wiring for outputting a signal charge transferred by the TFT, etc. from Al The wiring part 3 is formed. Next, a protective film made of silicon nitride is formed so as to cover the photoelectric conversion element part 2 and the wiring part 3, and a passivation film made of polyimide is further formed on the protective film to form a protective layer 5, and an electrode lead-out part The protective layer 5 on the region to be 4 is removed to provide the electrode extraction portion 4. The sensor panel 6 is formed by the above process.

次に、形成された保護層5の画素領域上に、厚さ5μmのPETからなる第1保護層41、Gd:Tbからなる厚さ160μmの粒子状蛍光体42、厚さ188μmのPETからなる第2保護層43、とが積層されて構成されたシート状の蛍光体層40が準備される。そして、シート状に形成された厚さ50μmのPETからなる蛍光体保護層9、厚さ40μmのAlからなる反射層10、厚さ50μmのPETからなる反射層保護層11によって形成された蛍光体保護シートと、その周辺領域に設けられたホットメルト樹脂の接着部材8とによって構成された蛍光体保護部材12を準備する(図3(a))。 Next, on the pixel region of the formed protective layer 5, a first protective layer 41 made of PET having a thickness of 5 μm, a particulate phosphor 42 having a thickness of 160 μm made of Gd 2 O 2 S 2 : Tb, and a thickness. A sheet-like phosphor layer 40 formed by laminating a second protective layer 43 made of 188 μm PET is prepared. Then, the phosphor formed by the phosphor protective layer 9 made of PET having a thickness of 50 μm, the reflective layer 10 made of Al having a thickness of 40 μm, and the reflective layer protective layer 11 made of PET having a thickness of 50 μm formed in a sheet shape. A phosphor protective member 12 including a protective sheet and a hot-melt resin adhesive member 8 provided in the peripheral region is prepared (FIG. 3A).

次に、準備した蛍光体保護部材12を蛍光体層40の表面43a全体を被覆するようにセンサーパネル6及び蛍光体層40上に配置する。   Next, the prepared phosphor protection member 12 is disposed on the sensor panel 6 and the phosphor layer 40 so as to cover the entire surface 43 a of the phosphor layer 40.

次に、上記状態のパネルを、真空チャンバー20の真空室26内の下部支持台25上に配置し、真空室26を−700mmHg程度に排気して真空状態とする。   Next, the panel in the above state is placed on the lower support 25 in the vacuum chamber 26 of the vacuum chamber 20, and the vacuum chamber 26 is evacuated to about -700 mmHg to be in a vacuum state.

次に、上記状態において、加圧室27の圧力を上昇させることによりダイアフラム23が蛍光体保護部材12の反射層保護層11側の表面を加圧圧力5kg/cmで押圧し、さらに加熱手段を有する下部支持台25を120℃に加温して保持する。これにより蛍光体保護層9と蛍光体層40の表面43a、側面41b、42b、43b、及び保護層5を被覆し、更に接着部材8を保護層5に接着され、蛍光体層40が外気から遮断された状態を得ることができる。その後、加圧室27の加圧をやめ、加温をとめて40℃まで冷却し真空室26を開放して取り出し、図8(a)に示される放射線検出装置が得られる。 Next, in the above state, by increasing the pressure in the pressurizing chamber 27, the diaphragm 23 presses the surface of the phosphor protective member 12 on the reflective layer protective layer 11 side with a pressurized pressure of 5 kg / cm 2 , and further heating means A lower support base 25 having a temperature of 120 ° C. is heated and held. Thereby, the surface 43a, the side surfaces 41b, 42b, 43b and the protective layer 5 of the phosphor protective layer 9 and the phosphor layer 40 are covered, and the adhesive member 8 is further adhered to the protective layer 5, so that the phosphor layer 40 is exposed from the outside air. A blocked state can be obtained. Thereafter, the pressurization of the pressurizing chamber 27 is stopped, the heating is stopped, the pressure chamber 27 is cooled to 40 ° C., the vacuum chamber 26 is opened, and the radiation detecting apparatus shown in FIG. 8A is obtained.

得られた放射線検出装置を検査したところ、51に示される異物が蛍光体層40内部に存在することが確認された。異物31があらかじめ定められた規定値より大きく、画像欠陥の原因となりうるため除去する必要性が生じた。   When the obtained radiation detection apparatus was inspected, it was confirmed that the foreign matter indicated by 51 exists inside the phosphor layer 40. Since the foreign material 31 is larger than a predetermined value, which may cause an image defect, it is necessary to remove the foreign material 31.

放射線検出装置を120℃に加熱して、ホットメルト樹脂からなる接着部材8を溶融して保護層5との接着を解消し、蛍光体層40を被覆している蛍光体保護部材12を剥離する(図8(b))。   The radiation detecting device is heated to 120 ° C., the adhesive member 8 made of hot melt resin is melted to eliminate the adhesion with the protective layer 5, and the phosphor protective member 12 covering the phosphor layer 40 is peeled off. (FIG. 8B).

次に、露出された蛍光体層40を保護層5上から剥離する(図8(c))。蛍光体層40が除去された保護層5上に上記製造方法の説明と同様の方法により、新たな蛍光体層40を再度形成する(図8(d))。その後、先に説明した方法により蛍光体保護部材12を用いて蛍光体層40及び保護層5を被覆し、放射線検出装置が取得される(図8(e))。得られた放射線検出装置を検査したところ、画素欠陥の原因となりうる異物は確認されなかった。検査の後、センサーパネル6上の電極取り出し部4に、異方導電性接着剤(不図示)を介してフレキシブル回路基板(不図示)の端子部を熱圧着し、放射線検出装置が得られた。   Next, the exposed phosphor layer 40 is peeled off from the protective layer 5 (FIG. 8C). A new phosphor layer 40 is formed again on the protective layer 5 from which the phosphor layer 40 has been removed by the same method as described in the above manufacturing method (FIG. 8D). Thereafter, the phosphor protective member 12 is used to cover the phosphor layer 40 and the protective layer 5 by the method described above, and a radiation detection apparatus is obtained (FIG. 8E). When the obtained radiation detection apparatus was inspected, no foreign matter that could cause pixel defects was found. After the inspection, the terminal part of the flexible circuit board (not shown) was thermocompression bonded to the electrode extraction part 4 on the sensor panel 6 via an anisotropic conductive adhesive (not shown), and a radiation detection device was obtained. .

<応用例>
図11は、本発明による放射線検出装置を用いたX線診断システムへの応用例を示したものである。
<Application example>
FIG. 11 shows an application example to an X-ray diagnosis system using the radiation detection apparatus according to the present invention.

X線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、シンチレータ(蛍光体)を上部に実装した放射線検出装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。   The X-ray 6060 generated by the X-ray tube 6050 passes through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and enters the radiation detection device 6040 on which a scintillator (phosphor) is mounted. This incident X-ray includes information inside the body of the patient 6061. The scintillator emits light in response to the incidence of X-rays, and this is photoelectrically converted to obtain electrical information. This information can be digitally converted and image-processed by an image processor 6070 as a signal processing means, and can be observed on a display 6080 as a display means in a control room.

また、イメージプロセッサ6070は、イメージセンサ6040から出力された電気信号を電話回線6090等の伝送処理手段を介して遠隔地へ転送し、ドクタールーム等の別の場所にある表示手段(ディスプレイ)6081に表示することもできる。また、イメージセンサ6040から出力された電気信号を光ディスク等の記録手段に保存し、この記録手段を用いて遠隔地の医師が診断することも可能である。また、記録手段となるフィルムプロセッサ6100によりフィルム6110に記録することもできる。   Further, the image processor 6070 transfers the electric signal output from the image sensor 6040 to a remote place via a transmission processing unit such as a telephone line 6090, and displays it on a display unit (display) 6081 in another place such as a doctor room. It can also be displayed. It is also possible to store the electrical signal output from the image sensor 6040 in a recording means such as an optical disk and make a diagnosis by a remote doctor using this recording means. Moreover, it can also record on the film 6110 by the film processor 6100 used as a recording means.

本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる、放射線検出装置やシンチレータパネルに用いられるものである。   The present invention is used for a radiation detection apparatus and a scintillator panel used for medical diagnostic equipment, non-destructive testing equipment, and the like.

本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the principal part structure of the radiation detection apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the radiation detection apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the radiation detection apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the restoration method of the radiation detection apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るシンチレータパネル及び放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the scintillator panel and radiation detection apparatus which concern on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るシンチレータパネルの修復方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the restoration method of the scintillator panel which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the radiation detection apparatus which concerns on the other Example in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the restoration method of the radiation detection apparatus which concerns on the other Example in the 1st Embodiment of this invention. 従来の放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the conventional radiation detection apparatus. 従来の放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the conventional radiation detection apparatus. 本発明に係る放射線検出装置を用いた放射線検出システムへの応用を説明する図である。It is a figure explaining the application to the radiation detection system using the radiation detection apparatus which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,101 絶縁性基板
2,102 光電変換素子部
3,103 配線部
4,104 電極取り出し部
5,105 保護層
6,106 センサーパネル
7,107 蛍光体層
8 接着部材
9,109 蛍光体保護層
10,110 反射層
11,111 反射層保護層
12,112 蛍光体保護部材
20 真空チャンバー
21 下部チャンバー
22 上部チャンバー
23 ダイアフラム
24 Oリングシール
25 下部支持台
26 真空室
27 加圧室
31,34,51 異物
32 異物除去されたくぼみ
33 異物突起領域
40 蛍光体層
41 第1保護層
42 粒子状蛍光体
43 第2保護層
60 シンチレータパネル
61 支持基板
62 絶縁層
63 反射層
64 蛍光体下地層
65 接着剤
66 封止部材
6040 イメージセンサ
6050 X線チューブ
6060 X線
6061 被験者
6070 イメージプロセッサ
6080 ディスプレイ
6081 ディスプレイ
6100 フィルムプロセッサ
6110 フィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 Insulating substrate 2,102 Photoelectric conversion element part 3,103 Wiring part 4,104 Electrode extraction part 5,105 Protective layer 6,106 Sensor panel 7,107 Phosphor layer 8 Adhesive member 9,109 Phosphor protective layer DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,110 Reflective layer 11,111 Reflective layer protective layer 12,112 Phosphor protective member 20 Vacuum chamber 21 Lower chamber 22 Upper chamber 23 Diaphragm 24 O-ring seal 25 Lower support base 26 Vacuum chamber 27 Pressurization chamber 31, 34, 51 Foreign matter 32 Indentation removed from foreign matter 33 Foreign matter projection region 40 Phosphor layer 41 First protective layer 42 Particulate phosphor 43 Second protective layer 60 Scintillator panel 61 Support substrate 62 Insulating layer 63 Reflective layer 64 Phosphor base layer 65 Adhesive 66 Sealing member 6040 Image sensor 6050 X-ray tube 60 0 X-ray 6061 subject 6070 image processor 6080 display 6081 display 6100 film processor 6110 film

Claims (20)

2次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、
該センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層と、
少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する、非接着性表面を有する蛍光体保護部材と、
前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材との間に配された接着部材と、
を有する放射線検出装置。
A sensor panel having a pixel region composed of a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally;
A phosphor layer that is disposed on at least the pixel region of the sensor panel and converts radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element;
A phosphor protective member having a non-adhesive surface that collectively covers at least part of the surface of the sensor panel outside the pixel region and the surface and side surfaces of the phosphor layer;
An adhesive member disposed between a part of the surface of the sensor panel outside the pixel region and the phosphor protective member;
A radiation detection apparatus.
前記センサーパネルは、基板上に形成された前記複数の光電変換素子とからなる前記画素領域と、前記光電変換素子に接続された配線部と、少なくとも該画素領域及び前記配線部の一部を被覆する保護層と、を有し、前記蛍光体保護部材は、前記画素領域外における前記保護層の一部と前記接着部材によって接着される請求項1に記載の放射線検出装置。   The sensor panel covers the pixel region including the plurality of photoelectric conversion elements formed on a substrate, a wiring unit connected to the photoelectric conversion device, and at least a part of the pixel region and the wiring unit. The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the phosphor protection member is bonded to a part of the protection layer outside the pixel region by the adhesive member. 前記蛍光体層は、少なくとも前記画素領域の前記保護層上に直接配された、柱状結晶構造を有する蛍光体層である請求項2に記載の放射線検出装置。   The radiation detection apparatus according to claim 2, wherein the phosphor layer is a phosphor layer having a columnar crystal structure that is directly disposed on at least the protective layer in the pixel region. 前記蛍光体保護部材は、ポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体、の物質からなる群より選ばれた一の物質により構成され、且つ、少なくとも前記画素領域外における前記保護層の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する蛍光体保護層を有する請求項2または3に記載の放射線検出装置。   The phosphor protective member includes polyester, acrylic resin, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, cellulose, epoxy resin, fluororesin, polyamide, polycarbonate, polyimide, polypropylene, polyurethane, silicone, vinyl polymer, vinyl copolymer. A phosphor protective layer that is made of one substance selected from the group consisting of the above substances and that covers at least a part of the protective layer outside the pixel region and the surface and side surfaces of the phosphor layer in a lump. The radiation detection apparatus according to claim 2, comprising: 前記蛍光体保護部材は、前記蛍光体保護層と、該蛍光体保護層上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた反射層保護層と、を有する請求項4に記載の放射線検出装置。   The said fluorescent substance protection member has the said fluorescent substance protective layer, the reflective layer provided on this fluorescent substance protective layer, and the reflective layer protective layer provided on this reflective layer. Radiation detection device. 前記接着部材は、熱可塑性の接着性樹脂または粘着剤である請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置。   The radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein the adhesive member is a thermoplastic adhesive resin or a pressure-sensitive adhesive. 2次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、
支持部材上に形成された蛍光体層と、少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、を有するシンチレータパネルと、
を有する放射線検出装置。
A sensor panel having a pixel region composed of a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally;
A phosphor layer formed on a support member; a phosphor protective layer having a non-adhesive surface that collectively covers at least a part of the surface of the support member and the surface and side surfaces of the phosphor layer; and the support. A scintillator panel having an adhesive member disposed between a part of the surface of the member and the phosphor protective layer;
A radiation detection apparatus.
前記支持部材は、支持基板と、該支持基板と前記蛍光体層との間に配された反射層と、該反射層と前記蛍光体層との間に配された蛍光体下地層と、を有し、前記蛍光体保護層は少なくとも前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆し、前記接着部材は前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配される請求項7に記載の放射線検出装置。   The support member includes a support substrate, a reflection layer disposed between the support substrate and the phosphor layer, and a phosphor base layer disposed between the reflection layer and the phosphor layer. The phosphor protective layer collectively covers at least a part of the surface of the phosphor base layer and the surface and side surfaces of the phosphor layer, and the adhesive member is a part of the surface of the phosphor base layer. The radiation detection apparatus according to claim 7, wherein the radiation detection apparatus is disposed between the fluorescent substance protective layer and the phosphor protective layer. 前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有する請求項7または8に記載の放射線検出装置。   The radiation detection apparatus according to claim 7 or 8, wherein the phosphor layer has a columnar crystal structure. 前記蛍光体保護層は、ポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体、の物質からなる群より選ばれた一の物質により構成される請求項7から9のいずれか1項に記載の放射線検出装置。   The phosphor protective layer is made of polyester, acrylic resin, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, cellulose, epoxy resin, fluororesin, polyamide, polycarbonate, polyimide, polypropylene, polyurethane, silicone, vinyl polymer, vinyl copolymer. The radiation detection apparatus according to any one of claims 7 to 9, comprising one substance selected from the group consisting of: 前記接着部材は、熱可塑性の接着性樹脂または粘着剤である請求項7から10のいずれか1項に記載の放射線検出装置。   The radiation detection apparatus according to claim 7, wherein the adhesive member is a thermoplastic adhesive resin or an adhesive. 支持部材上に形成された蛍光体層と、
少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、
前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、
を有するシンチレータパネル。
A phosphor layer formed on the support member;
A phosphor protective layer having a non-adhesive surface that collectively covers at least a part of the surface of the support member and the surface and side surfaces of the phosphor layer;
An adhesive member disposed between a part of the surface of the support member and the phosphor protective layer;
A scintillator panel.
前記支持部材は、支持基板と、該支持基板と前記蛍光体層との間に配された反射層と、該反射層と前記蛍光体層との間に配された蛍光体下地層と、を有し、前記蛍光体保護層は少なくとも前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆し、前記接着部材は前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配される請求項12に記載のシンチレータパネル。   The support member includes a support substrate, a reflection layer disposed between the support substrate and the phosphor layer, and a phosphor base layer disposed between the reflection layer and the phosphor layer. The phosphor protective layer collectively covers at least a part of the surface of the phosphor base layer and the surface and side surfaces of the phosphor layer, and the adhesive member is a part of the surface of the phosphor base layer. The scintillator panel according to claim 12, which is disposed between the phosphor protective layer and the phosphor protective layer. 前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有する請求項12または13に記載のシンチレータパネル。   The scintillator panel according to claim 12 or 13, wherein the phosphor layer has a columnar crystal structure. 前記蛍光体保護層は、ポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体、の物質からなる群より選ばれた一の物質により構成される請求項12から14のいずれか1項に記載のシンチレータパネル。   The phosphor protective layer is made of polyester, acrylic resin, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, cellulose, epoxy resin, fluororesin, polyamide, polycarbonate, polyimide, polypropylene, polyurethane, silicone, vinyl polymer, vinyl copolymer. The scintillator panel according to any one of claims 12 to 14, wherein the scintillator panel is made of one substance selected from the group consisting of the following substances. 前記接着部材は、熱可塑性の接着性樹脂または粘着剤である請求項12から15のいずれか1項に記載のシンチレータパネル。   The scintillator panel according to any one of claims 12 to 15, wherein the adhesive member is a thermoplastic adhesive resin or an adhesive. 2次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルを準備する工程と、
前記センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、
少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護部材を用いて一括で被覆し、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材とを接着部材で接着する工程と、
を有する放射線検出装置の製造方法。
Preparing a sensor panel having a pixel region composed of a plurality of photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally;
Providing a phosphor layer for converting radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element on at least the pixel region of the sensor panel;
At least a part of the surface of the sensor panel outside the pixel region and the surface and side surfaces of the phosphor layer are collectively covered with a phosphor protective member having a non-adhesive surface, and outside the pixel region. Bonding a part of the surface of the sensor panel and the phosphor protective member with an adhesive member;
The manufacturing method of the radiation detection apparatus which has this.
前記蛍光体層に欠陥が発見された場合に前記接着部材による前記接着を解消することにより前記蛍光体保護部材を剥離する工程と、前記蛍光体層を修理する工程と、少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、修理された前記蛍光体層の表面及び側面とを、前記蛍光体保護部材を用いて一括で被覆し、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材とを前記接着部材で再度接着する工程と、を更に有する請求項17に記載の放射線検出装置の製造方法。   A step of removing the phosphor protective member by removing the adhesion by the adhesive member when a defect is found in the phosphor layer, a step of repairing the phosphor layer, and at least outside the pixel region A part of the surface of the sensor panel and a surface and side surfaces of the repaired phosphor layer are collectively covered with the phosphor protective member, and a part of the surface of the sensor panel outside the pixel region is covered. The manufacturing method of the radiation detection apparatus of Claim 17 which further has the process which adhere | attaches again the said fluorescent substance protection member with the said adhesive member. 支持部材上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、
少なくとも前記支持部材の前記蛍光体層が設けられた表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護層を用いて一括で被覆し、前記支持時部材の前記表面の一部と前記蛍光体保護層とを接着部材で接着する工程と、
を有するシンチレータパネルの製造方法。
Providing a phosphor layer on the support member that converts radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element;
At least a part of the surface of the support member on which the phosphor layer is provided and the surface and side surfaces of the phosphor layer are collectively covered with a phosphor protective layer having a non-adhesive surface, and the support Adhering a part of the surface of the time member and the phosphor protective layer with an adhesive member;
A method of manufacturing a scintillator panel having
前記蛍光体層に欠陥が発見された場合に前記接着部材による前記接着を解消することにより前記蛍光体保護層を剥離する工程と、前記蛍光体層を修理する工程と、少なくとも前記支持部材の前記表面の一部と、修理された前記蛍光体層の表面及び側面とを、前記蛍光体保護層を用いて一括で被覆し、前記支持部材の前記表面の一部と前記蛍光体保護層とを前記接着部材で再度接着する工程と、を更に有する請求項19に記載のシンチレータパネルの製造方法。   A step of removing the phosphor protective layer by removing the adhesion by the adhesive member when a defect is found in the phosphor layer, a step of repairing the phosphor layer, and at least the support member A part of the surface and the surface and side surfaces of the repaired phosphor layer are collectively covered with the phosphor protective layer, and the part of the surface of the support member and the phosphor protective layer are covered. The method for manufacturing a scintillator panel according to claim 19, further comprising the step of re-adhering with the adhesive member.
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