JP6373624B2

JP6373624B2 - Array substrate, radiation detector, and method of manufacturing radiation detector

Info

Publication number: JP6373624B2
Application number: JP2014078632A
Authority: JP
Inventors: 勇一榛葉
Original assignee: Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
Current assignee: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date: 2014-04-07
Filing date: 2014-04-07
Publication date: 2018-08-15
Anticipated expiration: 2034-04-07
Also published as: JP2015201509A

Description

本発明の実施形態は、アレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to an array substrate, a radiation detector, and a method for manufacturing the radiation detector.

放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器においては、Ｘ線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換し、この蛍光をアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)フォトダイオード、あるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子を用いて信号電荷に変換することでＸ線画像を取得している。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層の上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、シンチレータ層と反射層は、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）などからなる場合には、湿度などによる特性劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部をアレイ基板と接着する構造が提案されている。シンチレータ層と反射層とをハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域とを接着すれば、高い防湿性能を得ることができる。
ここで、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域とを接着する際には、防湿体のつば部とアレイ基板の周縁領域との間に設けられた紫外線硬化型の接着剤にアレイ基板の裏面側から紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤を硬化させるようにしている。
ところが、アレイ基板の周縁領域には、光電変換素子に接続された複数の引き出し配線が設けられている。光電変換素子に接続された複数の引き出し配線は、金属から形成されているため、アレイ基板の裏面側から照射された紫外線が遮蔽されることになる。
そのため、紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じて、接着層に対する信頼性（例えば、接着強度や防湿性など）が低下するおそれがある。
この場合、配線の幅寸法を短くすれば、紫外線の透過量を増やすことができる。
しかしながら、単に、配線の幅寸法を短くすれば、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。 An example of the radiation detector is an X-ray detector. In an X-ray detector, X-rays are converted into visible light, that is, fluorescence by a scintillator layer, and this fluorescence is signaled using a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or a CCD (Charge Coupled Device). An X-ray image is acquired by converting the charge.
In some cases, a reflective layer is further provided on the scintillator layer in order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics.
Here, it is necessary to isolate the scintillator layer and the reflective layer from the external atmosphere in order to suppress deterioration of characteristics due to water vapor and the like. In particular, when the scintillator layer is made of CsI (cesium iodide): Tl (thallium), CsI: Na (sodium), or the like, there is a risk that characteristic deterioration due to humidity or the like is increased.
Therefore, as a structure capable of obtaining a high moisture-proof performance, a structure in which the scintillator layer and the reflective layer are covered with a hat-shaped moisture-proof body and the collar portion of the moisture-proof body is bonded to the array substrate is proposed. If the scintillator layer and the reflective layer are covered with a hat-shaped moisture-proof body and the collar portion of the moisture-proof body and the peripheral region of the array substrate are bonded, high moisture-proof performance can be obtained.
Here, when the collar portion of the moisture-proof body and the peripheral region of the array substrate are bonded, an ultraviolet curable adhesive provided between the collar portion of the moisture-proof body and the peripheral region of the array substrate is attached to the array substrate. The ultraviolet curable adhesive is cured by irradiating ultraviolet rays from the back side.
However, a plurality of lead wires connected to the photoelectric conversion elements are provided in the peripheral region of the array substrate. Since the plurality of lead wires connected to the photoelectric conversion elements are made of metal, the ultraviolet rays irradiated from the back side of the array substrate are shielded.
Therefore, unevenness in curing of the ultraviolet curable adhesive may occur, and the reliability of the adhesive layer (for example, adhesive strength or moisture resistance) may be reduced.
In this case, if the width dimension of the wiring is shortened, the amount of transmitted ultraviolet light can be increased.
However, if the width dimension of the wiring is simply shortened, the electrical resistance may increase, or disconnection may easily occur during the formation of the wiring pattern.

特開２００９−１２８０２３号公報JP 2009-128023 A

本発明が解決しようとする課題は、接着層に対する信頼性の向上と、アレイ基板の周縁領域に設けられた配線に対する信頼性の向上とを図ることができるアレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Problems to be solved by the present invention include an array substrate, a radiation detector, and a radiation detection capable of improving the reliability of the adhesive layer and improving the reliability of the wiring provided in the peripheral region of the array substrate. It is providing the manufacturing method of a container.

実施形態に係るアレイ基板は、基板と、前記基板に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、前記基板に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータラインと、前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられた複数の光電変換素子と、前記第１の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第１の配線パッドと、前記第２の方向において、前記基板の周縁領域に設けられた複数の第２の配線パッドと、前記複数の制御ラインと、前記複数の第１の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第１の引き出し配線と、前記複数のデータラインと、前記複数の第２の配線パッドと、のそれぞれの間に設けられた第２の引き出し配線と、複数の前記第１の引き出し配線のそれぞれと、それぞれが電気的に接続され、透光性と、導電性とを有する複数の第１の配線と、前記複数の第２の引き出し配線のそれぞれと、それぞれが電気的に接続され、透光性と、導電性とを有する複数の第２の配線と、を備えている。 The array substrate according to the embodiment includes a substrate, a plurality of control lines provided on the substrate and extending in a first direction, and a plurality provided on the substrate and extending in a second direction intersecting the first direction. A plurality of photoelectric conversion elements provided in each of a plurality of regions defined by the plurality of data lines, the plurality of control lines, and the plurality of data lines, and a peripheral edge of the substrate in the first direction. A plurality of first wiring pads provided in a region; a plurality of second wiring pads provided in a peripheral region of the substrate in the second direction; the plurality of control lines; And a second lead provided between each of the plurality of data lines and the plurality of second wiring pads. Wiring and multiple Each of the first lead wirings is electrically connected, and each of the plurality of first wirings having translucency and conductivity, and each of the plurality of second lead wirings, A plurality of second wirings which are electrically connected and have translucency and conductivity.

第１の実施形態に係るアレイ基板２およびＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。1 is a schematic perspective view for illustrating an array substrate 2 and an X-ray detector 1 according to the first embodiment. Ｘ線検出器１の周縁近傍の模式断面図である。2 is a schematic cross-sectional view in the vicinity of the periphery of the X-ray detector 1. FIG. Ｘ線検出器１の模式平面図である。2 is a schematic plan view of the X-ray detector 1. FIG. Ｘ線検出器１の模式側面図である。1 is a schematic side view of an X-ray detector 1. FIG. アレイ基板２の模式平面図である。3 is a schematic plan view of an array substrate 2. FIG. Ｘ線検出器１の回路図である。2 is a circuit diagram of the X-ray detector 1. FIG. Ｘ線検出器１のブロック図である。2 is a block diagram of the X-ray detector 1. FIG. 引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view for illustrating the lead wirings 2g1 and 2g2 and the wirings 20a and 20b. 引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式平面図である。It is a schematic plan view for illustrating the lead wirings 2g1, 2g2 and the wirings 20a, 20b. （ａ）〜（ｄ）は、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の他の配設形態を例示するための模式断面図である。(A)-(d) is a schematic cross section for demonstrating the other arrangement | positioning form of wiring 20a, 20b and extraction wiring 2g1, 2g2.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
Moreover, the radiation detector according to the embodiment of the present invention can be applied to various types of radiation such as γ rays in addition to X-rays. Here, as an example, a case of X-rays as a representative example of radiation will be described as an example. Therefore, by replacing “X-ray” in the following embodiments with “other radiation”, the present invention can be applied to other radiation.

また、以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線平面センサには、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式がある。
直接変換方式は、入射Ｘ線により光導電膜内部に発生した光導電電荷（信号電荷）を高電界により電荷蓄積用の蓄積キャパシタに直接導く方式である。
間接変換方式は、Ｘ線をシンチレータにより蛍光（可視光）に変換し、蛍光をフォトダイオードなどの光電変換素子により信号電荷に変換し、信号電荷を蓄積キャパシタに導く方式である。
以下においては、一例として、間接変換方式のＸ線検出器１を例示するが、直接変換方式のＸ線検出器にも適用することができる。
また、Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが用途に限定はない。 Moreover, the X-ray detector 1 illustrated below is an X-ray plane sensor that detects an X-ray image that is a radiation image. X-ray flat sensors are roughly classified into direct conversion methods and indirect conversion methods.
The direct conversion method is a method in which photoconductive charge (signal charge) generated inside the photoconductive film by incident X-rays is directly guided to a storage capacitor for charge storage by a high electric field.
The indirect conversion method is a method in which X-rays are converted into fluorescence (visible light) by a scintillator, the fluorescence is converted into signal charges by a photoelectric conversion element such as a photodiode, and the signal charges are led to a storage capacitor.
In the following, an indirect conversion type X-ray detector 1 is illustrated as an example, but the present invention can also be applied to a direct conversion type X-ray detector.
The X-ray detector 1 can be used, for example, for general medical purposes, but the use is not limited.

[第１の実施形態]
図１は、第１の実施形態に係るアレイ基板２およびＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６、防湿体７、および接着層８などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１の周縁近傍の模式断面図である。
図３は、Ｘ線検出器１の模式平面図である。
図４は、Ｘ線検出器１の模式側面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図２〜図４においては、信号処理部３や画像伝送部４などを省いて描いている。
図５は、アレイ基板２の模式平面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図５においては、光電変換部２ｂが設けられた領域６０（有効画素領域）の内部の詳細、引き出し配線２ｇ１（第１の引き出し配線の一例に相当する）、引き出し配線２ｇ２（第２の引き出し配線の一例に相当する）、配線２０ａ（第１の配線の一例に相当する）、および配線２０ｂ（第２の配線の一例に相当する）の詳細、保護層２ｆなどを省いて描いている。
図６は、Ｘ線検出器１の回路図である。 [First embodiment]
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating the array substrate 2 and the X-ray detector 1 according to the first embodiment.
In order to avoid complication, in FIG. 1, the reflection layer 6, the moisture-proof body 7, the adhesive layer 8, and the like are omitted.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view near the periphery of the X-ray detector 1.
FIG. 3 is a schematic plan view of the X-ray detector 1.
FIG. 4 is a schematic side view of the X-ray detector 1.
In order to avoid complication, in FIGS. 2 to 4, the signal processing unit 3 and the image transmission unit 4 are omitted.
FIG. 5 is a schematic plan view of the array substrate 2.
In order to avoid complication, in FIG. 5, the details inside the region 60 (effective pixel region) where the photoelectric conversion unit 2b is provided, corresponding to an example of the lead-out wiring 2g1 (first lead-out wiring). ), Details of the lead wiring 2g2 (corresponding to an example of the second lead wiring), the wiring 20a (corresponding to an example of the first wiring), and the wiring 20b (corresponding to an example of the second wiring), protection It is drawn without the layer 2f.
FIG. 6 is a circuit diagram of the X-ray detector 1.

図１〜図５に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、および接着層８が設けられている。
アレイ基板２は、シンチレータ層５によりＸ線７１から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、配線パッド２ｄ１（第１の配線パッドの一例に相当する）、配線パッド２ｄ２（第２の配線パッドの一例に相当する）、引き出し配線２ｇ１、引き出し配線２ｇ２、配線２０ａおよび配線２０ｂを有する。
基板２ａは、板状を呈し、ガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂが設けられた領域６０は、いわゆる有効画素領域である（図５を参照）。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と複数のデータライン２ｃ２とにより画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。 As shown in FIGS. 1 to 5, the X-ray detector 1 is provided with an array substrate 2, a signal processing unit 3, an image transmission unit 4, a scintillator layer 5, a reflection layer 6, a moisture-proof body 7, and an adhesive layer 8. It has been.
The array substrate 2 converts the fluorescence (visible light) converted from the X-ray 71 by the scintillator layer 5 into an electric signal.
The array substrate 2 includes a substrate 2a, a photoelectric conversion unit 2b, a control line (or gate line) 2c1, a data line (or signal line) 2c2, a wiring pad 2d1 (corresponding to an example of a first wiring pad), and a wiring pad 2d2. (Corresponding to an example of a second wiring pad), a lead wiring 2g1, a lead wiring 2g2, a wiring 20a, and a wiring 20b.
The substrate 2a has a plate shape and is made of a translucent material such as glass.
A plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on one surface of the substrate 2a.
The region 60 where the photoelectric conversion unit 2b is provided is a so-called effective pixel region (see FIG. 5).
The photoelectric conversion unit 2b has a rectangular shape and is provided in each of a plurality of regions defined by a plurality of control lines 2c1 and a plurality of data lines 2c2. The plurality of photoelectric conversion units 2b are arranged in a matrix.
One photoelectric conversion unit 2b corresponds to one pixel.

複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる（図６を参照）。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２のそれぞれの下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。 Each of the plurality of photoelectric conversion units 2b is provided with a photoelectric conversion element 2b1 and a thin film transistor (TFT) 2b2 which is a switching element.
In addition, a storage capacitor 2b3 for storing the signal charge converted in the photoelectric conversion element 2b1 can be provided (see FIG. 6). The storage capacitor 2b3 has, for example, a rectangular flat plate shape and can be provided under each thin film transistor 2b2. However, depending on the capacitance of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can also serve as the storage capacitor 2b3.

光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。
図６に示すように、薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。 The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode.
The thin film transistor 2b2 performs switching between accumulation and emission of electric charges generated when fluorescence enters the photoelectric conversion element 2b1. The thin film transistor 2b2 can include a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (P-Si).
As shown in FIG. 6, the thin film transistor 2b2 includes a gate electrode 2b2a, a source electrode 2b2b, and a drain electrode 2b2c. Gate electrode 2b2a of thin film transistor 2b2 is electrically connected to corresponding control line 2c1. The source electrode 2b2b of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding data line 2c2. The drain electrode 2b2c of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding photoelectric conversion element 2b1 and the storage capacitor 2b3.

制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、Ｘ方向（例えば、行方向；第１の方向の一例に相当する）に延びている。
複数の制御ライン２ｃ１は、引き出し配線２ｇ１を介して、基板２ａの周縁領域に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のそれぞれと電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路３１とそれぞれ電気的に接続されている。 A plurality of control lines 2c1 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The control line 2c1 extends in the X direction (for example, the row direction; corresponding to an example of the first direction).
The plurality of control lines 2c1 are electrically connected to each of the plurality of wiring pads 2d1 provided in the peripheral region of the substrate 2a via the lead wiring 2g1. One end of each of a plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2e1 is electrically connected to the plurality of wiring pads 2d1. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed board 2e1 are electrically connected to the control circuit 31 provided on the signal processing unit 3, respectively.

データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、Ｘ方向に直交するＹ方向（例えば、列方向；第２の方向の一例に相当する）に延びている。
複数のデータライン２ｃ２は、引き出し配線２ｇ２を介して、基板２ａの周縁領域に設けられた複数の配線パッド２ｄ２とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた増幅・変換回路３２とそれぞれ電気的に接続されている。 A plurality of data lines 2c2 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The data line 2c2 extends in the Y direction (for example, the column direction; corresponding to an example of the second direction) orthogonal to the X direction.
The plurality of data lines 2c2 are respectively electrically connected to the plurality of wiring pads 2d2 provided in the peripheral area of the substrate 2a through the lead wiring 2g2. One end of each of a plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2e2 is electrically connected to the plurality of wiring pads 2d2. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2e2 are electrically connected to the amplification / conversion circuit 32 provided on the signal processing unit 3, respectively.

複数の引き出し配線２ｇ１は、所定の間隔で設けられた複数の制御ライン２ｃ１をそれぞれ配線パッド２ｄ１に導く。
複数の引き出し配線２ｇ２は、所定の間隔で設けられた複数のデータライン２ｃ２をそれぞれ配線パッド２ｄ２に導く。
複数の配線２０ａのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ１のそれぞれと電気的に接続されている。
複数の配線２０ａのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ１のそれぞれに沿って設けられている。
複数の配線２０ｂのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ２のそれぞれと電気的に接続されている。
複数の配線２０ｂのそれぞれは、複数の引き出し配線２ｇ２のそれぞれに沿って設けられている。
制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。
配線２０ａ、２０ｂは、透光性と、導電性とを有する材料から形成されている。
配線２０ａ、２０ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；tin-doped indium oxide）や酸化亜鉛などの透明電極材料から形成することができる。
なお、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂに関する詳細は後述する。 The plurality of lead wirings 2g1 guide the plurality of control lines 2c1 provided at predetermined intervals to the wiring pads 2d1, respectively.
The plurality of lead wirings 2g2 guide the plurality of data lines 2c2 provided at predetermined intervals to the wiring pads 2d2, respectively.
Each of the plurality of wirings 20a is electrically connected to each of the plurality of lead wirings 2g1.
Each of the plurality of wirings 20a is provided along each of the plurality of lead wirings 2g1.
Each of the plurality of wirings 20b is electrically connected to each of the plurality of lead wirings 2g2.
Each of the plurality of wirings 20b is provided along each of the plurality of lead wirings 2g2.
The control line 2c1, the data line 2c2, and the lead lines 2g1 and 2g2 are formed using a low resistance metal such as aluminum or chromium.
The wirings 20a and 20b are formed of a material having translucency and conductivity.
The wirings 20a and 20b can be formed from, for example, a transparent electrode material such as indium tin oxide (ITO) or zinc oxide.
Details regarding the lead wires 2g1 and 2g2 and the wires 20a and 20b will be described later.

保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂなどを覆っている（図２を参照）。
保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。
酸化物絶縁材料は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウムなどである。
窒化物絶縁材料は、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどである。
酸窒化物絶縁材料は、例えば、酸窒化シリコンなどである。
樹脂材料は、例えば、アクリル系樹脂などである。 The protective layer 2f covers the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, the data line 2c2, the lead-out wirings 2g1 and 2g2, and the wirings 20a and 20b (see FIG. 2).
The protective layer 2f includes, for example, at least one of an oxide insulating material, a nitride insulating material, an oxynitride insulating material, and a resin material.
Examples of the oxide insulating material include silicon oxide and aluminum oxide.
Examples of the nitride insulating material include silicon nitride and aluminum nitride.
The oxynitride insulating material is, for example, silicon oxynitride.
The resin material is, for example, an acrylic resin.

シンチレータ層５は、光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線７１を蛍光すなわち可視光に変換する。シンチレータ層５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域６０を覆うように設けられている。
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、柱状結晶の集合体が形成されるようにすることができる。 The scintillator layer 5 is provided on the photoelectric conversion element 2b1, and converts incident X-rays 71 into fluorescence, that is, visible light. The scintillator layer 5 is provided so as to cover the region 60 provided with the plurality of photoelectric conversion units 2b on the substrate 2a.
The scintillator layer 5 can be formed using, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl) or sodium iodide (NaI): thallium (Tl). In this case, an aggregate of columnar crystals can be formed using a vacuum deposition method or the like.

反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。
反射層６は、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線７１の入射面側）の面を覆うように設けられている。
反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することもできる。
また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。 The reflective layer 6 is provided in order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics. In other words, the reflection layer 6 reflects the light emitted from the scintillator layer 5 toward the side opposite to the side where the photoelectric conversion unit 2b is provided, and is directed toward the photoelectric conversion unit 2b.
The reflection layer 6 is provided so as to cover the surface of the scintillator layer 5 on the surface side (incident surface side of the X-ray 71).
The reflective layer 6 can be formed, for example, by forming a layer made of a metal having a high light reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator layer 5. The reflective layer 6 can also be formed by applying a resin containing light scattering particles such as titanium oxide (TiO ₂ ) on the scintillator layer 5.
Moreover, the reflective layer 6 can also be formed using the board which the surface consists of a metal with high light reflectivity, such as a silver alloy and aluminum, for example.

なお、図２に例示をした反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成されたものである。 The reflective layer 6 illustrated in FIG. 2 is obtained by applying a material prepared by mixing a submicron powder made of titanium oxide, a binder resin, and a solvent onto the scintillator layer 5 and drying it. It is formed.

防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層５および反射層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
図４に示すように、防湿体７は、ハット形状を呈し、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば（鍔）部７ｃを有する。
防湿体７は、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば部７ｃが一体成形されたものとすることができる。 The moisture-proof body 7 is provided in order to suppress deterioration of the characteristics of the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 due to water vapor contained in the air.
As shown in FIG. 4, the moisture-proof body 7 has a hat shape, and has a surface portion 7 a, a peripheral surface portion 7 b, and a collar (ridge) portion 7 c.
The moisture-proof body 7 can be formed by integrally forming a surface portion 7a, a peripheral surface portion 7b, and a collar portion 7c.

防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３などのセラミック系材質）層が積層された低透湿防湿材料などから形成することができる。
また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線７１の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線７１の吸収が多くなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。 The moisture-proof body 7 can be formed from a material having a small moisture permeability coefficient.
The moisture-proof body 7 is made of, for example, a low moisture-permeable moisture-proof material in which aluminum, an aluminum alloy, a resin layer, and an inorganic material (light metal such as aluminum, ceramic material such as SiO ₂ , SiON, Al ₂ O ₃ ) are stacked. Can be formed.
Further, the thickness dimension of the moisture-proof body 7 can be determined in consideration of the absorption and rigidity of the X-ray 71. In this case, if the thickness dimension of the moisture-proof body 7 is increased too much, the absorption of the X-rays 71 increases too much. If the thickness dimension of the moisture-proof body 7 is too small, the rigidity is lowered and it is easy to break.
The moisture-proof body 7 can be formed, for example, by press-molding an aluminum foil having a thickness dimension of 0.1 mm.

表面部７ａは、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線７１の入射面側）に対峙している。
周面部７ｂは、表面部７ａの周縁を囲むように設けられている。周面部７ｂは、表面部７ａの周縁から基板２ａに向けて延びている。
表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５と反射層６が設けられる。なお、反射層６が設けられない場合には、表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５が設けられる。表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５との間には隙間があってもよいし、表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５とが接触していてもよい。 The surface portion 7 a faces the surface side of the scintillator layer 5 (incident surface side of the X-ray 71).
The peripheral surface portion 7b is provided so as to surround the periphery of the surface portion 7a. The peripheral surface portion 7b extends from the periphery of the surface portion 7a toward the substrate 2a.
A scintillator layer 5 and a reflective layer 6 are provided inside the space formed by the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b. When the reflective layer 6 is not provided, the scintillator layer 5 is provided in the space formed by the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b. There may be a gap between the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b and the reflective layer 6 or the scintillator layer 5, or the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b and the reflective layer 6 or the scintillator layer 5 are in contact with each other. May be.

つば部７ｃは、周面部７ｂの表面部７ａ側とは反対側の端部を囲むように設けられている。つば部７ｃは、周面部７ｂの端部から外側に向けて延びている。つば部７ｃは、環状を呈し、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側の面と平行となるように設けられている。
つば部７ｃは、接着層８を介して、アレイ基板２の周縁領域に接着されている。
ハット形状の防湿体７を用いるものとすれば、高い防湿性能を得ることが可能となる。この場合、防湿体７はアルミニウムなどから形成されるため、水蒸気の透過は極めて少ないものとなる。 The collar part 7c is provided so that the edge part on the opposite side to the surface part 7a side of the surrounding surface part 7b may be enclosed. The collar part 7c is extended toward the outer side from the edge part of the surrounding surface part 7b. The collar portion 7c has an annular shape and is provided so as to be parallel to the surface of the substrate 2a on the side where the photoelectric conversion portion 2b is provided.
The collar portion 7 c is bonded to the peripheral region of the array substrate 2 through the adhesive layer 8.
If the hat-shaped moisture-proof body 7 is used, high moisture-proof performance can be obtained. In this case, since the moisture-proof body 7 is made of aluminum or the like, the permeation of water vapor is extremely small.

接着層８は、つば部７ｃと、アレイ基板２との間に設けられている。接着層８は、紫外線硬化型の接着剤が硬化することで形成されたものである。
また、接着層８の透湿率（水蒸気の透過率）は、できるだけ小さくなるようにすることが好ましい。この場合、紫外線硬化型の樹脂に無機材質のタルク（滑石：Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_２）を７０重量％以上添加すれば、接着層８の透湿係数を大幅に低減させることができる。 The adhesive layer 8 is provided between the collar portion 7 c and the array substrate 2. The adhesive layer 8 is formed by curing an ultraviolet curable adhesive.
Moreover, it is preferable to make the moisture permeability (water vapor permeability) of the adhesive layer 8 as small as possible. In this case, if 70 wt% or more of inorganic material talc (talc: Mg ₃ Si ₄ O ₁₀ (OH) ₂ ) is added to the ultraviolet curable resin, the moisture permeability coefficient of the adhesive layer 8 can be greatly reduced. it can.

図７は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている（図１を参照）。
図７に示すように、信号処理部３には、制御回路３１と、増幅・変換回路３２とが設けられている。
制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を印加する。
行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに外部からの制御信号Ｓ１を送る。
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換素子２ｂ１からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。 FIG. 7 is a block diagram of the X-ray detector 1.
The signal processing unit 3 is provided on the opposite side of the substrate 2a from the side on which the photoelectric conversion unit 2b is provided (see FIG. 1).
As shown in FIG. 7, the signal processing unit 3 includes a control circuit 31 and an amplification / conversion circuit 32.
The control circuit 31 includes a plurality of gate drivers 31a and a row selection circuit 31b.
The gate driver 31a applies the control signal S1 to the corresponding control line 2c1.
The row selection circuit 31b sends an external control signal S1 to the corresponding gate driver 31a in accordance with the scanning direction of the X-ray image.
For example, the control circuit 31 sequentially applies the control signal S1 to each control line 2c1 via the flexible printed board 2e1 and the control line 2c1. The thin film transistor 2b2 is turned on by the control signal S1 applied to the control line 2c1, and the signal charge (image data signal S2) from the photoelectric conversion element 2b1 can be received.

増幅・変換回路３２は、複数の積分増幅器３２ａと、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂを有する。
積分増幅器３２ａは、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換素子２ｂ１からの画像データ信号Ｓ２を増幅し出力する。積分増幅器３２ａから出力された画像データ信号Ｓ２は、並列／直列変換されてＡ／Ｄ変換器３２ｂに入力される。
Ａ／Ｄ変換器３２ｂは、入力された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。 The amplification / conversion circuit 32 includes a plurality of integrating amplifiers 32a and a plurality of A / D converters 32b.
The integrating amplifier 32a amplifies and outputs the image data signal S2 from each photoelectric conversion element 2b1 via the data line 2c2, the wiring pad 2d2, and the flexible printed board 2e2. The image data signal S2 output from the integrating amplifier 32a is parallel / serial converted and input to the A / D converter 32b.
The A / D converter 32b converts the input image data signal S2 (analog signal) into a digital signal.

画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の増幅・変換回路３２と電気的に接続されている（図１を参照）。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。
画像伝送部４は、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂによりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を合成する。合成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。 The image transmission unit 4 is electrically connected to the amplification / conversion circuit 32 of the signal processing unit 3 through the wiring 4a (see FIG. 1). The image transmission unit 4 may be integrated with the signal processing unit 3.
The image transmission unit 4 synthesizes an X-ray image based on the image data signal S2 converted into a digital signal by the plurality of A / D converters 32b. The combined X-ray image data is output from the image transmission unit 4 to an external device.

次に、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂについてさらに説明する。
図８は、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式断面図である。
なお、図８は、図２におけるＤ−Ｄ線断面図である。
図９は、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２、および配線２０ａ、２０ｂを例示するための模式平面図である。
図２および図３に例示をしたように、アレイ基板２の周縁領域には、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２が設けられている。引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属から形成されている。 Next, the lead wirings 2g1 and 2g2 and the wirings 20a and 20b will be further described.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for illustrating the lead wires 2g1 and 2g2 and the wires 20a and 20b.
8 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
FIG. 9 is a schematic plan view for illustrating the lead wires 2g1 and 2g2 and the wires 20a and 20b.
As illustrated in FIGS. 2 and 3, lead wirings 2 g 1 and 2 g 2 are provided in the peripheral region of the array substrate 2. The lead wires 2g1 and 2g2 are made of a low resistance metal such as aluminum or chromium.

図８に示すように、紫外線硬化型の接着剤を硬化させるために、アレイ基板２の裏面側（防湿体７が接着される側とは反対側）から紫外線７０を照射すると、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２に入射した紫外線７０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２により遮蔽される。一方、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に入射した紫外線７０ａは、接着層８に到達できるので、紫外線硬化型の接着剤を硬化させる。 As shown in FIG. 8, when the ultraviolet ray 70 is irradiated from the back side of the array substrate 2 (the side opposite to the side to which the moisture-proof body 7 is bonded) in order to cure the ultraviolet curable adhesive, the lead-out wiring 2g1, The ultraviolet ray 70b incident on 2g2 is shielded by the lead wires 2g1 and 2g2. On the other hand, since the ultraviolet ray 70a incident between the lead-out wirings 2g1 and 2g2 can reach the adhesive layer 8, the ultraviolet curable adhesive is cured.

ここで、図８および図９に示すように、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法をＡ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法をＢ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間の寸法（隙間寸法）をＣとする。
本発明者の得た知見によれば、Ｃ≧Ｂとなるようにすれば、紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。
そのため、接着層８に対する信頼性（例えば、接着強度や防湿性など）を向上させることができる。 Here, as shown in FIGS. 8 and 9, the width dimension of the wirings 20a and 20b is A, the width dimension of the extraction wirings 2g1 and 2g2 is B, and the dimension (gap dimension) between the extraction wirings 2g1 and 2g2 is C. And
According to the knowledge obtained by the present inventor, if C ≧ B, it is possible to suppress unevenness in curing of the ultraviolet curable adhesive.
Therefore, the reliability (for example, adhesive strength, moisture resistance, etc.) for the adhesive layer 8 can be improved.

この場合、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くすれば、紫外線７０ａの透過量を増やすことができる。
しかしながら、単に、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くすれば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。
またさらに、引き出し配線２ｇ１の一端は配線パッド２ｄ１に接続され、引き出し配線２ｇ１の他端は制御ライン２ｃ１に接続されている（例えば、図５を参照）。
そして、配線パッド２ｄ１のピッチ寸法は、制御ライン２ｃ１のピッチ寸法よりも短い。
そのため、配線パッド２ｄ１の近傍においては、引き出し配線２ｇ１が配線パッド２ｄ１のピッチ寸法に合わせて集まっていくため、引き出し配線２ｇ１同士の間の寸法Ｃが小さくなる。
また、引き出し配線２ｇ２の一端は配線パッド２ｄ２に接続され、引き出し配線２ｇ２の他端はデータライン２ｃ２に接続されている。
そして、配線パッド２ｄ２のピッチ寸法は、データライン２ｃ２のピッチ寸法よりも短い。
そのため、配線パッド２ｄ２の近傍においては、引き出し配線２ｇ２が配線パッド２ｄ２のピッチ寸法に合わせて集まっていくため、引き出し配線２ｇ２同士の間の寸法Ｃが小さくなる。
この場合、Ｃ≧Ｂとなるようにすれば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂも短くなることになる。
その結果、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするおそれがある。 In this case, if the width dimension B of the lead-out wirings 2g1 and 2g2 is shortened, the transmission amount of the ultraviolet ray 70a can be increased.
However, simply shortening the width dimension B of the lead-out wirings 2g1 and 2g2 may increase the electrical resistance of the lead-out wirings 2g1 and 2g2, and may easily cause disconnection when forming the wiring pattern.
Furthermore, one end of the lead wiring 2g1 is connected to the wiring pad 2d1, and the other end of the lead wiring 2g1 is connected to the control line 2c1 (see, for example, FIG. 5).
The pitch dimension of the wiring pad 2d1 is shorter than the pitch dimension of the control line 2c1.
Therefore, in the vicinity of the wiring pad 2d1, the lead-out wiring 2g1 gathers in accordance with the pitch dimension of the wiring pad 2d1, and therefore the dimension C between the lead-out wirings 2g1 becomes small.
One end of the lead wiring 2g2 is connected to the wiring pad 2d2, and the other end of the lead wiring 2g2 is connected to the data line 2c2.
The pitch dimension of the wiring pad 2d2 is shorter than the pitch dimension of the data line 2c2.
Therefore, in the vicinity of the wiring pad 2d2, the lead-out wiring 2g2 gathers in accordance with the pitch dimension of the wiring pad 2d2, and therefore the dimension C between the lead-out wirings 2g2 becomes small.
In this case, if C ≧ B, the width dimension B of the lead wirings 2g1 and 2g2 is also shortened.
As a result, the electrical resistance of the lead-out wirings 2g1 and 2g2 may increase, or disconnection may easily occur when forming the wiring pattern.

そこで、本実施の形態に係るアレイ基板２には、透光性と導電性とを有し、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続された配線２０ａ、２０ｂを設けるようにしている。
配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、紫外線７０ａを透過させることができる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂが引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に設けられていても紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。 Therefore, the array substrate 2 according to the present embodiment is provided with wirings 20a and 20b that have translucency and conductivity and are electrically connected to the lead-out wirings 2g1 and 2g2.
Since the wirings 20a and 20b have translucency, the ultraviolet rays 70a can be transmitted.
Therefore, even if the wirings 20a and 20b are provided between the lead-out wirings 2g1 and 2g2, it is possible to suppress unevenness in curing of the ultraviolet curable adhesive.

また、配線２０ａ、２０ｂは、導電性を有し、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続されている。
そのため、紫外線７０ａの透過量を考慮して引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法Ｂを短くしても、電気抵抗が高くなったり、配線パターンの形成時に断線が発生し易くなったりするのを抑制することができる。 Further, the wirings 20a and 20b have conductivity and are electrically connected to the lead wirings 2g1 and 2g2.
For this reason, even if the width B of the lead-out wirings 2g1 and 2g2 is shortened in consideration of the transmission amount of the ultraviolet ray 70a, it is possible to prevent the electrical resistance from being increased or the disconnection from being easily generated when the wiring pattern is formed. be able to.

また、配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、配線２０ａ、２０ｂ同士が電気的に接触（短絡）しない範囲とすることができる。
この場合、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａを長くすれば、電気抵抗の低減や、断線の抑制を図ることができる。
ただし、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａを長くすると、配線２０ａ、２０ｂ同士の間の隙間寸法が短くなるので、配線２０ａ、２０ｂの形成が難しくなる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、電気抵抗の低減や、断線の抑制などとともに、配線２０ａ、２０ｂに対する生産性をも考慮して決定することが好ましい。 Moreover, since the wirings 20a and 20b have translucency, the width dimension A of the wirings 20a and 20b can be set in a range in which the wirings 20a and 20b do not come into electrical contact (short circuit).
In this case, if the width dimension A of the wirings 20a and 20b is increased, the electrical resistance can be reduced and disconnection can be suppressed.
However, if the width dimension A of the wirings 20a and 20b is increased, the gap dimension between the wirings 20a and 20b is shortened, so that it is difficult to form the wirings 20a and 20b.
Therefore, the width A of the wirings 20a and 20b is preferably determined in consideration of productivity of the wirings 20a and 20b as well as reduction of electric resistance and suppression of disconnection.

なお、図８および図９においては、配線２０ａ、２０ｂの上に積層された引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を例示したが、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の配設形態はこれに限定されるわけではない。
図１０（ａ）〜（ｄ）は、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の他の配設形態を例示するための模式断面図である。
例えば、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の上に積層されているようにすることもできる。
この場合、図１０（ａ）に示すように、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を覆うように設けることができる。
また、配線２０ａ、２０ｂの側面と、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の側面とが接触するように、配線２０ａ、２０ｂと引き出し配線２ｇ１、２ｇ２を設けることができる。
この場合、図１０（ｂ）に示すように、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の両側に配線２０ａ、２０ｂを設けることができる。
また、図１０（ｃ）、（ｄ）に示すように、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の片側に配線２０ａ、２０ｂを設けることもできる。 8 and 9 exemplify the lead wires 2g1 and 2g2 stacked on the wires 20a and 20b. However, the arrangement of the wires 20a and 20b and the lead wires 2g1 and 2g2 is limited to this. Do not mean.
10A to 10D are schematic cross-sectional views for illustrating other arrangement forms of the wirings 20a and 20b and the lead wirings 2g1 and 2g2.
For example, the wirings 20a and 20b can be stacked on the lead wirings 2g1 and 2g2.
In this case, as shown in FIG. 10A, the wires 20a and 20b can be provided so as to cover the lead wires 2g1 and 2g2.
Further, the wirings 20a and 20b and the lead wires 2g1 and 2g2 can be provided so that the side surfaces of the wires 20a and 20b and the side surfaces of the lead wires 2g1 and 2g2 are in contact with each other.
In this case, as shown in FIG. 10B, wirings 20a and 20b can be provided on both sides of the lead wirings 2g1 and 2g2.
Further, as shown in FIGS. 10C and 10D, wirings 20a and 20b can be provided on one side of the lead wirings 2g1 and 2g2.

また、以上においては、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属から形成された引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、透光性と導電性とを有する材料（例えば、酸化インジウムスズ）から形成された配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に直接接続される場合を例示したがこれに限定されるわけではない。
導電部材を介して、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に接続されていてもよい。
例えば、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、窒化シリコンなどからなる絶縁膜と、配線２０ａ、２０ｂとが積層され、コンタクトホールおよびパッド部分の導電部材を介して、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と、配線２０ａ、２０ｂとが、電気的に接続されていてもよい。
すなわち、配線２０ａ、２０ｂは、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２と電気的に接続されるように設けられていればよい。 In the above, the lead wires 2g1 and 2g2 formed of a low resistance metal such as aluminum or chromium, and the wires 20a and 20b formed of a material having translucency and conductivity (for example, indium tin oxide). However, the present invention is not limited to this.
The lead-out wirings 2g1 and 2g2 and the wirings 20a and 20b may be electrically connected via a conductive member.
For example, the lead wires 2g1 and 2g2, an insulating film made of silicon nitride and the like, and the wires 20a and 20b are stacked, and the lead wires 2g1 and 2g2 and the wires 20a and 20b are interposed via the contact holes and the conductive members of the pad portions. And may be electrically connected.
That is, the wirings 20a and 20b may be provided so as to be electrically connected to the lead wirings 2g1 and 2g2.

[第２の実施形態]
次に、第２の実施形態に係る放射線検出器の製造方法について例示する。
Ｘ線検出器１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、基板２ａ上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、引き出し配線２ｇ１、引き出し配線２ｇ２、配線２０ａ、配線２０ｂ、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆなどを順次形成してアレイ基板２を作成する。
アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。 [Second Embodiment]
Next, a method for manufacturing a radiation detector according to the second embodiment is illustrated.
The X-ray detector 1 can be manufactured as follows, for example.
First, the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, the data line 2c2, the lead wiring 2g1, the lead wiring 2g2, the wiring 20a, the wiring 20b, the wiring pad 2d1, the wiring pad 2d2, and the protective layer 2f are sequentially formed on the substrate 2a. Thus, the array substrate 2 is created.
The array substrate 2 can be formed using, for example, a semiconductor manufacturing process.

この場合、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および引き出し配線２ｇ１、２ｇ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成する。
配線２０ａ、２０ｂは、透光性と、導電性とを有する材料から形成する。
配線２０ａ、２０ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；tin-doped indium oxide）や酸化亜鉛などの透明電極材料から形成することができる。
また、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法をＡ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２の幅寸法をＢ、引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間の寸法（隙間寸法）をＣとした場合、Ｃ≧Ｂとなるようにする。
この場合、配線２０ａ、２０ｂの幅寸法Ａは、配線２０ａ、２０ｂ同士が電気的に接触（短絡）しない範囲とすることができる。 In this case, the control line 2c1, the data line 2c2, and the lead wires 2g1 and 2g2 are formed using a low resistance metal such as aluminum or chromium.
The wirings 20a and 20b are formed from a material having translucency and conductivity.
The wirings 20a and 20b can be formed from, for example, a transparent electrode material such as indium tin oxide (ITO) or zinc oxide.
Further, assuming that the width dimension of the wirings 20a and 20b is A, the width dimension of the lead-out wirings 2g1 and 2g2 is B, and the dimension (gap dimension) between the lead-out wirings 2g1 and 2g2 is C, C ≧ B. To do.
In this case, the width dimension A of the wirings 20a and 20b can be set within a range in which the wirings 20a and 20b do not come into electrical contact (short circuit).

次に、アレイ基板２上の複数の光電変換部２ｂが形成された領域６０を覆うようにシンチレータ層５を形成する。シンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム：タリウムからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。 Next, the scintillator layer 5 is formed so as to cover the region 60 on the array substrate 2 where the plurality of photoelectric conversion units 2b are formed. The scintillator layer 5 can be formed, for example, by forming a film made of cesium iodide: thallium using a vacuum deposition method or the like. In this case, the thickness dimension of the scintillator layer 5 can be about 600 μm. The column dimension of the columnar crystal can be about 8 to 12 μm on the outermost surface.

次に、シンチレータ層５を覆うようにして反射層６を形成する。反射層６は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。 Next, the reflective layer 6 is formed so as to cover the scintillator layer 5. The reflective layer 6 can be formed, for example, by applying a material prepared by mixing a submicron powder made of titanium oxide, a binder resin, and a solvent onto the scintillator layer 5 and drying it.

次に、アレイ基板２上にハット形状の防湿体７を紫外線硬化型の接着剤を用いて接着し、防湿体７と接着層８によりシンチレータ層５と反射層６を封止する。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成したものとすることができる。また、つば部７ｃの幅寸法Ｗ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
紫外線硬化型の接着剤の硬化は、アレイ基板２の裏面側から紫外線７０を照射することで行う。
紫外線硬化型の接着剤が硬化することで、接着層８が形成される。
ここで、配線２０ａ、２０ｂは透光性を有しているので、紫外線７０ａを透過させることができる。
そのため、配線２０ａ、２０ｂが引き出し配線２ｇ１、２ｇ２同士の間に設けられていても紫外線硬化型の接着剤の硬化にむらが生じるのを抑制することができる。 Next, a hat-shaped moisture-proof body 7 is bonded onto the array substrate 2 using an ultraviolet curable adhesive, and the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 are sealed with the moisture-proof body 7 and the adhesive layer 8.
For example, the moisture-proof body 7 can be formed by press-molding an aluminum foil having a thickness dimension of 0.1 mm. Moreover, the width dimension W1 of the collar part 7c can be 2 mm, for example.
The ultraviolet curable adhesive is cured by irradiating ultraviolet rays 70 from the back side of the array substrate 2.
The adhesive layer 8 is formed by curing the ultraviolet curable adhesive.
Here, since the wirings 20a and 20b have translucency, the ultraviolet rays 70a can be transmitted.
Therefore, even if the wirings 20a and 20b are provided between the lead-out wirings 2g1 and 2g2, it is possible to suppress unevenness in curing of the ultraviolet curable adhesive.

次に、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２を介して、アレイ基板２と信号処理部３を電気的に接続する。
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。 Next, the array substrate 2 and the signal processing unit 3 are electrically connected via the flexible printed boards 2e1 and 2e2.
Further, the signal processing unit 3 and the image transmission unit 4 are electrically connected through the wiring 4a.
In addition, circuit components and the like are mounted as appropriate.

次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを行う。
以上のようにして、Ｘ線検出器１を製造することができる。 Next, the array substrate 2, the signal processing unit 3, the image transmission unit 4, and the like are stored in a housing (not shown).
Then, as necessary, an electrical test, an X-ray image test, a high-temperature and high-humidity test, a cooling / heating cycle test, and the like for confirming whether there is an abnormality in the photoelectric conversion element 2b1 or an electrical connection are performed.
The X-ray detector 1 can be manufactured as described above.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was illustrated, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and equivalents thereof. Further, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.

１Ｘ線検出器、２アレイ基板、２ａ基板、２ｂ光電変換部、２ｃ１制御ライン、２ｃ２データライン、２ｄ１配線パッド、２ｄ２配線パッド、２ｇ１引き出し配線、２ｇ２引き出し配線、３信号処理部、４画像伝送部、５シンチレータ層、６反射層、７防湿体、８接着層、２０ａ配線、２０ｂ配線 1 X-ray detector, 2 array substrate, 2a substrate, 2b photoelectric conversion unit, 2c1 control line, 2c2 data line, 2d1 wiring pad, 2d2 wiring pad, 2g1 lead-out wiring, 2g2 lead-out wiring, 3 signal processing unit, 4 image transmission 5, scintillator layer, 6 reflective layer, 7 moisture barrier, 8 adhesive layer, 20a wiring, 20b wiring

Claims

A substrate,
A plurality of control lines provided on the substrate and extending in a first direction;
A plurality of data lines provided on the substrate and extending in a second direction intersecting the first direction;
A plurality of photoelectric conversion elements provided in each of a plurality of regions defined by the plurality of control lines and the plurality of data lines;
A plurality of first wiring pads provided in a peripheral region of the substrate in the first direction;
A plurality of second wiring pads provided in a peripheral region of the substrate in the second direction;
A first lead wiring provided between each of the plurality of control lines and the plurality of first wiring pads;
A second lead wiring provided between each of the plurality of data lines and the plurality of second wiring pads;
Each of the plurality of first lead wirings, a plurality of first wirings that are electrically connected to each other and have translucency and conductivity,
Each of the plurality of second lead wirings, a plurality of second wirings that are electrically connected, have translucency and conductivity,
An array substrate comprising:

The dimension between the first lead wires is equal to or greater than the width of the first lead wires,
The array substrate according to claim 1, wherein a dimension between the second lead wirings is equal to or greater than a width dimension of the second lead wirings.

Each of the plurality of first wires is provided along each of the plurality of first lead wires,
The array substrate according to claim 1, wherein each of the plurality of second wirings is provided along each of the plurality of second lead wirings.

The array substrate according to any one of claims 1 to 3,
A scintillator layer that is provided on a region of the array substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are provided, and converts radiation into fluorescence;
A moisture-proof body having an annular collar protruding toward the outside of the scintillator layer and covering the scintillator layer;
An adhesive layer provided between the collar portion and the array substrate;
With
The adhesive layer is a radiation detector that covers at least a part of the plurality of first lead wires and the plurality of second lead wires provided on the array substrate.

Forming the array substrate according to any one of claims 1 to 3,
Forming a scintillator layer for converting radiation into fluorescence on the array substrate;
Adhering a moisture-proof body covering the scintillator layer to the array substrate using an ultraviolet curable adhesive, having an annular collar protruding toward the outside of the scintillator layer;
With
In the step of bonding the moisture-proof body to the array substrate,
Applying the ultraviolet curable adhesive to the peripheral area of the array substrate,
A method for manufacturing a radiation detector, wherein the ultraviolet curable adhesive is irradiated with ultraviolet rays from a side of the array substrate opposite to a side to which the moisture-proof body is bonded.