JP2015021898A

JP2015021898A - Radiation detector and manufacturing method of the same

Info

Publication number: JP2015021898A
Application number: JP2013151933A
Authority: JP
Inventors: 克久本間; Katsuhisa Honma
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date: 2013-07-22
Filing date: 2013-07-22
Publication date: 2015-02-02

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector capable of achieving space-saving and improving moisture-proof performance and a manufacturing method of the same.SOLUTION: A radiation detector includes: an array substrate having a substrate and photoelectric conversion elements provided on one surface of the substrate; a scintillator layer that is provided on the photoelectric conversion elements and converts a radioactive ray into fluorescent light; a moisture-proof body covering the scintillator layer; and a side surface moisture barrier layer that is provided between the side surface of the scintillator layer and the moisture-proof body and encapsulates the scintillator layer with the moisture-proof body.

Description

本発明の実施形態は、放射線検出器及びその製造方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a radiation detector and a manufacturing method thereof.

放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器においては、Ｘ線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換し、この蛍光をアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)フォトダイオード、あるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子を用いて信号電荷に変換することでＸ線画像を取得している。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、シンチレータ層と反射層は、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）膜やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）膜などからなる場合には、湿度などによる特性劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、ポリパラキシリレンからなる膜でシンチレータ層と反射層を覆ったり、シンチレータ層の周囲を囲う包囲部材と包囲部材上に設けられたカバーとを用いてシンチレータ層を封止する技術が提案されている。
また、さらに高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部を基板と接着する構造が提案されている。
シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば部を基板と接着すれば、前述した他の防湿構造に比べて高い防湿性能を得ることができる。
ここで、ハット形状の防湿体のつば部と基板との封止性を確保し、且つ高い信頼性を得るためには、防湿体のつば部の幅寸法を長くすることが好ましい。
ところが、防湿体のつば部の幅寸法を長くすると、防湿体の周囲に余分なスペースが必要となる。
また、防湿体のつば部から外側にはみ出す接着剤の量を制御することは困難である。この場合、フレキシブルプリント基板などと電気的に接続される配線パッドは、はみ出した接着剤の領域のさらに外側に設ける必要がある。
そのため、防湿体のつば部の幅寸法を長くし、接着剤がはみ出す領域を確保しようとすると、有効画素エリアの周辺に設けることが必要となる領域の寸法が増加し、ひいては放射線検出器の寸法の増加や重量の増加を招くおそれがある。 An example of the radiation detector is an X-ray detector. In an X-ray detector, X-rays are converted into visible light, that is, fluorescence by a scintillator layer, and this fluorescence is signaled using a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or a CCD (Charge Coupled Device). An X-ray image is acquired by converting the charge.
In some cases, a reflective layer is further provided on the scintillator layer in order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics.
Here, it is necessary to isolate the scintillator layer and the reflective layer from the external atmosphere in order to suppress deterioration of characteristics due to water vapor and the like. In particular, when the scintillator layer is made of a CsI (cesium iodide): Tl (thallium) film, a CsI: Na (sodium) film, or the like, characteristic deterioration due to humidity or the like may increase.
Therefore, a technique has been proposed in which the scintillator layer and the reflective layer are covered with a film made of polyparaxylylene, or the scintillator layer is sealed using a surrounding member surrounding the scintillator layer and a cover provided on the surrounding member. ing.
Further, as a structure capable of obtaining even higher moisture-proof performance, a structure in which the scintillator layer and the reflective layer are covered with a hat-shaped moisture-proof body, and the collar portion of the moisture-proof body is bonded to the substrate has been proposed.
If the scintillator layer and the reflective layer are covered with a hat-shaped moisture-proof body and the collar portion of the moisture-proof body is bonded to the substrate, a higher moisture-proof performance can be obtained compared to the other moisture-proof structures described above.
Here, in order to secure the sealing property between the collar portion of the hat-shaped moisture-proof body and the substrate and to obtain high reliability, it is preferable to increase the width dimension of the collar portion of the moisture-proof body.
However, if the width dimension of the collar portion of the moisture-proof body is increased, an extra space is required around the moisture-proof body.
In addition, it is difficult to control the amount of adhesive that protrudes outward from the collar portion of the moisture-proof body. In this case, the wiring pads that are electrically connected to the flexible printed circuit board or the like need to be provided further outside the protruding adhesive region.
Therefore, if the width of the collar of the moisture-proof body is increased to secure an area where the adhesive protrudes, the dimension of the area that needs to be provided around the effective pixel area increases, and thus the dimensions of the radiation detector. May increase the weight and weight.

米国特許第６２６２４２２号明細書US Pat. No. 6,262,422 特開平０５−２４２８４７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 05-242847 特開２００９−１２８０２３号公報JP 2009-128023 A

本発明が解決しようとする課題は、省スペース化と防湿性能の向上とを図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a radiation detector capable of saving space and improving moisture-proof performance and a method for manufacturing the same.

実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の一方の表面に設けられた光電変換素子と、を有するアレイ基板と、前記光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆う防湿体と、前記シンチレータ層の側壁と、前記防湿体と、の間に設けられ、前記防湿体と共に前記シンチレータ層を封止する側面防湿層と、を備えている。 A radiation detector according to an embodiment includes a substrate, an array substrate having a photoelectric conversion element provided on one surface of the substrate, and a scintillator that is provided on the photoelectric conversion element and converts radiation into fluorescence. A moisture-proof body that covers the scintillator layer, a side wall of the scintillator layer, and a side moisture-proof layer that seals the scintillator layer together with the moisture-proof body. .

第１の実施形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。1 is a schematic perspective view for illustrating an X-ray detector 1 according to a first embodiment. Ｘ線検出器１の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an X-ray detector 1. FIG. （ａ）は、防湿体７の模式正面図である。（ｂ）は、防湿体７の模式側面図である。(A) is a schematic front view of the moisture-proof body 7. FIG. (B) is a schematic side view of the moisture-proof body 7. 高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における解像度特性の変化を例示するためのグラフ図である。It is a graph for demonstrating the change of the resolution characteristic in a high-temperature, high-humidity environment (60 degreeC-90% RH). 比較例に係るＸ線検出器１１の模式断面図である。It is a schematic cross section of the X-ray detector 11 which concerns on a comparative example. （ａ）は、比較例に係る防湿体１７の模式正面図である。（ｂ）は、比較例に係る防湿体１７の模式側面図である。(A) is a schematic front view of the moisture-proof body 17 which concerns on a comparative example. (B) is a schematic side view of the moisture-proof body 17 according to the comparative example. 他の比較例に係るＸ線検出器２１の模式断面図である。It is a schematic cross section of the X-ray detector 21 which concerns on another comparative example. 高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における解像度特性の変化を例示するためのグラフ図である。It is a graph for demonstrating the change of the resolution characteristic in a high-temperature, high-humidity environment (60 degreeC-90% RH). 側面防湿層８の透湿率を説明するための模式断面図である。3 is a schematic cross-sectional view for explaining a moisture permeability of the side moisture-proof layer 8. FIG. 他の実施形態に係るＸ線検出器１ａを例示するための模式斜視図である。It is a model perspective view for illustrating X-ray detector 1a concerning other embodiments. 本実施の形態に係る側面防湿層８の形成において用いるトレイ（治具）１００を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating tray (jig) 100 used in formation of side moisture-proof layer 8 concerning this embodiment.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
Moreover, the radiation detector according to the embodiment of the present invention can be applied to various types of radiation such as γ rays in addition to X-rays. Here, as an example, a case of X-rays as a representative example of radiation will be described as an example. Therefore, by replacing “X-ray” in the following embodiments with “other radiation”, the present invention can be applied to other radiation.

[第１の実施形態]
まず、第１の実施形態に係るＸ線検出器１について例示をする。
図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６や防湿体７などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１の模式断面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図２においては、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、信号処理部３、画像伝送部４などを省いて描いている。
図３（ａ）は、防湿体７の模式正面図である。
図３（ｂ）は、防湿体７の模式側面図である。
放射線検出器であるＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができる。 [First embodiment]
First, the X-ray detector 1 according to the first embodiment is illustrated.
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating the X-ray detector 1 according to the first embodiment.
In order to avoid complication, in FIG. 1, the reflection layer 6 and the moisture-proof body 7 are omitted.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the X-ray detector 1.
In FIG. 2, the control line 2c1, the data line 2c2, the signal processing unit 3, the image transmission unit 4, and the like are omitted in order to avoid complication.
FIG. 3A is a schematic front view of the moisture-proof body 7.
FIG. 3B is a schematic side view of the moisture-proof body 7.
The X-ray detector 1 that is a radiation detector is an X-ray flat sensor that detects an X-ray image that is a radiation image. The X-ray detector 1 can be used for general medical purposes, for example.

図１および図２に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、および側面防湿層８が設けられている。
アレイ基板２は、シンチレータ層５によりＸ線から変換された可視光（蛍光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、および保護層２ｆを有する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the X-ray detector 1 includes an array substrate 2, a signal processing unit 3, an image transmission unit 4, a scintillator layer 5, a reflective layer 6, a moisture-proof body 7, and a side moisture-proof layer 8. Is provided.
The array substrate 2 converts visible light (fluorescence) converted from X-rays by the scintillator layer 5 into an electrical signal.
The array substrate 2 includes a substrate 2a, a photoelectric conversion unit 2b, a control line (or gate line) 2c1, a data line (or signal line) 2c2, and a protective layer 2f.

基板２ａは、板状を呈し、ガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とで画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。 The substrate 2a has a plate shape and is made of a translucent material such as glass.
A plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on one surface of the substrate 2a.
The photoelectric conversion unit 2b has a rectangular shape and is provided in a region defined by the control line 2c1 and the data line 2c2. The plurality of photoelectric conversion units 2b are arranged in a matrix.
One photoelectric conversion unit 2b corresponds to one pixel.

複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。図示しない蓄積キャパシタは、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が図示しない蓄積キャパシタを兼ねることができる。 Each of the plurality of photoelectric conversion units 2b is provided with a photoelectric conversion element 2b1 and a thin film transistor (TFT) 2b2 which is a switching element.
In addition, a storage capacitor (not shown) that stores the signal charge converted in the photoelectric conversion element 2b1 can be provided. The storage capacitor (not shown) has, for example, a rectangular flat plate shape and can be provided under each thin film transistor 2b2. However, depending on the capacitance of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can also serve as a storage capacitor (not shown).

光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極は、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極は、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極は、対応する光電変換素子２ｂ１と図示しない蓄積キャパシタとに電気的に接続される。 The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode.
The thin film transistor 2b2 performs switching between accumulation and emission of electric charges generated when fluorescence enters the photoelectric conversion element 2b1. The thin film transistor 2b2 can include a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (P-Si). The thin film transistor 2b2 has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The gate electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding control line 2c1. The source electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding data line 2c2. The drain electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding photoelectric conversion element 2b1 and a storage capacitor (not shown).

制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、第１の方向（例えば、行方向）に延びている。
複数の制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない制御回路とそれぞれ電気的に接続されている。 A plurality of control lines 2c1 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The control line 2c1 extends in the first direction (for example, the row direction).
The plurality of control lines 2c1 are electrically connected to the plurality of wiring pads 2d1 provided in the vicinity of the periphery of the substrate 2a. One end of each of a plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2e1 is electrically connected to the plurality of wiring pads 2d1. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2e1 are electrically connected to a control circuit (not shown) provided on the signal processing unit 3, respectively.

データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、第１の方向に直交する第２の方向（例えば、列方向）に延びている。
複数のデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない増幅・変換回路とそれぞれ電気的に接続されている。
保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２を覆うように設けられている。
保護層２ｆは、窒化ケイ素（ＳｉＮ）やアクリル系樹脂などの絶縁性材料から形成することができる。 A plurality of data lines 2c2 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The data line 2c2 extends in a second direction (for example, the column direction) orthogonal to the first direction.
The plurality of data lines 2c2 are electrically connected to the plurality of wiring pads 2d2 provided near the periphery of the substrate 2a. One end of each of a plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2e2 is electrically connected to the plurality of wiring pads 2d2. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed board 2e2 are electrically connected to an amplification / conversion circuit (not shown) provided on the signal processing unit 3, respectively.
The protective layer 2f is provided so as to cover the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, and the data line 2c2.
The protective layer 2f can be formed of an insulating material such as silicon nitride (SiN) or acrylic resin.

信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている。
信号処理部３には、図示しない制御回路と、図示しない増幅・変換回路とが設けられている。
図示しない制御回路は、各薄膜トランジスタ２ｂ２の動作、すなわちオン状態およびオフ状態を制御する。例えば、図示しない制御回路は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と配線パッド２ｄ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２が受信できるようになる。 The signal processing unit 3 is provided on the side of the substrate 2a opposite to the side on which the photoelectric conversion unit 2b is provided.
The signal processing unit 3 is provided with a control circuit (not shown) and an amplification / conversion circuit (not shown).
A control circuit (not shown) controls the operation of each thin film transistor 2b2, that is, the on state and the off state. For example, a control circuit (not shown) sequentially applies the control signal S1 to each control line 2c1 via the flexible printed board 2e1, the wiring pad 2d1, and the control line 2c1. The thin film transistor 2b2 is turned on by the control signal S1 applied to the control line 2c1, and the image data signal S2 from the photoelectric conversion unit 2b can be received.

図示しない増幅・変換回路は、例えば、複数の電荷増幅器、並列／直列変換器、およびアナログ−デジタル変換器を有している。
複数の電荷増幅器は、各データライン２ｃ２にそれぞれ電気的に接続されている。
複数の並列／直列変換器は、複数の電荷増幅器にそれぞれ電気的に接続されている。
複数のアナログ−デジタル変換器は、複数の並列／直列変換器にそれぞれ電気的に接続されている。
図示しない複数の電荷増幅器は、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。
そして、図示しない複数の電荷増幅器は、受信した画像データ信号Ｓ２を順次増幅する。
図示しない複数の並列／直列変換器は、増幅された画像データ信号Ｓ２を順次直列信号に変換する。
図示しない複数のアナログ−デジタル変換器は、直列信号に変換された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。 An amplification / conversion circuit (not shown) includes, for example, a plurality of charge amplifiers, a parallel / serial converter, and an analog-digital converter.
The plurality of charge amplifiers are electrically connected to each data line 2c2.
The plurality of parallel / serial converters are electrically connected to the plurality of charge amplifiers, respectively.
The plurality of analog-digital converters are electrically connected to the plurality of parallel / serial converters, respectively.
A plurality of charge amplifiers (not shown) sequentially receive the image data signal S2 from each photoelectric conversion unit 2b via the data line 2c2, the wiring pad 2d2, and the flexible printed board 2e2.
A plurality of charge amplifiers (not shown) sequentially amplify the received image data signal S2.
A plurality of parallel / serial converters (not shown) sequentially convert the amplified image data signal S2 into a serial signal.
A plurality of analog-digital converters (not shown) sequentially convert the image data signal S2 converted into a serial signal into a digital signal.

画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の図示しない増幅・変換回路と電気的に接続されている。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ−デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を構成する。構成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。 The image transmission unit 4 is electrically connected to an amplification / conversion circuit (not shown) of the signal processing unit 3 via a wiring 4a. The image transmission unit 4 may be integrated with the signal processing unit 3. The image transmission unit 4 configures an X-ray image based on the image data signal S2 converted into a digital signal by a plurality of analog-digital converters (not shown). The configured X-ray image data is output from the image transmission unit 4 to an external device.

シンチレータ層５は、光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を可視光すなわち蛍光に変換する。シンチレータ層５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域を覆うように設けられている。
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、柱状結晶の集合体が形成されるようにすることができる。 The scintillator layer 5 is provided on the photoelectric conversion element 2b1, and converts incident X-rays into visible light, that is, fluorescence. The scintillator layer 5 is provided so as to cover a region on the substrate 2a where the plurality of photoelectric conversion units 2b are provided.
The scintillator layer 5 can be formed using, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl) or sodium iodide (NaI): thallium (Tl). In this case, an aggregate of columnar crystals can be formed using a vacuum deposition method or the like.

また、シンチレータ層５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、例えば、以下のようにしてシンチレータ層５を形成することができる。まず、酸硫化ガドリニウムからなる粒子をバインダ材と混合する。次に、混合された材料を、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域を覆うように塗布する。次に、塗布された材料を焼成する。次に、ブレードダイシング法などを用いて、焼成された材料に溝部を形成する。この際、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ層５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。 The scintillator layer 5 can also be formed using, for example, gadolinium oxysulfide (Gd ₂ O ₂ S). In this case, for example, the scintillator layer 5 can be formed as follows. First, particles made of gadolinium oxysulfide are mixed with a binder material. Next, the mixed material is applied so as to cover a region where the plurality of photoelectric conversion units 2b on the substrate 2a are provided. Next, the applied material is baked. Next, a groove is formed in the fired material using a blade dicing method or the like. At this time, a matrix-like groove portion can be formed so that the quadrangular columnar scintillator layer 5 is provided for each of the plurality of photoelectric conversion portions 2b. The groove portion can be filled with air (air) or an inert gas such as nitrogen gas for preventing oxidation. Moreover, you may make it a groove part be in a vacuum state.

なお、図２に例示をしたシンチレータ層５は、ヨウ化セシウム：タリウムからなる蒸着膜の場合である。そのため、シンチレータ層５は、柱状結晶の集合体となっている。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱（ピラー）の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。 In addition, the scintillator layer 5 illustrated in FIG. 2 is a case of a vapor deposition film made of cesium iodide: thallium. Therefore, the scintillator layer 5 is an aggregate of columnar crystals. In this case, the thickness dimension of the scintillator layer 5 can be about 600 μm. The thickness dimension of the pillars (pillars) of the columnar crystals can be about 8 to 12 μm on the outermost surface.

反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。
反射層６は、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）を覆うように設けられている。
反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することもできる。
また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。 The reflective layer 6 is provided in order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics. In other words, the reflection layer 6 reflects the light emitted from the scintillator layer 5 toward the side opposite to the side where the photoelectric conversion unit 2b is provided, and is directed toward the photoelectric conversion unit 2b.
The reflective layer 6 is provided so as to cover the surface side (X-ray incident surface side) of the scintillator layer 5.
The reflective layer 6 can be formed, for example, by applying a resin containing light scattering particles such as titanium oxide (TiO ₂ ) on the scintillator layer 5. The reflective layer 6 can also be formed by depositing a layer made of a metal having a high light reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator layer 5.
Moreover, the reflective layer 6 can also be formed using the board which the surface consists of a metal with high light reflectivity, such as a silver alloy and aluminum, for example.

なお、図２に例示をした反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５の表面側に塗布し、これを乾燥させることで形成されたものである。
この場合、反射層６の厚み寸法は、１５０μｍ程度とすることができる。 2 is applied to the surface side of the scintillator layer 5 by applying a material prepared by mixing a submicron powder made of titanium oxide, a binder resin, and a solvent, and drying it. It is formed by.
In this case, the thickness dimension of the reflective layer 6 can be about 150 μm.

防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層５と反射層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
防湿体７は、シンチレータ層５と反射層６を覆っている。
図２、図３（ａ）、および図３（ｂ）に示すように、防湿体７は、キャップ形状を呈し、表面部７ａと周面部７ｂを有する。
防湿体７は、表面部７ａと周面部７ｂが一体成形されたものとすることができる。 The moisture-proof body 7 is provided in order to suppress deterioration of the characteristics of the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 due to water vapor contained in the air.
The moisture-proof body 7 covers the scintillator layer 5 and the reflective layer 6.
As shown in FIGS. 2, 3 (a), and 3 (b), the moisture-proof body 7 has a cap shape and has a surface portion 7 a and a peripheral surface portion 7 b.
The moisture-proof body 7 can be formed by integrally molding the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b.

表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５と反射層６が設けられる。なお、反射層６が設けられない場合には、表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５が設けられる。表面部７ａと反射層６またはシンチレータ層５との間には隙間があってもよいが、密着している方が好ましい。周面部７ｂと側面防湿層８との間には隙間があってもよいが、密着している方が好ましい。 A scintillator layer 5 and a reflective layer 6 are provided inside the space formed by the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b. When the reflective layer 6 is not provided, the scintillator layer 5 is provided in the space formed by the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b. There may be a gap between the surface portion 7a and the reflective layer 6 or the scintillator layer 5, but it is preferable that the surface portion 7a is in close contact. There may be a gap between the peripheral surface portion 7b and the side moisture-proof layer 8, but it is preferable that the peripheral surface portion 7b and the side moisture-proof layer 8 are in close contact with each other.

防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３などのセラミック系材料）層が積層された低透湿防湿材料などから形成することができる。
この場合、実効的な透湿係数がほとんどゼロであるアルミニウムやアルミニウム合金などを用いて防湿体７を形成すれば、防湿体７を透過する水蒸気をほぼ完全になくすことができる。 The moisture-proof body 7 can be formed from a material having a small moisture permeability coefficient.
The moisture-proof body 7 is made of, for example, a low moisture-permeable and moisture-proof material in which aluminum, an aluminum alloy, a resin layer and an inorganic material (light metal such as aluminum, ceramic material such as SiO ₂ , SiON, Al ₂ O ₃ ) layer are laminated. Can be formed.
In this case, if the moisture-proof body 7 is formed using aluminum, an aluminum alloy or the like whose effective moisture permeability coefficient is almost zero, water vapor that permeates the moisture-proof body 7 can be almost completely eliminated.

また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線の吸収が多くなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。 Further, the thickness dimension of the moisture-proof body 7 can be determined in consideration of X-ray absorption and rigidity. In this case, if the thickness dimension of the moisture-proof body 7 is increased too much, the absorption of X-rays increases too much. If the thickness dimension of the moisture-proof body 7 is too small, the rigidity is lowered and it is easy to break.
The moisture-proof body 7 can be formed, for example, by press-molding an aluminum foil having a thickness dimension of 0.1 mm.

表面部７ａは、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）に対峙している。
周面部７ｂは、一端が表面部７ａに設けられ、シンチレータ層５の側壁を囲んでいる。周面部７ｂは、表面部７ａの周縁から基板２ａに向けて延びている。
周面部７ｂの高さ寸法は、シンチレータ層５の厚み寸法と反射層６の厚み寸法の合計よりも長くなっている。周面部７ｂの高さ寸法は、例えば、１．０ｍｍ程度とすることができる。
周面部７ｂと基板２ａの表面とがなす角度θ１が、シンチレータ層５の側壁と基板２ａの表面とがなす角度θ２よりも小さくなるようにすれば、周面部７ｂの端部とシンチレータ層５の側壁の端部との間の距離Ｌ１を長くすることができる。
距離Ｌ１が長くなれば、防湿性能を高めることができる。
ただし、角度θ１を余り小さくすると、余分なスペースが必要となる。
例えば、角度θ１は、４５°程度とすることができる。 The surface portion 7 a faces the surface side (X-ray incident surface side) of the scintillator layer 5.
One end of the peripheral surface portion 7 b is provided on the surface portion 7 a and surrounds the side wall of the scintillator layer 5. The peripheral surface portion 7b extends from the periphery of the surface portion 7a toward the substrate 2a.
The height dimension of the peripheral surface portion 7 b is longer than the sum of the thickness dimension of the scintillator layer 5 and the thickness dimension of the reflective layer 6. The height dimension of the peripheral surface portion 7b can be set to, for example, about 1.0 mm.
If the angle θ1 formed between the peripheral surface portion 7b and the surface of the substrate 2a is smaller than the angle θ2 formed between the side wall of the scintillator layer 5 and the surface of the substrate 2a, the end portion of the peripheral surface portion 7b and the scintillator layer 5 The distance L1 between the end portions of the side walls can be increased.
If distance L1 becomes long, moisture-proof performance can be improved.
However, if the angle θ1 is too small, an extra space is required.
For example, the angle θ1 can be about 45 °.

側面防湿層８は、シンチレータ層５の側壁側から水蒸気が侵入するのを抑制するために設けられている。
前述したように、防湿体７は、アルミニウムなどから形成されている。そのため、防湿体７を透過する水蒸気は、極めて僅かなものとなる。この場合、水蒸気は、防湿体７の周面部７ｂの端部と、基板２ａの表面との間から、防湿体７の内部に侵入する。
そこで、シンチレータ層５の側壁と、防湿体７の周面部７ｂとの間に側面防湿層８を設けることで、水蒸気がシンチレータ層５の側壁に到達するのを抑制している。
側面防湿層８は、シンチレータ層５の側壁と、防湿体７との間に設けられ、防湿体７と共にシンチレータ層５を封止している。 The side moisture-proof layer 8 is provided to prevent water vapor from entering from the side wall side of the scintillator layer 5.
As described above, the moisture-proof body 7 is made of aluminum or the like. Therefore, the water vapor which permeate | transmits the moisture-proof body 7 becomes very little. In this case, the water vapor enters the moistureproof body 7 from between the end of the peripheral surface portion 7b of the moistureproof body 7 and the surface of the substrate 2a.
Therefore, by providing the side moisture-proof layer 8 between the side wall of the scintillator layer 5 and the peripheral surface portion 7 b of the moisture-proof body 7, water vapor is prevented from reaching the side wall of the scintillator layer 5.
The side moisture-proof layer 8 is provided between the side wall of the scintillator layer 5 and the moisture-proof body 7, and seals the scintillator layer 5 together with the moisture-proof body 7.

側面防湿層８は、例えば、タルク（滑石：Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_２）などからなるフィラー材を含むエポキシ系樹脂から形成することができる。 The side moisture-proof layer 8 can be formed from, for example, an epoxy resin containing a filler material made of talc (talc: Mg ₃ Si ₄ O ₁₀ (OH) ₂ ) or the like.

一般的に、樹脂は、水蒸気を比較的透過させやすい。これは高分子材料の本質であり、分子鎖間の隙間の大きさが水分子（Ｈ_２Ｏ）の大きさに対して大きいからである。
これに対して、樹脂中に、例えば、タルクなどの無機材料からなるフィラー材を所定の量添加すれば、透湿係数を顕著に小さくすることが可能となる。一般的に、タルクなどの無機材料は、原子間の隙間が水分子の大きさに対して小さいからである。 In general, the resin is relatively easy to permeate water vapor. This is the essence of the polymer material because the size of the gap between the molecular chains is larger than the size of the water molecule (H ₂ O).
On the other hand, if a predetermined amount of filler material made of an inorganic material such as talc is added to the resin, the moisture permeability coefficient can be remarkably reduced. This is because, in general, inorganic materials such as talc have a small gap between atoms relative to the size of water molecules.

例えば、タルクなどからなるフィラー材を含むエポキシ系樹脂の高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における透湿係数は、１．５〜２．０ｇ・ｍｍ／（ｍ^２・day）となる。すなわち、タルクなどからなるフィラー材を含むエポキシ系樹脂の透湿係数は、タルクなどからなるフィラー材を含まないエポキシ系樹脂の透湿係数に比べて、２〜４桁程度低くなる。
この場合、タルクなどからなるフィラー材の添加量は、５０重量％以上とすることができる。
側面防湿層８は、タルクなどからなるフィラー材を含むエポキシ系接着剤を硬化させることで形成することができる。なお、側面防湿層８の形成に関する詳細は後述する。 For example, the moisture permeability coefficient of an epoxy resin containing a filler material made of talc or the like in a high temperature and high humidity environment (60 ° C.-90% RH) is 1.5 to 2.0 g · mm / (m ² · day). Become. That is, the moisture permeability coefficient of the epoxy resin containing the filler material made of talc or the like is lower by about 2 to 4 digits than the moisture permeability coefficient of the epoxy resin not containing the filler material made of talc or the like.
In this case, the amount of filler material made of talc or the like can be 50% by weight or more.
The side moisture-proof layer 8 can be formed by curing an epoxy adhesive containing a filler material made of talc or the like. Details regarding the formation of the side moisture-proof layer 8 will be described later.

また、側面防湿層８は、水ガラスなどの無機材料を主要成分とする材料から形成することもできる。
水ガラスなどの無機材料を主要成分とする材料から側面防湿層８を形成しても、透湿係数を小さくすることができる。
すなわち、側面防湿層８は、無機材料を主要成分として含むものであればよい。 Further, the side moisture-proof layer 8 can also be formed from a material mainly composed of an inorganic material such as water glass.
Even if the side moisture-proof layer 8 is formed from a material mainly composed of an inorganic material such as water glass, the moisture permeability coefficient can be reduced.
That is, the side moisture-proof layer 8 only needs to contain an inorganic material as a main component.

図４は、高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における解像度特性の変化を例示するためのグラフ図である。
なお、図４においては、側面防湿層８の材料のみを変え、他の条件は同等としている。側面防湿層８は、エポキシ系樹脂のみからなるもの、タルクなどからなるフィラー材を７０重量％添加したエポキシ系樹脂からなるもの、水ガラスからなるものとした。
また、シンチレータ層５と反射層６とによって得られる解像度特性が、高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における保管時間の経過とともにどのように劣化するかで評価した。
なお、輝度よりも、湿度に対してより敏感な解像度特性により評価することにした。
解像度特性は、解像度チャートを各サンプルの表面側に配し、ＲＱＡ−５相当のＸ線を照射して、裏面側から２Ｌｐ／ｍｍのＣＴＦ（Contrast transfer function）を測定する方法で求めた。 FIG. 4 is a graph for illustrating a change in resolution characteristics under a high temperature and high humidity environment (60 ° C.-90% RH).
In FIG. 4, only the material of the side moisture-proof layer 8 is changed, and other conditions are the same. The side moisture-proof layer 8 was composed of an epoxy resin alone, an epoxy resin added with 70% by weight of a filler material composed of talc, and water glass.
Moreover, it evaluated how the resolution characteristic acquired by the scintillator layer 5 and the reflection layer 6 deteriorates with progress of the storage time in a high-temperature, high-humidity environment (60 degreeC-90% RH).
The evaluation was made based on resolution characteristics that are more sensitive to humidity than to luminance.
The resolution characteristics were obtained by a method in which a resolution chart was placed on the front side of each sample, X-ray equivalent to RQA-5 was irradiated, and a 2 Lp / mm CTF (Contrast transfer function) was measured from the back side.

図４から分かるように、タルクなどからなるフィラー材を添加したエポキシ系樹脂からなるものと、水ガラスからなるものは、解像度特性の劣化を格段に小さくすることができる。
解像度特性の劣化の抑制は、前述した無機材料特有の水蒸気バリア効果によるものである。
すなわち、タルク以外の無機材料を用いるようにしても解像度特性の劣化を抑制することができる。
この場合、樹脂に無機材料を添加する場合には、無機材料は、樹脂との親和性や安定性を考慮して選定することができる。
また、無機材料からなる側面防湿層８とする場合には、無機材料は、シンチレータ層５との親和性や、シンチレータ層５の材料と反応を生じない（シンチレータ層５の変質が生じない）ことなどを考慮して選定することができる。 As can be seen from FIG. 4, the deterioration of the resolution characteristics can be remarkably reduced in those made of epoxy resin to which a filler material made of talc or the like is added and those made of water glass.
The suppression of the degradation of the resolution characteristic is due to the water vapor barrier effect unique to the inorganic material described above.
That is, even when an inorganic material other than talc is used, deterioration of resolution characteristics can be suppressed.
In this case, when an inorganic material is added to the resin, the inorganic material can be selected in consideration of the affinity and stability with the resin.
Further, when the side moisture-proof layer 8 made of an inorganic material is used, the inorganic material should not have an affinity with the scintillator layer 5 or react with the material of the scintillator layer 5 (the scintillator layer 5 will not be altered). Can be selected in consideration of

次に、防湿体７と側面防湿層８の作用効果についてさらに説明する。
まず、比較例に係る防湿体について説明する。
図５は、比較例に係るＸ線検出器１１の模式断面図である。
図６（ａ）は、比較例に係る防湿体１７の模式正面図である。
図６（ｂ）は、比較例に係る防湿体１７の模式側面図である。
図７は、他の比較例に係るＸ線検出器２１の模式断面図である。 Next, the effect of the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 will be further described.
First, the moisture-proof body according to the comparative example will be described.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the X-ray detector 11 according to the comparative example.
FIG. 6A is a schematic front view of a moisture-proof body 17 according to a comparative example.
FIG. 6B is a schematic side view of the moisture-proof body 17 according to the comparative example.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an X-ray detector 21 according to another comparative example.

図５、図６（ａ）、および図６（ｂ）に示すように、比較例に係るＸ線検出器１１には防湿体１７が設けられている。
防湿体１７は、ハット形状を呈し、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば部１７ｃを有する。
防湿体１７は、防湿体７につば部１７ｃをさらに設けたものである。
つば部１７ｃは、周面部７ｂの表面部７ａ側とは反対側の端部を囲むように設けられている。つば部１７ｃは、周面部７ｂの端部から外側に向けて延びている。つば部１７ｃは、環状を呈し、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側の面と平行となるように設けられている。
つば部１７ｃは、接着層１８を介して、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側の面と接着されている。 As shown in FIG. 5, FIG. 6A, and FIG. 6B, the X-ray detector 11 according to the comparative example is provided with a moisture-proof body 17.
The moisture-proof body 17 has a hat shape and includes a surface portion 7a, a peripheral surface portion 7b, and a collar portion 17c.
The moisture-proof body 17 is obtained by further providing a collar portion 17 c to the moisture-proof body 7.
The collar part 17c is provided so that the edge part on the opposite side to the surface part 7a side of the surrounding surface part 7b may be enclosed. The collar part 17c is extended toward the outer side from the edge part of the surrounding surface part 7b. The collar portion 17c has an annular shape and is provided so as to be parallel to the surface of the substrate 2a on which the photoelectric conversion portion 2b is provided.
The collar portion 17 c is bonded to the surface of the substrate 2 a on the side where the photoelectric conversion portion 2 b is provided via the adhesive layer 18.

ハット形状の防湿体１７の場合には、接着層１８の幅寸法を長くするとともに、接着層１８の厚み寸法を短くすることで、接着層１８を介して防湿体１７の内部に水蒸気が侵入するのを抑制している。
ハット形状の防湿体１７を用いるものとすれば、高い防湿性能を得ることが可能となる。
しかしながら、ハット形状の防湿体１７を用いるものとすれば、つば部１７ｃを接着するためのスペースが必要となる。
接着層１８の厚み寸法を短くするために、加圧力を一定以上に大きくすれば、防湿体１７のつば部１７ｃから外側にはみ出す接着剤１８ａの量が多くなる。
そのため、有効画素エリアの周辺に設けることが必要となる領域がさらに広くなるおそれがある。 In the case of the hat-shaped moisture-proof body 17, water vapor enters the inside of the moisture-proof body 17 through the adhesive layer 18 by increasing the width dimension of the adhesive layer 18 and shortening the thickness dimension of the adhesive layer 18. Is suppressed.
If the hat-shaped moisture-proof body 17 is used, high moisture-proof performance can be obtained.
However, if the hat-shaped moisture-proof body 17 is used, a space for bonding the collar portion 17c is required.
In order to shorten the thickness dimension of the adhesive layer 18, if the applied pressure is increased to a certain level or more, the amount of the adhesive 18a that protrudes outward from the collar portion 17c of the moisture-proof body 17 increases.
Therefore, there is a possibility that the area that needs to be provided around the effective pixel area may be further widened.

例えば、適正な接着層１８の幅寸法を確保し、且つ、つば部１７ｃから外側にはみ出す接着剤１８ａの量を考慮すると、有効画素の端部から配線パッド２ｄ１（２ｄ２）の内側の端部（または、有効画素の端部からアレイ基板２の切断位置）までの距離Ｌ２は、１２ｍｍ程度となる。
これに対して、本実施の形態に係る防湿体７を用いるものとすれば、つば部１７ｃおよびはみ出す接着剤１８ａのためのスペースを設ける必要がなくなる。
そのため、距離Ｌ２は、５ｍｍ程度とすることが可能となる。
すなわち、距離Ｌ２を７ｍｍ短くすることができるので、Ｘ線検出器１の平面寸法を縦横それぞれ１４ｍｍ短くすることができる。 For example, when an appropriate width dimension of the adhesive layer 18 is ensured and the amount of the adhesive 18a that protrudes outward from the collar portion 17c is taken into consideration, the inner end of the wiring pad 2d1 (2d2) from the end of the effective pixel ( Alternatively, the distance L2 from the end of the effective pixel to the cutting position of the array substrate 2 is about 12 mm.
On the other hand, if the moisture-proof body 7 according to the present embodiment is used, there is no need to provide a space for the collar portion 17c and the protruding adhesive 18a.
Therefore, the distance L2 can be about 5 mm.
That is, since the distance L2 can be shortened by 7 mm, the planar dimension of the X-ray detector 1 can be shortened by 14 mm in both the vertical and horizontal directions.

図７に示すように、比較例に係るＸ線検出器２１には防湿体７が設けられている。
ただし、Ｘ線検出器２１には側面防湿層８が設けられていない。
つば部１７ｃを有していない防湿体７の場合には、防湿体７の周面部７ｂの端部と基板２ａの表面との間のわずかな隙間を水蒸気が通過するおそれがある。 As shown in FIG. 7, the moisture-proof body 7 is provided in the X-ray detector 21 according to the comparative example.
However, the side surface moisture-proof layer 8 is not provided in the X-ray detector 21.
In the case of the moisture-proof body 7 that does not have the collar portion 17c, water vapor may pass through a slight gap between the end of the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 and the surface of the substrate 2a.

図８は、高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における解像度特性の変化を例示するためのグラフ図である。
なお、図８は、キャップ形状の防湿体７と側面防湿層８が設けられた場合、ハット形状の防湿体１７が設けられた場合、および、キャップ形状の防湿体７のみが設けられた場合の解像度特性の変化を比較するためのグラフ図である。
解像度特性の測定方法は、図４の場合と同様である。 FIG. 8 is a graph for illustrating a change in resolution characteristics under a high temperature and high humidity environment (60 ° C.-90% RH).
8 shows the case where the cap-shaped moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 are provided, the case where the hat-shaped moisture-proof body 17 is provided, and the case where only the cap-shaped moisture-proof body 7 is provided. It is a graph for comparing the change of the resolution characteristic.
The method for measuring the resolution characteristic is the same as in the case of FIG.

図８から分かるように、キャップ形状の防湿体７のみが設けられた場合には、解像度特性の劣化が大きくなる。
これに対して、キャップ形状の防湿体７と側面防湿層８が設けられた場合には、解像度特性の劣化が、ハット形状の防湿体１７が設けられた場合と同等となる。
すなわち、キャップ形状の防湿体７と側面防湿層８を設けるものとすれば、省スペース化と防湿性能の向上とを図ることができる。 As can be seen from FIG. 8, when only the cap-shaped moisture-proof body 7 is provided, the degradation of the resolution characteristics becomes large.
On the other hand, when the cap-shaped moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 are provided, the degradation of resolution characteristics is equivalent to that when the hat-shaped moisture-proof body 17 is provided.
That is, if the cap-shaped moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 are provided, space saving and moisture-proof performance can be improved.

また、このことは、側面防湿層８を設ければ、ハット形状の防湿体１７のつば部１７ｃの幅寸法を短くすることができることをも意味する。
そのため、ハット形状の防湿体１７と側面防湿層８が設けられたＸ線検出器とすることもできる。
すなわち、側面防湿層８を設ければ、ハット形状の防湿体１７のつば部１７ｃの幅寸法を短くすることができるので、省スペース化と防湿性能の向上とを図ることができる。
ただし、キャップ形状の防湿体７と側面防湿層８が設けられたＸ線検出器１とすれば、さらなる省スペース化を図ることができる。 This also means that if the side moisture-proof layer 8 is provided, the width dimension of the collar portion 17c of the hat-shaped moisture-proof body 17 can be shortened.
Therefore, an X-ray detector provided with the hat-shaped moisture-proof body 17 and the side moisture-proof layer 8 can be provided.
That is, if the side moisture-proof layer 8 is provided, the width dimension of the collar portion 17c of the hat-shaped moisture-proof body 17 can be shortened, so that space saving and moisture-proof performance can be improved.
However, if the X-ray detector 1 is provided with the cap-shaped moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8, further space saving can be achieved.

次に、側面防湿層８の透湿率についてさらに説明する。
図９は、側面防湿層８の透湿率を説明するための模式断面図である。
図９に示す防湿体７および側面防湿層８を含む防湿構造全体の透湿率は、以下の近似式（１）で表すことができる。 Next, the moisture permeability of the side moisture-proof layer 8 will be further described.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining the moisture permeability of the side moisture-proof layer 8.
The moisture permeability of the entire moisture-proof structure including the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 shown in FIG. 9 can be expressed by the following approximate expression (1).

ＱＴ＝Ｑ７＋Ｑ８・・・（１）
Ｑ８≒Ｐ８・Ｓeff.／Ｄeff.
≒Ｐ８・（Ｌ・Ｇeff.・Ｃ）／[（Ｔeff.・Ｈeff.）^１／２・Ｆ] ・・・（２）
ＱＴ：防湿構造全体の透湿率
Ｑ７：防湿体７の透湿率
Ｑ８：側面防湿層８の透湿率
Ｐ８：側面防湿層８の透湿係数
Ｓeff.：側面防湿層８の実効透湿断面積
Ｄeff.：側面防湿層８の実効透湿深さ
Ｌ：シンチレータ層５の側面を一周する側面防湿層８の周囲長
Ｇeff.：防湿体７と基板２ａとの間の実効隙間寸法
Ｃ：防湿体７と基板２ａとの隙間面積Ｓ（≒Ｌ・Ｇeff.）と実効透湿断面積Ｓeff.との補正係数
Ｔeff.：側面防湿層８の実効厚み寸法
Ｈeff.：側面防湿層８の実効高さ寸法
Ｆ：側面防湿層８の形状補正係数 QT = Q7 + Q8 (1)
Q8≈P8 · Seff. / Deff.
≒ P8 ・ (L ・ Geff. ・ C) / [(Teff. ・ Heff.) ^1/2・ F] (2)
QT: Moisture permeability of the entire moisture-proof structure
Q7: Moisture permeability of moisture barrier 7
Q8: Moisture permeability of side moisture-proof layer 8
P8: Moisture permeability coefficient of the side moisture-proof layer 8
Seff .: Effective moisture permeability cross-sectional area of the side moisture-proof layer 8
Deff .: Effective moisture permeability depth of the side moisture-proof layer 8
L: Perimeter length of the side moisture-proof layer 8 that goes around the side surface of the scintillator layer 5
Geff .: Effective gap size between the moisture-proof body 7 and the substrate 2a
C: Correction coefficient between the gap area S (≈L · Geff.) Between the moisture-proof body 7 and the substrate 2a and the effective moisture-permeable cross-sectional area Seff.
Teff .: Effective thickness dimension of the side moisture-proof layer 8
Heff .: Effective height dimension of the side moisture-proof layer 8
F: Shape correction coefficient of the side moisture-proof layer 8

この場合、式（１）の１項目のＱ７は、防湿構造の大部分を占める防湿体７の透湿率を表している。防湿体７の材料として、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウムの箔材などを用いれば、Ｑ７を実質的にゼロレベルに抑えることが可能である。
また、防湿体７の端部と基板２ａとの距離を近接させ、かつ側面防湿層８の幅寸法と厚み寸法を適正な値とすれば、式（１）の２項目のＱ８も低い値に抑えられる。
すなわち、式（１）の２項目のＱ８を書き下した式（２）において、防湿体７と基板２ａとの隙間面積Ｓ（≒Ｌ・Ｇeff.）を小さくし、側面防湿層８の実効厚み寸法Ｔeff.と側面防湿層８の実効高さ寸法Ｈeff.を長くすることで、側面防湿層８の透湿率Ｑ８を小さくすることができる。 In this case, Q7 of one item of Formula (1) represents the moisture permeability of the moisture-proof body 7 which occupies most of the moisture-proof structure. If an aluminum foil material having a thickness dimension of 0.1 mm is used as the material of the moisture-proof body 7, Q7 can be suppressed to substantially zero level.
Further, if the distance between the end of the moisture-proof body 7 and the substrate 2a is made close, and the width dimension and thickness dimension of the side moisture-proof layer 8 are set to appropriate values, the Q8 of the two items of the formula (1) also becomes a low value. It can be suppressed.
That is, in the formula (2) in which Q8 of the two items of the formula (1) is written, the gap area S (≈L · Geff.) Between the moisture-proof body 7 and the substrate 2a is reduced, and the effective thickness dimension of the side moisture-proof layer 8 is reduced. By increasing Teff. And the effective height dimension Heff. Of the side moisture-proof layer 8, the moisture permeability Q8 of the side moisture-proof layer 8 can be reduced.

式（２）から分かるように、側面防湿層８の実効厚み寸法Ｔeff.が長いほど、あるいは、側面防湿層８の実効高さ寸法Ｈeff.が長いほど、防湿体７と基板２ａとの間の隙間（隙間面積Ｓ）から侵入する水蒸気の透湿抑制効果を大きくすることができる。
この場合、式（２）の防湿体７と基板２ａとの間の実効隙間寸法Ｇeff.、側面防湿層８の厚み実効寸法Ｔeff.、および側面防湿層８の実効高さ寸法Ｈeff.の関係が以下の式を満足するようにすれば、防湿性能をさらに高くすることができる。
Ｇeff.＜Ｔeff. かつＧeff.＜Ｈeff. As can be seen from the equation (2), the longer the effective thickness dimension Teff. Of the side moisture-proof layer 8 or the longer the effective height dimension Heff. Of the side moisture-proof layer 8, the longer the distance between the moisture-proof body 7 and the substrate 2a. The moisture permeation suppressing effect of water vapor entering from the gap (gap area S) can be increased.
In this case, the relationship among the effective gap dimension Geff. Between the moisture-proof body 7 and the substrate 2a of the formula (2), the effective thickness Teff. Of the side moisture-proof layer 8, and the effective height Heff. If the following formula is satisfied, the moisture-proof performance can be further enhanced.
Geff. <Teff. And Geff. <Heff.

次に、他の実施形態に係るＸ線検出器１ａを例示する。
図１０は、他の実施形態に係るＸ線検出器１ａを例示するための模式斜視図である。
図１０に示すように、Ｘ線検出器１ａには、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、側面防湿層８、および中間層９が設けられている。
すなわち、Ｘ線検出器１ａは、前述したＸ線検出器１にさらに中間層９を設けたものである。 Next, an X-ray detector 1a according to another embodiment is illustrated.
FIG. 10 is a schematic perspective view for illustrating an X-ray detector 1a according to another embodiment.
As shown in FIG. 10, the X-ray detector 1 a includes an array substrate 2, a signal processing unit 3, an image transmission unit 4, a scintillator layer 5, a reflective layer 6, a moisture-proof body 7, a side moisture-proof layer 8, and an intermediate layer 9. Is provided.
That is, the X-ray detector 1a is obtained by further providing the intermediate layer 9 to the X-ray detector 1 described above.

中間層９は、シンチレータ層５の側壁と、側面防湿層８との間に設けられている。
中間層９は、シンチレータ層５の側壁側の補強および平坦化を図るために設けられている。
シンチレータ層５が柱状結晶の集合体である場合には、シンチレータ層５の側壁が脆くなる。そのため、シンチレータ層５の側壁に局所的な外力が加わると、シンチレータ層５の側壁が崩落するおそれがある。
そこで、シンチレータ層５の側壁と、側面防湿層８との間に中間層９を設けることで、シンチレータ層５の側壁に加わる外力を分散させるようにしている。 The intermediate layer 9 is provided between the side wall of the scintillator layer 5 and the side moisture-proof layer 8.
The intermediate layer 9 is provided to reinforce and flatten the side wall side of the scintillator layer 5.
When the scintillator layer 5 is an aggregate of columnar crystals, the side wall of the scintillator layer 5 becomes brittle. Therefore, when a local external force is applied to the side wall of the scintillator layer 5, the side wall of the scintillator layer 5 may collapse.
Therefore, by providing the intermediate layer 9 between the side wall of the scintillator layer 5 and the side moisture-proof layer 8, the external force applied to the side wall of the scintillator layer 5 is dispersed.

また、シンチレータ層５が柱状結晶の集合体である場合には、シンチレータ層５の側壁の表面に凹凸が形成されている。そのため、シンチレータ層５の側壁と、側面防湿層８との密着性が悪くなり水蒸気が侵入しやすくなる。
そこで、シンチレータ層５の側壁と、側面防湿層８との間に中間層９を設けることで、シンチレータ層５の側壁側を平坦化して、中間層９と側面防湿層８とが密着するようにしている。 Further, when the scintillator layer 5 is an aggregate of columnar crystals, unevenness is formed on the surface of the side wall of the scintillator layer 5. For this reason, the adhesion between the side wall of the scintillator layer 5 and the side moisture-proof layer 8 is deteriorated and water vapor easily enters.
Therefore, by providing the intermediate layer 9 between the side wall of the scintillator layer 5 and the side moisture-proof layer 8, the side wall side of the scintillator layer 5 is flattened so that the intermediate layer 9 and the side moisture-proof layer 8 are in close contact with each other. ing.

また、前述した反射層６をシンチレータ層５の側壁にも形成することで、中間層９の役割を兼ねさせることもできる。
例えば、反射層６は、シンチレータ層５の表面（Ｘ線の入射面）と、シンチレータ層５の側壁とを覆い、光散乱性粒子を含むものとすることができる。
反射層６は、シンチレータ層５の上に設けられるものであるため、シンチレータ層５の材料と反応しない安定な材料から形成される。また、反射層６は、シンチレータ層５と密着しやすい材料から形成される。
そのため、反射層６をシンチレータ層５の側壁にも形成することで、中間層９の役割を兼ねさせることができる。
つまり、中間層９の材料は、反射層６の材料と同じものとすることができる。 Further, by forming the above-described reflective layer 6 also on the side wall of the scintillator layer 5, the role of the intermediate layer 9 can also be achieved.
For example, the reflective layer 6 may cover the surface of the scintillator layer 5 (X-ray incident surface) and the side wall of the scintillator layer 5 and include light scattering particles.
Since the reflective layer 6 is provided on the scintillator layer 5, the reflective layer 6 is formed of a stable material that does not react with the material of the scintillator layer 5. In addition, the reflective layer 6 is formed from a material that easily adheres to the scintillator layer 5.
Therefore, by forming the reflective layer 6 also on the side wall of the scintillator layer 5, the role of the intermediate layer 9 can be achieved.
That is, the material of the intermediate layer 9 can be the same as the material of the reflective layer 6.

以上に例示をしたように、本実施の形態に係るＸ線検出器１、１ａとすれば、シンチレータ層５を外気に含まれている水分から保護し、かつ、有効画素エリアの外側に設けられる領域(額縁部)の寸法を最小限に抑えることができる。
すなわち、本実施の形態に係るＸ線検出器１、１ａとすれば、省スペース化と防湿性能の向上とを図ることができる。 As illustrated above, when the X-ray detectors 1 and 1a according to the present embodiment are used, the scintillator layer 5 is protected from moisture contained in the outside air and provided outside the effective pixel area. The size of the region (frame portion) can be minimized.
That is, with the X-ray detectors 1 and 1a according to the present embodiment, it is possible to save space and improve the moisture-proof performance.

[第２の実施形態]
次に、第２の実施形態に係るＸ線検出器の製造方法について例示をする。
Ｘ線検出器１、１ａは、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、基板２ａ上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆなどを順次形成してアレイ基板２を作成する。アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。 [Second Embodiment]
Next, an example of a method for manufacturing the X-ray detector according to the second embodiment will be described.
The X-ray detectors 1 and 1a can be manufactured as follows, for example.
First, the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, the data line 2c2, the wiring pad 2d1, the wiring pad 2d2, the protective layer 2f, and the like are sequentially formed on the substrate 2a to form the array substrate 2. The array substrate 2 can be formed using, for example, a semiconductor manufacturing process.

次に、アレイ基板２上の複数の光電変換部２ｂが形成された領域を覆うようにシンチレータ層５を形成する。シンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム：タリウムからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。 Next, the scintillator layer 5 is formed so as to cover the region where the plurality of photoelectric conversion portions 2b on the array substrate 2 are formed. The scintillator layer 5 can be formed, for example, by forming a film made of cesium iodide: thallium using a vacuum deposition method or the like. In this case, the thickness dimension of the scintillator layer 5 can be about 600 μm. The column dimension of the columnar crystal can be about 8 to 12 μm on the outermost surface.

次に、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）の面を覆うように反射層６を形成する。反射層６は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。
また、シンチレータ層５の側壁を覆うように中間層９を形成する。
中間層９の形成方法と材料は、反射層６の場合と同じとすることができる。
なお、反射層６をシンチレータ層５の側壁にも形成することで、中間層９を形成してもよい。 Next, the reflective layer 6 is formed so as to cover the surface side of the scintillator layer 5 (X-ray incident surface side). The reflective layer 6 can be formed, for example, by applying a material prepared by mixing a submicron powder made of titanium oxide, a binder resin, and a solvent onto the scintillator layer 5 and drying it.
Further, the intermediate layer 9 is formed so as to cover the side wall of the scintillator layer 5.
The formation method and material of the intermediate layer 9 can be the same as those of the reflective layer 6.
The intermediate layer 9 may be formed by forming the reflective layer 6 also on the side wall of the scintillator layer 5.

次に、シンチレータ層５の側壁側に側面防湿層８を形成するとともに、防湿体７と側面防湿層８によりシンチレータ層５と反射層６を封止する。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。
なお、側面防湿層８の形成と、防湿体７と側面防湿層８とによるシンチレータ層５と反射層６との封止に関する詳細は後述する。 Next, the side moisture-proof layer 8 is formed on the side wall side of the scintillator layer 5, and the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 are sealed by the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8.
The moisture-proof body 7 can be formed, for example, by press-molding an aluminum foil having a thickness dimension of 0.1 mm.
The details of the formation of the side moisture-proof layer 8 and the sealing of the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 by the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 will be described later.

次に、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２を介して、アレイ基板２と信号処理部３を電気的に接続する。
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。 Next, the array substrate 2 and the signal processing unit 3 are electrically connected via the flexible printed boards 2e1 and 2e2.
Further, the signal processing unit 3 and the image transmission unit 4 are electrically connected through the wiring 4a.
In addition, circuit components and the like are mounted as appropriate.

次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを行う。
以上のようにして、Ｘ線検出器１、１ａを製造することができる。 Next, the array substrate 2, the signal processing unit 3, the image transmission unit 4, and the like are stored in a housing (not shown).
Then, as necessary, an electrical test, an X-ray image test, a high-temperature and high-humidity test, a cooling / heating cycle test, and the like for confirming whether there is an abnormality in the photoelectric conversion element 2b1 or an electrical connection are performed.
As described above, the X-ray detectors 1 and 1a can be manufactured.

次に、側面防湿層８の形成と、防湿体７と側面防湿層８とによるシンチレータ層５と反射層６との封止についてさらに例示をする。
図１１は、本実施の形態に係る側面防湿層８の形成において用いるトレイ（治具）１００を例示するための模式断面図である。
図１１に示すように、トレイ１００には、基部１０１と付着防止層１０２が設けられている。
基部１０１は、板状を呈し、中央部分に凹部１０１ａが設けられている。凹部１０１ａの側壁には傾斜面１０１ｂが設けられている。防湿体７は、凹部１０１ａの内部に載置される。防湿体７を凹部１０１ａの内部に載置した際には、防湿体７の周面部７ｂが傾斜面１０１ｂにより支持される。また、防湿体７を凹部１０１ａの内部に載置した際には、凹部１０１ａの底面と防湿体７の表面部７ａとの間に隙間ができるようになっている。 Next, the formation of the side moisture-proof layer 8 and the sealing of the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 by the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 will be further illustrated.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for illustrating a tray (jig) 100 used in forming the side moisture-proof layer 8 according to the present embodiment.
As shown in FIG. 11, the tray 100 is provided with a base 101 and an adhesion preventing layer 102.
The base 101 has a plate shape and is provided with a recess 101a at the center. An inclined surface 101b is provided on the side wall of the recess 101a. The moisture-proof body 7 is placed inside the recess 101a. When the moisture-proof body 7 is placed inside the recess 101a, the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 is supported by the inclined surface 101b. Further, when the moisture-proof body 7 is placed inside the recess 101 a, a gap is formed between the bottom surface of the recess 101 a and the surface portion 7 a of the moisture-proof body 7.

付着防止層１０２は、凹部１０１ａの周囲の面に設けられている。
付着防止層１０２は、例えば、凹部１０１ａの周囲の面にフッ素樹脂コーティングを施したり、フッ素樹脂からなるテープを貼り付けたりすることで形成することができる。
付着防止層１０２を設けるようにすれば、側面防湿層８の形成に用いる樹脂などが付着したとしても容易に除去することができる。 The adhesion preventing layer 102 is provided on the surface around the recess 101a.
The adhesion preventing layer 102 can be formed, for example, by applying a fluororesin coating to the surface around the recess 101a or attaching a tape made of a fluororesin.
If the adhesion preventing layer 102 is provided, even if a resin or the like used for forming the side moisture proof layer 8 is adhered, it can be easily removed.

次に、トレイ１００を用いた側面防湿層８の形成と、防湿体７と側面防湿層８とによるシンチレータ層５と反射層６との封止について説明する。
まず、防湿体７の周面部７ｂの内壁面（接着面）を清浄化する。
清浄化は、例えば、有機溶剤による洗浄、紫外線オゾン処理（Ultraviolet-Ozone Surface Treatment）、プラズマ処理などにより行うことができる。 Next, formation of the side moisture-proof layer 8 using the tray 100 and sealing of the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 by the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8 will be described.
First, the inner wall surface (adhesion surface) of the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 is cleaned.
The cleaning can be performed, for example, by cleaning with an organic solvent, ultraviolet ozone treatment (Ultraviolet-Ozone Surface Treatment), plasma treatment, or the like.

次に、ディスペンサー装置のＸ−Ｙステージに、トレイ１００をセットし、トレイ１００の凹部１０１ａの内部に防湿体７を載置する。
次に、ディスペンサー装置により、防湿体７の周面部７ｂの内壁面に側面防湿層８となる材料を塗布する。
側面防湿層８となる材料は、タルクなどからなるフィラー材が添加されたエポキシ系の接着剤とすることができる。
この場合、タルクなどからなるフィラー材の添加量は、５０重量％以上とすることができる。
側面防湿層８となる材料の塗布量は、防湿体７と、シンチレータ層５または中間層９との間に空隙が生じない量とする。
例えば、タルクなどからなるフィラー材が添加されたエポキシ系の接着剤の比重は約１．４ｇ/ｃｃ、塗布量は、０．６ｍｇ/ｍｍ程度とすることができる。 Next, the tray 100 is set on the XY stage of the dispenser device, and the moisture-proof body 7 is placed inside the recess 101 a of the tray 100.
Next, the material which becomes the side moisture-proof layer 8 is apply | coated to the inner wall face of the surrounding surface part 7b of the moisture-proof body 7 with a dispenser apparatus.
The material used as the side moisture-proof layer 8 can be an epoxy adhesive to which a filler material made of talc or the like is added.
In this case, the amount of filler material made of talc or the like can be 50% by weight or more.
The amount of the material to be used as the side moisture-proof layer 8 is set such that no gap is generated between the moisture-proof body 7 and the scintillator layer 5 or the intermediate layer 9.
For example, the specific gravity of an epoxy adhesive to which a filler material such as talc is added can be about 1.4 g / cc, and the coating amount can be about 0.6 mg / mm.

次に、側面防湿層８となる材料が塗布された防湿体７を、シンチレータ層５、反射層６、中間層９などが形成されたアレイ基板２に近接させ、位置合わせしたのちに合体する。
そして、側面防湿層８となる材料を、防湿体７の周面部７ｂとシンチレータ層５の側壁との間、あるいは、防湿体７の周面部７ｂと中間層９との間で圧着し、硬化させる。側面防湿層８となる材料が硬化することで、側面防湿層８が形成されるとともに、防湿体７と側面防湿層８とによりシンチレータ層５と反射層６が封止される。 Next, the moisture-proof body 7 to which the material to be the side moisture-proof layer 8 is applied is brought close to the array substrate 2 on which the scintillator layer 5, the reflective layer 6, the intermediate layer 9, and the like are formed, aligned, and then combined.
And the material which becomes the side moisture-proof layer 8 is pressure-bonded between the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 and the side wall of the scintillator layer 5, or between the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 and the intermediate layer 9, and is cured. . The material that becomes the side moisture-proof layer 8 is cured, whereby the side moisture-proof layer 8 is formed, and the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 are sealed by the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8.

ここで、エポキシ系の接着剤は、例えば、紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤や、熱硬化型のエポキシ系の接着剤などとすることができる。
紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤を用いる場合には、側面防湿層８となる材料が塗布された防湿体７を、シンチレータ層５、反射層６、中間層９などが形成されたアレイ基板２と合体させた後に、基板２ａの裏面側から制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２の間を通して紫外線を照射する。さらに、その後に、加熱処理を施すことで、硬化反応が不十分な成分の架橋硬化反応を促進させることができる。この場合、加熱温度は６０℃程度、加熱時間は１時間程度とすることができる。 Here, the epoxy adhesive may be, for example, an ultraviolet curable epoxy adhesive or a thermosetting epoxy adhesive.
When an ultraviolet curing epoxy adhesive is used, the moisture-proof body 7 coated with the material to be the side moisture-proof layer 8 is used as the array substrate 2 on which the scintillator layer 5, the reflective layer 6, the intermediate layer 9 and the like are formed. Then, ultraviolet rays are irradiated from the back side of the substrate 2a through the control line 2c1 and the data line 2c2. Furthermore, after that, by performing a heat treatment, it is possible to promote the cross-linking curing reaction of components having insufficient curing reaction. In this case, the heating temperature can be about 60 ° C., and the heating time can be about 1 hour.

紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤は、接着作業が容易であり、接着剤の保管ライフも長い。しかしながら、アルミニウム箔などから形成された防湿体７を介して、紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤に紫外線を照射することができない。一方、基板２ａの裏面側から紫外線を照射する場合には、制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２の間を通して紫外線を照射することができる。そのため、照射された紫外線の一部は、シンチレータ層５などを介して、紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤に照射される。 The UV-curable epoxy adhesive is easy to bond and has a long storage life. However, the ultraviolet curable epoxy adhesive cannot be irradiated with ultraviolet rays through the moisture-proof body 7 formed of aluminum foil or the like. On the other hand, when the ultraviolet rays are irradiated from the back side of the substrate 2a, the ultraviolet rays can be irradiated through the control line 2c1 and the data line 2c2. Therefore, a part of the irradiated ultraviolet rays is irradiated to the ultraviolet curable epoxy adhesive via the scintillator layer 5 and the like.

ここで、紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤が、ラジカル重合型である場合には、その硬化現象に停止反応があるため、紫外線が照射された部分のみが硬化することになる。これに対して、紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤が、カチオン重合型の場合には、硬化現象の停止反応が無いため、紫外線が照射された部分の架橋硬化反応が周辺部にも伝搬して、硬化反応が行きわたる。すなわち、制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２などの影になる部分の硬化反応も生じさせることができる。そのため、封止品質のより高い側面防湿層８を形成することができる。
カチオン重合型の紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤としては、例えば、ナガセケムテックス（株）ＸＮＲ−５５１６ＺＨＶ−Ｂ１などを例示することができる。 Here, when the ultraviolet curable epoxy adhesive is a radical polymerization type, since there is a stop reaction in the curing phenomenon, only the portion irradiated with the ultraviolet light is cured. In contrast, when the UV-curable epoxy adhesive is a cationic polymerization type, there is no curing reaction termination reaction, so that the cross-linking curing reaction of the UV-irradiated part also propagates to the periphery. Then, the curing reaction will spread. That is, the curing reaction of shadowed portions such as the control line 2c1 and the data line 2c2 can also be caused. Therefore, the side moisture-proof layer 8 with higher sealing quality can be formed.
Examples of the cationic polymerization type ultraviolet curable epoxy adhesive include Nagase ChemteX Corporation XNR-5516ZHV-B1.

熱硬化型のエポキシ系の接着剤を用いる場合には、側面防湿層８となる材料が塗布された防湿体７を、シンチレータ層５、反射層６、中間層９などが形成されたアレイ基板２と合体させた後に、所定の加熱条件で硬化反応を進行させるようにすればよい。 When a thermosetting epoxy adhesive is used, the array substrate 2 on which the scintillator layer 5, the reflective layer 6, the intermediate layer 9, and the like are formed from the moisture-proof body 7 to which the material to be the side moisture-proof layer 8 is applied. And the curing reaction may be allowed to proceed under predetermined heating conditions.

また、以下のようにして側面防湿層８を形成することもできる。
例えば、まず、シンチレータ層５の側壁、または、中間層９の上に側面防湿層８となる材料を塗布する。側面防湿層８となる材料は、ディスペンサー装置などを用いて、シンチレータ層５の側壁側に一周に渡って塗布する。
この場合、防湿体７の周面部７ｂの内壁面には、側面防湿層８となる材料を塗布する必要はない。ただし、側面防湿層８となる材料は、シンチレータ層５の側壁側と、防湿体７の周面部７ｂの内壁面とに塗布してもよい。 The side moisture-proof layer 8 can also be formed as follows.
For example, first, a material that becomes the side moisture-proof layer 8 is applied to the side wall of the scintillator layer 5 or the intermediate layer 9. The material used as the side moisture-proof layer 8 is applied to the side wall side of the scintillator layer 5 over the entire circumference by using a dispenser device or the like.
In this case, it is not necessary to apply a material to be the side moisture-proof layer 8 to the inner wall surface of the peripheral surface portion 7 b of the moisture-proof body 7. However, the material to be the side moisture-proof layer 8 may be applied to the side wall side of the scintillator layer 5 and the inner wall surface of the peripheral surface portion 7 b of the moisture-proof body 7.

次に、トレイ１００の凹部１０１ａの内部に防湿体７を載置する。
次に、防湿体７を、側面防湿層８となる材料が塗布されたシンチレータ層５または中間層９に近接させ、位置合わせしたのちに合体する。
そして、側面防湿層８となる材料を、防湿体７の周面部７ｂとシンチレータ層５の側壁との間、あるいは、防湿体７の周面部７ｂと中間層９との間で圧着し、硬化させる。側面防湿層８となる材料が硬化することで、側面防湿層８が形成されるとともに、防湿体７と側面防湿層８とによりシンチレータ層５と反射層６が封止される。 Next, the moisture-proof body 7 is placed inside the recess 101 a of the tray 100.
Next, the moisture-proof body 7 is brought close to the scintillator layer 5 or the intermediate layer 9 to which the material to be the side moisture-proof layer 8 is applied, aligned, and then merged.
And the material which becomes the side moisture-proof layer 8 is pressure-bonded between the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 and the side wall of the scintillator layer 5, or between the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 and the intermediate layer 9, and is cured. . The material that becomes the side moisture-proof layer 8 is cured, whereby the side moisture-proof layer 8 is formed, and the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 are sealed by the moisture-proof body 7 and the side moisture-proof layer 8.

また、減圧雰囲気（例えば１０ＫＰａ≒０．１気圧）のチャンバー内で、防湿体７と、シンチレータ層５または中間層９とを近接させ、位置合わせしたのちに合体することもできる。
この場合、合体させた状態では、側面防湿層８となる材料は未だ柔らかい状態にある。その後、チャンバー内を大気圧に戻すと、防湿体７の内部が外気圧に対して負圧になっているため、防湿体７はシンチレータ層５や反射層６に向けて加圧される。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔などから形成されているため、防湿体７がシンチレータ層５、反射層６、および側面防湿層８となる材料に密着し、界面に隙間が生じないようにすることができる。
その後、紫外線の照射や加熱処理などを施すことで側面防湿層８となる材料を硬化させる。この際、防湿体７がシンチレータ層５、反射層６、および側面防湿層８となる材料に密着した状態で、側面防湿層８となる材料を硬化させることができる。そのため、信頼性の高い封止構造を得ることが可能となる。 In addition, the moisture-proof body 7 and the scintillator layer 5 or the intermediate layer 9 can be brought close to each other in a chamber having a reduced pressure atmosphere (for example, 10 KPa≈0.1 atm), and then combined.
In this case, in the combined state, the material that becomes the side moisture-proof layer 8 is still in a soft state. Thereafter, when the inside of the chamber is returned to the atmospheric pressure, the moistureproof body 7 is pressurized toward the scintillator layer 5 and the reflective layer 6 because the inside of the moistureproof body 7 is at a negative pressure with respect to the external pressure.
The moisture-proof body 7 is formed of, for example, an aluminum foil having a thickness dimension of 0.1 mm, so that the moisture-proof body 7 is in close contact with the material that becomes the scintillator layer 5, the reflective layer 6, and the side moisture-proof layer 8. A gap can be prevented from occurring.
Then, the material used as the side moisture-proof layer 8 is hardened by irradiating with ultraviolet rays or heat treatment. At this time, the material that becomes the side moisture-proof layer 8 can be cured while the moisture-proof body 7 is in close contact with the material that becomes the scintillator layer 5, the reflective layer 6, and the side moisture-proof layer 8. Therefore, a highly reliable sealing structure can be obtained.

以上に説明したように、本実施の形態に係るＸ線検出器の製造方法は、以下の工程を含むことができる。
光電変換素子２ｂ１を有するアレイ基板２上に、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータ５層を形成する工程。
シンチレータ層５を覆う防湿体７の周面部７ｂの内壁に、側面防湿層８となる材料を塗布する工程。
シンチレータ層５を側面防湿層８となる材料が塗布された防湿体７で覆う工程。
側面防湿層８となる材料を硬化させて、シンチレータ層５の側壁と、防湿体７の周面部７ｂの内壁との間に側面防湿層８を形成する工程。 As described above, the manufacturing method of the X-ray detector according to the present embodiment can include the following steps.
A step of forming a scintillator 5 layer for converting X-rays into fluorescence on the array substrate 2 having the photoelectric conversion element 2b1.
A step of applying a material to be the side moisture-proof layer 8 to the inner wall of the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7 covering the scintillator layer 5.
A step of covering the scintillator layer 5 with a moisture-proof body 7 to which a material to be the side moisture-proof layer 8 is applied.
A step of curing the material to be the side moisture-proof layer 8 to form the side moisture-proof layer 8 between the side wall of the scintillator layer 5 and the inner wall of the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7.

また、以下の工程を含むものとしてもよい。
光電変換素子２ｂ１を有するアレイ基板２上に、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータ層５を形成する工程。
シンチレータ層５の側壁側に側面防湿層８となる材料を塗布する工程。
側面防湿層８となる材料が塗布されたシンチレータ層５を防湿体７で覆う工程。
側面防湿層８となる材料を硬化させて、シンチレータ層５の側壁と、防湿体７の周面部７ｂの内壁との間に側面防湿層８を形成する工程。 Moreover, it is good also as what includes the following processes.
A step of forming a scintillator layer 5 for converting X-rays into fluorescence on the array substrate 2 having the photoelectric conversion elements 2b1.
A step of applying a material that becomes the side moisture-proof layer 8 to the side wall side of the scintillator layer 5.
A step of covering the scintillator layer 5 coated with the material to be the side moisture-proof layer 8 with the moisture-proof body 7.
A step of curing the material to be the side moisture-proof layer 8 to form the side moisture-proof layer 8 between the side wall of the scintillator layer 5 and the inner wall of the peripheral surface portion 7b of the moisture-proof body 7.

また、以下の工程をさらに含むこともできる。
シンチレータ層５のＸ線の入射面と、シンチレータ層５の側壁とを覆い、光散乱性粒子を含む反射層６を形成する工程。 Moreover, the following processes can further be included.
A step of covering the X-ray incident surface of the scintillator layer 5 and the side wall of the scintillator layer 5 and forming the reflective layer 6 containing light scattering particles.

また、側面防湿層８となる材料は、カチオン重合型の紫外線硬化型接着剤を含むものとすることができる。
そして、前述した側面防湿層８を形成する工程において、アレイ基板２の防湿体７が設けられた側とは反対の側から、側面防湿層８となる材料に向けて紫外線を照射するようにすることができる。
また、防湿体で覆う工程は、減圧雰囲気のチャンバー内で実行することができる。 Moreover, the material used as the side moisture-proof layer 8 can contain a cationic polymerization type ultraviolet curable adhesive.
Then, in the step of forming the side moisture-proof layer 8 described above, ultraviolet rays are irradiated from the opposite side of the array substrate 2 to the side on which the moisture-proof body 7 is provided toward the material to be the side moisture-proof layer 8. be able to.
Further, the step of covering with a moisture-proof body can be performed in a chamber in a reduced pressure atmosphere.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was illustrated, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and equivalents thereof. Further, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.

１Ｘ線検出器、１ａＸ線検出器、２アレイ基板、２ａ基板、２ｂ光電変換部、２ｂ１光電変換素子、２ｂ２薄膜トランジスタ、３信号処理部、４画像伝送部、５シンチレータ層、６反射層、７防湿体、７ａ表面部、７ｂ周面部、８側面防湿層、９中間層 1 X-ray detector, 1a X-ray detector, 2 array substrate, 2a substrate, 2b photoelectric conversion unit, 2b1 photoelectric conversion element, 2b2 thin film transistor, 3 signal processing unit, 4 image transmission unit, 5 scintillator layer, 6 reflection layer, 7 Moisture-proof body, 7a Surface portion, 7b Peripheral surface portion, 8 Side moisture-proof layer, 9 Intermediate layer

Claims

An array substrate having a substrate and a photoelectric conversion element provided on one surface of the substrate;
A scintillator layer provided on the photoelectric conversion element for converting radiation into fluorescence;
A moisture barrier covering the scintillator layer;
A side moisture barrier layer provided between a side wall of the scintillator layer and the moisture barrier, and sealing the scintillator layer together with the moisture barrier;
Radiation detector equipped with.

The moisture-proof body has a surface portion provided on the radiation incident surface side of the scintillator layer, and a peripheral surface portion having one end provided on the surface portion and surrounding a side wall of the scintillator layer. Radiation detector.

Covering the radiation incident surface of the scintillator layer and the side wall of the scintillator layer, further comprising a reflective layer containing light scattering particles;
The radiation detector according to claim 1, wherein the side moisture-proof layer is provided between the reflective layer and the moisture-proof body.

The radiation detector according to claim 1, wherein the side moisture-proof layer includes an inorganic material as a main component.

When the effective gap dimension between the moisture-proof body and the substrate is Geff., The thickness effective dimension of the side moisture-proof layer is Teff., And the effective height dimension of the side moisture-proof layer is Heff. The radiation detector according to any one of claims 1 to 4, which satisfies the following expression.
Geff. <Teff. And Geff. <Heff.

Forming a scintillator layer for converting radiation into fluorescence on an array substrate having a photoelectric conversion element;
Applying a material to be a side moisture-proof layer to the inner wall of the peripheral surface portion of the moisture-proof body covering the scintillator layer;
Covering the scintillator layer with the moisture-proof body to which the material to be the side moisture-proof layer is applied;
Curing the material to be the side moisture-proof layer, and forming a side moisture-proof layer between the side wall of the scintillator layer and the inner wall of the peripheral surface portion of the moisture-proof body;
A method of manufacturing a radiation detector comprising:

Forming a scintillator layer for converting radiation into fluorescence on an array substrate having a photoelectric conversion element;
Applying a material to be a side moisture-proof layer to the side wall of the scintillator layer;
A step of covering the scintillator layer coated with a material to be the side moisture-proof layer with a moisture-proof body;
Curing the material to be the side moisture-proof layer, and forming a side moisture-proof layer between the side wall of the scintillator layer and the inner wall of the peripheral surface portion of the moisture-proof body;
A method of manufacturing a radiation detector comprising:

The radiation detector according to claim 6, further comprising a step of covering the incident surface of the radiation of the scintillator layer and a side wall of the scintillator layer to form a reflective layer containing light scattering particles. Method.

The side moisture-proof layer material includes a cationic polymerization type ultraviolet curable adhesive,
The step of forming the side moisture-proof layer irradiates ultraviolet rays from the side of the array substrate opposite to the side where the moisture-proof body is provided toward the material to be the side moisture-proof layer. The manufacturing method of the radiation detector as described in any one.

The method of manufacturing a radiation detector according to any one of claims 6 to 9, wherein the step of covering with the moisture-proof body is executed in a chamber in a reduced pressure atmosphere.