JP6749038B2

JP6749038B2 - Radiation detector and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP6749038B2
Application number: JP2016077426A
Authority: JP
Inventors: 克久本間
Original assignee: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Current assignee: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date: 2016-04-07
Filing date: 2016-04-07
Publication date: 2020-09-02
Anticipated expiration: 2036-04-07
Also published as: JP2017187424A

Description

本発明の実施形態は、放射線検出器、及びその製造方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a radiation detector and a manufacturing method thereof.

放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器においては、Ｘ線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換し、この蛍光をアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)フォトダイオード、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサーなどの光電変換素子を用いて信号電荷に変換することで画像を取得している。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、シンチレータ層と反射層は、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）膜やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）膜などからなる場合には、湿度などによる特性劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、ポリパラキシリレンからなる膜でシンチレータ層と反射層を覆ったり、シンチレータ層の周囲を囲う包囲部材と包囲部材上に設けられたカバーとを用いたりしてシンチレータ層を封止する技術が提案されている。 An X-ray detector is an example of the radiation detector. In an X-ray detector, X-rays are converted into visible light, that is, fluorescence by a scintillator layer, and this fluorescence is converted into an amorphous silicon (a-Si) photodiode, CCD (Charge Coupled Device), CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor, etc. An image is acquired by converting into a signal charge using the photoelectric conversion element.
In addition, a reflective layer may be further provided on the scintillator layer in order to improve the utilization efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics.
Here, the scintillator layer and the reflective layer need to be isolated from the external atmosphere in order to suppress the deterioration of the characteristics due to water vapor or the like. In particular, when the scintillator layer is composed of a CsI (cesium iodide):Tl (thallium) film, a CsI:Na (sodium) film, or the like, the characteristic deterioration due to humidity may be large.
Therefore, there is a technique of sealing the scintillator layer by covering the scintillator layer and the reflective layer with a film made of polyparaxylylene, or by using a surrounding member surrounding the scintillator layer and a cover provided on the surrounding member. Proposed.

また、さらに高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部をアレイ基板と接着する構造が提案されている。
ハット形状の防湿体を用いる場合には、防湿体のつば部とアレイ基板との間に介在させる接着剤の量を多くし、且つ、つば部とアレイ基板を接着する際の加圧力を一定以上に大きくすれば、つば部とアレイ基板との密着性を確保し、かつ高い信頼性を得ることができる。
ところが、接着剤の塗布量を多くし、且つ、つば部とアレイ基板を接着する際の加圧力を一定以上に大きくすれば、防湿体のつば部から外側に食み出す接着剤の量が多くなり、防湿体の近傍においてフレキシブルプリント基板などの接続が困難となるおそれがある。また、防湿体のつば部から外側に食み出す接着剤の量が多くなると、アレイ基板を最終的な製品寸法に切断する際に、接着剤の食み出しにより形成された接着層の食み出し部分が切断に用いるブレードと干渉するおそれもある。
また、近年においては、Ｘ線検出器の小型化や軽量化などのために、防湿体のつば部の寸法を小さくすることが望まれている。そのため、防湿体のつば部から外側に接着剤が食み出すのを抑制することがさらに困難となるおそれがある。 In addition, as a structure capable of obtaining higher moistureproof performance, a structure has been proposed in which the scintillator layer and the reflection layer are covered with a hat-shaped moistureproof body, and the brim (flange) portion of the moistureproof body is bonded to the array substrate.
When a hat-shaped moistureproof body is used, the amount of the adhesive to be interposed between the brim portion of the moistureproof body and the array substrate is increased, and the pressure applied when the brim portion and the array substrate are bonded is not less than a certain level. If it is made large, the adhesion between the brim and the array substrate can be secured and high reliability can be obtained.
However, if the amount of adhesive applied is increased and the pressure applied when adhering the brim and the array substrate is increased above a certain level, the amount of adhesive that oozes out from the brim of the moisture-proof body is large. Therefore, it may be difficult to connect a flexible printed circuit board or the like near the moistureproof body. In addition, when the amount of adhesive that oozes out from the brim of the moisture-proof body increases, when the array substrate is cut into the final product size, the adhesive layer that oozes out due to the adhesive oozes out. The protruding portion may interfere with the blade used for cutting.
Further, in recent years, in order to reduce the size and weight of the X-ray detector, it has been desired to reduce the size of the brim portion of the moistureproof body. Therefore, it may be more difficult to prevent the adhesive from escaping from the brim portion of the moistureproof body to the outside.

特開２０１３−１１４９０号公報JP, 2013-11490, A 特開２０１２−３７４５４号公報JP, 2012-37454, A

本発明が解決しようとする課題は、防湿体のつば部から外側に接着剤が食み出すのを抑制することができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a radiation detector capable of suppressing the adhesive from leaching from the brim portion of the moistureproof body to the outside, and a method for manufacturing the radiation detector.

実施形態に係る放射線検出器は、複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の外側に位置する環状のつば部を有し、前記シンチレータ層を覆う防湿体と、前記つば部と、前記アレイ基板と、の間に設けられた接着層と、を備えている。
前記つば部の前記アレイ基板と対向する面は、平板状、または、前記アレイ基板側に突出する曲面であり、前記つば部の前記アレイ基板と対向する面における内周端は、前記アレイ基板と距離を空けて設けられている。前記つば部の前記アレイ基板と対向する面における外周端と、前記アレイ基板と、の間の距離は、前記内周端と、前記アレイ基板と、の間の距離よりも長い。 The radiation detector according to the embodiment is an array substrate having a plurality of photoelectric conversion elements, a scintillator layer provided on the plurality of photoelectric conversion elements and converting radiation into fluorescence, and located outside the scintillator layer. A moisture-proof body having an annular collar portion and covering the scintillator layer, an adhesive layer provided between the collar portion and the array substrate are provided.
The surface of the flange portion facing the array substrate is a flat plate shape or a curved surface protruding toward the array substrate side, and the inner peripheral edge of the surface of the collar portion facing the array substrate is the array substrate. It is provided at a distance. The distance between the array substrate and the outer peripheral end of the surface of the collar portion facing the array substrate is longer than the distance between the inner peripheral end and the array substrate.

本実施の形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。It is a schematic perspective view for illustrating the X-ray detector 1 according to the present embodiment. （ａ）は、Ｘ線検出器１の模式断面図である。（ｂ）は、（ａ）におけるＡ部の拡大図である。(A) is a schematic cross-sectional view of the X-ray detector 1. (B) is an enlarged view of a portion A in (a). （ａ）は、防湿体の模式正面図である。（ｂ）は、防湿体の模式側面図である。(A) is a schematic front view of a moisture-proof body. (B) is a schematic side view of a moisture-proof body. つば部７ｃの形態と、接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷとの関係を例示するためのグラフ図である。FIG. 6 is a graph for illustrating the relationship between the form of the collar portion 7c and the variation ΔW of the protruding width of the adhesive 8a. （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るつば部７ｃａ、７ｃｂを例示するための模式断面図である。(A), (b) is a schematic cross section for illustrating collar parts 7ca, 7cb concerning other embodiments. 接着の様子を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for exemplifying a state of adhesion.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。 Hereinafter, embodiments will be exemplified with reference to the drawings. In the drawings, the same components are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be appropriately omitted.
The radiation detector according to the embodiment of the present invention can be applied to various radiations such as γ-rays as well as X-rays. Here, as an example, description will be given by taking a case relating to X-rays as a typical one of radiation. Therefore, by replacing “X-ray” in the following embodiments with “other radiation”, it can be applied to other radiation.

（Ｘ線検出器）
まず、本発明の実施形態に係るＸ線検出器１について例示をする。
図１は、本実施の形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６や防湿体７などを省いて描いている。
図２（ａ）は、Ｘ線検出器１の模式断面図である。
図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ部の拡大図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図２（ａ）、（ｂ）においては、信号処理部３、画像伝送部４などを省いて描いている。
図３（ａ）は、防湿体の模式正面図である。
図３（ｂ）は、防湿体の模式側面図である。 (X-ray detector)
First, the X-ray detector 1 according to the embodiment of the present invention will be exemplified.
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating an X-ray detector 1 according to this embodiment.
In order to avoid complication, the reflective layer 6 and the moistureproof body 7 are omitted in FIG.
FIG. 2A is a schematic sectional view of the X-ray detector 1.
FIG. 2B is an enlarged view of part A in FIG.
Note that in order to avoid complication, the signal processing unit 3, the image transmission unit 4, and the like are omitted in FIGS. 2A and 2B.
FIG. 3A is a schematic front view of the moistureproof body.
FIG. 3B is a schematic side view of the moistureproof body.

放射線検出器であるＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、Ｘ線検出器１の用途は、一般医療に限定されるわけではない。 The X-ray detector 1 that is a radiation detector is an X-ray plane sensor that detects an X-ray image that is a radiation image. The X-ray detector 1 can be used, for example, in general medicine. However, the application of the X-ray detector 1 is not limited to general medicine.

図１、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、および接着層８が設けられている。
アレイ基板２は、シンチレータ層５によりＸ線から変換された可視光（蛍光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、配線パッド２ｄ１、２ｄ２、および保護層２ｅを有する。
なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２の数などは例示をしたものに限定されるわけではない。 As shown in FIG. 1, FIG. 2A, and FIG. 2B, the X-ray detector 1 includes an array substrate 2, a signal processing unit 3, an image transmitting unit 4, a scintillator layer 5, a reflecting layer 6, The moistureproof body 7 and the adhesive layer 8 are provided.
The array substrate 2 converts visible light (fluorescence) converted from X-rays by the scintillator layer 5 into an electric signal.
The array substrate 2 has a substrate 2a, a photoelectric conversion unit 2b, a control line (or gate line) 2c1, a data line (or signal line) 2c2, wiring pads 2d1 and 2d2, and a protective layer 2e.
The numbers of the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, and the data line 2c2 are not limited to those illustrated.

基板２ａは、板状を呈し、ガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とで画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。 The substrate 2a has a plate shape and is made of a translucent material such as glass.
A plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on one surface of the substrate 2a.
The photoelectric conversion unit 2b has a rectangular shape and is provided in a region defined by the control line 2c1 and the data line 2c2. The plurality of photoelectric conversion units 2b are arranged in a matrix.
Note that one photoelectric conversion unit 2b corresponds to one pixel.

光電変換部２ｂには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が図示しない蓄積キャパシタを兼ねることができる。 The photoelectric conversion unit 2b is provided with a photoelectric conversion element 2b1 and a thin film transistor (TFT) 2b2 that is a switching element.
Further, a storage capacitor (not shown) for storing the signal charges converted by the photoelectric conversion element 2b1 can be provided. However, depending on the capacity of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can also serve as a storage capacitor (not shown).

光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極は、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極は、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極は、対応する光電変換素子２ｂ１と図示しない蓄積キャパシタとに電気的に接続される。 The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode or the like.
The thin film transistor 2b2 performs switching of accumulation and emission of charges generated by the fluorescence entering the photoelectric conversion element 2b1. The thin film transistor 2b2 may include a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (P-Si). The thin film transistor 2b2 has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The gate electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding control line 2c1. The source electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding data line 2c2. The drain electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding photoelectric conversion element 2b1 and a storage capacitor (not shown).

制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向に延びている。
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｆ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｆ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない制御回路とそれぞれ電気的に接続されている。 A plurality of control lines 2c1 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The control line 2c1 extends in the row direction, for example.
One control line 2c1 is electrically connected to one of the plurality of wiring pads 2d1 provided near the peripheral edge of the substrate 2a. One of the plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2f1 is electrically connected to one wiring pad 2d1. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2f1 are electrically connected to a control circuit (not shown) provided in the signal processing unit 3, respectively.

データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｆ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｆ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない増幅・変換回路とそれぞれ電気的に接続されている。 A plurality of data lines 2c2 are provided in parallel with each other with a predetermined interval. The data line 2c2 extends, for example, in the column direction orthogonal to the row direction.
One data line 2c2 is electrically connected to one of the plurality of wiring pads 2d2 provided near the peripheral edge of the substrate 2a. One wiring pad 2d2 is electrically connected to one of a plurality of wirings provided on the flexible printed circuit board 2f2. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed board 2f2 are electrically connected to an amplification/conversion circuit (not shown) provided in the signal processing unit 3, respectively.

保護層２ｅは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２を覆うように設けられている。 The protective layer 2e is provided so as to cover the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, and the data line 2c2.

信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている。
信号処理部３には、図示しない制御回路と、図示しない増幅回路とが設けられている。図示しない制御回路は、各薄膜トランジスタ２ｂ２の動作、すなわちオン状態およびオフ状態を制御する。例えば、図示しない制御回路は、フレキシブルプリント基板２ｆ１と配線パッド２ｄ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２が受信できるようになる。
図示しない増幅回路は、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｆ２とを介して、各光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。そして、図示しない増幅回路は、受信した画像データ信号Ｓ２を増幅する。 The signal processing unit 3 is provided on the side of the substrate 2a opposite to the side on which the photoelectric conversion unit 2b is provided.
The signal processing unit 3 is provided with a control circuit (not shown) and an amplifier circuit (not shown). A control circuit (not shown) controls the operation of each thin film transistor 2b2, that is, the ON state and the OFF state. For example, a control circuit (not shown) sequentially applies the control signal S1 to each control line 2c1 via the flexible printed board 2f1, the wiring pad 2d1 and the control line 2c1. The thin film transistor 2b2 is turned on by the control signal S1 applied to the control line 2c1, and the image data signal S2 from the photoelectric conversion unit 2b can be received.
The amplifier circuit (not shown) sequentially receives the image data signal S2 from each photoelectric conversion unit 2b via the data line 2c2, the wiring pad 2d2, and the flexible printed board 2f2. Then, an amplifier circuit (not shown) amplifies the received image data signal S2.

画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の図示しない増幅回路と電気的に接続されている。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。
画像伝送部４は、信号処理部３により順次増幅された画像データ信号Ｓ２を直列信号に順次変換し、さらにデジタル信号に順次変換する。そして、画像伝送部４は、順次変換されたデジタル信号に基づいて、Ｘ線画像を構成する。構成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。なお、直列信号への変換やデジタル信号への変換は、信号処理部３において行うようにしてもよい。 The image transmission unit 4 is electrically connected to an amplification circuit (not shown) of the signal processing unit 3 via the wiring 4a. The image transmission unit 4 may be integrated with the signal processing unit 3.
The image transmission unit 4 sequentially converts the image data signal S2 sequentially amplified by the signal processing unit 3 into a serial signal and further into a digital signal. Then, the image transmission unit 4 forms an X-ray image based on the sequentially converted digital signal. The configured X-ray image data is output from the image transmission unit 4 to an external device. The signal processing unit 3 may perform conversion into a serial signal or conversion into a digital signal.

シンチレータ層５は、光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を可視光に変換する。シンチレータ層５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域（有効画素領域）を覆うように設けられている。
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、柱状結晶の集合体が形成されるようにすることができる。 The scintillator layer 5 is provided on the photoelectric conversion element 2b1 and converts incident X-rays into visible light. The scintillator layer 5 is provided so as to cover a region (effective pixel region) where the plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on the substrate 2a.
The scintillator layer 5 can be formed using, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl), sodium iodide (NaI): thallium (Tl), or the like. In this case, an aggregate of columnar crystals can be formed by using a vacuum vapor deposition method or the like.

また、シンチレータ層５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、例えば、以下のようにしてシンチレータ層５を形成することができる。まず、酸硫化ガドリニウムからなる粒子をバインダ材と混合する。次に、混合された材料を、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域を覆うように塗布する。次に、塗布された材料を焼成する。次に、ブレードダイシング法などを用いて、焼成された材料に溝部を形成する。この際、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ層５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。 The scintillator layer 5 can also be formed using, for example, gadolinium oxysulfide (Gd ₂ O ₂ S). In this case, for example, the scintillator layer 5 can be formed as follows. First, particles of gadolinium oxysulfide are mixed with a binder material. Next, the mixed material is applied so as to cover the region where the plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on the substrate 2a. Next, the applied material is fired. Next, a groove portion is formed in the fired material by using a blade dicing method or the like. At this time, it is possible to form a matrix-shaped groove so that the scintillator layer 5 having a rectangular column shape is provided for each of the plurality of photoelectric conversion units 2b. The groove can be filled with the atmosphere (air) or an inert gas such as nitrogen gas for oxidation prevention. Further, the groove may be in a vacuum state.

なお、図２（ａ）、（ｂ）に例示をしたシンチレータ層５は、ヨウ化セシウム：タリウムからなる蒸着膜の場合である。そのため、シンチレータ層５は、柱状結晶の集合体となっている。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱（ピラー）の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。 The scintillator layer 5 illustrated in FIGS. 2A and 2B is a vapor deposition film made of cesium iodide:thallium. Therefore, the scintillator layer 5 is an aggregate of columnar crystals. In this case, the thickness of the scintillator layer 5 can be about 600 μm. The thickness dimension of the pillar (pillar) of the columnar crystal can be about 8 to 12 μm on the outermost surface.

反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。
反射層６は、シンチレータ層５を覆うように設けられている。なお、反射層６は、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）の面を覆うように設けられていてもよい。
反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することもできる。
また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。 The reflective layer 6 is provided in order to improve the utilization efficiency of fluorescence and improve the sensitivity characteristic. That is, the reflection layer 6 reflects the light, which is directed toward the side opposite to the side where the photoelectric conversion unit 2b is provided, among the fluorescence generated in the scintillator layer 5 and is directed toward the photoelectric conversion unit 2b.
The reflective layer 6 is provided so as to cover the scintillator layer 5. The reflective layer 6 may be provided so as to cover the surface of the scintillator layer 5 (the X-ray incident surface side).
The reflective layer 6 can be formed, for example, by forming a layer made of a metal having a high light reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator layer 5. The reflective layer 6 can also be formed, for example, by applying a resin containing light scattering particles such as titanium oxide (TiO ₂ ) on the scintillator layer 5.
The reflective layer 6 can also be formed using a plate whose surface is made of a metal having a high light reflectance such as silver alloy or aluminum.

なお、図２（ａ）、（ｂ）に例示をした反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成したものである。 The reflection layer 6 illustrated in FIGS. 2A and 2B is formed by mixing a submicron powder made of titanium oxide, a binder resin, and a solvent on the scintillator layer 5. It is formed by drying this.

防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層５または反射層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
図２（ａ）、図２（ｂ）、図３（ａ）、および図３（ｂ）に示すように、防湿体７は、ハット形状を呈し、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば（鍔）部７ｃを有する。
防湿体７は、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば部７ｃが一体成形されたものとすることができる。 The moistureproof body 7 is provided in order to suppress deterioration of the characteristics of the scintillator layer 5 or the reflective layer 6 due to water vapor contained in the air.
As shown in FIGS. 2(a), 2(b), 3(a), and 3(b), the moisture-proof body 7 has a hat shape and includes the surface portion 7a, the peripheral surface portion 7b, and the brim. It has a (flange) portion 7c.
The moisture-proof body 7 can be formed by integrally molding the surface portion 7a, the peripheral surface portion 7b, and the collar portion 7c.

防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３などのセラミック系材料）の層が積層された低透湿防湿材料などから形成することができる。
また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線の吸収が多くなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。 The moisture-proof body 7 can be formed of a material having a small moisture permeability coefficient.
The moisture-proof body 7 is, for example, a low moisture-permeable moisture-proof material in which a layer of aluminum, an aluminum alloy, a resin layer and an inorganic material (light metal such as aluminum, ceramic-based material such as SiO ₂ , SiON, Al ₂ O ₃ ) is laminated. Can be formed from.
Further, the thickness dimension of the moisture-proof body 7 can be determined in consideration of absorption of X-rays, rigidity and the like. In this case, if the thickness dimension of the moisture-proof body 7 is made too large, the absorption of X-rays will become too large. If the thickness dimension of the moisture-proof body 7 is too small, the rigidity is lowered and the moisture-proof body 7 is easily damaged.
The moisture-proof body 7 can be formed, for example, by press-molding an aluminum foil having a thickness of 0.1 mm.

表面部７ａは、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）に対向している。
周面部７ｂは、表面部７ａの周縁を囲むように設けられている。周面部７ｂは、表面部７ａの周縁から基板２ａに向けて延びている。
表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５と反射層６が設けられる。なお、反射層６が設けられない場合には、表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５が設けられる。表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５との間には隙間があってもよいし、表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５とが接触していてもよい。 The surface portion 7a faces the surface side (X-ray incident surface side) of the scintillator layer 5.
The peripheral surface portion 7b is provided so as to surround the peripheral edge of the surface portion 7a. The peripheral surface portion 7b extends from the peripheral edge of the surface portion 7a toward the substrate 2a.
A scintillator layer 5 and a reflective layer 6 are provided inside the space formed by the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b. When the reflective layer 6 is not provided, the scintillator layer 5 is provided inside the space formed by the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b. There may be a gap between the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b and the reflective layer 6 or the scintillator layer 5, or the surface portion 7a and the peripheral surface portion 7b are in contact with the reflective layer 6 or the scintillator layer 5. May be.

つば部７ｃは、周面部７ｂの、表面部７ａ側とは反対側の端部を囲むように設けられている。つば部７ｃは、周面部７ｂの端部から外側に向けて延びている。つば部７ｃの平面形状は、環状となっている。
つば部７ｃの、アレイ基板２と対向する面における外周端７ｃ１とアレイ基板２との間の距離（Ｔ０＋Ｔ）は、つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２との間の距離Ｔ０よりも長い。図２（ａ）、（ｂ）に例示をしたつば部７ｃの場合には、つば部７ｃは、防湿体７の外側になるに従いアレイ基板２から離れる方向に傾斜している。
つば部７ｃは、接着層８を介して、基板２ａの、光電変換部２ｂが設けられる側の面と接着されている。
すなわち、防湿体７は、シンチレータ層５の外側に位置する環状のつば部７ｃを有し、少なくともシンチレータ層を覆う。 The collar portion 7c is provided so as to surround the end portion of the peripheral surface portion 7b on the side opposite to the surface portion 7a side. The collar portion 7c extends outward from the end of the peripheral surface portion 7b. The flange portion 7c has an annular planar shape.
The distance (T0+T) between the outer peripheral edge 7c1 of the flange portion 7c facing the array substrate 2 and the array substrate 2 is larger than the distance T0 between the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c and the array substrate 2. long. In the case of the collar portion 7c illustrated in FIGS. 2A and 2B, the collar portion 7c is inclined in a direction away from the array substrate 2 as it goes outside the moistureproof body 7.
The brim portion 7c is bonded to the surface of the substrate 2a on the side where the photoelectric conversion portion 2b is provided via the adhesive layer 8.
That is, the moistureproof body 7 has the annular flange portion 7c located outside the scintillator layer 5 and covers at least the scintillator layer.

ハット形状の防湿体７を用いるものとすれば、高い防湿性能を得ることが可能となる。この場合、防湿体７はアルミニウムなどから形成されるため、水蒸気の透過は極めて少ないものとなる。 If the hat-shaped moistureproof body 7 is used, high moistureproof performance can be obtained. In this case, since the moistureproof body 7 is made of aluminum or the like, the transmission of water vapor is extremely small.

接着層８は、つば部７ｃと、アレイ基板２の、光電変換部２ｂが設けられる側の面との間に設けられている。接着層８は、接着剤８ａが硬化することで形成されたものである。接着層８を形成する際に用いる接着剤８ａは、透湿係数と、防湿体７と基板２ａとの接着性を考慮して選択する。接着剤８ａは、例えば、紫外線硬化型のエポキシ系接着剤や、熱硬化型のエポキシ系接着剤などとすることができる。 The adhesive layer 8 is provided between the collar portion 7c and the surface of the array substrate 2 on the side where the photoelectric conversion portion 2b is provided. The adhesive layer 8 is formed by curing the adhesive 8a. The adhesive 8a used when forming the adhesive layer 8 is selected in consideration of the moisture permeability coefficient and the adhesiveness between the moistureproof body 7 and the substrate 2a. The adhesive 8a can be, for example, an ultraviolet curable epoxy adhesive or a thermosetting epoxy adhesive.

ここで、基板２ａの、接着剤８ａが接触する領域には、制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２などの遮光性部材が設けられている場合がある。そのため、紫外線硬化型の接着剤を用いる場合には、照射ムラがある場合でも適切な硬化を行うことができるものを選択することが好ましい。照射ムラがある場合でも適切な硬化を行うことができる紫外線硬化型の接着剤としては、例えば、カチオン重合により硬化反応が進むエポキシ系紫外線硬化型の接着剤などを例示することができる。
また、接着層８の透湿率（水蒸気の透過率）を低減させるためには、透湿係数ができるだけ小さい材料を選定することが好ましい。
例えば、エポキシ系の接着剤に無機材質のタルク（滑石：Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_２）を７０重量％以上添加すれば、接着層８の透湿係数を大幅に低減させることができる。 Here, a light shielding member such as a control line 2c1 or a data line 2c2 may be provided in a region of the substrate 2a that contacts the adhesive 8a. Therefore, when using an ultraviolet curable adhesive, it is preferable to select an adhesive that can perform appropriate curing even when there is uneven irradiation. Examples of the ultraviolet curable adhesive that can perform appropriate curing even when there is uneven irradiation include epoxy-based ultraviolet curable adhesives that undergo a curing reaction by cationic polymerization.
Further, in order to reduce the moisture permeability (water vapor permeability) of the adhesive layer 8, it is preferable to select a material having a moisture permeability coefficient as small as possible.
For example, by adding 70% by weight or more of inorganic material talc (talc: Mg ₃ Si ₄ O ₁₀ (OH) ₂ ) to an epoxy adhesive, the moisture permeability coefficient of the adhesive layer 8 can be significantly reduced. ..

ここで、ハット形状を呈する防湿体７において、つば部７ｃとアレイ基板２との密着性を十分に確保し、かつ高い信頼性を担保する為には、つば部７ｃとアレイ基板２との間に介在させる接着剤８ａの量を多めにし、且つ、つば部７ｃとアレイ基板２とを接着する際の加圧力を一定以上に大きくすることが好ましい。 Here, in the moisture-proof body 7 having a hat shape, in order to sufficiently secure the adhesion between the collar portion 7c and the array substrate 2 and to ensure high reliability, a gap between the collar portion 7c and the array substrate 2 is required. It is preferable to increase the amount of the adhesive 8a to be interposed between the two and to increase the pressure applied when the flange 7c and the array substrate 2 are bonded to a certain level or more.

しかしながら、このような２つの条件を満足させると、必然的に接着剤８ａがつば部７ｃの外側に食み出すことになる。そのため、アレイ基板２上のつば部７ｃの周辺に余剰な接着剤８ａが食み出すことで、接着層８の食み出し（広がり）部分が形成されることになる。接着層８の食み出し部分が、配線パッド２ｄ１、２ｄ２に到達すると、配線パッド２ｄ１、２ｄ２へのフレキシブルプリント基板２ｆ１、２ｆ２の接続ができなくなるおそれがある。また、アレイ基板２の、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられていない側においても、接着層８の食み出し部分が形成されると、アレイ基板２を最終的な製品寸法に切断する際に、接着層８の食み出し部分が切断に用いるブレードに干渉するおそれがある。 However, when these two conditions are satisfied, the adhesive 8a inevitably squeezes out to the outside of the collar portion 7c. Therefore, the excess adhesive 8a oozes out around the brim 7c on the array substrate 2 to form a bulged (spread) part of the adhesive layer 8. When the protruding portion of the adhesive layer 8 reaches the wiring pads 2d1 and 2d2, the flexible printed boards 2f1 and 2f2 may not be connected to the wiring pads 2d1 and 2d2. Further, when the protruding portion of the adhesive layer 8 is formed even on the side of the array substrate 2 where the wiring pads 2d1 and 2d2 are not provided, when the array substrate 2 is cut into the final product size, The protruding portion of the adhesive layer 8 may interfere with the blade used for cutting.

この場合、つば部７ｃの外周端７ｃ１と配線パッド２ｄ１、２ｄ２との間の距離、あるいは、つば部７ｃの外周端７ｃ１とアレイ基板２の周端（カット端）との間の距離を長くすれば、これらの不具合が発生するのを抑制することができる。しかしながら、この様にすると、アレイ基板２が大きくなるので、Ｘ線検出器１の小型化や軽量化などが図れなくなる。 In this case, the distance between the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c and the wiring pads 2d1 and 2d2, or the distance between the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c and the peripheral edge (cut edge) of the array substrate 2 can be increased. If so, it is possible to suppress the occurrence of these problems. However, in this case, the array substrate 2 becomes large, and it becomes impossible to reduce the size and weight of the X-ray detector 1.

すなわち、防湿体７の周辺に設けることが必要となる領域の寸法は、Ｘ線検出器１の機能とは関係がないので、Ｘ線検出器１が余分に大きくなるおそれがある。Ｘ線検出器１が余分に大きくなれば、Ｘ線検出器１の重量も余分に増大する。特に、小型化と軽量化が要求される可搬型（ポータブル）のＸ射線検出器１などにおいては、大きなデメリットとなるおそれがある。 That is, the size of the region that needs to be provided around the moistureproof body 7 has nothing to do with the function of the X-ray detector 1, and therefore the X-ray detector 1 may become excessively large. If the X-ray detector 1 becomes excessively large, the weight of the X-ray detector 1 also becomes excessively large. In particular, in a portable (radiation) X-ray detector 1 and the like, which are required to be small and lightweight, there is a possibility that it will be a great disadvantage.

一方、接着層８の食み出し部分を小さくするために、接着剤８ａの量を減らしたり、つば部７ｃとアレイ基板２とを接着する際の加圧力を小さくしたりすれば、つば部７ｃとアレイ基板２との密着性が全体的あるいは部分的に低下して、高温高湿環境や冷熱環境において接着層８が剥離するなどの不具合が生じるおそれがある。 On the other hand, in order to reduce the protruding portion of the adhesive layer 8, if the amount of the adhesive 8a is reduced or the pressure applied when the collar portion 7c and the array substrate 2 are bonded is reduced, the collar portion 7c is reduced. There is a possibility that the adhesiveness between the substrate and the array substrate 2 may be wholly or partially deteriorated and that the adhesive layer 8 may be peeled off in a high temperature and high humidity environment or a cold heat environment.

そこで、本実施の形態に係るＸ線検出器１においては、つば部７ｃの外周端７ｃ１とアレイ基板２との間の距離（Ｔ０＋Ｔ）が、つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２との間の距離Ｔ０よりも長くなるようにしている。 Therefore, in the X-ray detector 1 according to the present embodiment, the distance (T0+T) between the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c and the array substrate 2 is equal to the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c and the array substrate 2. The distance T0 is longer than the distance T0.

次に、この様な形態を有するつば部７ｃの作用、効果について説明する。
つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２との間の距離をＴ０（ｍｍ）、つば部７ｃの外周端７ｃ１とアレイ基板２との間の距離を（Ｔ０＋Ｔ）（ｍｍ）、アレイ基板２の厚み方向におけるつば部７ｃの内周端７ｃ２と外周端７ｃ１との間の距離をＴ（ｍｍ）、接着層８の幅寸法をＷ（ｍｍ）、接着剤８ａの塗布量をｍ（ｍｇ／ｍｍ）、接着剤８ａの密度をρ（ｍｇ／ｍｍ^３）とする。 Next, the operation and effect of the collar portion 7c having such a form will be described.
The distance between the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c and the array substrate 2 is T0 (mm), and the distance between the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c and the array substrate 2 is (T0+T) (mm). Is T (mm), the width dimension of the adhesive layer 8 is W (mm), and the amount of adhesive 8a applied is m (mg/mg/mg/ mm) and the density of the adhesive 8a is ρ (mg/mm ³ ).

図２（ａ）、（ｂ）に例示をしたものの様に、つば部７ｃの内側にも外側にも接着剤８ａの食み出しが無い場合には、接着層８の体積Ｖ（つば部の周囲長方向の単位長さ当たり）は以下のように算出することができる。
Ｖ＝Ｗ・（Ｔ０＋（Ｔ０＋Ｔ））／２＝Ｗ・（２Ｔ０＋Ｔ）／２・・・（１）
接着層８の厚みの変動は、Ｔ０の変動（ΔＴ０とする）に相当するので、Ｔ０の変動ΔＴ０に対する接着層８の、防湿体７のつば部７ｃとアレイ基板２との間の部分に相当する体積の変動ΔＶ（つば部の周囲長方向の単位長さ当たり）は、以下のように算出することができる。
ΔＶ＝Ｗ・ΔＴ０・・・（２）
この接着層８の、防湿体７のつば部７ｃとアレイ基板２との間の部分に相当する体積の変動ΔＶ分に相当する接着剤８ａが、つば部７ｃの外周端７ｃ１から外側に食み出したとした場合を試算する。その際、接着層８の、つば部７ｃの外周端７ｃ１側の厚み（Ｔ０＋Ｔ）と概ね同程度の厚みで接着剤８ａがつば部７ｃの外側に食み出すと考えることができる。
この場合、接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷは、以下のように算出することができる。
ΔＷ＝ΔＶ／（Ｔ０＋Ｔ）・・・（３）
（３）式に（２）式を代入すると以下のようになる。
ΔＷ＝Ｗ・ΔＴ０／（Ｔ０＋Ｔ）・・・（４）
（４）式から分かるように、接着層８の厚みの最小値であるＴ０の変動ΔＴ０に対して、分母の（Ｔ０＋Ｔ）の値を大きくするほど、つば部７ｃの外周端７ｃ１からの接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷは小さくなる。 As illustrated in FIGS. 2A and 2B, when there is no protrusion of the adhesive 8a on the inside or the outside of the collar portion 7c, the volume V of the adhesive layer 8 (of the collar portion) Per unit length in the circumferential length direction) can be calculated as follows.
V=W・(T0+(T0+T))/2=W・(2T0+T)/2 (1)
Since the variation of the thickness of the adhesive layer 8 corresponds to the variation of T0 (denoted by ΔT0), it corresponds to the portion of the adhesive layer 8 with respect to the variation ΔT0 of T0 between the brim portion 7c of the moistureproof body 7 and the array substrate 2. The volume variation ΔV (per unit length in the circumferential length direction of the collar portion) to be calculated can be calculated as follows.
ΔV=W·ΔT0 (2)
The adhesive 8a corresponding to a volume variation ΔV of the adhesive layer 8 corresponding to a portion between the brim portion 7c of the moistureproof body 7 and the array substrate 2 is eroded outward from the outer peripheral end 7c1 of the brim portion 7c. Estimate if you put it out. At that time, it can be considered that the adhesive 8a protrudes to the outside of the collar portion 7c with a thickness approximately equal to the thickness (T0+T) of the adhesive layer 8 on the outer peripheral edge 7c1 side of the collar portion 7c.
In this case, the fluctuation ΔW of the protrusion width of the adhesive 8a can be calculated as follows.
ΔW=ΔV/(T0+T) (3)
Substituting equation (2) into equation (3) yields the following.
ΔW=W·ΔT0/(T0+T) (4)
As can be seen from the equation (4), as the value of (T0+T) of the denominator is increased with respect to the variation ΔT0 of T0 which is the minimum value of the thickness of the adhesive layer 8, the adhesive from the outer peripheral end 7c1 of the flange portion 7c is increased. The variation ΔW of the protruding width of 8a becomes small.

ここで、上下方向から加圧して、防湿体７（つば部７ｃ）とアレイ基板２とを接着する際には、Ｔ０の値を制御する。そのため、Ｔ０＋Ｔの値を大きくするには、Ｔの値を大きくすることが有効となる。すなわち、接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷを小さくするためには、Ｔの値を大きくすることが有効となる。 Here, when the moistureproof body 7 (the collar portion 7c) is bonded to the array substrate 2 by applying pressure from the vertical direction, the value of T0 is controlled. Therefore, it is effective to increase the value of T in order to increase the value of T0+T. That is, it is effective to increase the value of T in order to reduce the fluctuation ΔW of the width of the adhesive 8a that is exposed.

この様に、つば部７ｃの内周端７ｃ２付近の接着層８の厚みに対して、つば部７ｃの外周端７ｃ１の付近の接着層８の厚みを厚くすれば、つば部７ｃの外周端７ｃ１からの接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷを効果的に抑制することができる。
ここで、つば部７ｃの内周端７ｃ２付近の接着層８の厚み（Ｔ０）自体も厚くして、接着層の厚み全体を一定以上に厚くしてしまう方法でも、接着層８の食み出し幅ΔＷの抑制には同様な効果が期待できる。しかしながらこの方法は、接着の信頼性の面からは望ましくない。その理由は、例えば保管環境における温度変化などによって、防湿体７とアレイ基板２との熱膨張差に起因する応力が生じる場合に、接着層８の厚みによって防湿体７とアレイ基板２との間にかかるトルク（力のモーメント）が大きくなる為である。その結果、接着層８の内部での破壊（凝集破壊）や、防湿体７と接着層８の界面での剥離、或いは接着層８とアレイ基板２との界面での破壊が生じ易くなってしまう。この影響を抑えるためには、特に熱膨張差に起因する応力が集中し易いつば部７ｃの内周端７ｃ２付近の厚みを大きくしない事が重要となる。 In this way, if the thickness of the adhesive layer 8 near the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c is increased with respect to the thickness of the adhesive layer 8 near the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c, the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c can be increased. It is possible to effectively suppress the variation ΔW of the width of the adhesive 8a that leaks from the adhesive.
Here, even if the thickness (T0) of the adhesive layer 8 in the vicinity of the inner peripheral end 7c2 of the collar portion 7c is also increased to increase the total thickness of the adhesive layer to a certain level or more, the protrusion of the adhesive layer 8 A similar effect can be expected in suppressing the width ΔW. However, this method is not desirable in terms of adhesion reliability. The reason is that, when a stress due to a difference in thermal expansion between the moistureproof body 7 and the array substrate 2 is generated due to a temperature change in a storage environment or the like, the thickness of the adhesive layer 8 causes a difference between the moistureproof body 7 and the array substrate 2. This is because the torque (moment of force) applied to is increased. As a result, breakage (cohesive breakage) inside the adhesive layer 8, peeling at the interface between the moistureproof body 7 and the adhesive layer 8, or breakage at the interface between the adhesive layer 8 and the array substrate 2 is likely to occur. .. In order to suppress this effect, it is important not to increase the thickness near the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c where stress due to the difference in thermal expansion tends to concentrate.

本実施の形態に係るＸ線検出器１においては、つば部７ｃの外周端７ｃ１とアレイ基板２との間の距離（Ｔ０＋Ｔ）が、つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２との間の距離Ｔ０よりも長くなっている。そのため、つば部７ｃの外周端７ｃ１からの接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷを効果的に抑制することができる。
接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷが小さくなれば、防湿体７の周辺に設けることが必要となる領域の寸法を小さくすることができるので、Ｘ線検出器１の小型化や軽量化を図ることができる。 In the X-ray detector 1 according to the present embodiment, the distance (T0+T) between the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c and the array substrate 2 is between the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c and the array substrate 2. Is longer than the distance T0. Therefore, it is possible to effectively suppress the variation ΔW in the width of protrusion of the adhesive 8a from the outer peripheral end 7c1 of the collar portion 7c.
If the variation ΔW in the width of the adhesive 8a that leaks out is reduced, the size of the area that needs to be provided around the moisture-proof body 7 can be reduced, so the X-ray detector 1 can be made smaller and lighter. Can be planned.

図４は、つば部７ｃの形態と、接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷとの関係を例示するためのグラフ図である。
表１は、つば部７ｃの形態と、接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷとの関係を例示するための表である。

図４および表１は、接着剤８ａの食み出し幅の変動ΔＷを実験により求めた結果である。ハット形状の防湿体７は、厚みが０．１ｍｍのアルミニウム箔から形成した。つば部７ｃの幅寸法は２ｍｍとした。「傾斜したつば部」は、後述するつば部７ｃｂである（図５（ｂ）を参照）。なお、つば部７ｃｂは、外周端７ｃ１から０．５ｍｍのところから距離Ｔが変化するものとした。「水平なつば部７ｃ」は、Ｔ＝０ｍｍとしたものである。
接着剤８ａの密度ρは１．４（ｍｇ／ｍｍ^３）とし、接着剤８ａの塗布量ｍは０．４（ｍｇ／ｍｍ）とした。接着剤８ａは、エポキシ系紫外線硬化型接着剤とした。
つば部７ｃとアレイ基板２とを接着する際の加圧力は、概ね０．１ＭＰａ程度とした。 FIG. 4 is a graph for illustrating the relationship between the form of the collar portion 7c and the variation ΔW of the protruding width of the adhesive 8a.
Table 1 is a table for illustrating the relationship between the form of the flange portion 7c and the variation ΔW of the protruding width of the adhesive 8a.

FIG. 4 and Table 1 are the results of experimentally determining the fluctuation ΔW of the width of the adhesive 8a that leaks out. The hat-shaped moistureproof body 7 was formed from an aluminum foil having a thickness of 0.1 mm. The width of the brim 7c was 2 mm. The “inclined collar portion” is a collar portion 7cb described later (see FIG. 5B). The flange portion 7cb has a distance T varying from 0.5 mm from the outer peripheral edge 7c1. The "horizontal collar portion 7c" has T=0 mm.
The density ρ of the adhesive 8a was 1.4 (mg/mm ³ ) and the coating amount m of the adhesive 8a was 0.4 (mg/mm). The adhesive 8a was an epoxy ultraviolet curing adhesive.
The pressure applied when the brim portion 7c and the array substrate 2 were bonded together was approximately 0.1 MPa.

図４および表１から分かるように、「傾斜したつば部」とすれば、接着剤８ａの食み出し幅の絶対値とバラつきを大幅に少なくすることができる。 As can be seen from FIG. 4 and Table 1, if the "inclined collar portion" is used, the absolute value and variation of the protruding width of the adhesive 8a can be significantly reduced.

ここで、Ｔ０＝０ｍｍ、すなわち、つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２とが接触すると、保護層２ｅが破損して、つば部７ｃと、制御ライン２ｃ１またはデータライン２ｃ２とが接触し、短絡が生じるおそれがある。
そのため、つば部７ｃの内周端７ｃ２は、アレイ基板２と距離を空けて設けられる。すなわち、Ｔ０は０ｍｍを超えるものとする。 Here, when T0=0 mm, that is, when the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c contacts the array substrate 2, the protective layer 2e is damaged and the collar portion 7c contacts the control line 2c1 or the data line 2c2. , A short circuit may occur.
Therefore, the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c is provided with a distance from the array substrate 2. That is, T0 shall exceed 0 mm.

この場合、Ｔ０を小さくすれば接着剤８ａがつば部７ｃの内側方向に流動して食み出す際の抵抗が大きくなるので、接着剤８ａはつば部７ｃの外周端７ｃ１から外側に食み出しすくなる。接着剤８ａがつば部７ｃの外周端７ｃ１から外側に食み出しやすくなると、接着剤８ａの食み出し幅の絶対値やバラつきが大きくなるおそれがある。
一方、Ｔ０を大きくすれば前述した抵抗が小さくなるので、接着剤８ａはつば部７ｃの内周端７ｃ２からシンチレータ層５側に食み出しやすくなる。この場合、接着剤８ａがつば部７ｃの内周端７ｃ２からシンチレータ層５側に食み出しても特に不都合はない。 In this case, if T0 is made small, the resistance when the adhesive 8a flows in the inward direction of the collar portion 7c and oozes out, so the adhesive 8a oozes out from the outer peripheral end 7c1 of the collar portion 7c. I'm getting better. If the adhesive 8a easily protrudes from the outer peripheral edge 7c1 of the collar portion 7c to the outside, there is a possibility that the absolute value or variation of the protrusion width of the adhesive 8a becomes large.
On the other hand, if T0 is increased, the above-mentioned resistance is reduced, and therefore the adhesive 8a is likely to squeeze out from the inner peripheral end 7c2 of the collar portion 7c to the scintillator layer 5 side. In this case, there is no particular problem even if the adhesive 8a squeezes out from the inner peripheral end 7c2 of the collar portion 7c toward the scintillator layer 5 side.

そのため、Ｔ０は所定の値以上とすることが好ましい。
本発明者の得た知見によれば、Ｔ０≧５μｍとすることが好ましい。また、１０μｍ≦Ｔ０≦３０μｍとすれば、短絡の発生と、つば部７ｃの外周端７ｃ１からの接着剤８ａの食み出しをより効果的に抑制することができる。 Therefore, it is preferable that T0 be a predetermined value or more.
According to the knowledge obtained by the present inventor, it is preferable that T0≧5 μm. Further, if 10 μm≦T0≦30 μm, the occurrence of a short circuit and the protrusion of the adhesive 8a from the outer peripheral end 7c1 of the collar portion 7c can be suppressed more effectively.

また、前述したように、Ｔを大きくすれば、つば部７ｃの外周端７ｃ１からの接着剤８ａの食み出しを効果的に抑制することができる。
ところが、Ｔを極端に大きくしすぎると、Ｔ０を一定範囲内に小さく抑えていたとしても、高温高湿環境や冷熱環境において、接着層８が剥がれやすくなる。そのため、Ｔ≦５００μｍとすることが好ましい。 Further, as described above, by increasing T, it is possible to effectively prevent the adhesive 8a from protruding from the outer peripheral end 7c1 of the collar portion 7c.
However, if T is excessively increased, the adhesive layer 8 is likely to be peeled off in a high temperature and high humidity environment or a cold heat environment even if T0 is kept small within a certain range. Therefore, it is preferable that T≦500 μm.

図５（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るつば部７ｃａ、７ｃｂを例示するための模式断面図である。
前述したつば部７ｃは平板状であったが、図５（ａ）に示すように曲面を有するつば部７ｃａとすることもできる。
また、前述したつば部７ｃは内周端７ｃ２から距離Ｔが変化したが、図５（ｂ）に示すように内周端７ｃ２と外周端７ｃ１の間の任意の位置から距離Ｔが変化するようにしてもよい。
すなわち、つば部７ｃは、アレイ基板２までの距離が一定の領域を有していてもよい。
この様に、つば部７ｃの外周端７ｃ１とアレイ基板２との間の距離Ｔ１が、つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２との間の距離Ｔ０よりも長くなっていればよい。 5A and 5B are schematic cross-sectional views for illustrating the collar portions 7ca and 7cb according to another embodiment.
Although the collar portion 7c described above has a flat plate shape, it may be a collar portion 7ca having a curved surface as shown in FIG. 5(a).
Further, although the distance T of the collar portion 7c changes from the inner peripheral end 7c2, the distance T may change from an arbitrary position between the inner peripheral end 7c2 and the outer peripheral end 7c1 as shown in FIG. 5B. You can
That is, the collar portion 7c may have a region where the distance to the array substrate 2 is constant.
As described above, the distance T1 between the outer peripheral end 7c1 of the collar portion 7c and the array substrate 2 may be longer than the distance T0 between the inner peripheral end 7c2 of the collar portion 7c and the array substrate 2.

本実施の形態に係るＸ線検出器１とすれば、つば部７ｃの外周端７ｃ１からの接着剤８ａの食み出しを最小限に抑えることができる。この場合、実質的に食み出し量をゼロにすることができる。
また、アレイ基板２の表面から上方向への接着剤８ａの食み出しも抑制することができるので、アレイ基板２を筺体に固定する際に不都合が発生するのを抑制することができる。
更に、防湿体７のつば部７ｃと接着層８の界面、及び接着層８とアレイ基板２との界面が良好な密着性を有しているので、高い防湿信頼性を得ることができる。 The X-ray detector 1 according to the present embodiment can minimize the protrusion of the adhesive 8a from the outer peripheral end 7c1 of the collar portion 7c. In this case, the amount of protrusion can be substantially zero.
In addition, since the protrusion of the adhesive 8a from the surface of the array substrate 2 to the upper side can be suppressed, it is possible to prevent a problem from occurring when the array substrate 2 is fixed to the housing.
Furthermore, since the interface between the brim portion 7c of the moistureproof body 7 and the adhesive layer 8 and the interface between the adhesive layer 8 and the array substrate 2 have good adhesion, high moistureproof reliability can be obtained.

また、本実施の形態に係るＸ線検出器１によれば、６０℃−９０％高温高湿試験や、６０℃と−２０℃の繰り返しによる冷熱環境試験においても高い信頼性を得ることができた。 Further, according to the X-ray detector 1 according to the present embodiment, high reliability can be obtained even in a 60° C.-90% high temperature and high humidity test and a cold environment test by repeating 60° C. and −20° C. It was

（Ｘ線検出器の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係るＸ線検出器１の製造方法について例示をする。
Ｘ線検出器１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、基板２ａ上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｅなどを順次形成してアレイ基板２を作成する。アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。 (Method of manufacturing X-ray detector)
Next, a method for manufacturing the X-ray detector 1 according to the embodiment of the present invention will be exemplified.
The X-ray detector 1 can be manufactured, for example, as follows.
First, the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, the data line 2c2, the wiring pad 2d1, the wiring pad 2d2, and the protective layer 2e are sequentially formed on the substrate 2a to form the array substrate 2. The array substrate 2 can be created using, for example, a semiconductor manufacturing process.

次に、アレイ基板２上の複数の光電変換部２ｂが形成された領域を覆うようにシンチレータ層５を形成する。シンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム：タリウムからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。 Next, the scintillator layer 5 is formed so as to cover the region where the plurality of photoelectric conversion units 2b are formed on the array substrate 2. The scintillator layer 5 can be formed, for example, by forming a film of cesium iodide:thallium using a vacuum vapor deposition method or the like. In this case, the thickness of the scintillator layer 5 can be about 600 μm. The thickness of the pillar of the columnar crystal may be about 8 to 12 μm on the outermost surface.

次に、シンチレータ層５を覆うようにして反射層６を形成する。反射層６は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。 Next, the reflective layer 6 is formed so as to cover the scintillator layer 5. The reflective layer 6 can be formed, for example, by applying a material prepared by mixing a submicron powder made of titanium oxide, a binder resin, and a solvent onto the scintillator layer 5 and drying the applied material.

次に、以下のようにして、ハット形状の防湿体７をアレイ基板２上に接着し、防湿体７と接着層８によりシンチレータ層５と反射層６を封止する。
まず、防湿体７を形成する。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。また、つば部７ｃの形態は、前述したものとすることができる。 Next, the hat-shaped moistureproof body 7 is adhered onto the array substrate 2 as described below, and the scintillator layer 5 and the reflection layer 6 are sealed by the moistureproof body 7 and the adhesive layer 8.
First, the moistureproof body 7 is formed.
The moisture-proof body 7 can be formed, for example, by press-molding an aluminum foil having a thickness of 0.1 mm. The form of the collar portion 7c can be the same as described above.

続いて、つば部７ｃの表面（接着面）を清浄化し、清浄化したつば部７ｃの表面に所定の量の接着剤８ａを塗布する。接着剤８ａの塗布は、ディスペンサー装置を用いて行うことができる。なお、接着剤８ａは、アレイ基板２上に塗布してもよい。
すなわち、シンチレータ層５の外側に位置する環状のつば部７ｃ、若しくはつば部７ｃに対向するアレイ基板２上に接着剤を塗布する。
また、接着剤８ａを塗布する際には、後述する治具１００を用いることができる（図６を参照）。治具１００を用いる場合には、治具１００につば部７ｃを支持させる。 Then, the surface (adhesive surface) of the collar portion 7c is cleaned, and a predetermined amount of the adhesive 8a is applied to the cleaned surface of the collar portion 7c. The application of the adhesive agent 8a can be performed using a dispenser device. The adhesive 8a may be applied on the array substrate 2.
That is, the adhesive is applied to the annular collar portion 7c located outside the scintillator layer 5 or the array substrate 2 facing the collar portion 7c.
When applying the adhesive 8a, a jig 100 described later can be used (see FIG. 6). When using the jig 100, the jig 100 is made to support the collar portion 7c.

続いて、防湿体７をアレイ基板２上に接着する。
図６は、接着の様子を例示するための模式断面図である。
図６に示すように、防湿体７をアレイ基板２上に接着する際には、治具１００を用いることができる。
まず、つば部７ｃとアレイ基板２とを近接させる。
この場合、治具１００をアレイ基板２に向けて移動させるか、若しくはアレイ基板２を治具１００に向けて移動させるようにすることができる。なお、治具１００とアレイ基板２の両方を移動させることもできる。
そして、治具１００とアレイ基板２との間の距離を制御することで、つば部７ｃの内周端７ｃ２は、アレイ基板２と距離を空けて設けられる。また、つば部７ｃの内周端７ｃ２とアレイ基板２との間の距離Ｔ０が前述したものとなるようにする。
アレイ基板２と防湿体７のつば部の外側端７ｃ１との距離がＴ０＋Ｔとなる様に、つば部７ｃを予め変形させておくことができる。また、治具１００の額縁部（防湿体７のつば部７ｃを受ける部分）の形状を、内側から外側に向かって図６に示すようにテーパー形状とし、接着後のアレイ基板２と防湿体のつば部７ｃの外側端７ｃ１との距離がＴ０＋Ｔとなる様に保持することもできる。
続いて、アレイ基板２の裏面側から所定量の紫外線を照射することで、接着剤８ａを硬化させる。この場合、アレイ基板２の表面には、制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２などの遮光性部材が設けられているので、接着剤８ａの一部には紫外線が照射されない。そのため、前述したように、カチオン重合により硬化反応が進むエポキシ系紫外線硬化型の接着剤を用いることが好ましい。
また、紫外線の照射により一定の硬化が得られた後に、例えば、６０℃程度の加熱を行い、接着剤８ａの重合度を高めることもできる。
また、接着剤８ａに、例えば、タルクなどからなるフィラー材を一定量添加することで、接着層８自体の透湿係数を抑えて、防湿低能を高めることもできる。 Then, the moistureproof body 7 is bonded onto the array substrate 2.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for illustrating the state of adhesion.
As shown in FIG. 6, a jig 100 can be used to bond the moistureproof body 7 onto the array substrate 2.
First, the collar portion 7c and the array substrate 2 are brought close to each other.
In this case, the jig 100 can be moved toward the array substrate 2, or the array substrate 2 can be moved toward the jig 100. Note that both the jig 100 and the array substrate 2 can be moved.
Then, by controlling the distance between the jig 100 and the array substrate 2, the inner peripheral edge 7c2 of the collar portion 7c is provided with a distance from the array substrate 2. Further, the distance T0 between the inner peripheral end 7c2 of the collar portion 7c and the array substrate 2 is set to the above-mentioned value.
The collar portion 7c can be preliminarily deformed so that the distance between the array substrate 2 and the outer end 7c1 of the collar portion of the moistureproof body 7 is T0+T. Further, the frame portion of the jig 100 (the portion that receives the brim portion 7c of the moistureproof body 7) is tapered from the inner side to the outer side as shown in FIG. It can also be held so that the distance from the outer end 7c1 of the collar portion 7c is T0+T.
Then, the adhesive 8a is cured by irradiating a predetermined amount of ultraviolet rays from the back surface side of the array substrate 2. In this case, since light-shielding members such as the control lines 2c1 and the data lines 2c2 are provided on the surface of the array substrate 2, part of the adhesive 8a is not irradiated with ultraviolet rays. Therefore, as described above, it is preferable to use an epoxy-based UV-curable adhesive whose curing reaction proceeds by cationic polymerization.
Further, after a certain degree of curing is obtained by irradiation with ultraviolet rays, heating at about 60° C. may be performed to increase the degree of polymerization of the adhesive 8a.
Further, by adding a fixed amount of a filler material such as talc to the adhesive 8a, it is possible to suppress the moisture permeability coefficient of the adhesive layer 8 itself and enhance the moisture-proof low performance.

次に、フレキシブルプリント基板２ｆ１、２ｅ２を介して、アレイ基板２と信号処理部３を電気的に接続する。
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。 Next, the array substrate 2 and the signal processing unit 3 are electrically connected via the flexible printed boards 2f1 and 2e2.
Further, the signal processing unit 3 and the image transmission unit 4 are electrically connected via the wiring 4a.
In addition, circuit components and the like are appropriately mounted.

次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常の有無や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験などを行う。
以上のようにして、Ｘ線検出器１を製造することができる。 Next, the array substrate 2, the signal processing unit 3, the image transmission unit 4, and the like are stored inside a casing (not shown).
Then, if necessary, an electrical test, an X-ray image test, or the like for confirming whether or not there is an abnormality in the photoelectric conversion element 2b1 or whether or not there is an abnormality in electrical connection is performed.
The X-ray detector 1 can be manufactured as described above.

なお、製品の防湿信頼性や温度環境変化に対する信頼性を確認するために、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを実施することもできる。 Note that a high temperature and high humidity test, a cold heat cycle test, and the like can be performed in order to confirm the moisture proof reliability of the product and the reliability with respect to changes in the temperature environment.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 Although some embodiments of the present invention have been illustrated above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the scope equivalent thereto. Further, the above-described respective embodiments can be implemented in combination with each other.

１Ｘ線検出器、２アレイ基板、２ａ基板、２ｂ光電変換部、２ｂ１光電変換素子、３信号処理部、４画像伝送部、５シンチレータ層、６反射層、７防湿体、７ａ表面部、７ｂ周面部、７ｃつば部、７ｃ１外周端、７ｃ２内周端、８接着層、８ａ接着剤、１００治具 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 X-ray detector, 2 array substrate, 2a substrate, 2b photoelectric conversion unit, 2b1 photoelectric conversion element, 3 signal processing unit, 4 image transmission unit, 5 scintillator layer, 6 reflective layer, 7 moisture barrier, 7a surface part, 7b Peripheral surface portion, 7c collar portion, 7c1 outer peripheral edge, 7c2 inner peripheral edge, 8 adhesive layer, 8a adhesive agent, 100 jig

Claims

An array substrate having a plurality of photoelectric conversion elements,
A scintillator layer provided on the plurality of photoelectric conversion elements and converting radiation into fluorescence,
Having a ring-shaped collar portion located outside the scintillator layer, a moisture-proof body covering the scintillator layer,
An adhesive layer provided between the brim portion and the array substrate,
Equipped with
The surface of the brim portion facing the array substrate is a flat plate shape, or a curved surface protruding toward the array substrate side,
The inner peripheral edge of the surface of the brim portion facing the array substrate is provided at a distance from the array substrate,
A radiation detector in which a distance between the array substrate and an outer peripheral end of a surface of the brim portion facing the array substrate is longer than a distance between the inner peripheral end and the array substrate.

The radiation detector according to claim 1, wherein a distance between the inner peripheral edge and the array substrate is 5 μm or more.

The radiation detector according to claim 1, wherein a distance between the inner peripheral edge and the array substrate is 10 μm or more and 30 μm or less.

The radiation detector according to claim 1, wherein a distance between the inner peripheral edge and the outer peripheral edge in the thickness direction of the array substrate is 500 μm or less.

The radiation detector according to claim 1, wherein the brim portion has a region where a distance to the array substrate is constant.

The radiation detector according to claim 1, wherein the moistureproof body contains aluminum or an aluminum alloy.

On the array substrate having a photoelectric conversion element, a step of forming a scintillator layer for converting radiation into fluorescence,
Provided on the moisture-proof body covering the scintillator layer, a step of applying an adhesive on the array substrate facing the collar portion, or the annular collar portion located outside the scintillator layer,
A step of bringing the brim portion and the array substrate close to each other;
Curing the adhesive,
Equipped with
The collar portion has an outer peripheral edge on a surface of the collar portion that faces the array substrate, and a distance between the array substrate and an inner peripheral edge of a surface of the collar portion that faces the array substrate. The array substrate has a form that is longer than the distance between
The surface of the brim portion facing the array substrate is a flat plate shape, or a curved surface protruding toward the array substrate side,
A method of manufacturing a radiation detector, wherein in the step of bringing the brim portion and the array substrate close to each other, the inner peripheral edge is provided with a distance from the array substrate.

In the step of applying the adhesive, the jig is made to support the brim portion,
In the step of bringing the brim portion and the array substrate close to each other, the jig is moved toward the array substrate, the array substrate is moved toward the jig, and the jig is moved into the array. The method of manufacturing a radiation detector according to claim 7, wherein the array substrate is moved toward the substrate and the array substrate is moved toward the jig.