JP5904083B2 - ガス濃度測定装置 - Google Patents

ガス濃度測定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5904083B2
JP5904083B2 JP2012226687A JP2012226687A JP5904083B2 JP 5904083 B2 JP5904083 B2 JP 5904083B2 JP 2012226687 A JP2012226687 A JP 2012226687A JP 2012226687 A JP2012226687 A JP 2012226687A JP 5904083 B2 JP5904083 B2 JP 5904083B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas concentration
optical switch
light
optical
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012226687A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014077754A (ja
Inventor
英二 入佐
英二 入佐
康彦 古山
康彦 古山
宣之 西居
宣之 西居
藤井 淳
淳 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2012226687A priority Critical patent/JP5904083B2/ja
Publication of JP2014077754A publication Critical patent/JP2014077754A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5904083B2 publication Critical patent/JP5904083B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

本発明は、半導体レーザを用いてガスの濃度を測定するガス濃度測定装置に関する。
波長可変型ダイオードレーザ分光吸収法(TDLAS)は、レーザ光の周波数を変調することにより測定ガスの微小な吸収を高感度で検出し、測定ガスの濃度を測定できる方法である。
測定ガスの濃度を測定する装置として、特許文献1に記載された技術が知られている。図5は、特許文献1に記載された従来のガス濃度測定装置の構成図である。図5に示すガス濃度測定装置は、波長可変型の半導体レーザ1、光分波器2、セル4a〜4c、受光素子5a〜5c、レーザ駆動部6、演算処理部7を有している。セル4a〜4cは、測定ガスを導入した容器である。
レーザ駆動部6は、半導体レーザ1を駆動するもので、半導体レーザ1の発振波長を一定周期で変調する。半導体レーザ1は、発振波長が一定周期で変調されたレーザ光を発生し、発生したレーザ光を光分波器2に導く。光分波器2は、レーザ光を分岐し、光ファイバ8a〜8cに入射したレーザ光をセル4a〜4cに導く。
セル4a〜4cを透過したレーザ光は、受光素子5a〜5cに入射される。受光素子5a〜5cは、セル4a〜4c内の測定ガスにより吸収されて減少されて減少された透過光量を検出する。演算処理部7は、例えばロックインアンプなどであり、受光素子5a〜5cで検出された透過光量内の変調信号を同期検波することによりセル4a〜4c内の測定ガスの濃度を測定する。
特開2005−91150号公報
しかしながら、多点のガス濃度を測定するとき、1点あるいは複数の経路のガス濃度測定が不要となった場合、測定チャネル数が変わっても光は常に一定の分配率となり、不要な経路に流れる光が無駄となる。
即ち、分岐数が固定されているため、測定チャネル数が減った場合には、それに応じた光分配が不可能であった。このため、最も良いS/Nを得ることができなくなり、高感度に測定することができなかった。
本発明の課題は、多点のガス濃度を測定するとき、1点又は複数の経路のガス濃度測定が不要となった場合に、その経路に流れるガスを無駄にすることなく、常に最大の光出力を得ることができるガス濃度測定装置を提供することにある。
本発明に係るガス濃度測定装置は、上記課題を解決するために、レーザ光を発生する半導体レーザと、ガスを導入し且つ前記レーザ光を入射する複数の容器と、前記複数の容器からのレーザ光を受光する複数の受光素子と、前記複数の受光素子の受光出力に基づき各容器毎のガスの濃度を演算する演算処理部と、前記演算処理部の各容器毎のガスの濃度に基づき前記複数の容器からガス濃度を測定すべき容器を選択し、選択された容器に前記半導体レーザからのレーザ光を分配する分配手段とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、分配手段は、演算処理部からの各容器毎のガスの濃度に基づき複数の容器からガス濃度を測定すべき容器を選択し、選択された容器に半導体レーザからのレーザ光を分配するので、1点又は複数の経路のガス濃度測定が不要となった場合に、その経路に流れるレーザ光を無駄にすることなく、常に最大の光出力を得ることができる。
実施例1のガス濃度測定装置の構成図である。 実施例1のガス濃度測定装置において測定ポイント数と各測定ポイントに供給される光量との関係を示す図である。 従来のガス濃度測定装置において測定ポイント数と各測定ポイントに供給される光量との関係を示す図である。 実施例2のガス濃度測定装置の構成図である。 従来のガス濃度測定装置の構成図である。
以下、本発明のガス濃度測定装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、実施例1のガス濃度測定装置の構成図である。図1に示す実施例1のガス濃度測定装置は、半導体レーザ1、光分波器2a,2b、光スイッチ3、セル4a〜4c、受光素子5a〜5c、レーザ駆動部6、演算処理部7、光スイッチ切替制御部9を備えている。
半導体レーザ1は、レーザ駆動部6により駆動され、レーザ光を発生する。
複数のセル4a〜4cは、ガスを導入し且つ半導体レーザ1からのレーザ光を入射する容器(ガス導入容器)を構成する。複数の受光素子5a〜5cは、複数のセル4a〜4cからのレーザ光を受光する。演算処理部7は、複数の受光素子5a〜5cの受光出力に基づき各セル毎のガスの濃度を演算する。なお、セルは発電所の煙突などであってもよい。
光スイッチ3、光分波器2a,2b、光スイッチ切替制御部9は、本発明の分配手段を構成し、演算処理部7の各セル毎のガスの濃度に基づき複数のセル4a〜4cからガス濃度を測定すべきセルを選択し、選択されたセルに半導体レーザ1からのレーザ光を分配する。
光スイッチ3は、半導体レーザ1に接続される共通端子aと、3つの切替端子b1〜b3と、一端を共通端子aに接続し、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により他端を3つの切替端子b1〜b3のいずれかに切り替える接片cとを有する。
光スイッチ3の切替端子b1は、光ファイバ8aを介してセル4aに接続される。
複数の光分波器2a,2bの各々は、レーザ光を分岐するもので、分岐数が異なり、入力側が光スイッチ3の複数の切替端子b2,b3に接続され、出力側が複数のセルに接続され、半導体レーザ1からのレーザ光を選択されたセルに出力する。即ち、光分波器2a,2bは、必要な測定ポイント数にレーザ光を分岐することができる。また、複数の光分波器2a,2bを用いることで、測定するポイント数と必要な経路にレーザ光を流すことができる。
光分波器2aは、半導体レーザ1からのレーザ光を光スイッチ3の切替端子b2から入力し、入力されたレーザ光を2分岐し、2分岐されたレーザ光をファイバ8b,8cを介してセル4a,4bに出力する。
光分波器2bは、半導体レーザ1からのレーザ光を光スイッチ3の切替端子b3から入力し、入力されたレーザ光を3分岐し、3分岐されたレーザ光をファイバ8d,8e,8fを介してセル4a,4b,4cに出力する。
光スイッチ切替制御部9は、演算処理部7からのセル4a〜4cの各々のセル出力値に基づき、複数のセル4a〜4cからガス濃度を測定すべきセルを選択するために光スイッチ3の複数の切替端子b1〜b3のいずれか1つを切替制御する。
次に、このように構成された実施例1のガス濃度測定装置の動作を、図1及び図2を用いて説明する。
まず、光スイッチ切替制御部9は、演算処理部7から送られてくる各セル4a〜4cの各々の信号強度を入力する。信号強度が0、即ちガス濃度が0であるセルにはレーザ光を送らないように光スイッチ切替制御部9は光スイッチ3の切替端子を切替制御する。
セル4b,4c内のガス濃度が0であり、セル4a内のガス濃度が0でない場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b1が選択される。すると、レーザ光は、光ファイバ8aを介してチャンネルCH1のセル4aにレーザ光が導かれる。このとき、図2に示すように、測定ポイントが1(セル4a)である場合には、半導体レーザ1の出力がそのままチャンネルCH1に流れる。
次に、セル4c内のガス濃度が0であり、セル4a,4b内のガス濃度が0でない場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b2が選択される。すると、レーザ光は、光分波器2aによりチャンネルCH1とチャンネルCH2とに2分岐される。このため、図2に示すように、測定ポイントが2(セル4a,4b)である場合には、半導体レーザ1の出力の1/2が光ファイバ8b,8cを介してチャンネルCH1,CH2のセル4a,4bにレーザ光が導かれる。
次に、セル4a〜4cの全てのガス濃度が0でない場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b3が選択される。すると、レーザ光は、光分波器2bによりチャンネルCH1とチャンネルCH2とチャンネルCH3とに3分岐される。このため、図2に示すように、測定ポイントが3(セル4a,4b,4c)である場合には、半導体レーザ1の出力の1/3が光ファイバ8d,8e,8fを介してチャンネルCH1,CH2,CH3のセル4a,4b,4cにレーザ光が導かれる。
このように測定ポイント数が変わっても光出力の総和は1となり、常に最大の光出力を得ることができる。また、測定ポイント数が変わっても、各測定ポイントに流す光出力を一定にするためには、測定ポイント数が1の場合には、半導体レーザの光量を1、測定ポイント数が2の場合には、半導体レーザの光量を2、測定ポイント数が3の場合には、半導体レーザの光量を3とすれば良い。
但し、半導体レーザ1の光量が変化すると、半導体レーザ1の発振波長が変化してしまうため、半導体レーザ1の温度を変化させて半導体レーザ1の発振波長を一定にする必要がある。
図3は、従来のガス濃度測定装置において測定ポイント数と各測定ポイントに供給される光量との関係を示す図である。測定ポイント数が3の場合、各測定ポイントに供給される光量は1/3となる。測定ポイント数が1となった場合でも、測定ポイントに供給される光量は、1/3となり、測定ポイント数が減少すると、常に最大の光出力を得ることができない。
このように実施例1に係るガス濃度測定装置によれば、光スイッチ3、光分波器2a,2b、及び光スイッチ切替制御部9を用いることにより、演算処理部7の各セル毎のガスの濃度に基づき複数のセルからガス濃度を測定すべきセルを選択し、選択されたセルに半導体レーザ1からのレーザ光を分配するので、1点又は複数の経路のガス濃度測定が不要となった場合に、その経路に流れるレーザ光を無駄にすることなく、常に最大の光出力を得ることができる。これにより、S/Nを向上することができる。また、複数の光分波器を用いることで必要なチャンネルにもレーザ光を供給することができる。
図4は、実施例2のガス濃度測定装置の構成図である。図4に示す実施例2のガス濃度測定装置は、図1に示す実施例1のガス濃度測定装置に対して、7つの切替端子b1〜b7を有する光スイッチ3aと、4つの光分波器2a〜2dと、光ファイバ8a〜8lとを有し、例えば、チャンネルCH2のみ、チャンネルCH3のみ、チャンネルCH1とチャンネルCH3、チャンネルCH2とチャンネルCH3の系統にレーザ光を導き、必要なチャンネルにもレーザ光を供給できるようにしたことを特徴とする。
光スイッチ3aの切替端子b1は、光ファイバ8aを介してセル4aに接続される。光スイッチ3aの切替端子b4は、光ファイバ8fを介してセル4bに接続される。光スイッチ3aの切替端子b6は、光ファイバ8lを介してセル4cに接続される。
光分波器2aは、半導体レーザ1からのレーザ光を光スイッチ3aの切替端子b2から入力し、入力されたレーザ光を2分岐し、2分岐されたレーザ光をファイバ8b,8cを介してセル4a,4bに出力する。
光分波器2bは、半導体レーザ1からのレーザ光を光スイッチ3aの切替端子b3から入力し、入力されたレーザ光を2分岐し、2分岐されたレーザ光をファイバ8d,8eを介してセル4a,4cに出力する。
光分波器2cは、半導体レーザ1からのレーザ光を光スイッチ3aの切替端子b5から入力し、入力されたレーザ光を2分岐し、2分岐されたレーザ光をファイバ8g,8hを介してセル4b,4cに出力する。
光分波器2dは、半導体レーザ1からのレーザ光を光スイッチ3の切替端子b7から入力し、入力されたレーザ光を3分岐し、3分岐されたレーザ光をファイバ8i,8j,8kを介してセル4a,4b,4cに出力する。
光スイッチ切替制御部9は、演算処理部7からのセル4a〜4cの各々のセル出力値に基づき、複数のセル4a〜4cからガス濃度を測定すべきセルを選択するために光スイッチ3の複数の切替端子b1〜b7のいずれか1つを切替制御する。
次にこのように構成された実施例2に係るガス濃度測定装置の動作を図4を参照しながら説明する。
セル4b,4c内のガス濃度が0である場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b1が選択される。すると、レーザ光は、光ファイバ8aを介してチャンネルCH1のセル4aにレーザ光が導かれる。
次に、セル4c内のガス濃度が0であり、セル4a,4b内のガス濃度が0でない場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b2が選択される。すると、レーザ光は、光分波器2aによりチャンネルCH1とチャンネルCH2とに2分岐される。
次に、セル4b内のガス濃度が0である場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b3が選択される。すると、レーザ光は、光分波器2bによりチャンネルCH1とチャンネルCH3とに2分岐される。
セル4a,4c内のガス濃度が0である場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b4が選択される。すると、レーザ光は、光ファイバ8fを介してチャンネルCH2のセル4bにレーザ光が導かれる。
次に、セル4a内のガス濃度が0である場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b5が選択される。すると、レーザ光は、光分波器2cによりチャンネルCH2とチャンネルCH3とに2分岐される。
セル4a,4b内のガス濃度が0である場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b6が選択される。すると、レーザ光は、光ファイバ8lを介してチャンネルCH3のセル4cにレーザ光が導かれる。
次に、セル4a〜4cの全てのガス濃度が0でない場合、光スイッチ切替制御部9からの切替制御信号により光スイッチ3の切替端子b7が選択される。すると、レーザ光は、光分波器2dによりチャンネルCH1とチャンネルCH2とチャンネルCH3とに3分岐される。このため、半導体レーザ1の出力の1/3が光ファイバ8i,8j,8kを介してチャンネルCH1,CH2,CH3のセル4a,4b,4cにレーザ光が導かれる。
このように実施例2に係るガス濃度測定装置によれば、チャンネルCH1,CH2,CH3のセル4a,4b,4cの組み合わせのチャンネル、即ち、必要なチャンネルにもレーザ光を供給することができる。
なお、本発明は、実施例1及び実施例2に係るガス濃度測定装置に限定されるものではない。実施例1に係るガス濃度測定装置では、セルを3個とし、光スイッチ3の切替端子を3個とし、光分波器を2個とした例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。
一般的には、複数のセル及び複数の受光素子の各々が、N個(N≧2の整数)設けられ、複数の切替端子がN個のセルの内の1つのセルに接続される1つの切替端子と(N−1)個の切替端子とからなり、複数の光分波器は、(N−1)個の切替端子に接続された(N−1)個の光分波器からなる。
(N−1)個の光分波器と、N個のセルから1つのセルを除く(N−1)個のセルとの各々について1番目から順番に(N−1)番目とした場合に、1番目の光分波器は1番目からN番目までのN個のセルに接続され、2番目から(N−1)番目までの光分波器は、1番目のセルから順番に、N個のセルから1個ずつ減じた残りのセルに接続されるようにすればよい。
また、実施例2に係るガス濃度測定装置では、セルを3個とし、光スイッチ3の切替端子を7個とし、光分波器を4個とした例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。
一般的には、複数のセル及び複数の受光素子の各々が、N個(N≧2の整数)設けられ、複数の切替端子が、(+‥+‥)個の切替端子からなり、複数の光分波器が、(+‥+‥)個の切替端子に接続された(+‥+‥)個の光分波器からなる。
個の切替端子に接続される個の光分波器の各々は、N個のセルのいずれか1個のセルに接続され、個の切替端子に接続される個の光分波器の各々は、N個のセルのいずれか2個のセルに接続され、個の切替端子に接続される個の光分波器の各々は、N個のセルのいずれかr個のセルに接続され、個の切替端子に接続される個の光分波器は、N個のセルの全てに接続されるようにすれば良い。
本発明に係るガス濃度測定装置は、ガス分析装置に利用可能である。
1 半導体レーザ
2a〜2d 光分波器
3,3a 光スイッチ
4a〜4c セル
5a〜5c 受光素子
7 演算処理部
8a〜8l 光ファイバ
9 光スイッチ切替制御部

Claims (2)

  1. レーザ光を発生する半導体レーザと、
    ガスを導入し且つ前記レーザ光を入射する複数の容器と、
    前記複数の容器からのレーザ光を受光する複数の受光素子と、
    前記複数の受光素子の受光出力に基づき各容器毎のガスの濃度を演算する演算処理部と、
    前記演算処理部の各容器毎のガスの濃度に基づき前記複数の容器からガス濃度を測定すべき容器を選択し、選択された容器に前記半導体レーザからのレーザ光を分配する分配手段と、
    を備えることを特徴とするガス濃度測定装置。
  2. 前記分配手段は、
    前記半導体レーザに接続される共通端子と切替制御される複数の切替端子を有する光スイッチと、
    入力側が前記光スイッチの前記複数の切替端子に接続され、出力側が前記複数の容器に接続され、前記半導体レーザからのレーザ光を前記選択された容器に出力する複数の光分波器と、
    前記複数の容器からガス濃度を測定すべき容器を選択するために前記光スイッチの前記複数の切替端子のいずれか1つを切替制御する光スイッチ切替制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項1記載のガス濃度測定装置。
JP2012226687A 2012-10-12 2012-10-12 ガス濃度測定装置 Active JP5904083B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012226687A JP5904083B2 (ja) 2012-10-12 2012-10-12 ガス濃度測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012226687A JP5904083B2 (ja) 2012-10-12 2012-10-12 ガス濃度測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014077754A JP2014077754A (ja) 2014-05-01
JP5904083B2 true JP5904083B2 (ja) 2016-04-13

Family

ID=50783146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012226687A Active JP5904083B2 (ja) 2012-10-12 2012-10-12 ガス濃度測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5904083B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6763720B2 (ja) * 2016-08-03 2020-09-30 大陽日酸株式会社 同位体濃度分析装置および同位体濃度分析方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5748325A (en) * 1995-09-11 1998-05-05 Tulip; John Gas detector for plural target zones
US6496618B1 (en) * 2002-02-14 2002-12-17 Varian, Inc. Fiber-optic channel selecting apparatus
JP2003294609A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Otsuka Denshi Co Ltd 多点測定装置及び方法
JP4066921B2 (ja) * 2003-09-17 2008-03-26 日立電線株式会社 多点光路切替式ガス濃度検知方法及びその装置
JP2005140738A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Hitachi Cable Ltd 多点式ガス濃度検知方法及びその装置
JP4065452B2 (ja) * 2005-07-22 2008-03-26 東京電力株式会社 多点型光式ガス濃度検出システム
WO2007034681A1 (ja) * 2005-09-07 2007-03-29 National University Corporation Nagoya University 分光方法及び分光装置
JP4732277B2 (ja) * 2006-08-23 2011-07-27 トヨタ自動車株式会社 ガス分析装置及びガス分析方法
JP5096975B2 (ja) * 2008-03-25 2012-12-12 大阪瓦斯株式会社 ガス検知器
JP5648892B2 (ja) * 2009-09-15 2015-01-07 三菱電線工業株式会社 光ファイバ水素センサ及びそれを備えた光ファイバ水素センサシステム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014077754A (ja) 2014-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107850533B (zh) 浓度测定装置
KR20190003111A (ko) 빔 스티어링 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
JP6780651B2 (ja) ガス検知システム
AU2008340326B2 (en) Latency measurement in optical networks
EP2577819B1 (en) Coherent optical amplifier
JP5630642B2 (ja) レーザガス分析計
JP2007240248A (ja) 光式多ガス濃度検出方法及び装置
US20150247779A1 (en) Optical integrated circuit, and inspection method of optical device in optical integrated circuit
JP5029180B2 (ja) Sc光源装置
EP1324516B1 (en) Apparatus for detecting cross-talk and method therefor
KR20150001076A (ko) 파장 훑음 광원 장치 및 그것의 제어 방법
JP6325490B2 (ja) 光線路特性解析装置及び光線路特性解析方法
JP5904083B2 (ja) ガス濃度測定装置
JP2013207276A (ja) レーザモジュール
JP7473789B2 (ja) 波長変換装置および波長変換方法
KR20130114321A (ko) 수직 공진 표면발광 레이저를 이용한 물리량 측정 시스템
US9113507B2 (en) Light source apparatus and method of controlling the same
JP2017194399A (ja) ガス検知システム
CN103107841B (zh) 一种基于偏振偏转干涉法的光器件测量方法及装置
CN103954572A (zh) 能测量多种气体成分的复用式光纤气体传感器
JP7438218B2 (ja) スペクトルビーム結合されたレーザ源用の波長制御ビームスタビライザ
KR20120109253A (ko) 파장분할 다중 광통신용 파장 모니터 모듈
JP2005265458A (ja) 光ファイバ温度分布測定装置
JP2013142640A (ja) 光導波路評価装置および光導波路評価方法
JP4766885B2 (ja) 波長変動測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151201

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160229

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5904083

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151