JP5902949B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
2 pベース領域
3 pコンタクト領域
4 nエミッタ領域
5 ゲート酸化膜
6 ゲート電極
7 エミッタ電極
8 エミッタ・ゲート領域
9 nバッファ領域
10 pコレクタ領域
11 コレクタ電極
12 コレクタ領域
13 ドリフト領域
14 チャネル領域
15 隣接するエミッタ・ゲート領域間の領域
16 SOI基板の酸化膜
17 SOI基板の支持基板
18 p層
19 埋め込みp層
20 n層
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板と、前記第1導電型の半導体基板の一方の面に形成した当該半導体基板よりも不純物濃度の濃い第1導電型エミッタ領域を含有して形成された第2導電型ベース領域と、前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型の半導体基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域と、を備え、最も近い位置にある2つの前記第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の前記第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、
前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち、前記第2導電型コレクタ領域に対向していない第2導電型ベース領域の拡散深さは、当該第2導電型コレクタ領域に対向する当該第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、前記第1導電型の半導体基板の一方の面に形成した当該半導体基板よりも不純物濃度の濃い第1導電型エミッタ領域を含有して形成された第2導電型ベース領域と、前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、前記1導電型の半導体基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域と、を備え、最も近い位置にある2つの前記第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の前記第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、
前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち、前記第2導電型コレクタ領域から最も離れた位置にある第2導電型ベース領域の拡散深さは、他の第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記拡散深さの深い第2導電型ベース領域の拡散層は、前記第1導電型の半導体基板に設けた埋め込み酸化膜に接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記第1導電型の半導体基板に設けた埋め込み酸化膜の一部表面には第2導電型の埋め込み拡散層を備え、
前記拡散深さの深い第2導電型ベース領域の拡散層は、前記第2導電型の埋め込拡散層に接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4の何れか1項記載の半導体装置において、
前記拡散深さの深い第2導電型ベース領域の側面には第1導電型の埋め込み拡散層を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5の何れか1項記載の半導体装置において、
前記ゲート電極はトレンチゲート構造であることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、前記第1導電型の半導体基板の一方の面に形成した当該半導体基板よりも不純物濃度の濃い第1導電型エミッタ領域を含有して形成された第2導電型ベース領域と、前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型の半導体基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域と、を備え、最も近い位置にある2つの前記第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の前記第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、
最も近い位置にある2つの前記第2導電型コレクタ領域及びこれらの間に配置された3つ以上の前記第2導電型ベース領域並びに当該第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極は、それぞれ矩形状であり、前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち、前記2つの第2導電型コレクタ領域より最も離れた位置にある第2導電型ベース領域の拡散深さは、他の第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。
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