JP5882081B2 - インジェクタ駆動回路 - Google Patents

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本発明は、LPGやCNG等のガス燃料エンジン等において、各気筒にガス燃料を噴射するインジェクタ(燃料噴射弁)を制御するインジェクタ駆動回路に関するものである。
LPGやCNG等のガス燃料エンジン等に用いられているインジェクタは、短期間に大容量の天然ガス燃料等の燃料を噴射することが必要であり、開弁時間の初期に予め設定されている値の起動電流を設定時間インジェクタに供給して短時間に開弁し、その後開閉駆動態を維持するのに必要な値以上の開閉駆動電流をインジェクタに供給するように構成されており、例えば、特公昭63−35827号公報、特開平8−144859号公報、特開平11−294262号公報などに提示されている。
図2は前記公報に提示されているような従来のインジェクタ駆動回路の概要を示すものであり、開弁時間の初期に予め設定されている値の起動電流を設定時間ソレノイドコイル等により開閉動作させるインジェクタIに供給して短時間に開弁するための開弁開始回路OCと、その後開閉駆動態を維持するのに必要な値以上の開維持用駆動電流をインジェクタIに供給するための開弁回路MCをPWM制御している。
前記開弁開始回路OCが、電源オン位置を経てオンされる起動信号(図示せず)から発せられる開弁信号により作動する制御装置(図示せず)からの駆動信号により前記インジェクタ1をHiのときにオンとして、Lowのときにオフとなる大電流型であるnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T1をスイッチング素子として備えているとともに、前記開弁回路MCが前記起動信号とともにオン操作される電源スイッチ(図示せず)から発せられる駆動電流により前記制御装置(図示せず)からの駆動電流によりオン・オフする前記開弁始動回路OCと同様な、エンジン起動操作で発せられる開弁信号により前記インジェクタ1をオン・オフする開弁トランジスタ(FET)T2は、前記開弁開始回路OCと異なりpチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をスイッチング素子として備えている。これを開弁始動回路OCのPWM(Puise Width Modulation)制御によりオン・オフを繰り返し噴射終了時にnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T1,pチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T2の両方オフにしてインジェクタ1を閉じるツエナーダイオードZDは閉動作を短時間で実施するとともにFETを過電圧サージから保護するために接続している。
このような従来のインジェクタ駆動回路は、特に、低温時の始動時やインジェクタ弁が張り付いていたりする場合に大きな開弁電流が必要であり、大電流型であるnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T1を使用することは仕方がないが、開弁回路MCに用いる電界効果トランジスタ(FET)に対しても同等の電流容量の大電流型であるpチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T2を使用しており、抵抗値が2個のFETの合計となり省電力でない。
特公昭63−35827号公報 特開平8−144859号公報 特開平11−294262号公報
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、特に、開弁開始時の駆動動作時のFETの内部抵抗増加を押さえて低い電圧でも駆動可能で且つ安価な部品を用いて廉価に提供することが可能なLPGやCNG等のガス燃料エンジン等において、各気筒にガス燃料を噴射するインジェクタ(燃料噴射弁)を制御するインジェクタ駆動回路を提供するものである。
前記課題を解決するためになされた本発明であるインジェクタ駆動回路は、開弁時間の初期に予め設定されている値の起動電流を設定時間インジェクタに供給して短時間に開弁させるための開弁開始回路と、その後開閉駆動態を維持するのに必要な値以上の開維持用駆動電流をインジェクタに供給するためのPWM制御機能を有する開弁回路を備えたインジェクタ駆動回路において、前記開弁開始回路が電源オン位置を経てオンされる起動信号から発せられる開弁信号により作動する制御装置からの駆動信号の入力線をゲート端子に接続するとともに一方端を電源ライン(V )に接続したインジェクタのもう一方端をドレイン端子に接続し、且つソース端子をアースに接続して、前記ゲート端子に入力される駆動信号がHiのときにオンとして、前記ゲート端子に入力される駆動信号がLowのときにオフとなる大電流型である第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をスイッチング素子として備えているとともに、前記開弁回路が、前記第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン端子にアノード側を接続したPWM制御機能用として前記第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をPWM動作させた時のフライホイル電流を流す第1のダイオードのカソード側にドレイン端子を接続するとともに前記電源ライン(V )にソース端子を接続した第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)を備え、前記インジェクタが開いている期間は前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をオンさせるとともに、前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン端子ソース端子間接続されたツェナーダイオードと、前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のゲート端子に接続されるドライバー論理回路LCとからなり、インジェクタ閉動作時には前記第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)および前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をオフさせることにより前記開弁開始回路と前記開弁回路の双方をオフさせることを特徴とする。
本発明によれば、インジェクタ駆動回路にエンジン始動により起動信号がオン操作されて開弁電流が開弁始動回路に流れると、大電流型であるスイッチング素子である第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T1のゲートに電流が流れてオンとなり、開弁始動回路からインジェクタに予め設定されている値の起動電流を設定時間にわたって開弁電流が流れて開弁させる。
従って、低温時の始動時やインジェクタ弁が張り付いていたりする場合など大きな開弁電流が必要であっても、大電流型である第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)1個だけが直列に入る回路を使用することにより、開弁について支障がない。
また、開弁電流により開弁した後は、従来のものと同様に制御装置(図示せず)から開閉駆動信号(PWM波)が発信される。次いで、本発明では、インジェクタIの閉動作時、インジェクタの電流はダイオードD1およびD2を介してnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン、ソース間に接続されたコンデンサに流れて前記コンデンサを充電し小容量の第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3を駆動する電源を形成する。
このとき、第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン、ソース間に接続されたツエナダイオードの効果により、サージを吸収させるが、本発明では、1回電源が形成されると2回目以降はドライバー論理回路からの信号に同期してオン・オフ動作を繰り返す。
また、本発明において、特に、第2のFETのドレインからダイオードのアノードを接続しそのダイオードのカソードと電源ライン間にコンデンサを接続しそのコンデンサに蓄えられた電荷を第2のnチャンネル型のFETのゲート駆動用電源とすることにより簡易で且つ安定した電源を提供することができる。
本発明によれば、従来のように高価で大容量のpチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)と大容量nチャンネル型の電界効果トランジスタFET各1つずつ使用する代わりに大容量pチャンネル型の電界効果トランジスタFETを廉価で少容量のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)に置きかえることにより、経済的に有利なインジェクタ駆動回路を提供することができる。
本発明の好ましい実施の形態についての回路図。 従来例における代表的なインジェクションについての実施の形態である回路図。
以下に、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明する。
図1は本発明の好ましい実施の形態であるインジェクタ駆動回路の要部を示すものであり、開弁時間の初期に予め設定されている値の起動電流を設定時間ソレノイドコイル等により開閉動作させるインジェクタIに供給して短時間に開弁するための開弁開始回路OCと、その後開閉駆動態を維持するのに必要な値以上の開閉駆動電流をインジェクタIに供給するための開閉回路MCを備えている点、更に、前記開弁開始回路OCが、電源オン位置を経てオンされる起動信号により作動する制御装置(図示せず)からの駆動電流により前記インジェクタIをHiのときにオンとして、Lowのときにオフとなる大電流型である第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T1をスイッチング素子として備えている点については前記図2に示した従来のインジェクタ駆動回路と同様である。
しかしながら、開閉回路MCが第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3と、この電界効果トランジスタT3のドレインD、ソースS間に接続されたダイオードD2とコンデンサCと、HiとLowの電圧を前記電界効果トランジスタT3のゲートGに創出するドライバー論理回路LCと、ダイオードD1とからなるスイッチング回路を有している。
また、前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3のドレインD、ソースS間にツエナダイオードZD2が接続されている。尚、図面中、D1はフライホイル電流を流すためのダイオードである。
本実施の形態は、開弁開始時は、前記図2に示した従来例と同様に、電源オン位置を経てオンされる起動信号発生器(図示せず)から発せられる信号により作動する制御装置(図示せず)からの駆動電流により前記インジェクタ1をHiのときにオンとして、Lowのときにオフとなる大電流型である第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T1がスイッチング素子として機能して、開弁時間の初期に予め設定されている値の起動電流を設定時間ソレノイドコイル等により開閉動作させるインジェクタIに供給して短時間に開弁する。
その後、第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3がPWM制御によりオンオフを繰り返すと、ダイオードD2を通して第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3のゲート用電源回路が充電されドライバー論理回路LCからの信号が第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3のゲートGに入力されると第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタT3がオンとなってダイオードD2とともにフライホイル電流の回路が形成されてPWM(Puise Width Modulation)制御によるインジェクタIの開動作保持電流が形成される。
特に、本実施の形態では最初の時だけコンデンサCを充電するがコンデンサCを1回充電すると、2回目からはゲート電源が確保されることにより起動信号に同期してオン・オフ動作を繰り返すことができる。また、第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)T3のオフの時にはツエナダイオードZD2が接続されていることによりサージを押さえながらから速やかに電流が減少してインジェクタ1を閉弁することができる。
以上のように本実施の形態は、従来、高価で大電流型であるnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)を開弁スイッチとして使用するだけで、その後の開閉には廉価で小電流で駆動するnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)を使用することにより全体として従来と異なり低価格なインジェクタ駆動回路を提供することができる。
I インジェクタ、OC 開弁開始回路、MC 開弁回路、T1 第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)、T2 pチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)、T3 第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)、LC ドライバー論理回路、D ダイオード、ZD,ZD2 ツエナダイオード

Claims (2)

  1. 開弁時間の初期に予め設定されている値の起動電流を設定時間インジェクタに供給して短時間に開弁させるための開弁開始回路と、その後開閉駆動態を維持するのに必要な値以上の開維持用駆動電流をインジェクタに供給するためのPWM制御機能を有する開弁回路を備えたインジェクタ駆動回路において、前記開弁開始回路が電源オン位置を経てオンされる起動信号から発せられる開弁信号により作動する制御装置からの駆動信号の入力線をゲート端子に接続するとともに一方端を電源ライン(V )に接続したインジェクタのもう一方端をドレイン端子に接続し、且つソース端子をアースに接続して、前記ゲート端子に入力される駆動信号がHiのときにオンとして、前記ゲート端子に入力される駆動信号がLowのときにオフとなる大電流型である第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をスイッチング素子として備えているとともに、前記開弁回路が、前記第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン端子にアノード側を接続したPWM制御機能用として前記第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をPWM動作させた時のフライホイル電流を流す第1のダイオードのカソード側にドレイン端子を接続するとともに前記電源ライン(V )にソース端子を接続した第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)を備え、前記インジェクタが開いている期間は前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をオンさせるとともに、前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン端子ソース端子間接続されたツェナーダイオードと、前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のゲート端子に接続されるドライバー論理回路LCとからなり、インジェクタ閉動作時には前記第1のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)および前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)をオフさせることにより前記開弁開始回路と前記開弁回路の双方をオフさせることを特徴とするインジェクタ駆動回路。
  2. 前記開弁回路に、前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のドレイン端子から第2のダイオードのアノード側を接続し前記第2のダイオードのカソードと電源ライン(V 間にコンデンサを接続そのコンデンサに蓄えられた電荷を前記第2のnチャンネル型の電界効果トランジスタ(FET)のゲート駆動用電源とすることを特徴とする請求項1記載のインジェクタ駆動回路。
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