JP5881225B2 - オリゴシラン又はポリシランを形成する方法、及び、半導体フィルムを形成する方法 - Google Patents
オリゴシラン又はポリシランを形成する方法、及び、半導体フィルムを形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5881225B2 JP5881225B2 JP2014522805A JP2014522805A JP5881225B2 JP 5881225 B2 JP5881225 B2 JP 5881225B2 JP 2014522805 A JP2014522805 A JP 2014522805A JP 2014522805 A JP2014522805 A JP 2014522805A JP 5881225 B2 JP5881225 B2 JP 5881225B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilane
- catalyst
- heterocyclic
- nhc
- oligosilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 title claims description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 128
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 60
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 155
- ADLVDYMTBOSDFE-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-6-nitroisoindole-1,3-dione Chemical compound C1=C(Cl)C([N+](=O)[O-])=CC2=C1C(=O)NC2=O ADLVDYMTBOSDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 81
- -1 imidazole-2-ylidene, imidazoline-2-ylidene Chemical class 0.000 claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 68
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 45
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 40
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 38
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 35
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 30
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 26
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000002577 pseudohalo group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 17
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- ATQYNBNTEXNNIK-UHFFFAOYSA-N imidazol-2-ylidene Chemical class [C]1NC=CN1 ATQYNBNTEXNNIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N Formic acid Chemical group OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000707 boryl group Chemical group B* 0.000 claims description 2
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 74
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 65
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 41
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 33
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 18
- GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[6-(trimethylazaniumyl)hexyl]azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CCCCCC[N+](C)(C)C GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 15
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 241000894007 species Species 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 12
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CVLHDNLPWKYNNR-UHFFFAOYSA-N pentasilolane Chemical compound [SiH2]1[SiH2][SiH2][SiH2][SiH2]1 CVLHDNLPWKYNNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 8
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 8
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 150000002601 lanthanoid compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 150000004757 linear silanes Chemical class 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N bis(disilanyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 5
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004765 (C1-C4) haloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilinane Chemical compound C[Si]1(C)C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C1 ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 150000004758 branched silanes Chemical class 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 4
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 4
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 125000006700 (C1-C6) alkylthio group Chemical group 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001120493 Arene Species 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 3
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- NNBZCPXTIHJBJL-AOOOYVTPSA-N cis-decalin Chemical compound C1CCC[C@H]2CCCC[C@H]21 NNBZCPXTIHJBJL-AOOOYVTPSA-N 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 3
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- 125000006552 (C3-C8) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004759 cyclic silanes Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 2
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical group Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical group 0.000 description 2
- 238000007210 heterogeneous catalysis Methods 0.000 description 2
- 239000002638 heterogeneous catalyst Substances 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920005599 polyhydrosilane Polymers 0.000 description 2
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 2
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000012041 precatalyst Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- VTGOHKSTWXHQJK-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-ol Chemical class OC1=NC=CC=N1 VTGOHKSTWXHQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N talc Chemical compound [Mg+2].[O-][Si]([O-])=O FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- XTFIVUDBNACUBN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trinitro-1,3,5-triazinane Chemical compound [O-][N+](=O)N1CN([N+]([O-])=O)CN([N+]([O-])=O)C1 XTFIVUDBNACUBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVAVKYGEMJJYEL-UHFFFAOYSA-M 1,3-bis(2,4,6-trimethylphenyl)-2h-imidazol-2-ide;chloropalladium(1+);prop-1-ene Chemical compound [Pd+]Cl.CC=C.CC1=CC(C)=CC(C)=C1N1C=CN(C=2C(=CC(C)=CC=2C)C)[CH-]1 FVAVKYGEMJJYEL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYCIHDBIKGRENI-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-2h-imidazol-1-ium-2-ide Chemical group CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N1C=CN(C=2C(=CC=CC=2C(C)C)C(C)C)[C]1 VYCIHDBIKGRENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASXCYDYUOKZTHU-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C(=CC(=C1)C)C)N1C(N(C=C1)C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=C1C(C2=CC=CC=C2C(C1)=O)=O Chemical compound CC1=C(C(=CC(=C1)C)C)N1C(N(C=C1)C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=C1C(C2=CC=CC=C2C(C1)=O)=O ASXCYDYUOKZTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910010082 LiAlH Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010936 aqueous wash Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHRIVUSMZMVANI-UHFFFAOYSA-N azane;2-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound [NH4+].CC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O IHRIVUSMZMVANI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl)aluminum Chemical compound CC(C)C[Al]CC(C)C SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GADSHBHCKVKXLO-UHFFFAOYSA-N bis(disilanylsilyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] GADSHBHCKVKXLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl ether Chemical compound CC(C)(C)OC(C)(C)C AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- LICVGLCXGGVLPA-UHFFFAOYSA-N disilanyl(disilanylsilyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LICVGLCXGGVLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012674 dispersion polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000002330 electrospray ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004992 fast atom bombardment mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical class [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GCOJIFYUTTYXOF-UHFFFAOYSA-N hexasilinane Chemical compound [SiH2]1[SiH2][SiH2][SiH2][SiH2][SiH2]1 GCOJIFYUTTYXOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002815 homogeneous catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Substances C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000054 lanthanide hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002414 normal-phase solid-phase extraction Methods 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003606 oligomerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- GJVFBWCTGUSGDD-UHFFFAOYSA-L pentamethonium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].C[N+](C)(C)CCCCC[N+](C)(C)C GJVFBWCTGUSGDD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N pentamethylcyclopentadiene Chemical compound CC1C(C)=C(C)C(C)=C1C WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBUHXUCKMAKSP-UHFFFAOYSA-N pentasilolanylsilane Chemical compound [SiH3][SiH]1[SiH2][SiH2][SiH2][SiH2]1 DOBUHXUCKMAKSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJGSXYOJTGTZAV-UHFFFAOYSA-N pinacolone Chemical compound CC(=O)C(C)(C)C PJGSXYOJTGTZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea group Chemical group NC(=S)N UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-MGCOHNPYSA-N trans-decalin Chemical compound C1CCC[C@@H]2CCCC[C@H]21 NNBZCPXTIHJBJL-MGCOHNPYSA-N 0.000 description 1
- 125000005369 trialkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B6/00—Hydrides of metals including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds ; Compounds containing at least one metal-hydrogen bond, e.g. (GeH3)2S, SiH GeH; Monoborane or diborane; Addition complexes thereof
- C01B6/06—Hydrides of aluminium, gallium, indium, thallium, germanium, tin, lead, arsenic, antimony, bismuth or polonium; Monoborane; Diborane; Addition complexes thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
本出願は2011年7月29日に出願された米国特許出願第13/194,472号(代理人整理番号IDR3511)からの優先権を主張する。
本発明の1つの側面においては、低分子量のシラン(例えば、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、これらの混合物、等)のようなペルヒドロシランのポリマー化に効果的な触媒作用を与えるために、NHC類及びNHC−金属錯体類が使用される。ペルヒドロシランとN−ヘテロ環状カルベン類との触媒作用によるポリマー化反応は再現可能であり、反応生成物の分子量を良好に制御することができる。シランのポリマー化に使用されるNHC触媒は、(例えば5員環又は6員環の飽和又は不飽和ヘテロ環状リングであって、イミダゾール−2−イリデンのようにN原子が1位及び3位にあるか、又は、N原子が1位にあり、O原子もしくはS原子が3位にあるような)ヘテロ環状リング上に様々な有機置換基を有するN−ヘテロ環状カルベン類であってよい。他の実施例においては、触媒は、遷移金属(例えば、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、又はHg、特にAg、Cu、Au、Pd、Rh、Ru、Pt、又はNi)に結合した1つ以上のNHC配位子から成り、NHC−金属錯体を形成する。これらのNHC−金属錯体類は、ここで記載するように、シランのポリマー化に触媒として機能させるべく、単独で使用することもできるし、独立したNHCと組み合わせて使用することもできる。さらに、NHC類を不均一触媒法に使用してもよい。特に、NHC又はNHC−金属錯体は、担体上(例えば、シリカ、アルミナ、炭素、ポリマー等上)に固定されることが可能であり、これにより、触媒からシランインク(例えば図3及び対応する以下の記載を参照)へと不純物が導入されることを低減する又は防止することができる。
ランタノイド化合物は、ポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンの合成に対して、非常に活性な脱水素カップリング触媒であると考えられている。残念なことに、(ヒドリド及び/又はアルキル配位子を含有する)既知の触媒は、合成が困難である、及び/又は、合成に時間を要する。ランタノイドヒドリド及びアルキルランタノイド触媒を使用する代わりに、本発明は、低原子価のランタノイド化合物(例えば、比較的低い酸化状態(例えば+2)及び/又は(例えば、ランタノイド金属原子当り2又は3よりも大きくない)比較的小さな配位子数を有するランタノイド塩又はランタノイド化合物)を用いて、ポリシランの均一合成に対する触媒として作用させることを含んでよい。低原子価のランタノイド錯体類は、酸化−還元化学を利用して、シランのポリマー化に対する活性サイトを生成するランタノイド金属−Si結合を形成するものと考えられている。比較的安定な酸化還元対(例えばCe、Pr)及び比較的小さな配位子数を有する任意のランタノイド化合物又は錯体が本方法に適したものであってよいが、これらの反応における駆動力は、ランタノイド金属(例えばYb、Sm、Tm、Nd、Eu、又はDy)に対するLn(II)からLn(III)への酸化還元カップリングであると考えられている。直鎖型、分岐型、及び/又は環状型シラン及び/又はゲルマニウム化合物は、ランタノイド金属化合物及びランタノイド金属−配位子錯体類を触媒として使用するポリシランの合成に対するモノマーとして作用することができる。
ポリシランの粗反応混合物に対する典型的な反応ワークアップは、好ましくはドライボックス(グローブボックス)中での、シクロヘキサンによる希釈、それに続く濾過及び穏やかな溶媒の除去(例えば、家庭用真空のような比較的低い真空によって、つまり、例えば10、20、又は30Torrよりも大きい、あるいはその中の任意の値の真空による)を含む。しかしながら、少量のモノマー又は相対的に不要な任意のオリゴマー(例えば、鎖長が10個以下の原子数であるSi及び/又はGeを有するシラン)を保持することは、より鎖長の長い成分のポリシランを容易に溶解させる点で有利になり得るものの、そのように比較的低い真空は、残留モノマー又はそうしたオリゴマーを必ずしも全て除去するものではない。
本発明の他の側面は、シリコン、ゲルマニウム、及び水素に関して90%よりも大きな原子純度(つまり、ポリシラン中の原子の90%よりも大きな分がSi又はHのどちらかである)を有するポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンを含む。特に、ここでのオリゴシラン及び/又はポリシランは、シリコン、ゲルマニウム、及び水素に関して、少なくとも95%、少なくとも99%、又は、その中の任意の値の原子純度を有してよい。式SinH2n+2及び/又はシクロ−SimH2mのシランモノマーからポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンが形成される1つの実施例においては、ポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンは、シリコン及び水素に関して99%よりも大きな原子純度を有してよい(つまり、ポリシラン中の原子の99%よりも大きな分がSi又はHのどちらかである)。好ましくは、そのようなオリゴシラン及び/又はポリシランは、シリコン及び水素に関して、少なくとも99.5%、少なくとも99.9%、又は>99%である任意の値の原子純度を有する。
一般的に、ある1つの組成物は、1つ以上の(ここに記載の)ポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンと、ポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンが溶解することのできる溶媒とを含有する。溶媒は、米国特許第7,314,513号明細書、米国特許第7,485,691号明細書、米国特許第7,674,926号明細書、及び米国特許第7,879,696号明細書に記載されるような、広く多様な溶媒のうちの任意のものであってよい。これらの関連する部分を参照により本願に組み込む。しかしながら、除去の容易さ及び/又は完全性、塗布及び印刷を容易にする特性、及び、組成の安定性に関連した理由により、好ましい溶媒としては、直鎖アルカン、シクロアルカン、ポリシクロアルカン、及び、これらの混合物が含まれる。例えば、溶媒は、直鎖型又は分岐型のC6−C12アルカン(例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン)、C6−C10シクロアルカン(例えばシクロヘキサン、シクロオクタン)、C8−C14ポリシクロアルカン(例えばデカリン)、又はこれらの混合物であってよい。
本発明の低炭素汚染、低金属汚染組成物から半導体(又は、その他のシリコン含有及び/又はゲルマニウム含有)フィルムを形成する一般的な方法は、上記のインク組成物を基板上に塗布又は印刷すること、及び、(i)アモルファス性の水素化された半導体フィルムを形成するのに十分な不活性又は還元性の雰囲気中において、又は、(ii)シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有酸化膜を形成するのに十分な酸化性雰囲気中において、塗布又は印刷された組成物を加熱することを含む。アモルファス性の水素化された半導体フィルムを形成する方法は、少なくとも部分的に結晶化して、及び/又は、アモルファス性の水素化された半導体フィルムの水素含有量を低減して半導体フィルムを形成するために、アモルファス性の水素化された半導体フィルムを十分にアニーリングすること及び/又は照射することを任意で含む。いずれの方法も、組成物を基板に塗布又は印刷すると同時に又は直ちに続けて、化学線を用いて組成物を照射することをさらに含んでもよい。これらは実質的に米国特許第7,314,513号明細書、米国特許第7,485,691号明細書、米国特許第7,674,926号明細書、米国特許第7,687,327号明細書、米国特許第7,767,520号明細書、及び米国特許第7,879,696号明細書に記載されており、これらの関連部分を参照により本願に組み込む。
組成物を基板上に塗布又は印刷すること、アモルファス性の水素化された半導体を形成するのに十分な程度に塗布又は印刷された組成物を加熱すること、及び、少なくとも部分的に結晶化して、及び/又は、アモルファス性の水素化された半導体の水素含有量を低減して半導体フィルムを形成するために、アモルファス性の水素化された半導体を任意で十分にアニーリングすること及び/又は照射することによって、ここに記載される組成物から半導体フィルム又はシリコン含有フィルムが形成されてよい。この方法は、組成物を基板上に塗布又は印刷することと同時に又は直ちに続けて、化学線によって組成物を照射することを含んでよい。組成物は、ここに記載する1つ以上のドーパントをさらに含んでもよい。
NHC−Pd金属錯体の合成と、支持体としてのシリカゲルへのNHC−Pd錯体の結合
ビス[N−3−(3−トリメトキシシリルプロピル)−3−メチルイミダゾール−2−イリデン]−ジクロロパラジウム(II)の合成
250mLの二口シュレンク型フラスコ中において、純粋なトルエン(120mL)中の1−メチルイミダゾール(10.12g)溶液に、(3−クロロプロピル)トリメトキシシラン(24.23g)を加える。系に対して排気とアルゴンによる再充填とを3回行い、アルゴン雰囲気下において系を24時間還流させた。得られた二相の反応混合物を次いで室温まで冷却し、イオン性の液体(IL)層から有機層を分離した。得られた淡い黄色のIL層を、次いで乾燥Et2O(5×20mL)によって完全に洗浄し、室温にて12時間真空乾燥させた。得られたイオン性の液体は、30%のN−3−(3−トリメトキシシリルプロピル)−3−メチルイミダゾリウム塩化物を含み、重量は10.3gであった。
メソ多孔性シリカゲル(平均細孔直径60Å)を、濃塩酸(6M)中で24時間撹拌して活性化させ、次いで中性になるまで蒸留水で完全に洗浄し、化学表面修飾を起こす前に90℃で乾燥させた。(0.38mmolのPd−NHC錯体を含有する)ビス[N−3−(3−トリメトキシシリルプロピル)−3−メチルイミダゾール−2−イリデン]ジクロロパラジウム(II)のCHCl3溶液を、アルゴン雰囲気下で、乾燥CHCl3(50mL)中の活性化されたシリカゲル(10g)懸濁液に添加した。生成した混合物を24時間還流させた。冷却した後、固体の物質を濾過し、残留物を連続抽出装置(ソックスレー)中で12時間温CHCl3によって洗浄し、次いで、オーブン中において90℃で一晩乾燥させて、シリカゲル上に固定されたN−ヘテロ環状カルベンパラジウム錯体を生成した。
NHC−Pd錯体類を用いた触媒反応によるポリシランの合成
シクロヘキサン中において質量負荷20%(300mg)を有するテトラシランを、100ppmのNHC−Pd錯体[N−3−(3−トリメトキシシリルプロピル)−3−メチルイミダゾール−2−イリデン]ジクロロパラジウム(II)と一緒に、不活性雰囲気下で4mLのアンバービンに添加した。この反応混合物を、ゆるくふたをした小ビン中で12時間撹拌させた。次いで、蒸留したシクロヘキサン2gによって反応を抑え、得られた混合物を40mLの(スターラーバーを備えた)アンバービンに移し、さらに、5gのシクロヘキサンで希釈した。30分撹拌した後、不溶性の物質を約15分間安定化させた。次いで、濾床上にNHC−Pd触媒が確実に留まるように、混合物を(蒸留したシクロヘキサンで前処理された)セライトの短い栓を通して濾過した。次いで溶液をシュレンク管に移し、高真空(<〜300mTorr)を約2時間適用することによって、揮発性の物質を除去した。この乾燥ステップによって、得られた生成物中のテトラシラン(モノマー)含有量は、<10%まで低減されるべきである(モノマー含有量はGPCでチェックされる)。テトラシラン含有量が反応混合物の10%を越える場合には、溶液を、真空下でさらに乾燥させるべきである。この全体の処理によって、通常は、およそ60から80%の収率でポリテトラシランが生成される。生成物質は、乾燥、蒸留されたシスデカリンの20wt%溶液として保存されてよい。
シリカゲルNHC−Pd錯体類を用いた不均一触媒反応によるポリシランの合成
テトラシラン(300mg)を、不活性雰囲気下において、50mgのシリカゲルNHC−Pd錯体類(1mgのシリカに対して0.066molのNHC−Pd錯体)を含む4mLのアンバービンに添加した。この反応混合物を、ゆるくふたをした小ビン中で12時間撹拌させた。次いで、蒸留したシクロヘキサン2gによって反応を抑え、得られた混合物を40mLの(スターラーバーを備えた)アンバービンに移し、さらに、5gのシクロヘキサンで希釈した。30分撹拌した後、不溶性の物質を約15分間安定化させた。次いで、濾床上にシリカゲルNHC−Pd錯体類が確実に留まるように、混合物を(蒸留したシクロヘキサンによって前処理された)セライトの短い栓を通して濾過した。次いで溶液をシュレンク管に移し、高真空(<〜300mTorr)を約2時間適用することによって、揮発性の物質を除去した。この乾燥ステップによって、得られた生成物中のテトラシラン(モノマー)含有量は、<10%まで低減されるべきである(モノマー含有量はGPCによってチェックしてよい)。テトラシラン含有量が反応混合物の10%を越える場合には、溶液を、真空下でさらに乾燥させるべきである。この全体の処理によって、通常は、およそ60から80%の収率でポリテトラシランが生成される。生成物質は、乾燥、蒸留されたシスデカリンの20wt%溶液として保存されてよい。
(項目1)
a)(i)式A n H j R k で表される1つ以上のシラン化合物と、(ii)N−ヘテロ環状カルベン類、N−ヘテロ環状シリレン類、N−ヘテロ環状ゲルミレン類、N−ヘテロ環状カルベン−金属錯体類、N−ヘテロ環状シリレン−金属錯体類、N−ヘテロ環状ゲルミレン−金属錯体類、ランタノイド金属触媒、及び、これらの支持された形態から成る群から選択される触媒とを混合させ、オリゴシラン又はポリシランを形成する段階と、
b)上記オリゴシラン又は上記ポリシランから上記触媒を除去する段階と、
を備え、
式中、それぞれのAは独立にSi又はGeであり、nは少なくとも1である整数であり、jは少なくとも2である整数であり、nが奇数の場合j+kはn+1から2n+2までの整数であり、nが偶数の場合j+kはnから2n+2までの整数であり、それぞれのRは独立にアリール基、ハロゲン原子、又は擬ハロゲン化物である、
オリゴシラン又はポリシランを形成する方法。
(項目2)
上記触媒は、上記N−ヘテロ環状カルベン類、又は上記N−ヘテロ環状シリレン類を含む項目1に記載の方法。
(項目3)
上記触媒は、N,N−二置換イミダゾール−2−イリデン、又は、イミダゾリン−2−イリデンを含む項目2に記載の方法。
(項目4)
上記触媒は、N,N−二置換イミダゾール−2−シリレン、又は、イミダゾリン−2−シリレンを含む項目2に記載の方法。
(項目5)
上記触媒は、上記N−ヘテロ環状カルベン−金属錯体類、又は、上記N−ヘテロ環状シリレン−金属錯体類を含む項目1に記載の方法。
(項目6)
上記触媒は、(i)Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Hg、Ag、Cu、Au、Pd、Rh、Ru、Pt、及びNiから成る群から選択される金属と、(ii)少なくとも1つのN−ヘテロ環状カルベン配位子と、を含む項目5に記載の方法。
(項目7)
上記触媒は式[M(NHC) x X y ] z の錯体を含み、
Mは、Ag、Cu、Au、Pd、Rh、Ru、Pt,及びNiから成る群から選択され、NHCはN−ヘテロ環状カルベンであり、x=1又は2であり、y=1又は2であり、zは1又は2であり、それぞれのXは独立にハロゲン化物、カルボキシ、ヒドリド、又は、置換されたもしくは置換されていないアルキル、アリル、アリール、アラルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ベータ−ジケトナート、ジアリールアミノ、ジアルキルアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、ボリル、Cp、又はCp * 配位子である項目6に記載の方法。
(項目8)
上記触媒は、固定された相に固着される項目1に記載の方法。
(項目9)
上記触媒は、低原子価のランタノイド金属触媒である項目1に記載の方法。
(項目10)
上記ランタノイド金属触媒は、Yb、Sm、Tm、Nd、Eu、又はDyの塩、化合物、又は錯体を含む項目1に記載の方法。
(項目11)
上記ランタノイド金属触媒は、式[M'L a X b ] c の錯体を有し、
M'は、Yb、Sm、Tm、Nd、Eu、及びDyから成る群から選択され、
Lは、シクロペンタジエニル(1から5個までのアルキル基又は1から5個までのシリル基もしくはトリアルキルシリル基によって独立に置換されていてもよい)、インデニル(1から7個までのアルキル基によって置換されていてもよい)、フルオレニル(1から9個までのアルキル基によって置換されていてもよい)、ペンタジエニル(1から5個までのアルキル基、又は1から5個までのシリル基もしくはトリアルキルシリル基によって独立に置換されていてもよい)、アリル(1から5個までのアルキル基、又は1から3個までのシリル基もしくはトリアルキルシリル基によって独立に置換されていてもよい)、及び、ピリミジノン(1から6個までのアルキル基によって置換されていてもよい)から成る群から選択される配位子であり、
aは1から4までの整数であり、b=2であり、cは1又は2であり、
それぞれのXは独立にハロゲン化物である項目10に記載の方法。
(項目12)
上記ランタノイド金属触媒は、TmI 2 、DyI 2 、YbCl 2 、YbI 2 、EuI 2 、又はNdI 2 を含む項目10に記載の方法。
(項目13)
上記1つ以上のシラン化合物及び上記触媒は溶媒中で混合され、
上記溶媒は、C 5 −C 10 アルカン、C 5 −C 10 シクロアルカン、及びこれらの混合物から成る群より選択される項目1に記載の方法。
(項目14)
上記1つ以上のシラン化合物は、重量において1から90%までの量で上記溶媒中に存在する項目13に記載の方法。
(項目15)
上記溶媒中に存在するシラン化合物の1モル当りに対し、上記触媒が上記溶媒中に0.001から1mmolまでの量で存在する項目14に記載の方法。
(項目16)
上記1つ以上のシラン化合物は、トリシラン、テトラシラン、又はネオペンタシランを含む項目1に記載の方法。
(項目17)
上記1つ以上のシラン化合物は、さらにシクロペンタシランを含む項目16に記載の方法。
(項目18)
上記オリゴシラン又は上記ポリシランから上記触媒を除去する段階は、混合された上記触媒と上記オリゴシラン又は上記ポリシランとを濾過することを含む項目1に記載の方法。
(項目19)
k=0であり、上記オリゴシラン又は上記ポリシランは、本質的にA原子及びH原子から成る項目1に記載の方法。
(項目20)
k≧1であり、
a)Rがアリール基である場合、上記方法はさらに、上記アリール基をハロゲン又は擬ハロゲン化物で置換する段階を含み、
b)(i)Rがハロゲン原子又は擬ハロゲン化物である場合、もしくは(ii)上記オリゴシラン又は上記ポリシランがハロゲン原子又は擬ハロゲン化物を含む場合、上記方法はさらに、上記ハロゲン原子又は上記擬ハロゲン化物を水素源によって還元し、本質的にA原子及びH原子から成るオリゴシラン又はポリシランを形成する段階を含む、項目1に記載の方法。
(項目21)
a)項目1に記載の方法により形成される上記オリゴシラン又は上記ポリシランと、
b)上記オリゴシラン又は上記ポリシランが可溶な溶媒と、
を含むインク組成物。
(項目22)
項目21に記載の上記インク組成物から半導体フィルムを形成する方法であって、
a)上記インク組成物を基板上に塗布又は印刷する段階と、
b)アモルファス性の水素化された半導体を形成するように、塗布又は印刷された上記インク組成物を十分に加熱する段階と、
c)少なくとも部分的に結晶化して、及び/又は、上記アモルファス性の水素化された半導体の水素含有量を低減して上記半導体フィルムを形成するために、上記アモルファス性の水素化された半導体を任意で十分にアニーリングする段階及び/又は照射する段階と、
を備える方法。
(項目23)
項目22に記載の方法により半導体フィルムを形成する段階と、
上記半導体フィルムに物理的に近接して、1つ以上の導電性フィルム及び/又は絶縁性フィルムを形成する段階と、
を備える、薄膜トランジスタ、キャパシタ、ダイオード、及び/又は抵抗を形成する方法。
(項目24)
項目22に記載の方法により形成される上記半導体フィルムを有する、薄膜トランジスタ、キャパシタ、ダイオード、抵抗、回路、RFIDタグ、ディスプレイバックプレーン、センサ、又は光起電デバイス。
(項目25)
半導体フィルムを形成する方法であって、
a)基板上にインク組成物を塗布又は印刷する段階と、
b)アモルファス性の半導体を形成するように、塗布又は印刷された上記インク組成物を十分に加熱する段階と、
c)上記アモルファス性の半導体を少なくとも部分的に結晶化させ、上記半導体フィルムを形成するために、上記アモルファス性の半導体を任意で十分に加熱する段階及び/又は照射する段階と
を備え、
上記インク組成物は、溶媒と、式(NHC) 2 (A 2 )、(NHC) 2 (H x DA)、(NHS) 2 (A 2 )、(NHS) 2 (H x DA)、(NHS) 2 (H x D 2 )、及び/又は(NHC) 2 (H x D 2 )で表されるうちの1つの化合物とを有し、
NHCはN−ヘテロ環状カルベンであり、NHSはN−ヘテロ環状シリレンであり、それぞれのAは独立にSi又はGeであり、それぞれのDは独立にP、As、Sb、又はBであり、DがBの場合はxは上記式中のD原子の数に等しく、DがBでない場合はxはゼロである方法。
(項目26)
上記化合物は、上記式(NHC) 2 (A 2 )、(NHC) 2 (H x DA)、及び/又は、(NHC) 2 (H x D 2 )を有する項目25に記載の方法。
(項目27)
上記N−ヘテロ環状カルベンは、イミダゾール−2−イリデン又はイミダゾリン−2−イリデンである項目26に記載の方法。
(項目28)
上記化合物は、上記式(NHC) 2 (A 2 )を有し、AはSi又はGeである項目26に記載の方法。
(項目29)
上記化合物は、上記式(NHC) 2 (H x D 2 )を有し、DはP又はBである項目26に記載の方法。
(項目30)
上記溶媒は、C 5 −C 10 アルカン、C 5 −C 10 シクロアルカン、又はこれらの混合物を含む項目25に記載の方法。
(項目31)
上記化合物は、重量において0.001から90%までの量で上記溶媒中に存在する項目25に記載の方法。
(項目32)
上記半導体フィルムはIVA族半導体フィルムであり、上記アモルファス性の半導体はアモルファス性のIVA族半導体である項目25に記載の方法。
Claims (14)
- a)(i)式AnHjRkで表される1つ以上のシラン化合物と、(ii)N,N−二置換イミダゾール−2−イリデン、イミダゾリン−2−イリデン、N−ヘテロ環状カルベン−金属錯体類、N−ヘテロ環状シリレン−金属錯体類、YbCl2、YbI2、TmI2、NdI2、EuI2、DyI2、及び、これらの支持された形態から成る群から選択される触媒とを混合させ、オリゴシラン又はポリシランを形成する段階と、
b)前記オリゴシラン又は前記ポリシランから前記触媒を除去する段階と、
を備え、
式中、それぞれのAは独立にSi又はGeであり、nは少なくとも1である整数であり、jは少なくとも2である整数であり、nが奇数の場合j+kはn+1から2n+2までの整数であり、nが偶数の場合j+kはnから2n+2までの整数であり、それぞれのRは独立にアリール基、ハロゲン原子、又は擬ハロゲン化物である、
オリゴシラン又はポリシランを形成する方法。 - a)(i)式AnHjRkで表される1つ以上のシラン化合物と、(ii)N−ヘテロ環状カルベン類、N−ヘテロ環状シリレン類、N−ヘテロ環状ゲルミレン類、N−ヘテロ環状カルベン−金属錯体類、N−ヘテロ環状シリレン−金属錯体類、N−ヘテロ環状ゲルミレン−金属錯体類、Yb、Sm、Tm、Nd、Eu、又はDyの二価の塩、及び、これらの支持された形態から成る群から選択される触媒とを溶媒の中で混合させ、オリゴシラン又はポリシランを形成する段階と、
b)前記オリゴシラン又は前記ポリシランから前記触媒を除去する段階と、
を備え、
式中、それぞれのAは独立にSi又はGeであり、nは少なくとも1である整数であり、jは少なくとも2である整数であり、nが奇数の場合j+kはn+1から2n+2までの整数であり、nが偶数の場合j+kはnから2n+2までの整数であり、それぞれのRは独立にアリール基、ハロゲン原子、又は擬ハロゲン化物であり、
前記溶媒は、C5−C10アルカン、C5−C10シクロアルカン、及びこれらの混合物から成る群より選択される、
オリゴシラン又はポリシランを形成する方法。 - a)(i)トリシラン、テトラシラン、又はネオペンタシランを含む1つ以上のシラン化合物と、(ii)N−ヘテロ環状カルベン類、N−ヘテロ環状シリレン類、N−ヘテロ環状ゲルミレン類、N−ヘテロ環状カルベン−金属錯体類、N−ヘテロ環状シリレン−金属錯体類、N−ヘテロ環状ゲルミレン−金属錯体類、Yb、Sm、Tm、Nd、Eu、又はDyの二価の塩、及び、これらの支持された形態から成る群から選択される触媒とを混合させ、オリゴシラン又はポリシランを形成する段階と、
b)前記オリゴシラン又は前記ポリシランから前記触媒を除去する段階と、
を備える、
オリゴシラン又はポリシランを形成する方法。 - 前記触媒は、N−ヘテロ環状カルベン、又はN−ヘテロ環状シリレンを含む請求項2又は3に記載の方法。
- 前記触媒は、N,N−二置換イミダゾール−2−イリデン、又は、イミダゾリン−2−イリデンを含む請求項4に記載の方法。
- 前記触媒は、N−ヘテロ環状カルベン−金属錯体、又は、N−ヘテロ環状シリレン−金属錯体を含む請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒は式[M(NHC)xXy]zの錯体を含み、
Mは、Ag、Cu、Au、Pd、Rh、Ru、Pt,及びNiから成る群から選択され、NHCはN−ヘテロ環状カルベンであり、x=1又は2であり、y=1又は2であり、zは1又は2であり、それぞれのXは独立にハロゲン化物、カルボキシ、ヒドリド、又は、置換されたもしくは置換されていないアルキル、アリル、アリール、アラルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ベータ−ジケトナート、ジアリールアミノ、ジアルキルアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、ボリル、Cp、又はCp*配位子である請求項6に記載の方法。 - 前記触媒は、固定された相に固着される請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒は、TmI2、DyI2、YbCl2、YbI2、EuI2、又はNdI2を含むランタノイド金属触媒である請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ以上のシラン化合物及び前記触媒は溶媒中で混合され、
前記溶媒は、C5−C10アルカン、C5−C10シクロアルカン、及びこれらの混合物から成る群より選択される請求項1又は3に記載の方法。 - 前記1つ以上のシラン化合物は、トリシラン、テトラシラン、又はネオペンタシランを含む請求項1又は2に記載の方法。
- k=0であり、前記オリゴシラン又は前記ポリシランは、A原子及びH原子から成る請求項1又は2に記載の方法。
- k≧1であり、
a)Rがアリール基である場合、前記方法はさらに、前記アリール基をハロゲン又は擬ハロゲン化物で置換する段階を含み、
b)(i)Rがハロゲン原子又は擬ハロゲン化物である場合、もしくは(ii)前記オリゴシラン又は前記ポリシランがハロゲン原子又は擬ハロゲン化物を含む場合、前記方法はさらに、前記ハロゲン原子又は前記擬ハロゲン化物を水素源によって還元し、A原子及びH原子から成るオリゴシラン又はポリシランを形成する段階を含む、請求項1又は2に記載の方法。 - 請求項1から13のいずれか1項に記載の方法により形成される前記オリゴシラン又は前記ポリシランと、前記オリゴシラン又は前記ポリシランが可溶な溶媒と、を含むインク組成物から、半導体フィルムを形成する方法であって、
a)前記インク組成物を基板上に塗布又は印刷する段階と、
b)アモルファス性の水素化された半導体を形成するように、塗布又は印刷された前記インク組成物を十分に加熱する段階と、
c)少なくとも部分的に結晶化して前記半導体フィルムを形成する、及び、前記アモルファス性の水素化された半導体の水素含有量を低減して前記半導体フィルムを形成するうちの少なくとも一方のために、前記アモルファス性の水素化された半導体を任意で十分にアニーリングする段階及び照射する段階の少なくとも一方の段階と、
を備える方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/194,472 US8900654B2 (en) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Methods of polymerizing silanes and cyclosilanes using N-heterocyclic carbenes, metal complexes having N-heterocyclic carbene ligands, and lanthanide compounds |
US13/194,472 | 2011-07-29 | ||
PCT/US2011/046155 WO2013019208A1 (en) | 2011-07-29 | 2011-08-01 | Methods of polymerizing silanes and cyclosilanes using n-heterocyclic carbenes, metal complexes having n-heterocyclic carbene ligands, and lanthanide compounds |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014529560A JP2014529560A (ja) | 2014-11-13 |
JP5881225B2 true JP5881225B2 (ja) | 2016-03-09 |
Family
ID=47596486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014522805A Active JP5881225B2 (ja) | 2011-07-29 | 2011-08-01 | オリゴシラン又はポリシランを形成する方法、及び、半導体フィルムを形成する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8900654B2 (ja) |
EP (1) | EP2739653B1 (ja) |
JP (1) | JP5881225B2 (ja) |
KR (1) | KR101904007B1 (ja) |
TW (1) | TWI591102B (ja) |
WO (1) | WO2013019208A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9336925B1 (en) | 2008-11-26 | 2016-05-10 | Thin Film Electronics Asa | Siloxanes, doped siloxanes, methods for their synthesis, compositions containing the same, and films formed therefrom |
DE102013010099B4 (de) * | 2013-06-18 | 2015-07-09 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung strukturierter Beschichtungen, mit dem Verfahren hergestellte strukturierte Beschichtungen und ihre Verwendung |
ES2555328B1 (es) * | 2014-06-26 | 2016-07-12 | Universidad De Alcalá | Complejos NHC de paladio heterogeneizables |
WO2016009827A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 高分子量ポリシラン及びその製造方法 |
WO2016072226A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 日産化学工業株式会社 | 水素化ケイ素の酸化物を含む有機溶剤の製造方法 |
JP6717928B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2020-07-08 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 金属−含窒素複素環式カルベン縮合反応触媒を用いたポリオルガノシロキサン組成物及びその調製方法 |
WO2017093265A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | Basf Se | Process for the generation of metallic films |
KR101945215B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2019-02-07 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 |
WO2018079484A1 (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | 昭和電工株式会社 | オリゴシランの製造方法及びオリゴシランの製造装置 |
CN110655653B (zh) * | 2018-06-29 | 2022-04-22 | 华南理工大学 | 一类主链含金属元素的a-d-a型聚合物及制备方法与其应用 |
EP3590889B1 (en) | 2018-07-05 | 2020-12-02 | Evonik Operations GmbH | Preparation of 2,2,4,4-tetrasilylpentasilane in the presence of lewis acids |
US11401166B2 (en) | 2018-10-11 | 2022-08-02 | L'Air Liaquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Process for producing isomer enriched higher silanes |
US11097953B2 (en) | 2018-10-11 | 2021-08-24 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes |
US10752507B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-08-25 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes |
KR20210146329A (ko) | 2019-03-29 | 2021-12-03 | 더 코어텍 그룹 아이앤씨. | 사이클로실란 제조 방법 |
CN114174305A (zh) * | 2019-05-22 | 2022-03-11 | 德克萨斯大学系统董事会 | 用于治疗癌症的官能化的金卡宾萘醌络合物 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07701B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1995-01-11 | 勝美 吉野 | ポリシランの製造方法 |
US5252766A (en) * | 1990-09-14 | 1993-10-12 | Director-General Of Agency Of Industrial Science | Method for producing polysilanes |
JPH0717753B2 (ja) * | 1990-09-14 | 1995-03-01 | 工業技術院長 | ポリシラン類の製造方法 |
US5087719A (en) * | 1990-09-27 | 1992-02-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Dehydrogenative polymerization of silanes to polysilanes by catalysts of transition-metal silyl derivatives |
DE4304256A1 (de) * | 1993-02-12 | 1994-08-18 | Solvay Deutschland | Katalysator zur Disproportionierung von Aryl- oder Alkylhalogendisilanen zu Aryl- oder Alkylhalogenmono- und Aryl- oder Alkylhalogenpolysilanen |
US5700400A (en) | 1993-06-15 | 1997-12-23 | Nippon Oil Co., Ltd. | Method for producing a semiconducting material |
US7498015B1 (en) * | 2004-02-27 | 2009-03-03 | Kovio, Inc. | Method of making silane compositions |
US7485691B1 (en) * | 2004-10-08 | 2009-02-03 | Kovio, Inc | Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom |
US7943721B2 (en) * | 2005-10-05 | 2011-05-17 | Kovio, Inc. | Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions |
EP2069368A4 (en) * | 2006-10-06 | 2011-06-22 | Kovio Inc | SILICON POLYMERS, METHODS FOR POLYMERIZING SILICON COMPOUNDS, AND METHODS FOR FORMING THIN FILMS OF SILICON POLYMERS |
US8530589B2 (en) * | 2007-05-04 | 2013-09-10 | Kovio, Inc. | Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials |
US20090208553A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | University Of Southern Mississippi | Monomers and Polymers with Covalently - Attached Active Ingredients |
-
2011
- 2011-07-29 US US13/194,472 patent/US8900654B2/en active Active
- 2011-08-01 WO PCT/US2011/046155 patent/WO2013019208A1/en active Application Filing
- 2011-08-01 KR KR1020147003799A patent/KR101904007B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-01 TW TW100127193A patent/TWI591102B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-01 JP JP2014522805A patent/JP5881225B2/ja active Active
- 2011-08-01 EP EP11870234.9A patent/EP2739653B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8900654B2 (en) | 2014-12-02 |
EP2739653A4 (en) | 2015-11-11 |
TW201305253A (zh) | 2013-02-01 |
EP2739653A1 (en) | 2014-06-11 |
TWI591102B (zh) | 2017-07-11 |
JP2014529560A (ja) | 2014-11-13 |
US20130026453A1 (en) | 2013-01-31 |
KR101904007B1 (ko) | 2018-10-04 |
WO2013019208A1 (en) | 2013-02-07 |
KR20140048978A (ko) | 2014-04-24 |
EP2739653B1 (en) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5881225B2 (ja) | オリゴシラン又はポリシランを形成する方法、及び、半導体フィルムを形成する方法 | |
KR101467412B1 (ko) | 실리콘 폴리머, 실리콘 화합물 중합법 및 실리콘 폴리머 박막 형성법 | |
US8057865B1 (en) | Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom | |
JP2018514942A (ja) | 薄い無機膜の生成方法 | |
EP3384065B1 (en) | Process for the generation of metallic films | |
TW201238895A (en) | Process for preparing higher halo-and hydridosilanes | |
US10202283B2 (en) | Method for producing cyclic silane using concentration method | |
EP3170793B1 (en) | Method for preparing a high-molecular-weight polysilane | |
KR20180111865A (ko) | 얇은 무기 필름의 생성 방법 | |
KR101175405B1 (ko) | 폴리실란계 화합물의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 폴리실란계 화합물, 이에 이용되는 탈수소화 촉매, 폴리실란계 화합물로 무정형 실리콘 박막을 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5881225 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |