JP5864276B2 - ナノ微細構造の製造方法 - Google Patents
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Description
10、20、20'…基板
11…酸化シリコン層
12…フォトレジスト層
21…ナノ球
22…被エッチング膜
22a…上部のエッチング膜
23…レジスト層
100…凹溝
100' …凹み
120…開孔
200、200' …バンプ
200a…結晶格子面
h…高さ
w…幅
Claims (10)
- 基板を用意する工程と、
前記基板に複数のナノ球を形成する工程と、
前記基板及び各前記ナノ球間に被エッチング膜を形成する工程と、
各前記ナノ球を除去する工程と、
前記被エッチング膜にレジスト層を形成する工程と、
湿式エッチングを行って前記被エッチング膜及びその下の基板材料の一部を除去することで、前記基板の表面に複数のバンプを形成する工程と、
前記レジスト層を除去し、各前記バンプを露出させる工程と、
を含むナノ微細構造の製造方法。 - 前記基板が、酸化アルミニウム(Al2O3)基板又はシリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記被エッチング膜が、金属酸化物又は金属窒化物であることを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記被エッチング膜が、窒素、リン及びホウ素からなる群から選ばれた一種又は複数種のドーパントをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記レジスト層が、金属酸化物又は金属窒化物であることを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記レジスト層が、酸化シリコンであることを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記レジスト層の材料が、前記被エッチング膜とは異なることを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記バンプの高さと幅の比の範囲が、0.25〜0.5であることを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記バンプが、結晶格子面を有することを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
- 前記湿式エッチングを行う前に、予め焼結工程を行うことを特徴とする請求項1に記載のナノ微細構造の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013143469A JP2013143469A (ja) | 2013-07-22 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004103736A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Ebara Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2005103736A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Enitekku:Kk | 食品スライサ |
JP2007273746A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
FR2960562B1 (fr) * | 2010-05-31 | 2012-05-25 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Monocristal texture |
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