JP5860122B1 - スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置 - Google Patents

スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5860122B1
JP5860122B1 JP2014227733A JP2014227733A JP5860122B1 JP 5860122 B1 JP5860122 B1 JP 5860122B1 JP 2014227733 A JP2014227733 A JP 2014227733A JP 2014227733 A JP2014227733 A JP 2014227733A JP 5860122 B1 JP5860122 B1 JP 5860122B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
slurry supply
supply apparatus
unit
storage unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014227733A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016041463A (ja
Inventor
ジェ・ヒュン・べ
キー・ユン・ハン
Original Assignee
エルジー・シルトロン・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・シルトロン・インコーポレーテッド filed Critical エルジー・シルトロン・インコーポレーテッド
Application granted granted Critical
Publication of JP5860122B1 publication Critical patent/JP5860122B1/ja
Publication of JP2016041463A publication Critical patent/JP2016041463A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

【課題】スラリーが汚染されることを防止することができるスラリー供給装置及びそれを含む研磨装置を提供する。【解決手段】スラリー供給装置100Aは、スラリーSを噴出するノズル110と、ノズル110からスラリーSを受け、少なくとも一つのスラリー孔120−3を介して吐出するスラリー供給部120と、スラリー供給部120からスラリーSが吐出可能なようにスラリー供給部120が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置され、スラリー供給部120の周囲に流動性物質200を収容可能な収容部130Aと、ノズル110の出口からスラリー供給部120の入口までスラリーSが通過する空間を、流動性物質200と共に取り囲む、ノズル収容溝及びメインカバー141Aを含むスラリー保護部とを含む。【選択図】図3B

Description

実施例は、スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置に関する。
半導体素子の高集積化により、半導体ウエハの製造工程のうちラッピング(Lapping)工程や化学機械的両面研磨(DSP:Double Side Polishing)工程時にウエハに加えられるスクラッチや欠陥が、半導体製造工程において素子の収率及び生産性に大きな影響を及ぼす重要な因子の一つとして認識されている。特に、大口径化されたウエハ(例えば、30mmの直径のウエハ)を使用する最近の半導体素子の製造工程の場合、ウエハ、ラッピング定盤、研磨ヘッド及び研磨パッドなどもまた大型化、精密化される趨勢である。
既存のラッピング工程や両面研磨工程の場合、スラリーを利用する。既存のスラリー供給装置の場合、ノズル(図示せず)からスラリーがスラリーリング(図示せず)に供給される過程において、粉塵や金属などの汚染物質がスラリーに付着して、上定盤の内部のスラリー管に粘着されたり、または研磨対象物が汚染されたり、傷つけられることもあるという問題がある。
実施例は、スラリーが汚染されることを防止することができるスラリー供給装置及びそれを含む研磨装置を提供する。
実施例のスラリー供給装置は、スラリーを噴出するノズルと;前記ノズルから前記スラリーを受け、少なくとも一つのスラリー孔を介して吐出するスラリー供給部と;前記スラリー供給部から前記スラリーが吐出可能なように前記スラリー供給部が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置され、前記スラリー供給部の周囲に流動性物質を収容可能な収容部と;前記ノズルの出口から前記スラリー供給部の入口まで前記スラリーが通過する空間を、前記流動性物質と共に取り囲むスラリー保護部と;を含むことができる。
前記スラリー保護部は、前記スラリー供給部の入口と対向し、前記ノズルが装着、載置、挿入、または結合可能なノズル収容溝と;前記流動性物質と共に、前記スラリーが通過する前記空間を密閉させるように形成されたメインカバーと;を含むことができる。
前記メインカバーは、上端部と、前記上端部から延びて形成された第1側壁部とを含むことができる。
前記上端部は第1方向に延び、前記第1側壁部は第2方向に延び、前記第2方向は、前記スラリーが吐出される方向であり、前記第1方向と直角方向であってもよい。
または、前記上端部は第1曲率半径を有し、前記第1側壁部は第2曲率半径を有することができる。前記第1及び第2曲率半径は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記上端部及び前記第1側壁部のそれぞれは、傾斜して一体に形成されてもよい。
前記メインカバーの端部は、前記流動性物質に浸かるか、または前記流動性物質から離隔してもよい。
前記メインカバーは、前記第1側壁部から前記第1方向に延びて突出して、前記流動性物質の上部を遮るように配置された補助カバーをさらに含むことができる。
前記ノズル及び前記スラリー保護部は固定され、前記スラリー供給部及び前記収容部は回転可能にすることができる。
前記スラリー供給部、前記スラリー保護部、及び前記収容部のそれぞれは、同じ平面形状を有することができる。前記スラリー供給部、前記スラリー保護部、及び前記収容部のそれぞれは、環状の平面形状を有することができる。
前記流動性物質は超純水を含むことができる。
前記収容部は、底部と;前記底部から延びて前記流動性物質を収容可能な空間を定義する第2側壁部と;を含むことができる。
前記底部は、前記スラリー供給部が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置される供給部収容溝と;前記スラリー孔から吐出された前記スラリーが流出する貫通孔と;を含むことができる。
前記供給部収容溝の深さは、前記スラリー供給部の高さと前記流動性物質の高さとの差よりも小さくすることができる。
前記スラリー供給部は、前記供給部収容溝にねじ結合されてもよい。
前記第2側壁部は、前記第1側壁部から離隔することができる。
前記収容部は、前記第2側壁部から前記収容部の内側に突出して延びて、前記流動性物質の表面の少なくとも一部を遮るように形成されたあふれ防止部をさらに含むことができる。
前記スラリー供給装置は、補充用流動性物質を貯蔵する第1貯蔵部と;前記第1貯蔵部から前記収容部まで前記補充用流動性物質が通過する経路を形成する第1パイプと;をさらに含むことができる。
前記スラリー供給装置は、前記収容部に入っている前記流動性物質の収容量を測定する測定部と;前記収容量に応じて制御信号を発生するバルブ制御部と;前記制御信号に応答して、前記第1貯蔵部から前記収容部に提供される前記補充用流動性物質の量を調節する第1バルブと;をさらに含むことができる。
前記スラリー供給装置は、洗浄液を貯蔵する第2貯蔵部と;前記第2貯蔵部から前記収容部まで前記洗浄液が通過する経路を形成する第2パイプと;をさらに含むことができる。
前記スラリー供給装置は、前記第2貯蔵部から前記収容部に提供される前記洗浄液の量を調節する第2バルブをさらに含むことができる。
他の実施例に係る研磨装置は、研磨対象物の上面及び底面を研磨する上定盤及び下定盤と、前記上定盤を回転させる駆動ユニットと;前記スラリー供給装置と;を含むことができる。
前記第1又は第2貯蔵部のうち少なくとも一つは、前記上定盤に装着、載置、配置、支持、または結合されて共に回転することができる。
実施例に係るスラリー供給装置及びそれを含む研磨装置は、外部の粉塵や金属などのような汚染物質からスラリーの汚染を防止することができ、これによって、スラリーを用いてウエハを研磨するとき、ウエハにスクラッチなどの損傷を防止することができ、有機物または金属による汚染を制御することができ、収容部が回転する時、遠心力によって流動性物質があふれる現象を防止することができ、流動性物質を補充したり交換したりすることができ、洗浄液を使用して洗浄することもできる。
下記の図面を参照して実施例について詳細に説明する。ただし、図面中、同一のエレメントには同一の参照符号を付する。
図1は、実施例に係るスラリー供給装置の平面図である。 図2Aは、図1に示されたスラリー供給装置からスラリー保護部を除去した平面図である。 図2Bは、図1に示されたスラリー保護部の一実施例の平面図である。 図3Aは、図1に示されたI−I’線に沿って切断した一実施例に係るスラリー供給装置の分解断面図である。 図3Bは、図1に示されたI−I’線に沿って切断した一実施例に係るスラリー供給装置の結合断面図である。 図4は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した他の実施例に係るスラリー供給装置の結合断面図である。 図5は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置の結合断面図である。 図6は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置の結合断面図である。 図7は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置の結合断面図である。 図8は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置の結合断面図である。 図9は、更に他の実施例に係るスラリー供給装置を示す図である。 図10は、一実施例に係る研磨装置を示す図である。
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施例に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
以下、実施例に係るスラリー供給装置を添付の図面を参照して、次のように説明する。
図1は、実施例に係るスラリー供給装置100の平面図を示し、図2Aは、図1に示されたスラリー供給装置100からスラリー保護部140を除去した平面図を示し、図2Bは、図1に示されたスラリー保護部140の一実施例140Aの平面図を示し、図3Aは、図1に示されたI−I’線に沿って切断した一実施例に係るスラリー供給装置100Aの分解断面図を示し、図3Bは、図1に示されたI−I’線に沿って切断した一実施例に係るスラリー供給装置100Aの結合断面図をそれぞれ示す。
図1乃至図3Bを参照すると、実施例に係るスラリー供給装置100,100Aは、ノズル110、スラリー供給部120、収容部130A、及びスラリー保護部140,140Aを含むことができる。
ノズル110はスラリーSを噴出する役割を果たす。例えば、ノズル110は、図1及び図2Aに例示したように互いに等間隔に配置してもよいが、実施例はノズル110の配置形態に限定されない。
また、図1及び図2Aの場合、4個のノズル110が示されているが、実施例に係るスラリー供給装置100,100Aは、4個より少ない又は多い数のノズルを含むことができる。すなわち、実施例に係るスラリー供給装置100,100Aはノズルの数に限定されない。
スラリー供給部120は、ノズル110からスラリーSを受け、少なくとも一つのスラリー孔120−3を介して吐出する役割を果たす。図2Aを参照すると、スラリー供給装置100,100Aは、16個のスラリー孔120−3を含むことを示しているが、実施例はこれに限定されない。すなわち、他の実施例によれば、16個より少ない又は多い数のスラリー孔120−3が配置されてもよいことは勿論である。
また、スラリー孔120−3は円周方向に形成することができ、スラリー供給部120は、全体的に円盤状であり、円周方向に外側には突出した直角側面120−1が形成され、円周方向に内側には傾斜側面120−2が形成されてもよい。このとき、スラリー孔120−3は、直角側面120−1の内面と連接することができる。図3A及び図3Bを参照すると、ノズル110は、スラリー供給部120の直角側面120−1と傾斜側面120−2との間に位置することができる。すなわち、ノズル110のx軸方向への幅w1は、直角側面120−1と傾斜側面120−2との間のx軸方向への上部の最大離隔幅w2よりも小さくすることができる。
スラリー通過方向と平行に形成された直角側面120−1の内面、及びスラリー通過方向を基準として傾斜した傾斜面124を有する傾斜側面120−2の内面を通過した後に、スラリーSは、側方案内面126を介して下方に案内され得る。
傾斜側面120−2の傾斜面124は、重力によってスラリーSが自然に下方に案内されるように、スラリー通過方向を基準として傾斜して形成されてもよい。
前述したようにスラリー供給部120が具現される場合、ノズル110から供給されたスラリーSが、スラリー供給部120に残留せずに、重力によって自然にスラリー孔120−3を介して外部に吐出及び案内され得る。しかし、実施例は、スラリー供給部120の前述した構成に限定されない。すなわち、スラリー供給部120は、図3A及び図3Bと異なる構造を有してもよい。
収容部130Aは、スラリー供給部120からスラリーSが吐出可能なように、スラリー供給部120が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置される部分である。また、収容部130Aは、スラリー供給部120の周囲に流動性物質200を収容可能な形状を有することができる。
収容部130Aは、底部132または第1側壁部134−1,134−2のうち少なくとも一つを含むことができる。底部132は、供給部収容溝132−1及び貫通孔132−2を含むことができる。ここで、供給部収容溝132−1は、スラリー供給部120が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置される部分である。
実施例によれば、供給部収容溝132−1の深さDは、スラリー供給部120の第1高さH1から流動性物質200の第2高さH2を減算した高さの差ΔHよりも小さくすることができる。これは、深さDが高さの差ΔHよりも大きい場合、スラリー供給部120の上面よりも流動性物質200の上面200Aがさらに高くなってしまい、流動性物質200がスラリー供給部120に流入することがあるため、これを防止するためである。
一実施例によれば、スラリー供給部120は、供給部収容溝132−1に装着、挿入、載置、結合、支持、または配置されてもよい。この場合、スラリー供給部120が供給部収容溝132−1に装着、挿入、載置、結合、支持、または配置された後、離脱することを防止するために、底部132の底面132−3は段差を付けて形成することができる。この場合、供給部収容溝132−1に装着、挿入、載置、結合、支持、または配置されたスラリー供給部120の下の収容部130Aの厚さtは、‘0’よりも大きくすることができる。
スラリー供給部120のスラリー孔120−3から吐出されたスラリーSは、貫通孔132−2を介してスラリー供給装置100,100Aの外側に吐出可能である。
図4は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した他の実施例に係るスラリー供給装置100Bの結合断面図を示す。
図4に示されたスラリー供給装置100Bにおいて、スラリー供給部120は、供給部収容部130Bとねじ結合136されてもよい。この場合、スラリー供給部120の下に収容部130Bを配置しなくてもよい。すなわち、供給部収容溝132−1に装着、挿入、載置、結合、支持、または配置されたスラリー供給部120の下の収容部130Bの厚さtが、‘0’であり得る。このように、スラリー供給部120と収容部130Bとがねじ結合136される場合、収容部130Bは、図3A及び図3Bに示したような貫通孔132−2を設けなくてもよい。
図4を参照すると、収容部130Bの底部132においてスラリー供給部120と対向する一方の側部面132−4に雌ねじ山(または、雄ねじ山)を形成し、スラリー供給部120において底部132と対向する一方の側部面120−4には、雌ねじ山(または、雄ねじ山)に対応する雄ねじ山(または、雌ねじ山)を形成して、これらのねじ結合によって、スラリー供給部120は収容部130Bにねじ結合することができる。
また、例えば、ねじ結合のために、収容部130Bを、図2Aに示された反時計方向A1(または、時計方向A2)に回転させ、スラリー供給部120を時計方向A2(または、反時計方向A1)に回転させることができる。
または、図4とは異なり、底部132の他方の側部面132−5に雌ねじ山(または、雄ねじ山)を形成し、スラリー供給部120の他方の側部面120−5に雌ねじ山(または、雄ねじ山)に対応する雄ねじ山(または、雌ねじ山)を形成して、これらのねじ結合によって、スラリー供給部120は収容部130Bにねじ結合されてもよい。
前述したように、スラリー供給部120が収容部130Bにねじ結合されたこと以外は、図4に示されたスラリー供給装置100Bは、図3Bに示されたスラリー供給装置100Aと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複説明を省略する。
更に他の実施例によれば、図3Bに示されたように、厚さtが‘0’でない状態で、スラリー供給部120は、図4に示されたように収容部130Bとねじ結合されてもよい。
また、収容部130Aの第1側壁部134−1,134−2は、底部132から延びて流動性物質200を収容可能な空間を定義することができる。図3A及び図3Bを参照すると、第1側壁部134−1,134−2は、底部132から収容部130Aの厚さ方向であるz軸方向に延長されてもよいが、実施例はこれに限定されない。すなわち、流動性物質200を収容可能な空間を定義することができれば、第1側壁部134−1,134−2が底部132から延びる方向は、z軸方向ではなく、z軸方向を基準として傾斜した方向に延びてもよい。
図5は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置100Cの結合断面図を示す。
図5を参照すると、収容部130Cは、あふれ防止部135−1,135−2をさらに含むことができる。その他には、図5に示されたスラリー供給装置100Cは、図3Bに示されたスラリー供給装置100Aと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複説明を省略する。
図5に示したあふれ防止部135−1,135−2は、第1側壁部134−1,134−2から収容部130Cの内側に突出して延びて、流動性物質200の表面200Aの少なくとも一部を遮るように形成することができる。このように、収容部130Cにあふれ防止部135−1,135−2を形成する場合、収容部130Cが回転する時、遠心力によって収容部130Cから流動性物質200があふれる現象を防止することができる。
一方、スラリー保護部140Aは、ノズル110の出口112からスラリー供給部120の入口122までスラリーSが通過する空間SPを、流動性物質200と共に取り囲むことができる。
スラリー保護部140Aは、ノズル収容溝142及びメインカバー(main cover)141Aを含むことができる。ノズル収容溝142は、スラリー供給部120の入口122と対向し、ノズル110が装着、載置、挿入、または結合可能な形態を有することができる。
メインカバー141Aは、流動性物質200と共に、スラリーSが通過する空間SPを密閉するように形成することができる。
図3A、図3B、図4、及び図5を参照すると、メインカバー141Aは、上端部144Aと、上端部144Aから延びて形成された第2側壁部146Aとを含むことができる。
一実施例によれば、上端部144Aは第1方向に延び、第2側壁部146Aは第2方向に延びることができる。この場合、第2方向は、スラリーSが吐出される方向(z軸方向)であり、第1方向と直角方向であり得る。すなわち、メインカバー141Aは円筒形の断面形状を有することができる。
図6は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置100Dの結合断面図を示す。
図6に示したように、上端部144Bは、第1曲率半径R1を有する反面、第2側壁部146Bは、上端部144Bから第2方向であるz軸方向に一直線に延びて形成されてもよい。
または、図6に示したように、メインカバー141Bの上端部144Bは第1曲率半径R1を有し、図6とは異なり、第2側壁部146Bは第2曲率半径R2を有してもよい。
一実施例によれば、第1及び第2曲率半径R1,R2は互いに同一であってもよい。この場合、スラリー保護部140Bは円形の断面形状を有することができる。他の実施例によれば、第1及び第2曲率半径R1,R2は互いに異なっていてもよい。
このように、スラリー保護部140Bの形状が異なること以外は、図6に示したスラリー供給装置100Dは、図3Bに示されたスラリー供給装置100Aと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複説明を省略する。
図7は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置100Eの結合断面図を示す。
メインカバー141Cは、図7に示したように傾斜して形成されてもよい。
メインカバー141Cは、それぞれが傾斜した上端部144Cと第2側壁部146Cとに区分することができる。このとき、図7に示したように、上端部144C及び第2側壁部146Cのそれぞれは、同じ角度で傾斜して一体に形成されてもよい。または、図7とは異なり、上端部144C及び第2側壁部146Cのそれぞれは、互いに異なる角度で傾斜して一体または別個の形態で多段式に形成されてもよい。
また、図7に示したように、上端部144Cの傾斜角度と第2側壁部146Cの傾斜角度は互いに同一であってもよい。
また、傾斜して形成された上端部144Cと第2側壁部146Cとは一体に形成されてもよい。この場合、メインカバー141Cは円錐形の断面形状を有することができる。
また、上端部144Cの傾斜角度と第2側壁部146Cの傾斜角度は互いに異なっていてもよい。
このように、スラリー保護部140Cの形状が異なること以外は、図7に示したスラリー供給装置100Eは、図3Bに示されたスラリー供給装置100Aと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複説明を省略する。
また、図3B乃至図7を参照すると、メインカバー141A,141B,141Cの端部140A−1,140B−1,140C−1は流動性物質200に浸かってもよい。このように、メインカバー141A,141B,141Cの端部140A−1,140B−1,140C−1が流動性物質200に浸かる場合、メインカバー141A,141B,141Cと流動性物質200は、スラリーSが通過する空間SPを完全に密閉することができる。
空間SPが完全に密閉される場合、外部の粉塵や金属のような汚染物質TからスラリーSの汚染を防止することができる。これによって、スラリー供給装置100,100A,100B,100C,100D,100Eから吐出されたスラリーSを用いて後述するようにウエハを研磨するとき、ウエハにスクラッチなどの損傷及び汚染を防止することができる。
図8は、図1に示されたI−I’線に沿って切断した更に他の実施例に係るスラリー供給装置100Fの結合断面図を示す。
また、図8に例示したように、メインカバー141Dの端部140D−1は、流動性物質200から所定距離dだけ離隔してもよい。この場合、メインカバー141Dは、上端部144A及び第2側壁部146Aの他に、補助カバー148をさらに含むことができる。このように、メインカバー141Dが補助カバー148をさらに含み、メインカバー141Dの端部140D−1が流動性物質200から離隔したこと以外は、図8に示したスラリー供給装置100Fは、図3Bに示されたスラリー供給装置100Aと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複説明を省略する。
補助カバー148は、第2側壁部146Aから第1方向に延びて突出して流動性物質200の上部を遮るように配置することができる。このように、補助カバー148によって流動性物質200が遮られて露出されない場合、たとえメインカバー141Dの端部140D−1が流動性物質200に浸からなくて空間SPが完全に密閉されなかったとしても、重力によって第2方向に落下する外部の汚染物質Tが、スラリーSが通過する空間SPを汚染させることを防止できるようになる。
一方、スラリー供給装置(100:100A,100B,100C,100D,100E,100F)からスラリーSを外に吐出するとき、ノズル110及びスラリー保護部140A,140B,140C,140Dは回転せずに固定される反面、スラリー供給部120及び収容部130A,130B,130Cは回転することができる。このとき、第2側壁部146A,146B,146Cは、第1側壁部134−1,134−2から所定距離Lだけ離隔することができる。これは、回転する収容部130A,130B,130Cと固定されたスラリー保護部140A,140B,140C,140Dとがぶつかることを防止するためである。
また、スラリー供給部120及び収容部130A,130B,130Cが回転するとき、流動性物質200にスラリー保護部140A,140B,140Cの端部140A−1,140B−1,140C−1が浸かり得るので、流動性物質200は、流体やコロイド状のゲル(GEL)状態であってもよい。例えば、流動性物質200は超純水を含むことができるが、実施例は、流動性物質200の種類に限定されない。
また、実施例によれば、スラリー供給部120、スラリー保護部140A,140B,140C,140D、及び収容部130A,130B,130Cのそれぞれは、同じ平面形状を有することができる。例えば、図1、図2A及び図2Bを参照すると、スラリー供給部120、スラリー保護部140A、及び収容部130Aのそれぞれは、環状の平面形状を有することができるが、実施例は、これら120,130A,140Aの特定の平面形状に限定されない。
図9は、更に他の実施例に係るスラリー供給装置100Gを示す図である。
図9に示されたスラリー供給装置100Gは、ノズル110、スラリー供給部120、収容部130A、スラリー保護部140A、第1及び第2貯蔵部152,162、第1及び第2パイプ156,166、第1及び第2バルブ154,164、測定部170、及びバルブ制御部172を含むことができる。ここで、ノズル110、スラリー供給部120、収容部130A、及びスラリー保護部140Aは、図3Bに示されたノズル110、スラリー供給部120、収容部130A、及びスラリー保護部140Aにそれぞれ該当するので、同一の参照符号を使用し、これらについての重複説明を省略する。
第1貯蔵部152は第1流体202を貯蔵し、第2貯蔵部162は第2流体204を貯蔵することができる。第1及び第2流体202,204は、互いに同じ物質であってもよく、互いに異なる物質であってもよい。
また、第1貯蔵部152または第2貯蔵部162は省略してもよい。
実施例によれば、第1貯蔵部152は、補充用/交換用(以下、‘補充用’と称する)流動性物質を第1流体202として貯蔵し、第2貯蔵部162は、洗浄液を第2流体204として貯蔵することができる。
第1パイプ156は、第1貯蔵部152から収容部130Aまで補充用流動性物質202が通過する経路を形成し、第2パイプ166は、第2貯蔵部162から収容部130Aまで洗浄液204が通過する経路を形成することができる。
測定部170は、収容部130Aに入っている前記流動性物質200の収容量を測定することができる。バルブ制御部172は、測定部170で測定された収容量に応じて第1制御信号C1を発生することができる。このとき、第1バルブ154は、バルブ制御部172から出力される第1制御信号C1に応答して、第1貯蔵部152から収容部130Aに提供される補充用流動性物質202の量を調節することができる。
または、測定部170及びバルブ制御部172を用いて足りない流動性物質200を補充する代わりに、他の実施例によれば、流動性物質202を周期的に補充してもよく、肉眼で確認して補充してもよい。
また、第2バルブ164は、第2制御信号C2に応答して、第2貯蔵部162から収容部130Aに提供される洗浄液204の量を調節することができる。バルブ制御部172は、スラリー供給装置100G を使用した期間などを分析し、分析した結果に応じて第2制御信号C2を発生することができる。
図9に例示したようにスラリー供給装置100Gを具現する場合、流動性物質202を円滑に補充することができ、洗浄液204を用いてスラリー供給装置100G自体を洗浄することもできる。
以下、実施例に係るスラリー供給装置を含む研磨装置の構成及び動作を、添付の図面を参照して、次のように説明する。
図10は、一実施例に係る研磨装置300を示す図である。
図10に示された研磨装置300は、キャリアC、スラリーリング100、互いに反対方向に回転する上定盤(または、上部研磨板)302及び下定盤(または、下部研磨板)304、内部ギア(internal gear)306、ケーシング(casing)308、プレート310、接続パイプ316、流量バルブ320,322、接続チューブ330、スラリー貫通孔332、サンギア(sun gear)340、係合部材(engaging members)341,342、駆動シャフト(drive shaft)350、下部ホルダー360、ベース370、第1及び第2回転シャフト(rotary shaft)380,390を含むことができる。
キャリアCは、上定盤302と下定盤304との間に配置し、サンギア340及び内部ギア306と噛み合うギア(図示せず)は、各キャリアCの外部エッジ(edge)に沿って配置することができる。このような構造を通じて、キャリアCは、それら固有の軸周辺を回転しながら、内部ギア306に沿って旋回(orbit)することができる。
上定盤302及び下定盤304を回転させることによって、キャリアCの貫通孔にそれぞれ支持された研磨対象物、例えば、ウエハWの上面及び底面を、上定盤302及び下定盤304によって研磨することができる。
下定盤304は、下部ホルダー360によって支持され、下部ホルダー360は、ベース370によって回転可能に支持されてもよい。下部ホルダー360は第1回転シャフト380によって回転され、その結果、下定盤304が回転することができる。上定盤302は、駆動シャフト350及び係合部材341,342によって回転することができる。ここで、駆動シャフト350及び係合部材341,342は、上定盤302を回転させる駆動ユニットに該当する。また、図9に示された第1又は第2貯蔵部152,162のうち少なくとも一つは、上定盤302に装着、載置、配置、支持、または結合されて共に回転することができる。
サンギア340は第2回転シャフト390によって回転することができる。ケーシング308は内部ギア306を支持することができる。上定盤302上にプレート310が設けられ、スラリーリング100がプレート310に提供され、スラリーリング100に接続パイプ316及び接続チューブ330が連結されて、スラリーリング100が上定盤302に形成されたスラリー貫通孔332と連通するようになる。また、流量を制御するための流量バルブ320,322が接続チューブ330にそれぞれ設けられてもよい。
ここで、スラリーリング100−1,100−2のそれぞれは、図1乃至図9に示されたスラリー供給装置100,100A〜100Gに該当することができる。すなわち、図1乃至図9に示されたスラリー供給装置100A〜100Gから吐出されるスラリーを接続パイプ316に供給することができる。このような構成を通じて、ノズル110から供給されるスラリーSは、スラリー供給部120を通過して研磨装置300の上定盤302と下定盤304との間に供給され得る。スラリー孔120−3は、接続チューブ330などと連通してスラリーSを案内することができる。
プレート310は、上定盤302と共に一方向に回転し、スラリーリング100に提供されたスラリーは、接続パイプ316、接続チューブ330及びスラリー貫通孔332を介してウエハWに供給することができる。流量バルブ320,322は、スラリー貫通孔332にスラリーが供給される量を調節することができる。
前述した図10に示された研磨装置300は、ウエハWをラッピング(lapping)するか、または両面研磨(DSP:Double siding polishing)するときに利用することができる。
ここで、ラッピングとは、段差を有するウエハWの両面を上定盤302と下定盤304との間に密着させた後、研磨剤及び化学物質が含まれたスラリーSをウエハWと上定盤302及び下定盤304との間に注入して、ウエハWを平坦化させる作業を意味する。
また、両面研磨(DSP)とは、段差を有するウエハWの表面を上定盤302及び下定盤304のそれぞれのパッド(図示せず)上に密着させた後に、研磨剤及び化学物質が含まれたスラリーSをウエハWと研磨パッドとの間に注入して、ウエハWの表面を平坦化させる作業を意味する。
実施例に係るスラリー供給装置及びそれを含む研磨装置は、外部の粉塵や金属などのような汚染物質からスラリーの汚染を防止することができ、これによって、スラリーを用いてウエハを研磨するとき、ウエハにスクラッチなどの損傷を防止することができ、有機物または金属による汚染を制御することができ、収容部が回転する時、遠心力によって流動性物質があふれる現象を防止することができ、流動性物質を補充したり交換したりすることができ、洗浄液を使用して洗浄することもできる。
以上では実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上に例示していない種々の変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (22)

  1. スラリーを噴出するノズルと、
    前記ノズルから前記スラリーを受け、少なくとも一つのスラリー孔を介して吐出するスラリー供給部と、
    前記スラリー供給部から前記スラリーが吐出可能なように前記スラリー供給部が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置され、前記スラリー供給部の周囲に流動性物質を収容可能な収容部と、
    前記ノズルの出口から前記スラリー供給部の入口まで前記スラリーが通過する空間を、前記流動性物質と共に取り囲むスラリー保護部とを含
    前記スラリー保護部は、
    前記スラリー供給部の入口と対向し、前記ノズルが装着、載置、挿入、または結合可能なノズル収容溝と、
    前記流動性物質と共に、前記スラリーが通過する前記空間を密閉させるように形成されたメインカバーとを含み、
    前記メインカバーの端部は前記流動性物質から離隔し、
    前記メインカバーは、
    上端部と、
    前記上端部から延びて形成された第1側壁部と、
    前記上端部は第1方向に延び、前記第1側壁部は第2方向に延び、前記第2方向は、前記スラリーが吐出される方向であり、前記第1方向と直角方向であり、
    前記第1側壁部から前記第1方向に延びて突出して、前記流動性物質の上部を遮るように配置された補助カバーとを含む、スラリー供給装置。
  2. 前記上端部は第1曲率半径を有し、前記第1側壁部は第2曲率半径を有する、請求項に記載のスラリー供給装置。
  3. 前記第1及び第2曲率半径は互いに同一である、請求項に記載のスラリー供給装置。
  4. 前記第1及び第2曲率半径は互いに異なる、請求項に記載のスラリー供給装置。
  5. 前記上端部及び前記第1側壁部のそれぞれは、傾斜して一体に形成された、請求項に記載のスラリー供給装置。
  6. 前記メインカバーの端部は前記流動性物質に浸かる、請求項に記載のスラリー供給装置。
  7. 前記ノズル及び前記スラリー保護部は固定され、前記スラリー供給部及び前記収容部は回転可能である、請求項1ないし6のいずれかに記載のスラリー供給装置。
  8. 前記スラリー供給部、前記スラリー保護部、及び前記収容部のそれぞれは、同じ平面形状を有する、請求項1ないしのいずれかに記載のスラリー供給装置。
  9. 前記スラリー供給部、前記スラリー保護部、及び前記収容部のそれぞれは、環状の平面形状を有する、請求項1ないしのいずれかに記載のスラリー供給装置。
  10. 前記流動性物質は超純水を含む、請求項1ないしのいずれかに記載のスラリー供給装置。
  11. 前記収容部は、
    底部と、
    前記底部から延びて前記流動性物質を収容可能な空間を定義する第2側壁部とを含む、
    請求項1ないし10のいずれかに記載のスラリー供給装置。
  12. 前記底部は、
    前記スラリー供給部が装着、挿入、載置、結合、支持、または配置される供給部収容溝と、
    前記スラリー孔から吐出された前記スラリーが流出する貫通孔とを含む、請求項11に記載のスラリー供給装置。
  13. 前記供給部収容溝の深さは、前記スラリー供給部の高さと前記流動性物質の高さとの差
    よりも小さい、請求項12に記載のスラリー供給装置。
  14. 前記スラリー供給部は前記供給部収容溝にねじ結合される、請求項12に記載のスラリー供給装置。
  15. 前記第2側壁部は前記第1側壁部から離隔した、請求項11ないし14のいずれかに記
    載のスラリー供給装置。
  16. 前記収容部は、
    前記第2側壁部から前記収容部の内側に突出して延びて、前記流動性物質の表面の少なくとも一部を遮るように形成されたあふれ防止部をさらに含む、請求項11ないし15のいずれかに記載のスラリー供給装置。
  17. 前記スラリー供給装置は、
    補充用流動性物質を貯蔵する第1貯蔵部と、
    前記第1貯蔵部から前記収容部まで前記補充用流動性物質が通過する経路を形成する第1パイプとをさらに含む、請求項1ないし16のいずれかに記載のスラリー供給装置。
  18. 前記スラリー供給装置は、
    前記収容部に入っている前記流動性物質の収容量を測定する測定部と、
    前記収容量に応じて制御信号を発生するバルブ制御部と、
    前記制御信号に応答して、前記第1貯蔵部から前記収容部に提供される前記補充用流動性物質の量を調節する第1バルブとをさらに含む、請求項17に記載のスラリー供給装置。
  19. 前記スラリー供給装置は、
    洗浄液を貯蔵する第2貯蔵部と、
    前記第2貯蔵部から前記収容部まで前記洗浄液が通過する経路を形成する第2パイプとをさらに含む、請求項1ないし18のいずれかに記載のスラリー供給装置。
  20. 前記第2貯蔵部から前記収容部に提供される前記洗浄液の量を調節する第2バルブをさらに含む、請求項19に記載のスラリー供給装置。
  21. 研磨対象物の上面及び底面を研磨する上定盤及び下定盤と、
    前記上定盤を回転させる駆動ユニットと、
    請求項1ないし20のいずれかに記載の前記スラリー供給装置とを含む、研磨装置。
  22. 前記第1又は第2貯蔵部のうち少なくとも一つは、前記上定盤に装着、載置、配置、支持、または結合されて共に回転する、請求項21に記載の研磨装置。
JP2014227733A 2014-08-13 2014-11-10 スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置 Active JP5860122B1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0105105 2014-08-13
KR1020140105105A KR101660898B1 (ko) 2014-08-13 2014-08-13 슬러리 공급 장치 및 이를 포함하는 연마 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5860122B1 true JP5860122B1 (ja) 2016-02-16
JP2016041463A JP2016041463A (ja) 2016-03-31

Family

ID=55235134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014227733A Active JP5860122B1 (ja) 2014-08-13 2014-11-10 スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9358666B2 (ja)
JP (1) JP5860122B1 (ja)
KR (1) KR101660898B1 (ja)
CN (1) CN105364719B (ja)
DE (1) DE102015202984B4 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101881382B1 (ko) * 2017-02-16 2018-07-24 에스케이실트론 주식회사 슬러리 공급 장치 및 이를 포함하는 연마 장치
CN108544362B (zh) * 2018-03-30 2020-11-03 泰州鸿行信息科技有限公司 一种化学机械抛光设备
CN109108800A (zh) * 2018-08-13 2019-01-01 芜湖九鼎电子科技有限公司 一种全自动仪表镜面磨光机
CN112757161B (zh) * 2020-12-31 2022-04-19 上海超硅半导体股份有限公司 一种抛光载具的修整方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217138A (ja) * 2000-12-07 2002-08-02 Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag 掻傷率の低減させられた両面研磨方法及び該方法を実施する装置
JP2009194631A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Seiko Instruments Inc ウエハ、ウエハ研磨装置、ウエハ研磨方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP2012106319A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Asahi Glass Co Ltd 研磨用液供給装置及び研磨方法及びガラス基板の製造方法及びガラス基板

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2440978C3 (de) * 1974-08-27 1979-05-17 Jmj-Werkzeugmaschinen Gmbh Fuer Feinbearbeitung, 4020 Mettmann Dosiervorrichtung für Läppmittel
JPS56158274A (en) * 1980-05-09 1981-12-05 Kobe Steel Ltd Gas cutting method
EP0411345B1 (de) * 1989-07-31 1993-09-22 Diskus Werke Frankfurt Am Main Aktiengesellschaft Zuführ- und Dosiereinrichtung für das Läppgemisch bei Feinbearbeitungsmaschinen zum Läppen, Feinschleifen oder Polieren
DE4016335A1 (de) 1989-07-31 1991-02-07 Diskus Werke Frankfurt Main Ag Zufuehr- und dosiereinrichtung fuer das laeppgemisch bei feinbearbeitungsmaschinen zum laeppen, feinschleifen oder polieren
US6045437A (en) * 1996-03-01 2000-04-04 Tan Thap, Inc. Method and apparatus for polishing a hard disk substrate
JPH10180624A (ja) * 1996-12-19 1998-07-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ラッピング装置及び方法
JP3722591B2 (ja) * 1997-05-30 2005-11-30 株式会社日立製作所 研磨装置
US5945346A (en) * 1997-11-03 1999-08-31 Motorola, Inc. Chemical mechanical planarization system and method therefor
JP2000158331A (ja) * 1997-12-10 2000-06-13 Canon Inc 基板の精密研磨方法および装置
JPH11179649A (ja) * 1997-12-16 1999-07-06 Speedfam Co Ltd ワークの取出方法及びワーク取出機構付き平面研磨装置
JPH11254298A (ja) * 1998-03-06 1999-09-21 Speedfam Co Ltd スラリー循環供給式平面研磨装置
KR100546288B1 (ko) * 1999-04-10 2006-01-26 삼성전자주식회사 화학 기계적 폴리싱 장치
KR100570371B1 (ko) * 2002-12-30 2006-04-11 동부아남반도체 주식회사 슬러리 유량 제어 장치 및 방법
US6733368B1 (en) * 2003-02-10 2004-05-11 Seh America, Inc. Method for lapping a wafer
JP2007520084A (ja) * 2004-01-26 2007-07-19 ティービーダブリュ インダストリーズ,インコーポレーテッド 化学機械的平坦化用多段インサイチュウでのパッド調節システム及び方法
JP2005230978A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Speedfam Co Ltd 両面研磨装置におけるワーク剥離方法及び装置
KR100623189B1 (ko) * 2005-05-18 2006-09-13 삼성전자주식회사 슬러리 공급 장치 및 이를 갖는 웨이퍼 연마 장치
JP2007021680A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの両面研磨方法
JP5128793B2 (ja) * 2006-09-01 2013-01-23 不二越機械工業株式会社 両面研磨装置および両面研磨方法
US7651384B2 (en) * 2007-01-09 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method and system for point of use recycling of ECMP fluids
JP2008227393A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの両面研磨装置
CN102267087A (zh) * 2010-06-01 2011-12-07 旭硝子株式会社 玻璃基板的研磨方法及研磨装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217138A (ja) * 2000-12-07 2002-08-02 Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag 掻傷率の低減させられた両面研磨方法及び該方法を実施する装置
JP2009194631A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Seiko Instruments Inc ウエハ、ウエハ研磨装置、ウエハ研磨方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP2012106319A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Asahi Glass Co Ltd 研磨用液供給装置及び研磨方法及びガラス基板の製造方法及びガラス基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN105364719A (zh) 2016-03-02
US9358666B2 (en) 2016-06-07
DE102015202984A1 (de) 2016-02-18
US20160045999A1 (en) 2016-02-18
CN105364719B (zh) 2017-11-24
JP2016041463A (ja) 2016-03-31
KR20160020138A (ko) 2016-02-23
DE102015202984B4 (de) 2022-12-15
KR101660898B1 (ko) 2016-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5860122B1 (ja) スラリー供給装置及びそれを含む研磨装置
CN112975737B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
KR102330997B1 (ko) 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치
TW201501189A (zh) 基板處理裝置
JP6239354B2 (ja) ウェーハ研磨装置
TW496814B (en) Padless substrate carrier
TW201812891A (zh) 研磨裝置
KR101623966B1 (ko) 세정장치
CN106061681B (zh) 工件的两面研磨装置
CN103909474A (zh) Cmp站清洁的系统和方法
JP2009260142A (ja) ウェハ研磨装置及びウェハ研磨方法
TW201936318A (zh) 用於仰面式研磨裝置的研磨頭、具備該研磨頭的研磨裝置、及使用該研磨裝置的研磨方法
KR20160060555A (ko) 연마면 세정 장치, 연마 장치 및 연마면 세정 장치의 제조 방법
JP6298724B2 (ja) 切削装置
CN108701607B (zh) 基板处理装置、基板处理方法及程序记录介质
CN115052712B (zh) 加工装置
TWI812622B (zh) 吸集層形成裝置、吸集層形成方法及電腦記錄媒體
JP2011051047A (ja) 研磨装置
JP5505713B2 (ja) 研磨液分配装置及びこれを備えた研磨装置
JP2007067101A (ja) 基板処理装置
KR101881382B1 (ko) 슬러리 공급 장치 및 이를 포함하는 연마 장치
CN208592709U (zh) 研磨模块及包括其的基板研磨装置
KR102323727B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드
JP2018056166A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2021074802A (ja) 研削装置、及び研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5860122

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250