JP5857743B2 - 重合体、電子デバイス材料、電子デバイス用組成物、有機電界発光素子、有機太陽電池素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、低分子化合物、重合体、電子デバイス材料、電子デバイス用組成物、有機電界発光素子、有機太陽電池素子、表示装置及び照明装置に関する。

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。真空蒸着法は積層化が容易であるため、陽極及び／又は陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。一方、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を含有させることが容易である等の利点がある。

しかしながら、湿式成膜法は積層が困難であり、得られた素子は真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性が低く、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。又、湿式成膜法で有機薄膜を積層する際には、有機電界発光素子材料に長鎖アルキル基を導入する等して、有機溶剤に対する溶解性を付与することが求められる。更に、有機薄膜上に、湿式成膜法にて異なる有機薄膜（上層）を形成する場合には、上層成膜用の塗布溶液に対して、下層に含まれる有機電界発光素子材料が不溶性であることも求められる。従来、この様な積層を行なう場合には、下層に含まれる有機電界発光素子材料に架橋性基等を導入し、下層を成膜後、加熱処理やエネルギー照射等により架橋性基を架橋させ、上層成膜用の塗布溶液に対して不溶化させる方法等が採用されていた。例えば、非特許文献１及び非特許文献２では、下記の様な架橋性基を有する化合物が提案され、架橋性基を反応させるることによって有機溶剤に不溶とする有機薄膜の積層方法が提案されている。

又、別の方法として、例えば、非特許文献３では下記の様な脱離基を有する化合物が提案され、脱離基を反応させることによって有機溶剤に不溶とする方法が提案されている。

Ａｐｐｌiｅｄ Ｐｈｙｓiｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２００５年, ８６巻, ２２１１０２頁 Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２００６年, ３９巻, ８９１１頁 Ｃｏｌｌｅｃｔ. Ｃｚｅｃｈ. Ｃｈｅｍ. Ｃｏｍｍｕｎ. １９８９年、５４巻、３０９０頁

しかしながら、非特許文献１及び２に記載の方法では、有機薄膜中に長鎖アルキル基や、未反応の架橋性基が残留することとなる。この様な長鎖アルキル基や未反応の架橋性基は、電荷輸送効率の低下や、有機電界発光素子の発光効率の低下、駆動安定性の低下を招くなどといった課題がある。

又、非特許文献３にて提案されている脱離基では、脱離反応の温度が高いため、成膜後の加熱処理により、得られる素子の特性が低下する恐れがある。

更に、有機電界発光素子材料が低分子化合物である場合、ガラス転移温度が低いことから、成膜後の熱乾燥処理、あるいは発光素子駆動中に発生する高温で有機電界発光素子材料分子が動き易くなり、有機層中の分子配向がみだれ、発光効率や電荷輸送効率の低下が起こりやすい、という課題もあった。

又、フレキシブルディスプレイ等に用いられるプラスティック基板は耐熱性が低く、成膜後の高温加熱によって、素子とした場合の駆動寿命に影響を及ぼす可能性もある。

そこで、湿式成膜が可能であり、比較的低温での加熱処理により、不溶化することができ、他の層を湿式成膜法により積層可能であり、且つ電荷輸送効率や発光効率の低下が少なく、駆動安定性に優れた、電子デバイス材料として用いられる化合物の提供が望まれていた。

本発明者らの鋭意研究により、特定の構造を有する化合物が、湿式成膜の際、有機溶剤に可溶であるため湿式成膜に適し、湿式成膜後に低温で加熱することにより不溶化が可能であることを見出し、本発明の完成に至った。
即ち、本発明の要旨は、下記（１）〜（１３）に存する。
（１）下記一般式（Ｖ）で表され、分子量が４００以上である化合物。

（上記一般式（Ｖ）中、Ｒ^２１及びＲ^２２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を表し、Ａｒ^ｂは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｄは１〜４の整数を表す。
１分子内に複数のＡｒ^ｂが含まれる場合は、同じでもよく、異なっていてもよい。
尚、上記一般式（Ｖ）中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＡｒ^ｂ以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）
（２）前記一般式（Ｖ）におけるｄは１〜３の整数である前記（１）に記載の化合物。
（３）前記一般式（Ｖ）中の−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基が２００℃以下でシクロヘキサジエン環から脱離する前記（１）又は（２）に記載の化合物。
（４）前記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の化合物からなる電子デバイス材料。
（５）下記一般式（ＩＩＩ）で表される１価又は２価の基を有する重合体。

（上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を表し、
Ａｒ^ａは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｍ^１は、１〜４の整数を表す。
ｘは、１又は２を表す。
一分子内に複数のＡｒ^ａが含まれる場合は、同じでもよく、異なっていてもよい。
尚、上記一般式（ＩＩＩ）中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＡｒ^ａ以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）
（６）下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を含む前記（５）に記載の重合体。

（上記一般式（ＩＶ）中、ｐは０〜３の整数を表し、Ａｒ^１１、及びＡｒ^１２は、各々独立して、直接結合、又は置換基を有していてもよい芳香族環基を表し、
Ａｒ^１３〜Ａｒ^１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族環基を表す。
但し、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２のいずれもが、直接結合であることはない。）
（７）前記（５）又は（６）に記載の重合体からなる電子デバイス材料。
（８）前記（４）又は（７）に記載の電子デバイス材料、及び溶剤を含有する電子デバイス用組成物。
（９）陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、当該有機層が前記（８）に記載の電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜法にて形成される有機電界発光素子。
（１０）前記有機層が、発光層である前記（９）に記載の有機電界発光素子。
（１１）陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機太陽電池素子であって、該有機層が前記（８）に記載の電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜法にて形成される有機太陽電池素子。
（１２）前記（９）又は（１０）に記載の有機電界発光素子を有する表示装置。

（１３）前記（９）又は（１０）に記載の有機電界発光素子を有する照明装置。

本発明の有機化合物は、脱離基を有する構造であることから、湿式成膜の際に有機溶剤に対する溶解性が高い。又、成膜後の加熱により該脱離基が脱離するため、有機溶剤に対する膜の溶解性を大幅に低下させることができる。
よって、本発明の有機化合物を用いて形成された有機層上に、他の有機層を、例えば湿式成膜法等により積層することが可能である。例えば、蒸着法にて成膜した場合にはよい性能を発揮するが、溶解性が低いため湿式成膜法には使用できなかった有機電界発光素子の層形成材料も、前記一般式（Ｖ）で表わされる化合物に組み込むことにより、湿式成膜が可能となる。
本発明の有機化合物は、分子内に、有機溶剤に対する溶解性を向上させるための長鎖アルキル基や、成膜後に他の溶剤に対する膜の溶解性を低下させるための架橋性基を含む必然性が少ない。
従って、本発明の有機化合物を用いて形成した有機電界発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低く、更に駆動寿命が長い。即ち、本発明の有機化合物を用いて形成された有機電界発光素子は、駆動電圧が低いため、省エネ効果がある。

更に、本発明の有機化合物は、脱離基の脱離温度が低いことから、成膜後の加熱処理温度が低くてもよく、これにより、成膜後の加熱による基板や他の有機層への影響が少ない。このため、得られた素子の駆動寿命が長く、又、耐熱性が低いプラスティック基板などを用いるフレキシブルディスプレイなど幅広い用途への使用も可能である。
尚、本発明の有機化合物、当該有機化合物からなる電子デバイス材料、及び当該電子デバイス材料を含有する電子デバイス用組成物は、優れた成膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層などの有機層の形成に適用可能であり、発光層に使用することがより好ましい。
又、本発明の有機化合物、当該有機化合物からなる電子デバイス材料、及び当該電子デバイス材料を含有する電子デバイス用組成物を用いた有機電界発光素子は、表示装置や照明装置に用いることができ、具体的にはフラットパネル・ディスプレイ（例えば、ＯＡ コンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は極めて大きいものである。

本発明の有機電界発光素子の一例を示す概略断面図である。 本発明の有機太陽電池素子の一例を示す概略断面図である。

以下に例示する物や方法等は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を逸脱しない限り、これらの内容に特定されない。

尚、上記一般式（Ｖ）におけるＲ^２１及びＲ^２２、後述する一般式（ＩＩ）におけるＲ^１及びＲ^２、及び上記一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^１１及びＲ^１２がぞれぞれ互いに結合して形成される−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を本発明において「脱離基」と称することがある。
又、「本発明の有機化合物」とは、上記一般式（Ｖ）で表わされる「本発明の化合物」及び一般式（ＩＩＩ）で表わされる「本発明の重合体」の総称である。尚、本発明において、「重合体」とは、構造中に２価の繰り返し単位を複数含み、分子量分布を持つ化合物である。
更に、「芳香族環」とは、「芳香族炭化水素環」及び「芳香族複素環」の総称である。
また、“質量％”、“質量ｐｐｍ”及び“質量部”は、それぞれ“重量％”、“重量ｐｐｍ”及び“重量部”と同義である。また、単に“ｐｐｍ”と記載した場合は、“重量ｐｐｍ”のことを示す。

＜脱離基の説明＞
本発明の有機化合物における脱離基の反応（脱離反応）の一例を以下に示す。

尚、上記反応式の場合、脱離基は、以下に示す構造の丸枠で囲った部分である。

この様な脱離基は、加熱処理前において、分子間のスタッキングを防止することにより、有機溶剤に対する有機化合物の溶解性を向上できる。又、加熱処理によって有機化合物から脱離基が脱離することで脱離後の化合物の有機溶剤に対する溶解性を著しく低下させることができる。尚、本発明において、脱離基の脱離反応により本発明の有機化合物の溶解度を著しく低下させる処理を「不溶化」と称する。

その結果、本発明の有機化合物を用いて形成された有機層上に、更に湿式成膜法によって有機薄膜を積層することが容易となる。

又、従来の多層塗布に用いられてきた化合物の様に、分子内に有機溶剤への溶解性を高めるための長鎖アルキル基や、有機層の有機溶剤に対する溶解性を低下させるための架橋性基等を導入する必然性が低い。これにより、従来用いられてきた化合物とは異なり、本発明の有機化合物は、成膜後でも、有機電解発光素子の駆動電圧や駆動寿命に影響を及ぼしやすい長鎖アルキル基や、未反応の架橋性基が、形成された層内に残存しない。つまり、本発明の有機化合物を用いて形成された有機層を有する有機電界発光素子では、駆動電圧が低く、駆動寿命が長いと推測される。

更に、脱離基が結合するシクロヘキジエン環が、縮合環の一部ではないため、脱離温度が比較的低い点も特徴である。

＜一般式（Ｖ）で表わされる化合物（以下、「本発明の化合物」と称することがある。）＞
本発明の化合物は、下記一般式（Ｖ）で表され、且つ分子量が４００以上であることを特徴としている。

（上記一般式（Ｖ）中、Ｒ^２１及びＲ^２２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を表し、Ａｒ^ｂは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｄは１〜４の整数を表す。
１分子内に複数のＡｒ^ｂが含まれる場合は、同じでもよく、異なっていてもよい。
尚、上記一般式（Ｖ）中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＡｒ^ｂ以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）

上記一般式（Ｖ）中において、Ｒ^２１及びＲ^２２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基である。
本発明の化合物は、Ｒ^２１及びＲ^２２が、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基であることにより、電気的安定性に優れ、又、脱離基部分の分子量が低いため、脱離後の成分が形成された層内に残留し難い。特に当該化合物を発光層に用いた際、発光材料の劣化を防止できるだけでなく、発光層内の電荷をより効率的に移動させることもできる。

又、上記一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基である。
芳香族炭化水素環基としては、炭素数６〜２０の例えばベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、フルオランテン環等の、５或いは６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価又は２価の基等が挙げられ、電気的安定性の点から、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、及びフルオレン環が好ましい。

本発明の化合物は、上記一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基であることにより、強い共有結合性を持ち、脱離基部分がシクロヘキサジエン環から脱離する温度が低すぎず、比較的安定した構造を維持することができる。一方、当該化合物から脱離基が脱離して生成した化合物については、Ａｒ^ｂが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基であることにより、極性が低く、当該化合物を含む層の有機溶剤に対する溶解度が脱離前の化合物に比べ大きく低下することになり、前述した本発明の効果を発現できる。

尚、Ａｒ^ｂにおいて芳香族炭化水素環基が有する置換基としては、後述する置換基群Ｚ等が挙げられるが、より好ましくは、下記官能基が挙げられる。
置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキル基（好ましくは炭素数１以上、８以下の直鎖又は分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。）；
アラルキル基（好ましくは炭素数７以上、１５以下のアラルキル基であり、例えばベンジル基等が挙げられる。）；
アルコキシ基（好ましくは炭素数１以上、８以下のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。）；
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６以上、１２以下の芳香族炭化水素環基を有するものであり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。）；
アシル基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられる。）；
アルケニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。）；
アルキニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。）；
ヘテロアリールオキシ基（好ましくは５又は６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。）；
アルキルカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）；
ハロゲン原子（特に、フッ素原子又は塩素原子）；
シリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）；
芳香族炭化水素環基（例えばベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；
芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；
炭素数６以上１２以下の芳香族炭化水素環基を有するアリールアミノ基（例えばフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。）等である。

尚、有機電界発光素子の駆動電圧及び寿命への影響を考え、前記アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基等の炭化水素鎖部分は短い（具体的には炭素数１〜３程度の）ほうが好ましい。

又、これらのうち、化合物自身の電気的安定性及び耐熱性等の点から、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、及びフルオレン環からなる群より選ばれた環由来の基を有する、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいヘテロアリールアミノ基等が好ましい。尚、アリールアミノ基及びヘテロアリールアミノ基が有する置換基として、例えば後述する置換基群Ｚ等を挙げることができる。

Ａｒ^ｂにおける芳香族炭化水素環基が有し得る置換基として、或いはシクロヘキサジエン環がＲ^２１、Ｒ^２２及びＡｒ^ｂ以外に有し得る基の一部に、一般式（Ｖ）で表される化合物由来の１価又は２価の基を有していてもよい。

Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＡｒ^ｂ以外に有していてもよい置換基としては、水酸基；置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基等が挙げられるが、電気的安定性等の点から、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基等が好ましい。

尚、上記アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルケニル基、アルキニル基、アシルオキシ基又はアシルアミノ基が更に有していてもよい置換基の具体例としては、以下の置換基群Ｚ等が挙げられる。尚、有機電界発光素子の駆動電圧及び寿命への影響を考え、［置換基群Ｚ］におけるアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基等の炭化水素鎖部分は短い（具体的には炭素数１〜３程度の）ほうが好ましい。

［置換基群Ｚ］
直鎖又は分岐のアルキル基（好ましくは炭素数１以上、８以下の直鎖又は分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。）；
アラルキル基（好ましくは炭素数７以上、１５以下のアラルキル基であり、例えばベンジル基等が挙げられる。）；
アルコキシ基（好ましくは炭素数１以上、８以下のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。）；
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６以上、１２以下の芳香族炭化水素環基を有するものであり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。）；
アシル基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられる。）；
アルケニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。）；
アルキニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。）；
ヘテロアリールオキシ基（好ましくは５又は６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。）；
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）；
アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７以上１３以下のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。）；
アルキルカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）；
ハロゲン原子（特に、フッ素原子又は塩素原子）；
カルボキシ基；
シアノ基；
水酸基；
メルカプト基；
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１以上８以下のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）；
アリールチオ基（好ましくは炭素数６以上１２以下のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基などが挙げられる。）；
スルホニル基（例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）；
シリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）；
ボリル基（例えばジメシチルボリル基などが挙げられる。）；
ホスフィノ基（例えばジフェニルホスフィノ基などが挙げられる。）；
芳香族炭化水素環基（例えばベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；
芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；
アミノ基（好ましくは、炭素数１以上８以下のアルキル基を１つ以上有するアルキルアミノ基であり、例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）；
炭素数６以上１２以下の芳香族炭化水素環基を有するアリールアミノ基（例えばフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。）等が挙げられる。

又、上記基が更に置換基を有する場合、その置換基としては、上記の［置換基群Ｚ］の項で記載のもの等が挙げられる。

尚、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＡｒ^ｂ以外に有していてもよい置換基の数は、本発明の効果を損なわない限り任意であり、２種以上の異なる置換基を有していてもよい。

本発明の化合物は、上記一般式（Ｖ）において、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＡｒ^ｂ以外に、シクロヘキサジエン環が有していてもよい置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造を形成することはない。このため、７０℃〜２００℃という比較的低い温度にて後述する脱離反応が起こり、本発明の効果を発現することができる。理由の詳細は不明であるが、以下の様に推測することができる。

シクロヘキサジエン環と縮合する環構造がある場合には、該環構造とシクロヘキサジエン環とが共役することにより、シクロヘキサジエン環を安定化させ、その結果、脱離基の反応性が低下する。

又、ｄは、１〜４の整数を表わす。脱離温度が低くなりやすい点から、ｄが１である場合が好ましく、一方、脱離前後における有機溶剤に対する溶解度の差を大きくしやすい点から、ｄが２もしくは３である場合も好ましい。

尚、本発明の化合物１分子内において、複数のＡｒ^ｂが含まれる場合は、これら複数のＡｒ^ｂが同じ構造であってもよく、異なっていてもよい。

本発明において、化合物の分子量は、通常４００以上、好ましくは５００以上、より好ましくは６００以上であり、通常１００００００以下、好ましくは５０００００以下、より好ましくは２０００００以下である。

分子量を上記範囲に制御することにより、化合物の高純度化（精製）が容易である。特に、本発明において、化合物の分子量が４００未満であると、化合物の結晶性が高くなり、成膜性が低下するため、分子量を４００以上にすることが必須である。

前記一般式（Ｖ）で表される化合物は、脱離反応前後の有機溶剤に対する溶解度差を大きくしやすく、又、塗膜中での化合物の結晶化を抑制して、均一な膜形成がしやすい点から、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（ＩＩ）中、Ａｒ、ｍ、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂ、ｄ、Ｒ^２１及びＲ^２２と同義である。
Ｒ^３は、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
ｎは０〜３の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦４である。
１分子内に複数のＡｒ及びＲ^３が含まれる場合は、同じでもよく、異なっていてもよい。
尚、一般式（ＩＩ）中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ^１、Ｒ^２及びＡｒ以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）

上記一般式（ＩＩ）におけるＡｒ、ｍ、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂ、ｄ、Ｒ^２１及びＲ^２２と同義であり、Ａｒ、ｍ、Ｒ^１及びＲ^２の具体例及び好ましい態様についても、一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂ、ｄ、Ｒ^２１及びＲ^２２と同様である。

又、Ｒ^３は、上記一般式（ＩＩ）におけるシクロヘキサジエン環が有し得るＡｒ、並びにＲ^１及びＲ^２以外の置換基であり、前記一般式（Ｖ）におけるシクロヘキサジエン環が有し得るＡｒ^ｂ、並びにＲ^２１及びＲ^２２以外の置換基と同様、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。Ｒ^３の具体例及び好ましい態様は、前記一般式（Ｖ）におけるシクロヘキサジエン環が有し得るＡｒ^ｂ、並びにＲ^２１及びＲ^２２以外の置換基と同様である。

又、上記一般式（ＩＩ）中のｎは０〜３の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦４である。
ｎは、有機溶剤に対する溶解性が高く、成膜性が良好である点から、１〜３であることが好ましく、又、電荷輸送能が高く、ガラス転移温度が高い点から、０〜２であることが好ましい。

前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物は更に、脱離基部分の脱離反応前後における有機溶剤に対する溶解度の差が大きい点から、下記一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表される化合物であることが、より好ましい。

（一般式（ＶＩ）〜（ＩＸ）中、Ａｒ、Ｒ^３、ｍ及びｎは、一般式（ＩＩ）における定義と同義である。）

中でも、下記理由により、一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物が特に好ましい。
一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、シクロヘキサジエン環の一つのＡｒに対して、もう一つのＡｒがｍ−位にある。このため、化合物の電荷輸送能が良好であると考えられる。又、該ｍ−位結合は、立体障害による影響が比較的大きいことから、脱離反応後の化合物が結晶化しにくく、この様な化合物を用いて形成した膜の均一性を確保することができる。

更に、上記一般式（ＶＩＩＩ）で表わされる化合物は、脱離基が分子構造の比較的中央に存在するため、脱離反応前後の分子構造の変化による影響を受けやすい。即ち、脱離反応前後の、化合物の有機溶剤に対する溶解性の差が大きくなりやすいと推測される。

尚、本発明の化合物は、本発明による効果を損なわない限り、正孔輸送能を高める点から、下記一般式（Ｘ）で表される１価又は２価の基を分子内に含むことが更に好ましい。

（上記一般式（Ｘ）中、Ａｒ^ａ１及びＡｒ^ａ２は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
但し、Ａｒ^ａ２が末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。）

上記一般式（Ｘ）中、Ａｒ^ａ１及びＡｒ^ａ２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ａｒ^ａ１及びＡｒ^ａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ^ａ２が末端にある場合には、窒素原子と結合していない連結部位には水素原子が結合する。

Ａｒ^ａ１及びＡｒ^ａ２における置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、及び置換基を有していてもよい芳香族複素環基とその置換基の具体例は、後述する式（ＩＶ）におけるＡｒ^１１〜Ａｒ^１５と同様である。

又、本発明の化合物が、更に有していてもよい基の具体例を以下の構造式群Ｃに示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明の化合物における脱離基部分の脱離温度は、通常２００℃以下である。
即ち、本発明の化合物は、脱離基が、通常２００℃以下で当該化合物のシクロヘキサジエン環から脱離するが、脱離温度が１９０℃以下であることがより好ましく、１８０℃以下であることが更に好ましい。又、当該脱離基は、通常７０℃以上でシクロヘキサジエン環から脱離するが、脱離温度が１００℃以上であることがより好ましく、１１０℃以上であることが更に好ましい。

脱離基が化合物のシクロヘキサジエン環から脱離する温度を上記範囲内に制御することにより、低い温度での成膜が可能となり、その結果、成膜後の加熱処理による基板や他の有機層への影響が小さく、駆動寿命が長い有機電界発光素子を提供できる。

＜本発明の化合物の具体例＞
以下に、本発明の化合物の好ましい例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（上記一般式（Ａ１）〜（Ａ９）中の、Ｚ^ａ１１、Ｚ^ａ１２、Ｚ^ａ２１、Ｚ^ａ２２、Ｚ^ａ１１１、Ｚ^ａ２２１、Ｓ^ａ１１からＳ^ａ１４、Ｓ^ａ１１１からＳ^ａ１１４、Ｓ^ａ２１からＳ^ａ２３、Ｓ^ａ２２１からＳ^ａ２２３、Ｔ^ａ１１からＴ^ａ１３、Ｔ^ａ２１からＴ^ａ２３、Ｔ^ａ１１１、Ｔ^ａ１１２、Ｔ^ａ２２１、Ｔ^ａ２２２、Ｕ^ａ１１、Ｕ^ａ２１の組み合わせについては、それぞれ下記表１〜３に示す。）

［Ａ１〜Ａ６］
上記一般式（Ａ１）〜（Ａ６）における、Ｚ^ａ１１及びＺ^ａ１２、Ｚ^ａ２１及びＺ^ａ２２、Ｓ^ａ１１〜Ｓ^ａ１４、Ｓ^ａ２１〜Ｓ^ａ２３、Ｔ^ａ１１〜Ｔ^ａ１３、Ｔ^ａ２１〜Ｔ^ａ２３の組み合わせについて、表１に示す。

［Ａ３］
上記一般式（Ａ３）について、Ｚ^ａ１２、Ｓ^ａ１１〜Ｓ^ａ１４、Ｔ^ａ１１〜Ｔ^ａ１３の別の組み合わせについて、表２に示す。

［Ａ７〜Ａ９］
上記一般式（Ａ７）〜（Ａ９）について、Ｚ^ａ１１及びＺ^ａ１１１、Ｚ^ａ２１及びＺ^ａ２２１、Ｓ^ａ１１〜Ｓ^ａ１４、Ｓ^ａ２１、Ｓ^ａ１１１〜Ｓ^ａ１１４、Ｓ^ａ２２１〜Ｓ^ａ２２３、Ｔ^ａ１１及びＴ^ａ１２、Ｔ^ａ２１及びＴ^ａ２２、Ｔ^ａ１１１及びＴ^ａ１１２、並びにＴ^ａ２２１及びＴ^ａ２２２の組み合わせを、表３に示す。

＜本発明の化合物の合成方法＞
本発明の化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、例えば以下の方法により合成可能であるが、これらに限定されるものではない。
（１）ジエン化合物とクロロアクリロニトリルを付加させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式１〜３）、
（２）ベンゾキノンと無水マレイン酸とを反応させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式４）、
（３）ジエン化合物とメチルシリルアセチレンを反応させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式５）、
（４）ジエン化合物とアセチレンジカルボン酸エステルを反応させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式６）、
（５）シクロヘキセン１−オンとＭｅｌｄｒｕｍ'ｓ Ａｃiｄを付加反応させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式７）、
（６）ジメチル２，５−ジオキソ−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートと１，４−ジブロモエタンを付加反応させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式８）、
（７）シクロヘキサジエン環とベンジルアクリレートとを反応させ、脱離基を有する有機化合物を合成する方法（合成式９）などを挙げることができる。

上記合成方法のうち、付加反応時の副生成物が少なく、容易に目的物が得られる点から、（１）、（２）、及び（５）の合成方法が好ましく、特にビシクロオクタジエンの収率が高い点から、（１）及び（５）の合成方法がより好ましい。

又、脱離基を有する化合物のジブロモ体は、下記合成式Ａ１〜Ａ３で表される反応により得られる。

又、脱離基を有する化合物のジアミノ体は、合成式Ａ４で示すように、脱離基を有する化合物のジヒドロキシ体にｐ−アミドフェニル基を導入し、水酸化カリウムによりアミド基をアミノ化することにより合成される。

又、低分子化合物についても、後述の［重合体の合成方法］の項で挙げたＮ−Ａｒ結合を形成する反応やＡｒ−Ａｒ結合を形成する反応など公知のカップリング手法を用いて合成することができる。

以下に、分子量が単一である化合物のＮ−Ａｒ結合を形成する反応やＡｒ−Ａｒ結合を形成する反応を用いた合成法を示す。

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示す。Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｄ及びＡｒ^ｅは、それぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ^ｂは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、Ａｒ^ｄ及びＡｒ^ｅのうち少なくとも一つは、脱離基が結合した部分構造を有する。）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示す。Ａｒ^ｂ及びＡｒ^ｄは、それぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ^ａは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。
Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、及びＡｒ^ｄのうち少なくとも一つは、脱離基が結合した部分構造を有する。）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示す。Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ及びＡｒ^ｄは、それぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示す。
Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、及びＡｒ^ｄのうち少なくとも一つは、脱離基が結合した部分構造を有する。）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ’はヒドロキシ基又は互いに結合して環を形成してもよいアルコキシ基を示す。Ａｒ^ａは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ^ｃは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ^ａ及び／又はＡｒ^ｃは脱離基が結合した部分構造を有する。）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ’はヒドロキシ基又は互いに結合して環を形成してもよいアルコキシ基を示す。Ａｒ^ｃは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ^ａは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ^ａ及び／又はＡｒ^ｃは脱離基が結合した部分構造を有し、これらは架橋性基を有していてもよい。）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ’はヒドロキシ基又は互いに結合して環を形成してもよいアルコキシ基を示す。Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｃは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示す。Ａｒ^ａ及び／又はＡｒ^ｃは脱離基が結合した部分構造を有する。）

＜本発明の重合体＞
本発明の重合体は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される１価又は２価の基を有することを特徴としている。

（上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を表し、
Ａｒ^ａは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｍ^１は、１〜４の整数を表す。
ｘは、１又は２を表す。
一分子内に複数のＡｒ^ａが含まれる場合は、同じでもよく、異なっていてもよい。
尚、上記一般式（ＩＩＩ）中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＡｒ^ａ以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）

上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基である。
Ａｒ^ａは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表す。
Ａｒ^ａの具体例は、前記一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂと同様であり、又、好ましい態様も同様である。
ｍ^１は、１〜４の整数を表し、ｘは、１又は２を表す。

ｍ^１は、前記一般式（Ｖ）におけるｄと同様であり、又、好ましい範囲も同様である。
更に、上記一般式（ＩＩＩ）におけるシクロヘキサジエン環が、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＡｒ^ａ以外に置換基を有していてもよく、シクロヘキサジエン環が有するＲ^１１、Ｒ^１２、及びＡｒ^ａ以外の置換基は、前記一般式（Ｖ）におけるシクロヘキサジエン環が有するＲ^２１、Ｒ^２２、及びＡｒ^ｂ以外の置換基と同様であり、又、好ましい態様も同様である。

本発明の重合体は、前述した理由により、一般式（ＩＩＩ）中のシクロヘキサジエン環が有するＲ^１１、Ｒ^１２及びＡｒ^ａ以外の置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。

本発明の有機化合物としては、下記の点からは重合体であることも好ましい。
重合体の場合、１分子内に含まれる脱離基の数を調整しやすい。そのため、脱離反応前後での、有機溶剤に対する溶解度の差を大きくしやすい。

又、本発明の重合体は、比較的結晶化しにくいため、成膜性にも優れる。このため、有機電界発光素子とした場合に、電流の集中が起きないため、短絡などが生じ難く、駆動寿命の長い有機電界発光素子が得られやすい。

尚、本発明の重合体は、その重量平均分子量が、通常３，０００，０００以下、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは５００，０００以下であり、又、通常１，０００以上、好ましくは２，５００以上、より好ましくは５，０００以上である。

一方、数平均分子量は、通常２，５００，０００以下、好ましくは７５０，０００以下、より好ましくは４００，０００以下であり、又、通常５００以上、好ましくは１，５００以上、より好ましくは３，０００以上である。

通常、上記分子量はＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により測定される。ＳＥＣ測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量を算出することができる。

本発明において、重合体の分子量を上記範囲内に制御することにより、重合体の精製が容易になる。又、成膜性が良好で、ガラス転移温度、融点、気化温度が高く、耐熱性にも優れた重合体を得ることができる。

本発明の重合体は、常温（２５℃）・常圧（１００ｋＰａ）下でトルエンに対する溶解度が、通常０．１重量％以上、０．５重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることがより好ましい。

本発明の重合体における脱離基は、当該重合体の繰り返し単位以外の部分（即ち、分子末端）に含まれていてもよい。重合体１分子中に含まれる脱離基の数は、好ましくは平均５以上、より好ましくは平均１０以上、より好ましくは平均５０以上である。この下限値を下回ると不溶化前の当該重合体の有機溶剤に対する溶解性が低い場合があり、又、不溶化前後の化合物の有機溶剤に対する溶解性の差が小さくなる可能性がある。

本発明の重合体は、更に下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。

（一般式（ＩＶ）中、ｐは０〜３の整数を表し、Ａｒ^１１、及びＡｒ^１２は、各々独立して、直接結合、又は置換基を有していてもよい芳香族環基を表し、
Ａｒ^１３〜Ａｒ^１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族環基を表す。
但し、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２のいずれもが、直接結合であることはない。）

一般式（ＩＶ）中、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族環基を表し、Ａｒ^１３〜Ａｒ^１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族環基を表す。

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基としては、例えばベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、フルオランテン環等の、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価又は２価の基などが挙げられる。

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価又は２価の基が挙げられる。

得られる重合体の電気化学的安定性の点から、Ａｒ^１１〜Ａｒ^１５は、それぞれ独立に、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、及びフルオレン環からなる群より選ばれる環由来の１価又は２価の基が好ましい。又、Ａｒ^１１〜Ａｒ^１５としては、前記群から選ばれる１種又は２種以上の環を直接結合により連結した２価の基も好ましく、ビフェニレン基、ターフェニレン基などがさらに好ましい。
Ａｒ^１１〜Ａｒ^１５における芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、前記［置換基群Ｚ］の項で記載したもの、及び前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる基が挙げられる。これらの置換基の個数に制限はなく、１種、又は２種以上が任意の組み合わせで、１つ又は２つ以上置換しているもの等とすることができる。

ｐは、０〜３の整数を表す。
ｐは、０であることが、重合体の、有機溶剤に対する溶解性及び成膜性が高められる点で好ましい。又、ｐが１〜３であることが、重合体の正孔輸送能が向上する点で好ましい。

又、重合体中には、上記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位以外に、前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる２価の基である繰り返し単位、及びその他の繰り返し単位が含まれていてもよい。前記一般式（ＩＶ）で表わされる繰り返し単位、及び前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる２価の基である繰り返し単位は、各々１分子中に複数種存在していてもよい。

又、前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる２価の基である繰り返し単位の、重合体鎖中の含有量は、通常５モル％以上、好ましくは１０モル％以上である。

本発明の重合体は、上記一般式（ＩＶ）のＡｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１４の少なくとも一つが、前記一般式（ＩＩＩ）で表される基を含むことが好ましい。より具体的には、上記式（ＩＶ）のＡｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１４の少なくとも一つが、下記式（ＩＶ−１）又は（ＩＶ−２）で表される基であることが好ましい。

（一般式（ＩＶ−１）及び（ＩＶ−２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ａｒ^ａ及びｍ^１は、一般式（ＩＩＩ）におけると同義である。
Ｒ^１３は、前記一般式（ＩＩ）におけるＲ^３と同義である。
ｎ^１は０〜３の整数を表し、ｎ^２〜ｎ^４は、各々独立に、０〜５の整数を表す。
又、Ｘ^１１〜Ｘ^１３は、置換基を有していてもよい炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜５０の芳香族複素環基を表す。
１分子内に複数のＡｒ^ａ、Ｒ^１１〜Ｒ^１３、及びＸ^１１〜Ｘ^１３が含まれる場合は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
尚、一般式（ＩＶ−１）及び（ＩＶ−２）中のシクロヘキサジエン環は、Ａｒ^ａ、Ｒ^１１〜Ｒ^１３及びＸ^１１〜Ｘ^１３以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）

又、本発明の重合体は、上記一般式（ＩＶ）のＡｒ^１３及びＡｒ^１５の少なくとも一つが、前記一般式（ＩＩＩ）で表される基を含むことが好ましい。より具体的には、上記一般式（ＩＶ）のＡｒ^１３及びＡｒ^１５の少なくとも一つが、下記一般式（ＩＶ−３）で表される基であることが好ましい。

（一般式（ＩＶ−３）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ａｒ^ａ及びｍ^１は、一般式（ＩＩＩ）におけると同義である。
Ｒ^１３及びｎ^１は、一般式（ＩＶ−１）及び（ＩＶ−２）におけると同義である。
又、Ｘ^１４は、置換基を有していてもよい炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜５０の芳香族複素環基を表す。
１分子内に複数のＡｒ^ａ、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＸ^１４が含まれる場合は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
尚、一般式（ＩＶ−３）中のシクロヘキサジエン環は、Ａｒ^ａ、Ｒ^１１〜Ｒ^１３及びＸ^１４以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）

前記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−２）、及び上記一般式（ＩＶ−３）中の、Ａｒ、及びＲ^１〜Ｒ^３、ｍ^１、ｎ^１は、前記一般式（Ｖ）又は（ＩＩ）におけると同義であり、又、具体例及び好ましい態様も同様である。

又、上記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−２）におけるｎ^２〜ｎ^４は、各々独立に、０〜５の整数を表す。
ｎ^２〜ｎ^４は、発光層用途に使用される場合には、可視光の発光を発生する励起状態が得られる点から、１又は２であることが好ましく、正孔注入層あるいは正孔輸送層に使用される場合には、正孔の移動速度を高くする点で０又は１であることが好ましい。

上記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）中のＸ^１１〜Ｘ^１４は、各々独立に、置換基を有していてもよい炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜５０の芳香族複素環基を表す。

炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基としては、例えば、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンゾピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、フルオレン環等が挙げられる。

又、炭素数３〜５０の芳香族複素環基としては、例えば、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環等が挙げられる。

Ｘ^１〜Ｘ^４が芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である場合、電気的安定性の点から、特に好ましくは、芳香族炭化水素環基としてベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、フルオレン環などであり、一方、芳香族複素環基として、好ましくはフラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、ピラゾール環、オキサジアゾール環、カルバゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環などが挙げられる。

Ｘ^１１〜Ｘ^１４における芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、前記［置換基群Ｚ］の項に記載されたもの等が挙げられる。中でも、特に好ましくは、成膜性改善と電気安定性の点から、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環等の芳香族炭化水素環基、及びフラン環、ジベンゾフラン環等の芳香族複素環基である。

上記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）を含む繰り返し単位の、重合体鎖中の含有量は、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは３０モル％以上である。

＜重合体の具体例＞
以下に、本発明の重合体が有する繰り返し単位の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（上記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ９）中の、Ｚ^ｂ１１〜Ｚ^ｂ１２、Ｚ^ｂ２１〜Ｚ^ｂ２２、Ｚ^ｂ１１１、Ｚ^ｂ２２１、Ｓ^ｂ１１〜Ｓ^ｂ１４、Ｓ^ｂ２１〜Ｓ^ｂ２３、Ｓ^ｂ１１１〜Ｓ^ｂ１１４、Ｓ^ｂ２２１〜Ｓ^ｂ２２３、Ｔ^ｂ１１〜Ｔ^ｂ１３、Ｔ^ｂ２１〜Ｔ^ｂ２３、Ｔ^ｂ１１１〜Ｔ^ｂ１１２、Ｔ^ｂ２２１〜Ｔ^ｂ２２２、Ｕ^ｂ１１、Ｕ^ｂ２１の組み合わせについて、それぞれ下表４及び５に示す。）

［Ｂ１〜Ｂ６］
上記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ６）について、Ｚ^ｂ１１〜Ｚ^ｂ１２、Ｚ^ｂ２１〜Ｚ^ｂ２２、Ｓ^ｂ１１〜Ｓ^ｂ１４、Ｓ^ｂ２１〜Ｓ^ｂ２３、Ｔ^ｂ１１〜Ｔ^ｂ１３、Ｔ^ｂ２１〜Ｔ^ｂ２３の組み合わせを表４に示す。

［Ｂ７〜Ｂ９］
上記一般式（Ｂ７）〜（Ｂ９）について、Ｚ^ｂ１１、Ｚ^ｂ２１、Ｚ^ｂ１１１、Ｚ^ｂ２２１、Ｓ^ｂ１１〜Ｓ^ｂ１４、Ｓ^ｂ２１、Ｓ^ｂ１１１〜Ｓ^ｂ１１４、Ｓ^ｂ２２１、Ｓ^ｂ２２３、Ｔ^ｂ１１〜Ｔ^ｂ１２、Ｔ^ｂ２１〜Ｔ^ｂ２２、Ｔ^ｂ１１１〜Ｔ^ｂ１１２、Ｔ^ｂ２２１〜Ｔ^ｂ２２２、Ｕ^ｂ１１、Ｕ^ｂ２１の組み合わせを表５に示す。

中でも、特に好ましい繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［繰り返し単位群Ｘ］

重合体中に、上記繰り返し単位は１種のみ含まれていてもよく、２種以上が任意の比率及び組み合わせで含まれていてもよい。又、上記繰り返し単位以外の繰り返し単位が含まれていてもよい。

本発明において、重合体鎖中における上記［繰り返し単位Ｘ群］に挙がっている繰り返し単位の含有量は、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは２０モル％以上、更に好ましくは４０モル％以上である。
上記範囲内であると、重合体の有機溶剤に対する溶解性が良好となる。

その他、本発明の重合体に含まれていてもよい繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、構造式群Ｂについては、構造式群Ｂ由来の２価基が重合体中に含まれる。

＜繰り返し単位群Ａ＞

＜構造式群Ｂ＞

＜重合体の合成方法＞
本発明の重合体の合成方法は特に制限はなく、重合体の構造等により適宜選択される。以下にその例を示すが、これらに限定されるものではない。
例えば、下記反応式で示す様に、一般式（ＩＩＩａ）で表される１種又は２種以上のハロゲン化物のみを、Ａｒ−Ａｒ結合を形成する反応によって逐次重合させることによって、本発明の有機電界発光素子材料に用いられる重合体を得ることができる。反応は、通常、銅やパラジウム、ニッケル錯体等の遷移金属触媒存在下で行われる。

（上記反応式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ａｒ^ｐは脱離基を有する置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を示す。）

又、本発明の重合体は、例えば下記反応式に示すように、一般式（ＩＩＩａ）で表されるハロゲン化物と一般式（ＩＩＩｂ）で表される二級アミン化合物とを、Ｎ−Ａｒ結合を形成する反応（例えば、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｎｇカップリング、Ｕｌｌｍａｎｎカップリング等）によって逐次重合させることによっても得られる。

Ｎ−Ａｒ結合を形成する反応は、通常、炭酸カリウム、ｔｅｒｔ-ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行い、必要に応じて、銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。

（上記反応式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ａｒ^ｄ、Ａｒ^ｅは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示す。又、Ａｒ^ｆ又はＡｒ^ｂはそれぞれ独立に置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ^ｆ〜Ａｒ^ｅのうち少なくとも一つは、脱離基を含む基である。）

Ａｒ^ｆ及びＡｒ^ｂの置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基としては、例えば前記式（Ｘ）においてＡｒ^ａ１、Ａｒ^ａ２として説明した２価の芳香族炭化水素環基又は２価の芳香族複素環基が挙げられ、置換基についても前記一般式（Ｘ）におけるＡｒ^ａ１及びＡｒ^ａ２の置換基として説明したものが挙げられる。

又、本発明の重合体は、例えば、一般式（ＩＩＩａ）で表されるハロゲン化物と一般式（ＩＩＩｃ）で表されるホウ素化合物とを、Ａｒ−Ａｒ結合を形成する反応（例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング等）によって逐次重合させることによっても得られる。Ａｒ−Ａｒ結合を形成する反応は、通常、炭酸カリウム、ｔｅｒｔ-ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行い、必要に応じて、 銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。

（上記反応式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ’はヒドロキシ基又は互いに結合して環を形成していてもよいアルコキシ基を示す。又、Ａｒ^ｆ及びＡｒ^ｇはそれぞれ独立に置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ^ｆ及びＡｒ^ｇのうち少なくとも一つが、脱離基を含む基である。）

上記反応式中、Ａｒ^ｆ及びＡｒ^ｇは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基としては、前記一般式（ＩＶ）におけるＡｒ^１１〜Ａｒ^１５と同様である。

又、Ａｒ^ｆ及びＡｒ^ｇのうち少なくとも一つは、脱離基を含む基である。より具体的には、前記一般式（ＩＩＩ）で表される基を含んでいればよい。

尚、本発明の重合体は、上述した重合方法以外にも、例えば日本国特開２００１−２２３０８４号公報等に記載の重合方法、日本国特開２００３−２１３００２号公報等に記載の重合方法、日本国特開２００４−２７４０号公報等に記載の重合方法、さらには、不飽和二重結合を有する化合物のラジカル重合、エステル結合やアミド結合を形成する反応による逐次重合等の公知の方法により合成することができる。

本発明の重合体を合成後、精製する方法としては、例えば「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分及び難精製物質の高度分離」（１９８８年、アイ ピー シー社発行）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。具体例としては、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶剤からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー、移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。
生成物の確認や純度の分析方法としては、例えばガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、高速アミノ酸分析計（有機化合物）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）、質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ，ＧＣ／ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（１ＨＮＭＲ，１３ＣＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。

＜用途＞
本発明の有機化合物は、脱離基を有するため有機溶剤に対する優れた溶解性を有する。そのため、均一に塗布が可能である。又、比較的低温で脱離して、有機溶剤に対する溶解度を低下させることが可能となる。つまり、成膜後の加熱処理温度が低いことより、加熱による他の有機層や基板などへの影響が少なく、又、本発明の有機化合物を不溶化して形成される有機層上に、湿式成膜法で他の層を設けることが容易となる。

更に、脱離基の残渣（脱離後の脱離基）が層中に残り難いため、電気特性などに影響し難い。

従って、例えば前記一般式（Ｖ）におけるＡｒ^ｂ、前記一般式（ＩＩＩ）におけるＡｒ^ａ、或いは前記一般式（ＩＩＩ）が結合する重合体として、電荷輸送性、発光性など、様々な機能を持つ構造を採用することにより、当該機能を有し、且つ湿式成膜が可能な化合物を得ることができる。

以上により、本発明の有機化合物は電子デバイスを形成するための材料、即ち電子デバイス材料として有用である。
電子デバイスとしては、例えばカラーフィルター用着色レジストやリブ、オーバーコート、フォトスペーサー等のカラーフィルター用透明レジスト、有機絶縁膜、有機ＴＦＴ材料、有機太陽電池素子及び有機太陽電池等の有機電子材料、電子写真感光体材料、及びこれらを含む有機デバイス全般が挙げられる。本発明の重合体を用いることにより、これらのデバイスの電気安定性や絶縁性等が優れたものとすることができる。

中でも、加熱処理にて脱離したエチレン分子又はアセチレン分子は、分子量が小さく、層中から容易に除去されるため、得られた素子の電気特性の低下を招かないこと、不溶化処理を低温で行えるため、アウトガスの発生が抑制できることから、有機電界発光素子又は有機太陽電池素子に用いることが好ましい。

従って、本発明の有機化合物は、有機電界発光素子用材料又は有機太陽電池素子材料として用いることが好ましい。

又、本発明の有機化合物は、例えばレジスト材料等として用いることも可能である。尚、レジスト材料に適応する場合には、アルカリ現像液に対する溶解性あるいは光感光性を付与するため、分子中にカルボキシ基、あるいは、アクリレート基、ビニルエーテル基などのネガ型感光性基、または炭酸エステル基、ナフトキノンジアミド基、アセタール基、オルトニトロベンゼン基等のポジ型感光性基を導入することが好ましい。

その他、本発明の有機化合物は、成膜性を向上させるための、粘度やレベリング性を制御するバインダー樹脂、界面活性剤等としても有用である。

又、本発明の化合物は、有機電界発光素子材料に用いる場合は、下記の理由により、発光層材料として用いることが最も好ましい。
有機電界発光素子の発光層は、微量の不純物が、クエンチャーとして働いたり、電荷バランスを崩すことにより、発光効率を低下させる可能性が高いため、発光層材料は他の層の材料に比べて高純度化する必要がある。

本発明の有機化合物は、分子量が単一で高純度化が容易であり、末端基を持たない点から前述した化合物（即ち、一般式（Ｖ）で表わされる化合物）であることが好ましい。
また通常、発光効率が高い発光材料は、対称性が高い場合が多い。そのため、有機溶剤に対する溶解性が低く、高純度化が困難な場合が多い。
しかしながら、本発明の有機化合物は、有機溶剤に対する溶解性を高められ、高純度化が可能であるため、発光効率の高い発光材料を、湿式成膜法で成膜することが可能となる。

＜電子デバイス用組成物＞
本発明の電子デバイス用組成物は、本発明の有機化合物と溶剤とを含有するものであり、電子デバイスに好適に用いられる。電子デバイスの中でも、特に有機電界発光素子又は有機太陽電池素子に用いることが好ましい。
つまり、本発明の電子デバイス用組成物は、有機電界発光素子用組成物又は有機太陽電池素子用組成物であることが好ましい。
以下、有機電界発光素子用組成物、及び有機太陽電池素子用組成物として詳細を説明する。

＜有機電界発光素子用組成物＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明の有機化合物と少なくとも溶剤とを含有する。
本発明の有機電界発光素子用組成物は、陽極と陰極との間に配置された有機層を有する有機電界発光素子において、当該組成物を用いて湿式成膜法により有機層を形成する際に好適に用いられる。

本発明の有機化合物として、本発明の化合物を含む場合（以下、「本発明の有機電界発光素子用組成物Ａ」と称する）と本発明の重合体を含む場合（以下、「本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂ」と称する）とに分けて説明する。
尚、「本発明の有機電界発光素子用組成物」とした場合には、「（本発明の）有機電界発光素子用組成物Ａ」と「（本発明の）有機電界発光素子用組成物Ｂ」の両方を意味するものとする。

（有機電界発光素子用組成物Ａ）
本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、本発明の化合物と溶剤とを少なくとも含有する。
尚、有機電界発光素子用組成物Ａは、本発明の化合物を１種のみ含むものであってもよく、２種以上を任意の比率及び組み合わせで含むものであってもよい。又、本発明の重合体と混合して用いてもよい。

有機電界発光素子用組成物Ａは、陽極と陰極との間に配置された有機層を有する有機電界発光素子において、該組成物を用いて湿式成膜法により有機層を形成する際に好適に用いられる。

又、発光層材料、特に発光材料（ドーパント）が最も高い純度が要求されることから、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを用いて湿式成膜法で形成される有機層が発光層であることが好ましい。
つまり、有機電界発光素子用組成物Ａは、発光層形成用組成物であることが好ましい。
有機電界発光素子用組成物Ａにおける本発明の化合物の含有量は、通常０．５重量％以上、好ましくは１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは１０重量％以下である。
有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶剤は、湿式成膜により発光材料を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。

溶剤は、本発明の化合物及びその他の溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、具体的には以下のものが挙げられる。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。

中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。

又、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、又、通常２５０℃以下、好ましくは２２０℃以下、より好ましくは沸点２００℃以下である。

溶剤の使用量は、有機電界発光素子用組成物Ａを１００重量％として、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは８０重量％以上、又、好ましくは９９．９５重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下、特に好ましくは９９．８重量％以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを、発光層形成用組成物として用いる場合、本発明の化合物や溶剤の他、発光材料や電荷輸送性化合物を含有することができる。
この場合、本発明の化合物が発光材料又は電荷輸送性化合物であってもよく、その両方であってもよい。

本発明の化合物以外の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセン、ピレン、トリフェニレン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等があげられる。

他の電荷輸送性化合物は、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを１００重量％とすると、通常１重量％以上、また、通常５０重量％以下、好ましくは３０重量％以下である。
有機電界発光素子用組成物Ａには、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
又、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。

（有機電界発光素子用組成物Ｂ）
本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、本発明の重合体及び溶剤を少なくとも含有する。
本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、陽極と陰極との間に配置された有機層を有する有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法により成膜する際の塗布液として好適に用いられる。
尚、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、本発明の重合体の１種のみを含むものであってもよく、２種以上を任意の比率及び組み合わせで含むものであってもよい。
本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、該有機電界発光素子における正孔注入層又は正孔輸送層を形成するために用いられることが特に好ましい。

尚、ここでは、有機電界発光素子における陽極−発光層間の層が１つの場合には、これを「正孔輸送層」と称し、２つ以上の場合は、陽極に接している層を「正孔注入層」、それ以外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。また、陽極−発光層間に設けられた層を総称して「正孔注入・輸送層」と称する場合がある。

有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶剤は、本発明の重合体を溶解するものが好ましく、通常、本発明の重合体を０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶剤である。

尚、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、本発明の重合体を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、また、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下含有する。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶剤の種類は、特に制限されるものではない。本発明の重合体を溶解させるものとして、好ましくは、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族化合物；１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶剤；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶剤；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤等の有機溶剤が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組み合わせで併用してもよい。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶剤の濃度は、通常４０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。

尚、水分は有機電界発光素子の性能低下、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性がある。したがって有機層中に残留する水分をできる限り低減することが好ましく、これらの溶剤の中でも、２５℃における水の溶解度が１重量％以下であるものが好ましく、０．１重量％以下である溶剤がより好ましく、これらの溶剤を通常、有機電界発光素子用組成物Ｂ中に１０重量％以上含有することが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。

又、一般に、有機電界発光素子は陰極等、水分により著しく劣化する可能性のある材料が多く使用されているため、素子の劣化防止の観点からも、有機電界発光素子用組成物Ｂ中に水分が存在することは好ましくない。有機電界発光素子用組成物Ｂ中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合には、塗布工程中に、溶液塗膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶剤として、２０℃における表面張力が好ましくは４０ｄｙｎ／ｃｍ未満、より好ましくは３６ｄｙｎ／ｃｍ以下、さらに好ましくは３３ｄｙｎ／ｃｍ以下である溶剤が挙げられる。

本発明の重合体を含有する層を湿式成膜法により形成する場合、下地との親和性が重要である。膜質の均一性は有機電界発光素子の発光の均一性、安定性に大きく影響するため、湿式成膜法に用いる塗布液には、よりレベリング性が高く均一な塗膜を形成し得るように表面張力が低いことが求められる。このような溶剤を使用することにより、本発明の重合体を含有する均一な層を形成することができる。

このような低表面張力を有する溶剤の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶剤、安息香酸エチル等のエステル系溶剤、アニソール等のエーテル系溶剤、トリフルオロメトキシアニソール、ペンタフルオロメトキシベンゼン、３−（トリフルオロメチル）アニソール、エチル（ペンタフルオロベンゾエート）等が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶剤としては、２５℃における蒸気圧が通常１０ｍｍＨｇ以下、好ましくは５ｍｍＨｇ以下で、通常０．１ｍｍＨｇ以上の溶剤等が挙げられる。このような溶剤を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適なものとすることができ、また、本発明の重合体の性質に適した組成物とすることができる。このような溶剤の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶剤、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

又、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶剤として、２５℃における蒸気圧が通常２ｍｍＨｇ以上、好ましくは３ｍｍＨｇ以上、より好ましくは４ｍｍＨｇ以上であり、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下である溶剤と、２５℃における蒸気圧が通常２ｍｍＨｇ未満、好ましくは１ｍｍＨｇ以下、より好ましくは０．５ｍｍＨｇ以下である溶剤との混合溶剤も挙げられる。このような混合溶剤を使用することにより、湿式成膜法により本発明の重合体、更には後述する電子受容性化合物等の添加剤を含む均質な層を形成することができる。このような混合溶剤の有機電界発光素子用組成物Ｂ中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

有機電界発光素子用組成物Ｂ中に上記添加剤を用いる場合、本発明の重合体と上記添加剤との双方を通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶剤を使用することが好ましい。

尚、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、電子受容性化合物を含有していてもよく、該化合物としては、後述する有機電界発光素子の正孔注入層の欄で説明する電子受容性化合物等が挙げられる。これらは、１種又は２種以上を使用することができる。

又、上述した溶剤以外の溶剤も用いることができ、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等を用いることも可能である。

さらに、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。また、例えば有機電界発光素子用組成物Ｂが発光層を形成する際に用いられるものである場合等には、後述する有機電界発光素子の欄で説明する発光材料等を含んでいてもよい。

（有機電界発光素子用組成物を用いた有機層の形成方法）
有機電界発光素子は、通常、多数の重合体からなる有機層を積層して形成するため、膜質が均一であることが重要である。
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて有機層を形成する場合、通常湿式成膜法により成膜を行う。

尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等の湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これらが、上記有機電界発光素子用組成物の液性に合うためである。

本発明においては、上記した本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機層上に、さらに他の有機層を湿式成膜法により形成する場合、先に形成した有機層を不溶化させるため、通常は、成膜後、加熱処理を行なう。
加熱の手法は特に限定されないが、通常１００℃以上、好ましくは１２０℃以上、また通常２００℃以下、好ましくは１９０℃以下に、有機電界発光素子用組成物を用いて形成された膜を加熱する。加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、形成された膜を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。

又、加熱と合わせて、光などの電磁エネルギー照射を行なってもよい。電磁エネルギーの照射は、例えば超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。
照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
加熱及び光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
加熱及び光を含む電磁エネルギー照射は、実施後に層に含有される水分及び／又は表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱及び／又は光などの電磁エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも有機発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。

（有機太陽電池素子用組成物）
本発明の有機太陽電池素子用組成物は、本発明の重合体及び溶剤を含有する。本発明の効果を損なわない限り、必要に応じてその他の成分を含有していてもよい。
その他の成分の例としては、後述する＜有機太陽電池素子＞中に記載されている、テトラベンゾポルフィリン、テトラベンゾ銅ポルフィリンなどのｐ型半導体、フラーレン、オクタアザポルフィリンなどのｎ型半導体、などを挙げることができる。

（有機太陽電池素子用組成物を用いた有機層の形成方法）
本発明の有機太陽電池素子用組成物を用いて有機層を形成する方法は、前記（有機電界発光素子用組成物を用いた有機層の形成方法）の項で記載の方法と同様である。好ましい態様も同様である。

＜有機電界発光素子＞
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極、該陽極と該陰極の間に有機層を有するものであり、該有機層として、前述の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層を有することを特徴とする。本発明においては、特に有機層の中でも正孔注入層、正孔輸送層、又は発光層を、上記有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成することが好ましい。
尚、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを用いて湿式成膜法で形成された層が、発光層であることが好ましい。
又、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用いて湿式成膜法で形成された層が、正孔注入層又は正孔輸送層であることが特に好ましい。

［有機電界発光素子の構成］
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成及びその形成方法等について、図１を参照して説明する。
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極をそれぞれ表す。

（基板）
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、例えば石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらは１種類のみ用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせで用いてもよい。上記の中でも特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板１のガスバリア性が小さすぎると、基板１を通過した外気により有機電界発光素子が劣化する可能性があるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

［陽極］
陽極２は発光層５側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。これらは１種類のみ用いてもよく、また２種類以上を任意の比率及び組み合わせで用いてもよい。

陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。

［正孔注入層］
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましく、この際、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用いることが好ましい。
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、高分子化合物であっても、低分子化合物であってもよい。本発明においては、正孔輸送性化合物として、例えば前記本発明の重合体等を用いることができる。
又、正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の他の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン化合物、シラザン化合物、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン系化合物等が挙げられる。

正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、この様な化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。

上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｉ）中、Ａｒ^ｂ１及びＡｒ^ｂ２は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。Ａｒ^ｂ３〜Ａｒ^ｂ５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。Ｚ^ｂは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表わす。また、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。）

（上記各式中、Ａｒ^ｂ６〜Ａｒ^ｂ１６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の１価又は２価の基を表わす。Ｒ^ｂ５及びＲ^ｂ６は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表わす。）
Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ１６としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環由来の１価又は２価の基が適用可能である。これらの基は各々同一であっても、互いに異なって いてもよい。また、これらの基は、更に任意の置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ１６の芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゾシクロヘキサジエン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ１６の芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが好ましい。

Ｒ^ｂ５及びＲ^ｂ６が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号に記載のもの等が挙げられる。

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。

（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層３の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号）；塩化鉄（ＩＩＩ）（日本国特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（日本国特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層３の導電率を向上させることができる。
正孔注入層３或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。

（その他の構成材料）
正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、通常２５０℃以下、中でも２００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。

溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。

（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。特に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて正孔注入層３を形成する場合には、通常、加熱工程が行なわれる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層中に本発明の有機電界発光素子材料が含有される場合、脱離基が脱離する温度以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類の溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こるならば、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層３が不均質になる傾向がある。加熱は２回にわけて行ってもよい。
［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。この際、前述した本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用い、湿式成膜することが好ましい。

正孔輸送層４は、正孔注入層３がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３がない場合には陽極２の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層４を省いた構成であってもよい。
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。

このような正孔輸送層４の材料としては、例えば本発明の重合体や、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料を用いることができ、従来用いられている材料としては、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したもの等が挙げられる。また、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（日本国特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４’’−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（日本国特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。

湿式成膜で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。

正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。尚、正孔輸送層形成用組成物として、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いることが可能である。
真空蒸着により正孔輸送層４を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。

正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。

架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。

正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
更に、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。

正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。

このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱及び／又は光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させてポリマー化する。

成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。

光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
加熱及び光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

［発光層］
正孔注入層３の上、又は正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。

＜発光層材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。

これらの発光層材料として、発光層の均一性や、不溶化後の層の耐熱性及び素子の駆動安定性に優れる点で本発明の化合物を用いることが好ましい。更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。

（発光材料）
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。また本発明の有機電界発光素子材料を発光材料として用いてもよい。また、青色は蛍光発光材料を用い、緑色や赤色は燐光発光材料を用いるなど、組み合わせて用いてもよい。

尚、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
以下、発光材料のうち蛍光色素の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光色素（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。

緑色発光を与える蛍光色素（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ_９Ｈ_６ＮＯ）_３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光色素（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光色素（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。

錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。

燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。

発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機電界発光素子材料の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。

なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
発光層５における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５重量％以上、通常３５重量％以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（正孔輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、前述した本発明の化合物や、正孔注入層３における低分子量の正孔輸送性化合物等が挙げられるほか、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（日本国特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，１９９７年， Ｖｏｌ．７２−７４， ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， １９９６年， ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．９１， ｐｐ．２０９）等の化合物も使用できる。
尚、発光層５において、正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
発光層５における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（電子輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、前記本発明の化合物、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、又は４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。尚、発光層５において、電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

発光層５における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

＜発光層の形成＞
本発明に係る湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、上記材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。この際、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いてもよい。
発光層５を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。発光層用溶剤の好適な例は、上記正孔注入層形成用組成物で説明した溶剤と同様である。

発光層５を形成するための発光層形成用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下、である。なお、発光層用溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
又、発光層形成用組成物中の発光材料、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。

発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。

［正孔阻止層］
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。

正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、前記本発明の化合物や重合体、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（日本国特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（日本国特開平７−４１７５９号公報）、又はバソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（日本国特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５／０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。

なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

［電子輸送層］
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。

電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（日本国特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（日本国特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（日本国特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。

［電子注入層］
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（日本国特開平１０−２７０１７１号公報、日本国特開２００２−１００４７８号公報、日本国特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

［陰極］
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。

なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

［その他の層］
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。例えば、後述の実施例で作製した有機電界発光素子は、図１の有機電界発光素子に対して、正孔阻止層６、及び電子輸送層７が省略されている。

＜電子阻止層＞
上記各層以外に有機電界発光素子が有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３又は正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号記載）等が挙げられる。

なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

＜その他＞
さらに陰極９と発光層５又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ_３）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。

また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。

本発明の有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイに使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイを形成することができる。
また本発明の有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。

＜有機太陽電池素子＞
本発明の有機太陽電池素子は、陽極と、陰極との間に、有機層を有する有機太陽電池素子であって、該有機層が、本発明の重合体を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層（脱離層）を有する有機太陽電池素子である。
さらに、本発明の有機太陽電池は、有機層として光電変換層及び正孔取出し層を含み、当該正孔取出し層が脱離層であることが好ましい。
図２は本発明に係る有機太陽電池素子の構造例を示す断面の模式図であり、図２において、１は基板、２は陽極、１０は正孔取出し層、１１は光電変換層、１２は電子取出し層、９は陰極をそれぞれ表す。

＜基板（Ａ）＞
基板（Ａ）は有機半導体素子（Ｂ）を支持する支持部材である。基板（Ａ）を形成する材料としては、例えば、ガラス、サファイア、チタニア等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィルム、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、セルロース、アセチルセルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリノルボルネン等の有機材料；ステンレス、チタン、ニッケル、銀、金、銅、アルミニウム等の金属材料；などが挙げられる。

これらの中でも、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリ（メタ）アクリル樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウムが有機半導体素子（Ｂ）の形成しやすさの点で好ましい。
なお、基材の材料は、１種を用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、これら有機材料に炭素繊維、ガラス繊維などの強化繊維を含ませ、機械的強度を補強させてもよい。また、これら金属材料に絶縁性を付与するために表面をコートあるいはラミネートしたものなどの複合材料としてもよい

＜有機半導体素子（Ｂ）＞
有機半導体素子（Ｂ）として、下記に有機薄膜有機太陽電池素子（本明細書では、単に有機太陽電池素子ともいう）について記載するが、本発明を著しく損なわない限り他の有機電子デバイスを排除するものではない。さらに、有機薄膜有機太陽電池素子も、以下に説明される例に限定されるものではない。
有機薄膜有機太陽電池素子は、少なくとも一対の電極の間に設けられた有機半導体を含有する有機半導体層から構成される。かかる有機半導体層で光を吸収して電力が発生し、発生した電力が電極から取り出されるようになっている。

［有機半導体層］
任意の有機半導体により形成できる。有機半導体は半導体特性により、ｐ型、ｎ型に分けられる。ｐ型、ｎ型は、電気伝導に寄与するのが、正孔、電子いずれであるかを示しており、材料の電子状態、ドーピング状態、トラップ状態に依存する。したがって、以下に有機半導体の例を挙げるが、ｐ型、ｎ型は必ずしも明確に分類できない場合があり、同一物質でｐ型、ｎ型両方の特性を示すものもある。

ｐ型半導体の例として、テトラベンゾポルフィリン、テトラベンゾ銅ポルフィリン、テトラベンゾ亜鉛ポルフィリン等のポルフィリン化合物；フタロシアニン、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン等のフタロシアニン化合物；ナフタロシアニン化合物；テトラセンやペンタセンのポリアセン；セキシチオフェン等のオリゴチオフェン及びこれら化合物を骨格として含む誘導体が挙げられる。さらに、ポリ（３−アルキルチオフェン）などを含むポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリトリアリルアミン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール等の高分子等が例示される。

ｎ型半導体の例として、フラーレン（Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６）；オクタアザポルフィリン；上記ｐ型半導体のパーフルオロ体；ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物；及び、これら化合物を骨格として含む誘導体などが挙げられる。

少なくともｐ型の半導体及びｎ型の半導体が含有されていれば、有機半導体層の具体的な構成は任意である。単層の膜のみによって構成されていてもよく、２以上の積層膜によって構成されていてもよい。例えば、ｎ型の半導体とｐ型の半導体とを別々の膜に含有させるようにしてもよく、ｎ型の半導体とｐ型の半導体とを同じ膜に含有させてもよい。
また、ｎ型の半導体及びｐ型の半導体は、それぞれ、１種を用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

有機半導体層の具体的な構成例としては、ｐ型半導体とｎ型半導体が層内で相分離した層（i層）を有するバルクヘテロ接合型、それぞれｐ型半導体を含む層（ｐ層）とｎ型半導体を含む層（ｐ層）が界面を有する積層型（ヘテロｐｎ接合型）、ショットキー型及びそれらの組合せが挙げられる。これらの中でもバルクへテロ接合型及びバルクへテロ接合型と積層型を組み合わせた（ｐ−i―ｎ接合型）が高い性能を示すことから好ましい。

有機半導体層のｐ層、i層、ｎ層各層の厚みに制限はないが、通常３ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下とすることが好ましい。層厚を厚くすることで膜の均一性が高まる傾向にあり、薄くすることで透過率が向上する、直列抵抗が低下する傾向にある。

［正孔取出し層］
正孔取出し層は、有機半導体層側に面した電極界面に電気特性等の改良のために設ける層である。
正孔取出し層を形成する為の材料としては、本発明の重合体を用いることが特に好ましいが、その他の材料を用いることもできる。その他の材料としては、例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、酸化モリブデン、フッ化リチウム、２，９ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンなどが挙げられる。

［電極］
電極としては導電性を有する任意の材料により形成することが可能である。電極の材料の例を挙げると、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属あるいはそれらの合金；酸化インジウムや酸化錫等の金属酸化物、あるいはその合金（ＩＴＯ）；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン等の導電性高分子；前記導電性高分子に、塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＦｅＣｌ_３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子などのドーパントを含有させたもの；金属粒子、カーボンブラック、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性粒子をポリマーバインダー等のマトリクスに分散した導電性の複合材料などが挙げられる。なかでも、正孔の捕集する電極には、Ａｕ、ＩＴＯ等の深い仕事関数を有する材料が好ましい。一方、電子の捕集する電極には、Ａｌのような浅い仕事関数を有する材料が好ましい。仕事関数を最適化することにより、光吸収により生じた正孔及び電子を良好に捕集する利点がある。

一対の電極のうち、少なくとも受光面側の電極は、発電のために光透過性を有していることが好ましい。但し、発電層の面積に比べて電極の面積が小さいなど、電極が透明でなくても発電性能に著しく悪影響を与えない場合は必ずしも透明でなくてもよい。透明な電極の材料を挙げると、例えば、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物；金属薄膜などが挙げられる。また、この際、光の透過率の具体的範囲に制限は無いが、有機太陽電池素子の発電効率を考慮すると、光学界面での部分反射によるロスを除き、８０％以上が好ましい。

なお、電極の材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
なお、電極の形成方法に制限はない。例えば、真空蒸着、スパッタ等のドライプロセスにより形成することができる。また、例えば、導電性インク等を用いたウェットプロセスにより形成することもできる。この際、導電性インクとしては任意のものを使用することができ、例えば、導電性高分子、金属粒子分散液等を用いることができる。
さらに、電極は２層以上積層してもよく、表面処理による特性（電気特性やぬれ特性等）を改良してもよい。

［その他の層］
上記の例に示した有機太陽電池素子 は、上述した有機半導体層、電極以外に、その他の層を備えてもよい。なお、その他の層を形成する位置は有機太陽電池素子の発電を阻害しない限り任意である。

＜有機太陽電池素子の性能評価＞
本発明の有機太陽電池素子は、下記に示す加速試験をおこない、試験前後での光電変換特性の変化を比較することで性能を評価することができる。
評価方法：加速試験は、環境試験機（例えば、エスペック社製ＳＨ−２４１）中にて高温高湿環境に設置することとする。高温高湿環境は、４０℃９０％ＲＨもしくは８５℃８５％ＲＨとすることが好ましい。試験期間は、デバイス構成材料により適宜選択できるが、２４時間以上はおこなうことが好ましい。また、光電変換特性は、有機薄膜太陽電池にソーラシュミレーターでＡＭ１．５Ｇ条件の光を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ^２照射して、電流・電圧特性の測定をおこなう。かかる測定から得られる電流・電圧曲線から、エネルギー変換効率（ＰＣＥ）、短絡電流、開放電圧、ＦＦ（フィルファクター）、直列抵抗、シャント抵抗を求めることができる。

光電変換特性の加速試験前後を比較する式としては、例えば、ＰＣＥ変化率＝（加速試験後のＰＣＥ）／（加速試験前のＰＣＥ）が挙げられる。
つまり本発明に係る有機太陽電池素子のエネルギー変換効率（ＰＣＥ）変化率は、上式で定義されるように通常、初期性能に対して加速試験後の値が、０．８６以上であり、好ましくは、０．８８以上、より好ましくは０．９０以上である。

本発明に係る有機太陽電池素子は、荷重がかかった時にも捕捉剤を含む層（Ｃ）と素子電極が接触せず、劣化防止効果が高い性能もある。評価としては、ガスバリアフィルム側から捕捉剤を含む層（Ｃ）を有機半導体素子（Ｂ）方向に押しつけるときに接触有無を確認すればよい。
本発明に係る有機太陽電池素子は、耐候性良好である。屋外暴露試験、耐候性試験機により耐候性試験を実施しても、性能を維持し、高い耐久性能を示す。防食層の存在により電極劣化が抑制されているためと考えられる。また、耐候性保護シートを積層した場合にはより高い耐候性を有する。

本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

［合成例］
（合成例１）化合物ＤＮＯＴｆの合成

窒素気流中、−７８℃、攪拌下、ＤＮＤＩＯＮ (１．０ｇ)（アルドリッチ社製）とテトラハイドロフラン（２０ｍｌ）の混合溶液中に、ＬｉＤＩＡＭＩＮ(４．１５ｇ)を添加し、１時間攪拌後、Ｎ−（２−ｐｙｒｉｄｙｌ）ｔｒｉｆｌｉｍｉｄ（７．８８ｇ）を添加し２日間、室温にて攪拌した。反応溶液に冷水５０ｍｌを添加後、エーテル抽出を行い、さらにエーテル溶液を水洗、ＭｇＳＯ_４にて乾燥、エヴァポレータにて濃縮、シリカカラムにて精製し１．２ｇ、純度８０重量％のＤＮＯＴｆを得た。

（ＮＭＲ測定の結果)
化合物ＤＮＯＴｆ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ） δ１．６−１．９（ｍ，４Ｈ）、３．６−３．８（ｍ，２Ｈ）、６．１−６．２（ｓ，２Ｈ）

（合成例２）化合物ＢｉＮｐＡＮＤＮ及びＮｐＡＮＤＮの合成

１０分間窒素バブリングしたトルエン（１０ｇ）にエタノール（３ｇ）、ＮｐＡＮＢＯＲ（０．６ｇ）、ＤＮＯＴｆ（０．４１５ｇ）、炭酸ナトリウム（１．１９ｇ）と水（６ｇ）を加え、３０分攪拌したのち、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウムジ（０．０６５ｇ）を手添加、溶解したのち、７０℃にて５時間攪拌した。この溶液を室温に戻し、水を１００ｍｌ添加し、析出してくる結晶を濾取、エタノールで洗浄した。さらに日本分析工業社製リサイクル分取ＨＰＬＣＬＣ−９２０４型（分取カラムＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ−４０）により精製して化合物ＢｉＮｐＡＮＤＮ（０．２ｇ）と化合物ＮｐＡＮＤＮ（０．１ｇ）を得た。

（Ｍａｓｓ測定の結果）
日本電子社製質量分析計ＪＭＳ−７００／ＭＳｔａｔｉｏｎにてＭａｓｓ分析を行なった（加速電圧：７０ｅＶ、エミッター電流変化率：０Ａから０．９Ａ、走査質量数範囲：ｍ／ｚ１００−１３００ ２．０ｓｅｃ／ｓｃａｎ）。
結果はｍ／ｚ＝Ｍ^＋７１０．３（ＢｉＮｐＡＮＤＮ）、ｍ／ｚ＝Ｍ^＋４８８（ＮｐＡＮＤＮ）であった。

（実施例１）

化合物ＢｉＮｐＡＮＤＮを１８０℃で６０分間加熱処理を施すと、ＮＭＲの同定から化合物からエチレンが脱離した化合物ＢｉＮｐＡＮＤＮ−Ｈが得られた。

化合物ＮｐＡＮＤＮを１５０℃で６０分間加熱処理を施すと、ＮＭＲの同定から化合物からエチレンが脱離した化合物ＮｐＡＮＤＮ−Ｈが得られた。

（ＮＭＲ測定の結果)
化合物ＮｐＡＮＤＮ−Ｈ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ７．０−８．１（ｍ，２０Ｈ）
化合物ＢｉＮｐＡＮＤＮ−Ｈ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ７．０−８．２（ｍ，３４Ｈ）

（示差走査熱量の測定）
示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製：ＤＳＣ６２２０）により観測した。ＢｉＮｐＡＮＤＮとＮｐＡＮＤＮの熱脱離はそれぞれ、温度が１２０℃と１５０℃から効率よく起こることが確認された。

＜有機溶剤に対する溶解性の評価＞
シクロヘキシルベンゼン１ｇが入った２本の５ｍｌサンプル瓶それぞれに１３ｍｇの化合物ＢｉＮｐＡＮと化合物ＢｉＮｐＡＮ―Ｈを添加、超音波攪拌機により、２分間攪拌処理を施したところ化合物ＢｉＮｐＡＮは完全に溶解し、ＢｉＮｐＡＮ―Ｈは８０％以上が溶解できずに残留した。
シクロヘキシルベンゼン：ヘキサン（８０：２０重量比）混合溶液１ｇが入った２本の５ｍｌサンプル瓶それぞれに１９ｍｇの化合物ＮｐＡＮと化合物ＮｐＡＮ―Ｈを添加、超音波攪拌機により、２分間攪拌処理を施したところ化合物ＮｐＡＮは完全に溶解し、ＮｐＡＮ―Ｈは８０％以上が溶解できずに残留した。

（実施例２）
まず、ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜（三容真空社製、スパッタ成膜品）が、２ｍｍ幅のストライプ状にパターニングされている基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
（正孔注入層の形成）
下記式（ＸＸＩ）で表わされるポリマー（重量平均分子質量６００００）２重量％と、下記式（ＸＸＩＩ）であらわされる化合物０．４重量％を、溶剤として安息香酸エチルに溶解し、濃度２重量％の正孔注入層用塗布液を作製した。

洗浄処理したＩＴＯ基板上に、上記正孔注入層用塗布溶液を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で８０℃１分間加熱乾燥した後、電極上の不要部分を拭き取り、オーブン大気中で２３０℃１時間ベークし、膜厚３０ｎｍの正孔注入層（Ａ１）を形成した。
（正孔輸送層の形成）
次に、下記式（ＸＸＩＩＩ）で表わされるポリマー（重量平均分子質量９５０００）１．４重量％を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解し、濃度１．４重量％の正孔輸送層用塗布液を作製した。

正孔注入層を塗布した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層用塗布液を用いてスピンコート法にて正孔輸送層を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークし、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層（Ｂ１）を形成した。
正孔輸送層用塗布液調整、スピンコート、ベークすべて、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で大気暴露させずに行った。

（発光層の形成）
次に、発光層を塗布成膜するための発光層塗布液を調製した。
重量比でＢｉＮｐＡＮＤＮを１００、下記式（ＸＸＩＶ）で表される化合物を２０を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、濃度４．５重量％の発光層塗布液（Ｄ１）を調製した。発光層塗布液（Ｄ１）の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。

正孔輸送層（Ｂ１）上に、発光層塗布液（Ｄ１）を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。スピンコートは、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行い、回転数は１２００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１８０℃１時間真空加熱し、ＢｉＮｐＡＮＤＮ―Ｈに変換し、発光層を形成した。

（正孔阻止層の形成）
この基板を一旦大気中に取り出し、真空蒸着装置のチャンバー内に設置し、すみやかにチャンバーをロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。基板には、所定の領域に、蒸着用マスクを配置し、チャンバーにはあらかじめ必要な蒸着材料をそれぞれ別のモリブデン製ボートに入れて配置しておいた。
そして、下記式（ＸＸＶ）で表される材料を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、発光層の上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度０．８Å／ｓとし、正孔阻止層を膜厚１０ｎｍで形成した。

（電子輸送層の形成）
次に、下記式（ＸＸＶＩ）で表されるＡｌｑ_３を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、正孔阻止層の上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度１．５Å／ｓとし、電子輸送層を膜厚３０ｎｍで形成した。

（陰極形成）
次に、基板を一旦大気中に取り出し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプと直交するように配置し、蒸着装置に設置した。チャンバーはロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。真空度は４．５×１０^−４Ｐａであった。陰極として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、電子輸送層の上に蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度は４．５×１０^−４Ｐａ、蒸着速度０．１Å／ｓとし、膜厚０．５ｎｍで成膜した。最後に、アルミニウムを入れたモリブデン製ボートを通電加熱して陰極を蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度は６．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度２．５Å／ｓとし、膜厚８０ｎｍ成膜した。

（封止）
次に、基板を一旦大気中に取り出し、窒素置換されたグローブボックスに移した。窒素置換されたグローブボックス中では封止ガラス板の凹部に吸湿剤シートを貼り付け、封止ガラス板の凹部の周囲にＵＶ硬化樹脂塗をディスペンサーにて塗布し、蒸着を行なった基板の蒸着領域を封止ガラス板で密封するように密着させ、ＵＶランプにてＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。

以上の様にして、有機電界発光素子を得た。

（素子発光確認）
この素子に通電し、青色発光を確認した。

（実施例３）
（有機電界発光素子作製）
発光層の形成を以下に変更した以外は実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

（発光層の形成）
ＮｐＡＮＤＮを１００重量％、前記式（ＸＸＩＶ）で表される化合物を１０重量％を、トルエンとシクロヘキシルベンゼンを８：２の重量比で混合した溶剤に溶解させ、濃度１．５重量％の発光層塗布液（Ｄ２）を調製した。発光層塗布液（Ｄ２）の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。
正孔輸送層（Ｂ１）上に、発光層塗布液（Ｄ２）を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。回転数は１２００ｒｐｍ、回転時間は６０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１４０℃で１時間加熱し、ＮｐＡＮＤＮ―Ｈに変換し、発光層を形成した。スピンコート及び加熱は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。

（素子発光確認）
この素子に通電し、青色発光を確認した。

（合成例３）ＤＯＡＮの合成

ＨＱ（３０８ｇ）にＭＬＡ（４７６ｇ）を加え、窒素気流中、１９０℃で５時間攪拌した。５０℃に冷却後、酢酸エチル（３００ｍｌ）とエーテル（６５０ｍｌ）を加え、３０分間還流後室温にし、析出してきた結晶を濾過し、ＤＯＡＮ４４ｇ（純度９５％）を得た。

（合成例４）ＤＩＯＮ−２の合成

ＤＯＡＮ（４２ｇ）に水（４０ｇ）を入れ、減圧下、７０℃にて水を還流しながら留去、さらに乾燥し、無水基を開環させたＤＯＡＮ−２を得た。
続いて、室温・窒素気流中にて、ＤＯＡＮ−２に四酢酸鉛（２１２ｇ）と１，４−ジオキサン（４６０ｇ）を添加し、得られた溶液を１５℃に昇温させ、２Ｎ硝酸水溶液（４００ｍｌ）を添加した。滴下後６０℃にて１０分間放置した。この溶液を急冷却後、クロロホルム抽出、飽和炭酸ナトリウムにて洗浄を行った後、濃縮し、さらにシリカカラムにより精製を行い、１５ｇのＤＩＯＮ−２（純度９７％）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物ＤＩＯＮ−２：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ２．２５−２．５（ｍ，４Ｈ）、３．３５−３．５（ｍ，２Ｈ）、６．５−６．６（ｄ，２Ｈ）

（合成例５）ＤＩＯＮの合成

アセトニトリル（３００ｍｌ）にＤＭＯＮ（１０７ｇ）を添加し、室温・窒素気流中にて、攪拌しながら、トリブチルエチルアンモニウムクロライド（１０６ｇ）と炭酸リチウム（４８ｇ）を添加した。攪拌を２０分間続けた後、ＣＨＮＯＮ（４０ｇ）を滴下し、室温・窒素気流中にて３０時間攪拌した。得られた反応液に更にエチルアセテート（７００ｍｌ）と水（７００ｍｌ）を添加し、攪拌した後、１１規定の塩化水素水溶液にて該反応液のｐＨを１〜２に調整した。続いて分液、有機層をＭｇＳＯ_４にて乾燥、濃縮し、結晶化させた後、濾過、メタノールにて洗浄した。ＤＭＯＨＤＩＯＮ ８５ｇ（収率８５％）（純度９７％）が得られた。

続いて、ＤＭＯＨＤＩＯＮ（８５ｇ）にポリ燐酸（ＰＰＡ）（６３ｇ）、酢酸（５５ｇ）を加え、１００℃の窒素気流中にて、６０分間攪拌した。室温に戻した後、冷やした飽和塩化ナトリウム水溶液（１６０ｍｌ）を添加し、トルエンにて抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて洗浄した。硫酸ナトリウムにて更に乾燥、濃縮して、ＤＩＯＮ ３６ｇ（収率６０％）（純度９５％）が得られた。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物ＤＩＯＮ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ１．７５−１．９（ｍ，２Ｈ）、２．０５−２．２（ｍ，２Ｈ）、２．３−２．７（ｍ，５Ｈ）、３．１−３．２５（ｓ，１Ｈ）

（合成例６）ＤＮ２６ＯＴｆの合成例
窒素気流中、−７８℃、攪拌下、ＤＮＤＩＯＮ (１．０ｇ)（アルドリッチ社製）とテトラハイドロフラン（２０ｍｌ）の混合溶液中に、Ｌiｔｈiｕｍ ｄiiｓｏｐｒｏｐｙ ａｍiｎｅ（ＬｉＤＩＡＭＩＮ）(４．１５ｇ)を添加し、１時間攪拌後、Ｎ−（２−ｐｙｒｉｄｙｌ）ｔｒｉｆｌｉｍｉｄ（７．８８ｇ）を添加してから２日間、室温にて攪拌した。反応溶液に冷水５０ｍｌを添加後、エーテル抽出を行い、さらにエーテル溶液を水洗、ＭｇＳＯ_４にて乾燥、エヴァポにて濃縮、シリカカラムにて精製し１．２ｇ、純度８０重量％のＤＮ２６ＯＴｆが得られた。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物ＤＮ２６ＯＴｆ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ１．５５−１．７（ｍ，１Ｈ）、１．７５−１．９（ｍ，１Ｈ）、６．１−６．２（ｄ，２Ｈ）

（合成例７）ＣｚＰｈＤＮＰｈＣｚの合成

前記合成例２において、ＮｐＡＮＢＯＲの代わりにＣｚＰｈＢＯＨを、又、ＤＮＯＴｆの代わりにＤＮ２６ＯＴｆをそれぞれ等モル用いた以外、他は同様にして合成を行い、化合物ＣｚＰｈＤＮＰｈＣｚ（０．２ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物ＣｚＰｈＤＮＰｈＣｚ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ１．５−１．７（ｍ，４Ｈ）、４．８−４．９（ｍ，１Ｈ）、４．６５−４．８（ｍ，１Ｈ）、６．７−６．８（ｄ、２Ｈ）、７．２−８．２（ｍ、２４）

（示差走査熱量の測定）
示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製：ＤＳＣ６２２０）により観測した。熱脱離は、温度が１５０℃から効率よく起こることが確認された。

（合成例８）ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ−ＰｈＡＮＮｐ及びＮｐＡＮＰｈ−ＤＮの合成

前記合成例２において、ＮｐＡＮＢＯＲの代わりに、ＮｐＡＮＰＢＯＨを等モル添加する以外、他は同様にして合成を行い、化合物ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ−ＰｈＡＮＮｐ（０．１７ｇ）及び化合物ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ（０．１１ｇ）が得られた。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ−ＰｈＡＮＮｐ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ１．５−１．７（ｍ，４Ｈ）、４．８−４．９（ｍ，１Ｈ）、４．６５−４．８（ｍ，１Ｈ）、６．７−６．８（ｄ、２Ｈ）、７．２−８．２（ｍ、３８）
化合物ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ１．５−１．７（ｍ，４Ｈ）、４．８−４．９（ｍ，１Ｈ）、４．６５−４．８（ｍ，１Ｈ）、６．７−６．８（ｄ、２Ｈ）、７．２−８．２（ｍ、１９）

（示差走査熱量の測定）
示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製：ＤＳＣ６２２０）により観測した。ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ−ＰｈＡＮＮｐ及びＮｐＡＮＰｈ−ＤＮの熱脱離は、それぞれ温度が１４６℃と１５７℃から効率よく起こることが確認された。

（参考例１）ＤＮＣＯの合成１

シクロヘキサジエン（ＤＮ）（１０２．４ｇ）、クロロアセトニトリル（ＣＬＤＮＣＮ）（１４６．２ｇ）、及び２,６-Ｄiｔｂｕｔｙｌ４ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｏｌ（ＤＢＴ）を窒素気流中に、７０℃にて４０時間攪拌した後、水を添加し分液を行い、油層を０．２Ｎ塩化水素溶液にて洗浄した。更に塩化ナトリウム飽和水溶液にて洗浄し、Ｎａ_２ＳＯ_４にて乾燥処理を施し、エバポレーションにより濃縮し、シリカカラムにて精製を行い、その結果、ＤＮＣＬＣＮ ８０ｇ（純度９０％）が得られた。
続いて、ＤＮＣＬＣＮ ８０ｇ にＢｕ_４ＮＨＳＯ_４（８４．１ｇ）、３Ｎ ＮａＯＨ水溶液（３９５ｇ）、及びジクロロメタン５００ｍｌを添加し、空気気流中に、室温にて４０時間攪拌した。その後、０．１Ｎ 塩化水素水溶液を添加し、分液を行い、有機層をシリカカラムにて精製し、ｍＤＮＣＯ ３０ｇ（純度９０％）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ１．４５−２．１（ｍ，６Ｈ）、２．９−３．２（ｍ，２Ｈ）、６．１−６．５（ｍ，２Ｈ）

（参考例２）ＤＮＣＯの合成２

参考例１と同様にして得られたＤＮＣＬＣＮ（６０ｇ）（純度８０％）にエタノール７００ｍｌとＮａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（１０３．５ｇ）を添加し、窒素気流中に、１０時間還流した。その後、エヴァポレーションにより濃縮し、シリカカラムにより精製を行ない、目的物 ｍＤＮＣＯ ２０ｇ （純度９０％）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ）δ１．４５−２．１（ｍ，６Ｈ）、２．９−３．２（ｍ，２Ｈ）、６．１−６．５（ｍ，２Ｈ）

（参考例３）ＤＩＯＮ−２の合成２
上記参考例２において、ＤＮの代わりに２−トリメトキシシリルシクロヘキサジエンを等モル使用する以外は、同様にしてＤＩＯＮ−２（１０ｇ）が得られた。

（ＮＭＲ測定の結果）：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ１．８−２．２（ｍ，４Ｈ）、２．４５−２．６５（ｄ，４Ｈ）、２．７−２．９（ｓ，２Ｈ）

（参考例４）ＤＮＣＯの合成３
（ＤＮＣＯＯＢｚの合成）

シクロヘキサジエンＤＮ（４３ｇ）に、ＢｚＡＣＲ（大阪有機 ビスコート１６０）（２４ｇ）及びヒドロキシベンゾキノン（０．１ｇ）を添加後、窒素気流中に、１００℃にて２０時間反応させた。その後、シリカカラムにより精製を行い、ＤＮＣＯＯＢｚ ７４ｇ（純度９８％）（収率 ９０％）を得た。

（ＤＮＣＯＯＨの合成）

エタノールと水（重量比４：１）（１７５ｇ）に、ＤＮＣＯＯＢｚ（１７ｇ）及び水酸化ナトリウム（１４ｇ）を添加し、室温・窒素気流中に１２時間攪拌した。得られた反応液に１Ｎ炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌ及びジクロロメタン４０ｍｌを添加して分液し、水層を塩酸水溶液でｐＨ＝１となるよう酸性化した。その後、ジクロロエタンにて抽出し、硫酸ナトリウムにて乾燥した後、エバポレーションにて濃縮し、ＤＮＣＯＯＨ１１．２ｇ（純度９５％）（収率９０重量％）が得られた。

（ＤＮＣＯの合成）

−７８℃、窒素気流中に、攪拌しながら、テトラハイドロフラン（２０ｍｌ）の混合溶液中に、ＬｉＤＩＡＭＩＮ（１０．３６６ｇ）を添加した。１時間攪拌後、ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｏｒiｃ ｔｒiａｍiｄｅ（ＨＭＰＴ）（１ｍｌ）とテトラハイドロフラン（１０ｍｌ）との混合溶液を滴下し、更にＤＮＣＯＯＨ（０．９５１ｇ）を滴下した。次いで３時間放置した。
続いて、乾燥した空気をバブリングし、１晩放置した。その後、デカンデーションし、エヴァポレーションにより濃縮し、テトラハイドロフランと１０％ＨＣＬ溶液を添加し、分液した。テトラハイドロフラン溶液を抽出した後、硫酸マグネシウムにて乾燥させ、ジクロロメタン１０ｍｌを更に添加した。−７８℃、窒素気流中に、攪拌しながら、Ｎ，Ｎ−ｄiｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍiｄｅｄiｍｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｌ（２．３８３ｇ）を添加し、ゆっくりと室温に戻して１２時間攪拌を続けた。
得られた反応溶液に冷水５０ｍｌを添加した後、エーテル抽出を行い、更にエーテル溶液を水洗し、硫酸マグネシウムにて乾燥を行い、エヴァポレーターにて濃縮した。シリカゲルカラムにて精製を行い、０．４２ｇ、純度９０重量％のＤＮＣＯを得た。

（ＮＭＲ測定の結果）：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ）δ１．４５−２．１（ｍ，６Ｈ）、２．９−３．２（ｍ，２Ｈ）、６．１−６．５（ｍ，２Ｈ）

（合成例９）化合物ＤＮＯＴｆの合成

窒素気流中、−７８℃、攪拌下、ｍＤＮＣＯ (１．０ｇ)（アルドリッチ社製）とテトラハイドロフラン（２０ｍｌ）の混合溶液中に、ＬｉＤＩＡＭＩＮ(４．１５ｇ)を添加し、１時間攪拌後、Ｎ−（２−ｐｙｒｉｄｙｌ）ｔｒｉｆｌｉｍｉｄ（７．８８ｇ）を更に添加してから２日間、室温にて攪拌した。

その後、該反応溶液に冷水５０ｍｌを添加し、エーテル抽出を行い、さらにエーテル溶液を水洗、ＭｇＳＯ_４にて乾燥、エヴァポレーターにて濃縮、シリカゲルカラムにて精製し１．２ｇ、純度８０重量％のＤＮＯＴｆを得た。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物ＤＮＯＴｆ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ）δ１．３−１．９（ｍ，４Ｈ）、３．６−３．８（ｍ，２Ｈ）、６．０−６．５（ｍ，３Ｈ）

（合成例１０）アニリン誘導体１（ＡｃＮＨＰｈＤＮ）の合成

トルエン（６０ｍｌ）、エタノール（３０ｍｌ）の混合溶媒にｍＤＮＯＴｆ（３．４７ｇ）、ＡｃＮＨＰＨＢＯＨ（４．１８ｇ）を加え、４０分間窒素バブリングした。
該反応溶液に更に炭酸ナ トリウム水溶液（炭酸水素ナトリウム ６．６ｇを水３０ｍｌに溶解した後、３０分窒素 バブリング）を加えた。
続いて、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（Ｔｅｔｒａｋiｓ(ｔｒiｐｈｅｎｙｌ ｐｈｏｓｐｈiｎｅ)ｐａｌｌａｄiｕｍ(０)）０．３ｇを加え、反応溶液を２ 時間還流した。有機層を分離したのち、水にて２回洗浄を行った。有機層を減圧乾燥した後、カ ラムクロマトグラフィーにより精製し、ＡｃＮＨＰｈＤＮ（２．０９ｇ、収率：７０％）が得られた。

（示差走査熱量の測定）
示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製：ＤＳＣ６２２０）により観測した。熱脱離は、温度が１４３℃から効率よく起こることが確認された。

（合成例１０）アニリン誘導体２の合成

アセトアニリド誘導体１（１．２ｇ）のエタノール溶液（８０ｍｌ）に、水酸化カリウム水溶液（水酸化カリウム３３ｇ、水３３ｍｌ）を加えた後、８０℃で１２時間、加熱攪拌した。放冷後、トルエン（２００ｍｌ）、水（２００ｍｌ）を加え、目的物を有機層に抽出、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥、トルエンを減圧留去することにより、アニリン誘導体２（１．０ｇ）を得た。

（合成例１１）ポリマー３の合成

反応器に、アニリン誘導体２（１．０ｇ）、４，４’−ジブロモビフェニル（０．７９ｇ）及びｔｅｒｔ-ブトキシナトリウム（１．６６ｇ）、トルエン（１５ｍｌ）を加え、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ａ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．０５２ｇ）のトルエン３ｍｌ溶液に、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．０８１ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｂ）。窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、２時間加熱還流させた。

４，４’−ジブロモビフェニル（０．４０ｇ）を添加し、２時間加熱還流させた。
さらに、４，４’−ジブロモビフェニル（０．１６ｇ）を添加し、２時間加熱還流させた。
続いて、ブロモベンゼン（０．３１ｇ）を添加し、２時間加熱還流させた。続いて、ジフェニルアミン（０．８４ｇ）を添加し、２時間加熱還流させた。放冷後、反応液をエタノール３００ｍｌ中に滴下し、粗ポリマー３を析出させ、濾取、乾燥した。

粗ポリマー３をトルエンに再溶解させ、１Ｎ塩酸、水で洗浄後、トルエンを減圧留去、テトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解させ、エタノール／２８％アンモニア水（６０ｍｌ／６ｍｌ）混合液中に、再沈殿させた。濾取、乾燥後、粗ポリマー３をトルエン（１５０ｍｌ）に再溶解させ、カラムクロマトグラフィーによる精製の後、テトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に溶解させ、エタノール（８０ｍｌ）中に、再沈殿させた。濾取、乾燥後、ポリマー３（０．５１ｇ）を得た。尚、該ポリマー３の重量平均分子量、数平均分子量及び分散度を以下に示す。
重量平均分子量（Ｍｗ）＝８０００
数平均分子量（Ｍｎ）＝５４１０
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．４８

（実施例４）
（有機電界発光素子作製）
発光層の形成を以下に変更した以外は実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製した。
（発光層の形成）
重量比でＮｐＡＮＰｈＤＮを１００、前記式（ＸＸＩＶ）で表される化合物を１０、溶剤としてトルエンとシクロヘキシルベンゼンを８：２の重量比で混合した溶剤に溶解させ、濃度１．５ｗｔ％の発光層塗布液（Ｄ２）を調製した。発光層塗布液（Ｄ２）の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。
正孔輸送層（Ｂ１）上に、発光層塗布液（Ｄ２）を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。回転数は１２００ｒｐｍ、回転時間は６０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１８０℃１時間加熱し、ＮｐＡＮＰｈＤＮ−Ｈに変換し、発光層を形成した。スピンコート及び加熱は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。

（素子発光確認）
この素子に通電し、青色発光を確認した。

（実施例５）
（有機電界発光素子作製）
発光層の形成を以下に変更した以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製した。
（発光層の形成）
重量比でＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ−ＰｈＡＮＮｐを１００、前記式（ＸＸＩＶ）で表される化合物を１０、溶剤としてトルエンとシクロヘキシルベンゼンを８：２の重量比で混合した溶剤に溶解させ、濃度１．５ｗｔ％の発光層塗布液（Ｄ３）を調製した。発光層塗布液（Ｄ３）の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。
正孔輸送層（Ｂ１）上に、発光層塗布液（Ｄ３）を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。回転数は１２００ｒｐｍ、回転時間は６０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１８０℃１時間加熱し、ＮｐＡＮＰｈ−ＤＮ−ＰｈＡＮＮｐ−Ｈに変換し、発光層を形成した。スピンコート及び加熱は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。

（素子発光確認）
この素子に通電し、青色発光を確認した。

（実施例６）
（ポリマー３の有機溶剤に対する溶解性評価）
５ｍｌサンプル瓶２本に各々５ｍｇの化合物ポリマー３を添加し、一方のサンプル瓶を１８０℃１時間加熱処理を施した後、室温に戻した。次に両方の瓶にトルエン１ｇを添加した後、超音波攪拌機により、２分間攪拌処理を施したところ、未加熱の瓶のポリマー３は完全に溶解したが、加熱処理を施した瓶のポリマー３は９０％以上溶解できずに残留した。

（ポリマー３を用いた素子の評価）
先ず、ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜（三容真空社製、スパッタ成膜品）が、２ｍｍ幅のストライプ状にパターニングされている基板を、界面活性剤水溶液および超純水による洗浄を行った後、紫外線オゾン洗浄を行った。

（正孔注入層の形成）
下記式（１０１）で表わされるポリマー（重量平均分子質量６００００）１００重量部と、下記式（１０２）で表わされる化合物２０重量部を、安息香酸エチルに溶解し、濃度２重量％の正孔注入層用塗布液を調製した。

洗浄処理したＩＴＯ基板上に、上記正孔注入層用塗布溶液を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。スピンコートは気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、回転数は２０００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で８０℃１分間加熱乾燥した後、電極上の不要部分を拭き取り、オーブン大気中で２３０℃１時間ベークし、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
次に、正孔注入層上に正孔輸送層を形成した。
正孔注入層塗布基板を酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックスに入れ、正孔輸送層用塗布液を調製し、グローブボックス中にてスピンコート及びベーク工程も行った。

（正孔輸送層用塗布液の調製）
下記式（１０３）で表わされるポリマー（ポリマー３、重量平均分子質量８０００）を、トルエンに溶解させ、濃度０．５重量％の正孔輸送層用塗布液を調製した。

正孔注入層上に、上記正孔輸送層用塗布液を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、次いで、ホットプレート上で１８０℃１時間ベークし、膜厚２４ｎｍの正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
次に、正孔輸送層上に発光層を形成した。発光層用塗布液を調製し、スピンコート、ベークはすべて、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で大気暴露させずに行った。

（発光層塗布液の調製）
下記式（１０４）で表される化合物を１００重量部、下記式（１０５）で表される化合物１０重量部を、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、３．４重量％の溶液を調製し、発光層塗布液を調製した。

正孔輸送層上に、発光層塗布液を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。回転数は１２００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、ホットプレート上で１３０℃１０秒間プレ乾燥した後、電極上の不要部分を拭き取り、次いで、ホットプレート上で１３０℃１時間真空加熱して乾燥し、膜厚４５ｎｍの発光層を形成した。

この基板を一旦大気中に取り出し、速やかに真空蒸着装置のチャンバー内に設置した。チャンバーはロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。真空度は１．０×１０^−４Ｐａであった。基板には、所定の領域に、蒸着用マスクを配置し、チャンバーにはあらかじめ必要な蒸着材料をそれぞれ別の坩堝に入れて配置しておいた。

（正孔阻止層の形成）
下記式（１０６）で表される材料を入れた坩堝をヒーター線にて加熱し、発光層上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度０．７Å／ｓとし、正孔阻止層を膜厚１０ｎｍで形成した。

（電子輸送層の形成）
次に、下記式（１０７）で表される化合物を入れた坩堝をヒーター線にて加熱し、正孔阻止層の上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度１．０Å／ｓとし、電子輸送層を膜厚３０ｎｍで形成した。

（陰極の形成）
次に、基板を一旦大気中に取り出し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプと直交するように配置し、速やかに蒸着装置に設置した。
チャンバーはロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。真空度は３．０×１０^−４Ｐａであった。
陰極として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、電子輸送層の上に蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度は３．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度０．１Å／ｓとし、膜厚０．５ｎｍで成膜した。最後に、アルミニウムを入れたモリブデン製ボートを通電加熱して陰極を蒸着した。蒸着条件は、蒸着時の真空度は４．０×１０^−４Ｐａ、蒸着速度３．０Å／ｓとし、膜厚８０ｎｍ成膜した。

（封止）
次に、基板を一旦大気中に取り出し、速やかに窒素置換されたグローブボックスに移した。窒素置換されたグローブボックス中では封止ガラス板の凹部に吸湿剤シートを貼り付け、封止ガラス板の凹部の周囲にＵＶ硬化樹脂塗をディスペンサーにて塗布し、蒸着を行なった基板の蒸着領域を封止ガラス板で密封するように密着させ、ＵＶランプにてＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。
以上の様にして、有機電界発光素子を得た。

（素子評価）
この素子に通電したところ、均一な発光面の青色発光が得られた。
この素子を１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光させたときの電圧は７．２Ｖ、電流発光効率は、４．０ｃｄ／Ａであった。

（比較例１）
正孔輸送層を形成しなかった以外は実施例６と同様にして有機電界発光素子を作製し評価した。
（素子評価）
この素子に通電したところ、発光面の青色発光が得られたが、１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光させたときの電圧は１１．５Ｖと高く、又、電流発光効率は、０．５ｃｄ／Ａであった。
上記結果により、本発明の重合体を用いて形成された層を有する有機電界発光素子では電圧が低く、発光効率が高いことがわかった。

（実施例７）
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥し、ＵＶ／オゾンにて洗浄を行った。
次に、発光層を塗布成膜するための発光層形成用組成物（Ｅ１）を以下の様に調製した。
下記式（２０１）で表される化合物を１００重量部、緑色発光材料として下記式（２０２）で表される化合物を１重量部、赤色発光材料として下記式（２０３）で表される化合物を０．５重量部を、濃度２．０ｗｔ％で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用組成物（Ｅ１）を調製した。

基板上に、発光層形成用組成物（Ｅ１）を用いてスピンコートし、発光層（Ｅ１’）を形成した。スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は１２０秒にて行った。
塗布後、１６０℃にて、１時間加熱乾燥を行った。得られた膜を約２ｍｍ幅で掻き取り、膜厚計で膜厚Ｌ_０ （ｎｍ）を、テンコールＰ−１５（ケーエルエーテンコール社製）を用いて測定した。膜厚Ｌ_０は、２７０ｎｍであった。
膜厚Ｌ_０測定後の基板をスピナにセットし、１５００ｒｐｍにて回転させた。その後、膜厚測定した箇所に、シクロヘキサンを垂らし、１２０秒回転させた。続いて再び同じ箇所の膜厚Ｌ_１（ｎｍ）が、２６０ｎｍであることを確認した。
Ｌ_０及びＬ_１の測定結果を表６に示す。

（実施例８）
発光層形成用組成物（Ｅ１）を発光層形成用組成物（Ｆ１）に変更した他は、実施例７と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。

（発光層形成用組成物（Ｆ１）の調製）
式（２０１）で表される化合物を１００重量部、緑色発光材料として式（２０２）で表される化合物を４重量部、赤色発光材料として式（２０３）で表される化合物を１重量部を、濃度１．０ｗｔ％で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用組成物（Ｆ１）を調製した。
尚、Ｌ_０及びＬ_１の測定は、実施例７と同様にして行い、それぞれの結果を表６に示す。

（実施例９）
発光層形成用組成物（Ｅ１）を発光層形成用組成物（Ｇ１）に変更した他は、実施例７と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。

（発光層形成用組成物（Ｇ１）の調製）
式（２０１）で表される化合物を７５重量部、下記式（２０５）で表される化合物を２５重量部、緑色発光材料として式（２０２）で表される化合物を１重量部、赤発光材料として式（２０３）で表される化合物を０．５重量部を、濃度２．０ｗｔ％で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用組成物（Ｇ１）を調製した。
尚、Ｌ_０及びＬ_１の測定は、実施例７と同様にして行い、それぞれの結果を表６に示す。

（実施例１０）
発光層形成用組成物（Ｅ１）を発光層形成用組成物（Ｈ１）に変更した他は、実施例７と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。

（発光層形成用組成物（Ｈ１）の調製）
式（２０１）で表される化合物を１００重量部、緑色発光材料として式（２０２）で表される化合物を５重量部を、濃度１．０ｗｔ％で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用組成物（Ｈ１）を調製した。
尚、Ｌ_０及びＬ_１の測定は、実施例７と同様にして行い、それぞれの結果を表６に示す。

（実施例１１）
（多色発光層積層タイプ有機電界発光素子の作成）
先ず、ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜（三容真空社製、スパッタ成膜品）が、２ｍｍ幅のストライプ状にパターニングされている基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄を行った後、窒素ブローで乾燥させ、最後、紫外線オゾンにて洗浄を行った。

（正孔注入層の形成）
前記実施例６と同様にして正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
次に、下記式（１０８）で表わされる繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量５５０００）１．４重量部を、濃度１．４重量％で溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解し、正孔輸送層用塗布液を作製した。

正孔注入層を塗布した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層用塗布液を用いてスピンコート法にて正孔輸送層を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークし、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

（発光層（Ｅ１’）の形成）
実施例７で調製した発光層形成用組成物（Ｅ１）を用い、実施例７と同様の成膜条件で、正孔輸送層上にスピンコートを行い、発光層（Ｅ１’）を膜厚２７０ｎｍで得た。

（発光層（Ｊ２’）の形成）
発光層（Ｊ２’）を塗布成膜するための発光層形成用組成物（Ｊ２）を調製した。
下記式（１０９）（前記化合物ＮｐＡＮＤＮ）で表される化合物を１００重量部、青色発光材料として下記式（１１０）で表される化合物を１０重量部を、溶剤としてシクロヘキサンに溶解させ、濃度１．０ｗｔ％の発光層形成用組成物（Ｊ２）を調製した。

発光層（Ｅ１’）上に、発光層形成用組成物（Ｊ２’）を用いてスピンコートした。
スピンコートの回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。スピンコート後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１４０℃１時間加熱し、乾燥するとともに、式（１０９）で表される化合物を下記式（１０９−１）で表される化合物に変換し、膜厚５０ｎｍの発光層（Ｊ２’）を形成した。

（正孔阻止層及び電子輸送層の形成）
前記実施例６と同様にして正孔阻止層及び電子輸送層を形成した。

（陰極の形成及び封止）
前記実施例６と同様にして陰極を形成し、封止を行った。
（素子発光確認）
得られた素子に電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で通電したところ、発光層（Ｅ１’）からは、緑成分及び赤成分の発光を、発光層（Ｊ２’）からは、青成分の発光を確認した。
この発光の色度、及び発光スペクトルを最大発光強度のピーク強度で規格化した場合の青成分、緑成分、赤成分の発光強度を表７に示す。

（実施例１２）
実施例１１で用いた発光層形成用組成物（Ｅ１）を、実施例８で用いた発光層形成用組成物（Ｆ１）に変更した他は、実施例１１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
（素子発光確認）
得られた素子を実施例１１と同様にし発光させた結果を表７に示す。

（実施例１３）
実施例１１で用いた発光層形成用組成物（Ｅ１）を、実施例９で用いた発光層形成用組成物（Ｇ１）に変更した他は、実施例１１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
（素子発光確認）
得られた素子を実施例１１と同様にし発光させた結果を表７に示す。

（実施例１４）
実施例１１で用いた発光層形成用組成物（Ｅ１）を、実施例１０で用いた発光層形成用組成物（Ｈ１）に変更した他は、実施例１１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
（素子発光確認）
得られた素子を実施例１１と同様にし発光させた結果を表７に示す。

実施例１１〜１４の各素子において、各成分の波長は、明らかに極大成分であるもの以外は、次の波長とした。
青成分：４７５ｎｍ
緑成分：５０９ｎｍ
赤成分：６２０ｎｍ

表７により、各素子とも発光層中の、緑色発光材料、赤色発光材料（但し、実施例１４では赤成分を使用していない）、及び青色発光材料の全てが発光していることが確認された。
本発明の化合物を２層目の発光層に適用することにより、その層の溶解性を著しく向上させ、１層目の発光層に対する貧溶媒を、２層目の発光層の塗布溶媒に使用することが可能となり、２種の発光層が塗布により積層される有機電界発光素子が得られた。

（実施例１５）
（燐光有機電界発光素子の作成）

（基板、正孔注入層、及び正孔輸送層の形成）
前記実施例６と同様にして基板上に、正孔注入層、及び正孔輸送層を形成した。
（発光層の形成）
前記合成例７にて得られた化合物ＣｚＰｈＤＮＰｈＣｚを１００重量部、下記式（３０１）で表される緑色発光化合物を１．０重量部を、濃度３．０ｗｔ％で溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、発光層形成用組成物を調製した。

正孔輸送層上に、得られた発光層形成用組成物をスピンコートにて塗布した。スピンコートの回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。スピンコート後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で真空に引いて、脱離基がシクロヘキサジエン環から脱離させるために１６０℃１時間加熱乾燥し、膜厚４９ｎｍの発光層を形成した。

（正孔阻止層及び電子輸送層の形成）
前記実施例６と同様にして正孔阻止層及び電子輸送層を形成した。

（陰極の形成及び封止）
前記実施例６と同様にして陰極を形成し、封止を行った。

（素子発光確認）
得られた素子に通電し、青色発光を確認した。

（比較例２）
実施例６において、正孔輸送層中の式（１０３）で表わされるポリマーを下記式で表わされる繰り返し単位を有するポリマー（重量平均分子量４５０００）に変更した以外は、同様にして有機電界発光素子を形成させた。実施例６と同様にして電圧を印加したところ、発光が見られなかった。

（比較例３）
（有機電界発光素子作製）
発光層の形成を以下に変更した以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製した。下記式（ＱＱ１）で表される化合物１００重量部及び下記式（ＱＱ２）で表わされる化合物１０重量部を、トルエンに溶解させ、０．８重量％の溶液を調製した。この溶液を、０．２μｍ のＰＴＦＥフィルターで濾過し、発光層塗布液（ＱＤ１）を調製した。発光層塗布液（ＱＤ１ ）の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った 。

（発光層の形成）
正孔輸送層上に、発光層塗布液（ＱＤ１）を用いてスピンコート法にて発光層を形成した 。スピンコートは、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボック ス中で行い、回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１８０℃１時間加熱し、膜厚６５ｎｍの発光層を形成した。

（素子発光確認）
上記得られた有機電界発光素子に通電したが、ＱＱ２の脱離基が脱離して得られた青蛍光化合物（ＱＱ３）からの青色発光を確認することが出来なかった。

（参考例１００）

ＤＮＣＰの脱離基が脱離して形成されるＬｕｍiｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ.社製１，３−ビス（Ｎ-カルバゾイル）ベンゼン（ＭＣＰ）（８ｍｇ）に室温にてトルエン（７０ｍｇ）を添加し、５分間攪拌した後、１時間放置した。ＭＣＰはトルエンに完全に溶解されたことが確認できた。

本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２００９年１０月３０日出願の日本特許出願（特願２００９−２５１０９６）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０ 正孔取出し層
１１ 光電変換層
１２ 電子取出し層

Claims (10)

1. 下記一般式（Ｖ）で表され、分子量が４００以上である化合物からなる電子デバイス材料。
   

   

   
   
   （上記一般式（Ｖ）中、Ｒ ^２１ 及びＲ ^２２ は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ _２ −ＣＨ _２ −で表される基を表し、Ａｒ ^ｂ は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｄは１〜３の整数を表す。
   １分子内に複数のＡｒ ^ｂ が含まれる場合は、同じでもよく、異なっていてもよい。
   尚、上記一般式（Ｖ）中の、その環構造にＲ ^２１ 及びＲ ^２２ を含まないシクロヘキサジエン環は、Ｒ ^２１ 、Ｒ ^２２ 及びＡｒ ^ｂ 以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）
2. 下記一般式（ＩＶ−１）又は（ＩＶ−２）で表される２価の基を、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位中のＡｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１４の少なくとも一つとして有する重合体。
   

   

   
   
   （上記一般式（ＩＶ−１）及び（ＩＶ−２）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を表し、
   Ａｒ^ａは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｍ^１は、１〜４の整数を表す。
   Ｒ^１３は、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
   ｎ^１は０〜３の整数を表し、ｎ^２〜ｎ^４は、各々独立に、０〜５の整数を表す。
   又、Ｘ^１１〜Ｘ^１３は、置換基を有していてもよい炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜５０の芳香族複素環基を表す。
   １分子内に複数のＡｒ^ａ、Ｒ^１１〜Ｒ^１３、及びＸ^１１〜Ｘ^１３が含まれる場合は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
   尚、一般式（ＩＶ−１）及び（ＩＶ−２）中の、その環構造にＲ^１１及びＲ^１２を含まないシクロヘキサジエン環は、Ａｒ^ａ、Ｒ^１１〜Ｒ^１３及びＸ^１１〜Ｘ^１３以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）
   

   

   
   
   （上記一般式（ＩＶ）中、ｐは０〜３の整数を表し、Ａｒ^１１、及びＡｒ^１２は、各々独立して、直接結合、又は置換基を有していてもよい芳香族環基を表し、
   Ａｒ^１３〜Ａｒ^１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族環基を表す。
   但し、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２のいずれもが、直接結合であることはない。
   また、Ａｒ ^１１ 、Ａｒ ^１２ 及びＡｒ ^１４ の少なくとも一つは、上記一般式（ＩＶ−１）又は（ＩＶ−２）で表される２価の基を表す。）
3. 下記一般式（ＩＶ−３）で表される１価の基を、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位中のＡｒ^１３及びＡｒ^１５の少なくとも一つとして有する重合体。
   

   

   
   
   （上記一般式（ＩＶ−３）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、互いに結合して、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−で表される基を表し、
   Ａｒ^ａは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、ｍ^１は、１〜４の整数を表す。
   Ｒ^１３は、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
   ｎ^１は０〜３の整数を表し、ｎ^５は、０〜５の整数を表す。
   又、Ｘ^１４は、置換基を有していてもよい炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜５０の芳香族複素環基を表す。
   １分子内に複数のＡｒ^ａ、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＸ^１４が含まれる場合は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
   尚、一般式（ＩＶ−３）中の、その環構造にＲ^１１及びＲ^１２を含まないシクロヘキサジエン環は、Ａｒ^ａ、Ｒ^１１〜Ｒ^１３及びＸ^１４以外に置換基を有していてもよいが、これら置換基のいずれかによって、該シクロヘキサジエン環に縮合する環構造が形成されることはない。）
   

   

   
   
   （上記一般式（ＩＶ）中、ｐは０〜３の整数を表し、Ａｒ^１１、及びＡｒ^１２は、各々独立して、直接結合、又は置換基を有していてもよい芳香族環基を表し、
   Ａｒ^１３〜Ａｒ^１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族環基を表す。
   但し、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２のいずれもが、直接結合であることはない。
   また、Ａｒ ^１３ 及びＡｒ ^１５ の少なくとも一つは、上記一般式（ＩＶ−３）で表される１価の基を表す。）
4. 請求項２又は３に記載の重合体からなる電子デバイス材料。
5. 請求項１又は４に記載の電子デバイス材料、及び溶剤を含有する電子デバイス用組成物。
6. 陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が請求項５に記載の電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜法にて形成される有機電界発光素子。
7. 前記有機層が、発光層である請求項６に記載の有機電界発光素子。
8. 陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機太陽電池素子であって、該有機層が請求項５に記載の電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜法にて形成される有機太陽電池素子。
9. 請求項６又は７に記載の有機電界発光素子を有する表示装置。
10. 請求項６又は７に記載の有機電界発光素子を有する照明装置。

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