JP5857548B2 - 薄膜製造方法、電気機械変換素子の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
また本発明は、前述の如く直接的には印刷分野、特にデジタル印刷分野に用いられる液滴吐出装置を具備したインクジェット記録装置に利用できると共に、インクジェット技術を利用する三次元造型技術などに応用可能である。
各圧力室には、インク吐出の圧力を発生させるための個別の圧電素子が配置されてなる。
圧電素子は電気的入力を機械的な変形に変換するもので、構成は電気的入力を実行する上部、下部の電極対とその間に圧電体などの薄膜が挟まれた積層構造をもつ。薄膜構造である圧電体はジルコン酸チタン酸鉛(PZT)セラミックスなどが用いられ、これらは複数の金属酸化物を主成分としているため一般に金属複合酸化物と称される。
しかしながら、特許文献1に自己組織化単分子膜を完全に除去することでコーヒーステインが生じるという問題については何ら着目しておらず、この問題は依然解消できていない。
また、上記課題を解決するための本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、第1の電極と、該第1の電極に対向してなる第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極に挟持されてなる電気機械変換膜と、を備える電気機械変換素子の製造方法であって、前記電気機械変換膜は、上記の薄膜製造方法により製造されてなり、前記第1の電極は、上記の基板であることを特徴とする。
さらに、上記課題を解決するための本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法は、電気機械変換素子、圧力室及びノズル板を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、前記電気機械変換素子は、上記の電気機械変換素子の製造方法により製造されたことを特徴とする。
次に、本発明に係る薄膜製造方法、並びに電気機械変換素子、該電気機械変換素子を備えた液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置についてさらに詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
本発明は液体吐出ヘッド及びそれを使用した画像形成装置をも対象としている。上記の画像形成装置は一般的にはインクジェット記録装置と呼ばれているもので、以下にインクジェット記録装置について説明する。
電気機械変換素子40は、一対の下部電極42及び上部電極44が対向して設けられてなり、この一対の下部電極42及び上部電極44に圧電体層(電気機械変換膜)43が挟持された積層構造を有してなる。そしてこの電気機械変換素子40は、電極42,44に印加される電気的なエネルギーを機械的なエネルギー(変形)に変換するものである。
圧電体層43は、金属の複合酸化物からなる。
先ず、圧電体層43のゾルゲル法による圧電体層の形成について説明する。
圧電体層がPZTの場合(非特許文献1に示されている、ゾルゲル法による金属複合酸化物の薄膜形成に関する技術を参照:K.D.Budd,S.K.Dey,D.A.Payne,Proc.Brit.Ceram.Soc.36,107(1985))、酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得る。この均一溶液をPZT前駆体溶液(機能性インク、強誘電体の前駆体インク)と呼ぶ。
酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物の出発材料は、この化学式に従って秤量される。
液体噴射装置の圧電素子として用いる場合、このPZT膜の膜厚は1μm〜2μmが要求される。したがって、前述の方法でこの膜厚を得るには十数回、工程を繰り返す。
(非特許文献2に示されている、Au膜上にアルカンチオールが自己組織化単分子膜(SAM:Self Assembled Mon-layer)として形成できる現象、そしてこの現象を用いたマイクロコンタクトプリント法でSAMパターンを転写し、その後のエッチングなどのプロセスに利用している技術を参照:A.Kumar and G.M.Whitesides,Appl.Phys.Lett.,63,2002(1993)。また、非特許文献3に示されている、Au基板上にアルカンチオールやデカンチオール、MHDAなどを塗布してSAM膜を形成し、半導体レーザを用いてスキャンさせることにより、SAM膜の除去する技術を参照:Daniel Rhinow and Norert A Hampp, IEEE Transactions on nanobioscience 5,No.3(2006)。)
また、本発明では通常のゾルゲルプロセスに従ってPZT前駆体の熱処理を行うことに代えてレーザ照射またはランプにてPZT前駆体の熱処理を行うことが好ましいが、以下においては通常のゾルゲルプロセスに従ってPZT前駆体の熱処理を行う例(従来例)を説明する。レーザ照射またはランプにてPZT前駆体の熱処理を行う詳細については実施例において後述する。
次いで、公知のフォトリソグラフィー・エッチングにより、このSAM膜をパターニングする。このとき、レジスト剥離後も、パターン化SAM膜は残っているので、この部位は疎水性であり、SAMを除去した部位は白金表面なので親水性である。
そして、この表面エネルギーのコントラストを利用してPZT前駆体液の塗り分けをする。このとき、コントラストの程度にもよるが、PZT前駆体はスピンコート法で全面塗布してもパターン状に塗り分けられる場合もある。また、ドクターブレード塗工でも良く、ディップコートでも良く、PZT前駆体溶液の消費量を低減したい場合はインクジェット塗工でも良い。さらに同様に凸版印刷でも良い。
基板1の最表面はいうまでもなく、チオールとの反応性に優れた白金として説明する。
アルカンチオールは分子鎖長により反応性や疎水(撥水)性が異なるものの、炭素数C6からC18の分子を一般的な有機溶媒(アルコール、アセトン、トルエンなど)に溶解させる。このとき、アルカンチオールの濃度数は有機溶媒により2〜3モル/l程度に希釈して用いることが好ましいが、所望の膜厚、特性等に応じて適宜濃度を変更することを妨げるものではない。
この溶液中に基板1を浸漬させ、所定時間後に取り出した後、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥することで白金表面にSAM膜2形成できる(図2中のB、B’’)。
図2中のCは、フォトリソグラフィーによりフォトレジスト3をパターン形成し、ドライエッチングによりSAM膜2を除去し、加工に用いたレジストを除去してSAM膜2のパターニングを終える(図2中のD)。
B’は先にフォトレジスト3のパターンを形成し、SAM処理を行う。処理後の状態は、フォトレジスト3上にはSAM膜2は形成されず(図2中のC’)、レジストを除去すればSAM膜2のパターニングを終える。
B’’は先述のBと同じ工程を経て形成し、フォトマスク3を介して紫外線を照射することで未露光部にはSAM膜2が残り、露光部にはSAM膜2が消失する。
以上の結果、基板1上の所望の位置にSAM膜2が形成される(図2及び図3中のD)。
SAM処理後の疎水性は接触角測定を行い、SAM膜上での水の接触角は92.2°であった。一方、SAM処理前の白金スパッタ膜の水の接触角は5°以下(完全濡れ)であり、SAM膜処理がなされたことがわかる。
東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、酸素プラズマ処理を行い露出部のSAM膜を除去した。処理後の残渣レジストはアセトンにて溶解除去し、同様の接触角評価を行ったところ、除去部では5°以下(完全濡れ)、レジストでカバーされていた部位のそれは92.4°の値を示し、SAM膜のパターン化がなされたことを確認した。
SAM膜は酸化物薄膜上には形成されないため、第1の処理によりPZT膜の無い(露出している)白金膜上のみにSAM膜が形成される。
従って、第1のパターン形成した試料にSAM処理を行い所望の位置にSAM膜2が形成された後(図3中のD’)、PZT前駆体液の塗り分け塗工を行い(図3中のE’)、熱処理を施す(図3中のF’)。
この操作を所望の膜厚になるまで繰り返すことで、所望の位置に所望の膜厚のPZTを形成することができる。なお、この方法によるパターン化はセラミックス膜厚が5μmの厚さまで好適に形成することができる。
従来のSAM膜のパターン化とこれを利用した機能性色材(カラーフィルター、ポリマー有機EL、ナノメタル配線)のパターニングは1回のSAM処理と引き続き行われる機能性色材の配置で完了していたが、ゾルゲル法では一度に成膜出来る膜厚が少ないので、複数回繰り返す必要がある。ところが、毎回、フォトリソグラフィー・エッチングによるパターン化SAM膜の形成は工程が煩雑になる。
そこで、本発明では特にSAM膜が形成されない酸化物薄膜と、SAM膜が形成可能な(電気機械変換素子の構成要素である)下部電極と、を組み合せることで、煩雑な工程無しに厚膜化を初めて実現できたものである。
下部電極42として用いられる材料は耐熱性かつアルカンチオールとの反応によりSAM膜を形成する金属が選ばれる。しかしながら、銅や銀はSAM膜を形成するが大気下中、500℃以上の熱処理により変質してしまうので用いることは出来ない。さらに、金は両条件を満たすものの、積層するPZT膜の結晶化に不利に働くので使えない。
そこで、下部電極に用いられる材料としては、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、の単金属や白金−ロジウムなどの白金を主成分とした他の白金族元素との合金材料もしくは白金族元素の酸化物、またはこれら数種の積層膜も有効である。
上部電極44は、厚さが例えば0.1μm程度の白金等によって形成されたものである。圧電体層と上部電極とは、下部電極と異なり、圧電体素子毎に独立して島状に形成されている。このような構成のもとに圧電体素子は、それぞれ独立して駆動するようになっている。
シリコン基板上に配置する振動板30は厚さ数ミクロンで、シリコン酸化膜や窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、およびこれら各膜を積層した膜でも良い。また熱膨張差を考慮した酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜などのセラミック膜でも良い。
これら材料は絶縁体である。下部電極42は圧電素子に信号入力する際の共通電極として電気的接続をするので、その下にある振動板30は絶縁体か、もしくは導体であれば絶縁処理を施して用いることになる。
シリコン系絶縁膜は熱酸化膜、CVD堆積膜を用い、金属酸化膜はスパッタリング法で成膜することが出来る。
これら振動板30上に白金族下部電極42を配置する場合、膜密着力を強めるための密着層41が必要となる。密着層41として可能な材料はチタン、タンタル、酸化チタン、酸化タンタル、窒化チタン、窒化タンタルやこれら積層膜が有効である。
圧力室21は、ノズル11が連通してなり、圧力室基板20(側面を構成)、ノズル板10(下面を構成)、振動板30(上面を構成)で区画されてなる。そして、振動板30を介して圧力室21内の液体を加圧するための積層型圧電体層43が設けられる。
圧力室基板20はシリコンウェハなどで構成され、従来技術であるエッチングなどの工法で形成される。
ノズル11はノズル板10に直線状に2列に並べて形成されている。このノズル板10は例えばNi電鋳などで形成したものを用いているが、これに限るものではない。
図5はインクジェット塗布装置を説明するための斜視図である。図5において架台200の上に、Y軸駆動手段201が設置してありその上に基板202を搭載するステージ203がY軸方向に駆動できるように設置されている。なおステージ203には図示されていない真空、静電気などの吸着手段が付随しており基板202が固定されている。
またX軸支持部材204にはX軸駆動手段205が取り付けられており、これにZ軸駆動手段211上に搭載されたヘッドベース206が取り付けられており、X軸方向に移動できるようになっている。ヘッドベース206の上にはインクを吐出させるインクジェットヘッド208が搭載されている。このインクジェットヘッドには図示されていない各インクタンクから各々着色樹脂インク供給用パイプ210からインクが供給される。
そして、インクジェットヘッド208から吐出されたインクを、レーザヘッド212を用いて加熱、結晶化できる。さらに、このレーザヘッド212はSAM膜の除去工程においても使用される。このとき、電極材料または前駆体インクの液滴の吐出量を調整することで所望の機能性薄膜の形状と膜厚とを得ることができる。
上記において、SAM膜のパターニングは公知のフォトリソ・エッチング法を紹介したが、本実施例ではこれに代わりレーザ照射にてSAM膜を除去することを特徴とする。
照射領域のSAM膜を均一に除去するために、レーザ光源のビームプロファイルはトップハットであることが好ましい。また、Ptの光吸収率やSAM膜の炭素の結合を切るために、光源の波長が紫外であることが好ましい。
このうち、パワー40%と30%で直線に照射した領域に対して、PZTの前駆体溶液をインクジェット法にて塗布し乾燥を行ったところ、パワー40%と30%で照射した基板上のPZTの断面図はそれぞれ図7、図8のようになった。図7に示すパワー40%の場合では照射領域のすべてSAM膜が除去されたことにより接触角が小さくなり、コーヒーステインが生じている。図8に示すパワー30%の場合では部分的にSAM膜が残っており、接触角は比較的大きかったため、結果としてPZT膜厚はほぼ均一に形成されている。
実施例1ではレーザを用いてSAM膜の部分的除去を紹介したが、他にもマスクやフォトレジストなどを用いてプラズマや、紫外線やランプ(エキシマランプ、低圧水銀ランプなど)によるSAM膜の部分的除去(準親水部形成)が考えられる。ここでは、酸素プラズマを用いた例を示す。
シリコンウェハに熱酸化膜(膜厚1ミクロン)を形成し、密着層としてチタン膜(膜厚50nm)をスパッタ成膜した。引き続き下部電極として白金膜(膜厚200nm)スパッタ成膜した。
図5のインクジェット装置を用いてインクジェット法により、繰り返し同じ場所に液滴を吐出、レーザ照射することで重ね塗りを行うことができた。
先記工程を15回繰り返し500nmの膜を得た。このとき作製された膜にクラックなどの不良は生じなかった。
さらに15回のPZT前駆体の選択塗布及びしかる後のレーザ照射を行い、結晶化処理をした。膜にクラックなどの不良は生じなかった。膜厚は1000nmに達した。
膜の比誘電率は1220、誘電損失は0.02、残留分極は19.3μC/cm2、抗電界は36.5kV/cmであり、通常のセラミック焼結体と同等の特性を持つ(P−Eヒステリシス曲線は図10に示す。)。
電極膜として白金やSrRuO3やLaNiO3などの酸化物を溶媒に溶かし、図5のインクジェット装置を用いてインクジェット法で塗布、レーザ照射することで圧電体層と同様に電極膜も形成することができる。しかし、SAM膜の形成材料として、上記ではアルカンチオールを用いていたが、SiO2などの酸化物上にSAM膜を形成させる場合には、シランカップリング剤を用いなければならない。
ここからは圧電体の場合と同様に、フォトリソ・エッチングやレーザなどを用いてSAM膜をパターニングし、親液部に図5のインクジェット装置を用いてインクジェット法にて電極を塗布し、加熱して結晶化を繰り返すことで電極膜(下部電極及び上部電極)を形成した。
図1に1ノズルの液体吐出ヘッド構成を示す。また図11にこれらを複数個配置したものを示す。本発明によれば、図1及び図11中に示す電気機械変換素子40が簡便な製造工程で(かつバルクセラミックスと同等の性能を持つように)形成でき、その後の圧力室形成のための裏面からのエッチング除去、ノズル孔を有するノズル板を接合することで液体吐出ヘッドができる。
なお、図1及び図11中には液体供給手段、流路、流体抵抗についての記述は略した。
次に、本発明に係るインクジェットヘッド(液体吐出ヘッド)を搭載したインクジェット記録装置の一例について図12及び図13を参照して説明する。なお、図12はインクジェット記録装置の斜視説明図、図13はインクジェット記録装置の機構部の側面説明図である。
2:SAM膜
3:フォトレジスト
4:疎水部
5:親水部
10:ノズル板
11:ノズル
20:圧力室基板
21:圧力室
30振動板
40:電気機械変換素子
41:密着層
42:下部電極
43:電気機械変換膜
44:上部電極
81:装置本体
82:印字機構部82
83:用紙
84:給紙カセット
85:手差しトレイ
86:排紙トレイ
91:主ガイドロッド
92:従ガイドロッド
93:キャリッジ
94:ヘッド
95:インクカートリッジ
97:主走査モータ
98:駆動プーリ
99:従動プーリ
100:タイミングベルト
101:給紙ローラ
102:フリクションパッド
103:ガイド部材
104:搬送ローラ
105:搬送コロ
106:先端コロ
107:副走査モータ
109:印写受け部材
111:搬送コロ
112:拍車
113:排紙ローラ
114:拍車
115,116:ガイド部材
117:回復装置
200:架台
201:Y軸駆動手段
202:基板
203:ステージ
204:X軸支持部材
205:X軸駆動手段
206:ヘッドベース
208:インクジェットヘッド
210:供給用パイプ
212:レーザヘッド
Claims (11)
- 基板上に、機能性インクが結晶化されてなる薄膜を形成する薄膜製造方法であって、
前記基板上に撥液膜を形成する撥液膜形成工程と、
レーザ光源、ランプ及びプラズマから選ばれるいずれか1により前記撥液膜の一部を除去して準親水部となる所望の形状の撥液膜除去部位を形成する撥液膜除去工程と、
前記基板上における前記撥液膜除去部位にゾルゲル法により前記機能性インクを付与する機能性インク付与工程と、を備え、
前記準親水部は、前記撥液膜の厚さ方向の一部のみが除去された領域、または、前記撥液膜の密度が平面的に減少している領域であることを特徴とする薄膜製造方法。 - 前記レーザ光源が発するレーザ光は、ビームプロファイルがトップハットであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記レーザ光源及びランプの波長は、紫外であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記機能性インク付与工程は、前記基板上に前記機能性インクをインクジェット法により吐出して当該基板上に付与することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 前記機能性インクは、電極材料であり、
前記機能性インク付与工程は、液滴の吐出量を調整することで所望の機能性薄膜の形状と膜厚とを得ることを特徴とする請求項4に記載の薄膜製造方法。 - 前記機能性インクは、強誘電体の前駆体インクであり、
前記機能性インク付与工程は、液滴の吐出量を調整することで所望の機能性薄膜の形状と膜厚とを得ることを特徴とする請求項4に記載の薄膜製造方法。 - 前記機能性インクをレーザ光源またはランプにより加熱して結晶化させて所望の形状の機能性薄膜を形成する機能性インク加熱・結晶化工程を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 第1の電極と、該第1の電極に対向してなる第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極に挟持されてなる電気機械変換膜と、を備える電気機械変換素子の製造方法であって、
前記電気機械変換膜は、請求項1乃至7のいずれかに記載の薄膜製造方法により製造されてなり、
前記第1の電極は、請求項1乃至7のいずれかに記載の基板であることを特徴とする電気機械変換素子の製造方法。 - 前記第2の電極は、インクジェット方式で形成されてなることを特徴とする請求項8に記載の電気機械変換素子の製造方法。
- 前記電気機械変換膜は、金属の複合酸化物からなり、
前記第1の電極及び第2の電極はそれぞれ、白金族元素若しくは白金族元素の酸化物、またはこれら数種の積層膜からなる電極から構成されてなることを特徴とする請求項8または9に記載の電気機械変換素子の製造方法。 - 電気機械変換素子、圧力室及びノズル板を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記電気機械変換素子は、請求項8乃至10のいずれかに記載の電気機械変換素子の製造方法により製造されたことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
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