JP5855342B2 - 選択的プリチャージを使用したメモリ読取り安定性の改善 - Google Patents
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Description
本出願は、2007年12月15日に出願された米国仮出願第61/014,038号の利益を主張する。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] 第1のセクションと第2のセクションとを有する第1のビット線と、
前記第1のセクションと前記第2のセクションとに選択的に結合された電荷共有回路と
を備えるメモリデバイスであって、前記電荷共有回路が、前記第1のセクションを前記第2のセクションに結合および分離するように構成された、メモリデバイス。
[2] 前記第1のビット線の前記第1のセクションが第1の電圧にプリチャージされ、前記第1のビット線の前記第2のセクションが、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧にプリチャージされる、[1]に記載のメモリデバイス。
[3] 前記第1のビット線の前記第1のセクションが接地にプリチャージされ、前記第1のビット線の前記第2のセクションが供給電圧にプリチャージされる、[2]に記載のメモリデバイス。
[4] 第1のセクションと第2のセクションとを有する第2のビット線をさらに備え、前記第2のビット線の前記第1のセクションと、前記第2のビット線の前記第2のセクションとが、前記第1の電圧にプリチャージされる、[2]に記載のメモリデバイス。
[5] プリチャージ回路がアクティブでなく、mux信号が電荷共有を示すとき、前記電荷共有回路を活動化するように構成された電荷共有対応回路をさらに備える、[1]に記載のメモリデバイス。
[6] 前記第1のビット線の前記第1のセクションに結合されたビットセルをさらに備える、[1]に記載のメモリデバイス。
[7] 第1のセクションと第2のセクションとを有する逆ビット線をさらに備え、前記電荷共有回路が、前記逆ビット線の前記第1のセクションと前記逆ビット線の前記第2のセクションとに選択的に結合され、前記逆ビット線の前記第1のセクションを前記逆ビット線の前記第2のセクションに結合および分離するように構成された、[1]に記載のメモリデバイス。
[8] 前記メモリデバイスがマイクロプロセッサに結合された、[1]に記載のメモリデバイス。
[9] 前記メモリデバイスと前記マイクロプロセッサとが通信デバイスに一体化された、[8]に記載のメモリデバイス。
[10] 第1のセクションと第2のセクションとを含むビット線を有するメモリデバイスを動作させる方法であって、
前記ビット線の前記第1のセクションを第1の電圧にプリチャージすることと、
前記ビット線の前記第2のセクションを、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧にプリチャージすることと、
前記第1の電圧と前記第2の電圧との間の最終電圧を得るために、前記ビット線の前記第1のセクションと前記ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有することと
を備える、方法。
[11] 少なくとも部分的に、前記ビット線の前記第1のセクションの容量と前記ビット線の前記第2のセクションの容量とによって前記最終電圧が決定される、[10]に記載の方法。
[12] 前記第1のセクションをプリチャージすることが、前記ビット線の前記第1のセクションを供給電圧にプリチャージすることを備え、前記第2のセクションをプリチャージすることが、前記ビット線の前記第2のセクションを接地電圧にプリチャージすることを備える、[10]に記載の方法。
[13] 第2のビット線の第1のセクションと第2のビット線の第2のセクションとを前記第1の電圧にプリチャージすること
をさらに備える、[10]に記載の方法。
[14] プリチャージ回路がアクティブでないとき、mux状態信号に従って電荷を共有することが行われる、[10]に記載の方法。
[15] 通信に関係するデータをメモリデバイスに記憶すること
をさらに備える、[10]に記載の方法。
[16] ビット線の第1のセクションを第1の電圧にプリチャージするための手段と、
前記ビット線の第2のセクションを第2の電圧にプリチャージするための手段と、
前記ビット線の前記第1のセクションと、前記ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有するための手段と
を備える、メモリデバイス。
[17] 前記第1の電圧が供給電圧である、[16]に記載のメモリデバイス。
[18] 前記第2の電圧が接地である、[16]に記載のメモリデバイス。
[19] 前記メモリデバイスがセルラー電話に組み込まれる、[16]に記載のメモリデバイス。
[20] 第1のセクションと第2のセクションとを含むビット線を有するメモリデバイスを動作させる方法であって、
ビット線の第1のセクションを第1の電圧にプリチャージするステップと、
前記ビット線の前記第2のセクションを、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧にプリチャージするステップと、
前記第1の電圧と第2の電圧との間の電圧レベルを得るために、前記ビット線の前記第1のセクションと前記ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有するステップと
を備える、方法。
[21] 第2のビット線の第1のセクションを前記第1の電圧にプリチャージし、前記第2のビット線の第2のセクションを前記第1の電圧にプリチャージするステップをさらに備える、[18]に記載の方法。
[22] 逆ビット線の第1のセクションと、前記逆ビット線の第2のセクションとをプリチャージし、前記逆ビット線の前記第1のセクションと前記逆ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有するステップをさらに備える、[18]に記載の方法。
[23] 通信リンクを介して受信したデータを前記メモリデバイスに記憶すること
をさらに備える、[16]に記載の方法。
[24] コンピュータ可読媒体上に有形に実現されたメモリ設計構造であって、
第1のセクションと第2のセクションとを有する第1のビット線と、
前記第1のセクションと前記第2のセクションとに選択的に結合された電荷共有回路と
を備え、前記電荷共有回路が、前記第1のセクションを前記第2のセクションに結合および分離するように構成された、メモリ設計構造。
[25] 前記第1のビット線と前記電荷共有回路とに結合されたマクロプロセッサをさらに備える、[24]に記載のメモリ設計構造。
Claims (19)
- 第1のセクションと第2のセクションとを有する第1のビット線であって、前記第1のビット線の前記第1のセクションが第1の電圧にプリチャージされ、前記第1のビット線の前記第2のセクションが、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧にプリチャージされる、第1のビット線と、
第1のセクションと第2のセクションとを有する第2のビット線であって、前記第2のビット線の前記第1のセクションが前記第1の電圧にプリチャージされ、前記第2のビット線の前記第2のセクションが前記第2の電圧にプリチャージされる、第2のビット線と、
各ビット線の第1のセクションと前記各ビット線の第2のセクションとに選択的に結合された電荷共有回路と
を備えるメモリデバイスであって、前記電荷共有回路は、前記各ビット線の第1のセクションを前記各ビット線の第2のセクションに結合して、すべてのビット線の第1のセクションとすべてのビット線の第2のセクションとの間の電荷共有を可能にし、電荷共有が完了した後に、非選択の前記第1のセクションを前記第2のセクションから分離するメモリデバイス。 - 前記各ビット線の前記第1のセクションが供給電圧にプリチャージされ、前記各ビット線の前記第2のセクションが接地にプリチャージされる、請求項1に記載のメモリデバイス。
- プリチャージ回路がアクティブでなく、mux信号が電荷共有を示すとき、前記電荷共有回路を活動化するように構成された電荷共有対応回路をさらに備える、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記各ビット線の前記第1のセクションに結合されたビットセルをさらに備える、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 第1のセクションと第2のセクションとを有する逆ビット線をさらに備え、前記電荷共有回路が、前記逆ビット線の前記第1のセクションと前記逆ビット線の前記第2のセクションとに選択的に結合され、前記逆ビット線の前記第1のセクションを前記逆ビット線の前記第2のセクションに結合および分離するように構成された、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリデバイスがマイクロプロセッサに結合された、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリデバイスと前記マイクロプロセッサとが通信デバイスに一体化された、請求項6に記載のメモリデバイス。
- 第1のセクションと第2のセクションとを含む第1及び第2のビット線を有し、前記第1のビット線の前記第2のセクションと前記第2のビット線の前記第2のセクションとは同一の共有ビット線であり、メモリデバイスを動作させる方法であって、
前記第1のビット線の前記第1のセクションを第1の電圧にプリチャージすることと、
前記第1のビット線の前記第2のセクションを、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧にプリチャージすることと、
前記第2のビット線の前記第1のセクションを第1の電圧にプリチャージすることと、
前記第2のビット線の前記第2のセクションを、前記第2の電圧にプリチャージすることと、
前記第1の電圧と前記第2の電圧との間の最終電圧を得るために、各ビット線の前記第1のセクションと前記各ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有することと、
電荷共有が完了した後に、非選択の前記第1のセクションを前記第2のセクションから分離することとを備える、方法。 - 少なくとも部分的に、各ビット線の前記第1のセクションの容量と各ビット線の前記第2のセクションの容量とによって前記最終電圧が決定される、請求項8に記載の方法。
- 前記第1のセクションをプリチャージすることが、各ビット線の前記第1のセクションを供給電圧にプリチャージすることを備え、前記第2のセクションをプリチャージすることが、各ビット線の前記第2のセクションを接地電圧にプリチャージすることを備える、請求項8に記載の方法。
- プリチャージ回路がアクティブでないとき、mux状態信号に従って電荷を共有することが行われる、請求項8に記載の方法。
- 通信に関係するデータをメモリデバイスに記憶すること
をさらに備える、請求項8に記載の方法。 - 第1のセクションと第2のセクションとを有する第1のビット線と、第1のセクションと第2のセクションとを有する第2のビット線とを備え、前記第1のビット線の前記第2のセクションと前記第2のビット線の前記第2のセクションとは同一の共有ビット線であるメモリデバイスであって、
前記第1のビット線の第1のセクションを第1の電圧にプリチャージするための手段と、
前記第1のビット線の第2のセクションを第2の電圧にプリチャージするための手段と、
前記第2のビット線の前記第1のセクションを第1の電圧にプリチャージするための手段と、
前記第2のビット線の前記第2のセクションを、前記第2の電圧にプリチャージするための手段と、
前記各ビット線の前記第1のセクションと、前記各ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有するための手段と、
電荷共有が完了した後に、非選択の前記第1のセクションを前記第2のセクションから分離するための手段とを備える、メモリデバイス。 - 前記第1の電圧が供給電圧である、請求項13に記載のメモリデバイス。
- 前記第2の電圧が接地である、請求項13に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリデバイスがセルラー電話に組み込まれる、請求項13に記載のメモリデバイス。
- 第1のセクションと第2のセクションとを含む第1及び第2のビット線を有し、前記第1のビット線の前記第2のセクションと前記第2のビット線の前記第2のセクションとは同一の共有ビット線であるメモリデバイスを動作させる方法であって、
第1のビット線の第1のセクションを第1の電圧にプリチャージするステップと、
前記第1のビット線の前記第2のセクションを、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧にプリチャージするステップと、
前記第2のビット線の第1のセクションを第1の電圧にプリチャージするステップと、
前記第2のビット線の前記第2のセクションを、前記第2の電圧にプリチャージするステップと、
前記第1の電圧と第2の電圧との間の電圧レベルを得るために、前記各ビット線の前記第1のセクションと前記各ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有するステップと、
電荷共有が完了した後に、非選択の前記第1のセクションを前記第2のセクションから分離するステップとを備える、方法。 - 逆ビット線の第1のセクションと、前記逆ビット線の第2のセクションとをプリチャージし、前記逆ビット線の前記第1のセクションと前記逆ビット線の前記第2のセクションとの間で電荷を共有するステップをさらに備える、請求項17に記載の方法。
- 通信リンクを介して受信したデータを前記メモリデバイスに記憶すること
をさらに備える、請求項17に記載の方法。
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