JP5853316B2 - 電流センサ - Google Patents
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Description
図6は、本実施の形態に係る電流センサの模式図である。電流センサ1は、磁気比例式電流センサであり、被測定電流が流れる電流線の近傍に配置される。この電流センサ1は、一対の磁気抵抗効果素子21が作り込まれた一対のセンサチップ2a、2bを有している。センサチップ2a上には一対の磁気抵抗効果素子21a、21bによってハーフブリッジ回路が形成され、センサチップ2b上には一対の磁気抵抗効果素子21c、21dによってハーフブリッジ回路が形成されている。磁気比例式電流センサには、センサチップ2a、2bの磁気抵抗効果素子21a−21dによって、被測定電流による誘導磁界(測定磁界)に基づいて電流線に流れる電流値を測定するフルブリッジ回路25が形成されている。
Claims (5)
- ハーフブリッジ回路を形成するように同一センサチップ上に設けられており、磁化方向が固定された固定磁性層と外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層をそれぞれ有する一対の磁気抵抗効果素子と、
前記フリー磁性層に対してバイアス磁界を印加するハードバイアス層とを備え、
前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれの固定磁性層の磁化方向は互いに逆向きであり、
前記ハードバイアス層が印加するバイアス磁界は、前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれのフリー磁性層において、互いに逆向きであり、
前記磁気抵抗効果素子は、帯状に延在する複数の素子部が平行に配置され、隣接する素子部間が導電部により接続されてミアンダ形状に形成されており、
前記複数の素子部は、それぞれ延在方向において一対の前記ハードバイアス層により挟まれており、
前記一対のハードバイアス層は、前記素子部の延在方向に対して略直交方向に着磁されており、一方のハードバイアス層では前記各素子部の延在方向に対して平行な漏洩磁界を発生するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、他方のハードバイアス層では、前記各素子部からの漏洩磁界を吸収するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、前記各素子部に作用する漏洩磁界により前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加する電流センサであって、
前記複数の素子部毎に前記一対のハードバイアス層が設けられており、
前記一対のハードバイアス層が平面視において三角形に形成されており、一方のハードバイアス層では前記素子部の一端に隣接する側面が着磁方向に向って当該一端から離れるように傾斜し、他方のハードバイアス層では前記素子部の他端に隣接する側面が着磁方向に向って当該他端に近づくように傾斜することを特徴とする電流センサ。 - ハーフブリッジ回路を形成するように同一センサチップ上に設けられており、磁化方向が固定された固定磁性層と外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層をそれぞれ有する一対の磁気抵抗効果素子と、
前記フリー磁性層に対してバイアス磁界を印加するハードバイアス層とを備え、
前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれの固定磁性層の磁化方向は互いに逆向きであり、
前記ハードバイアス層が印加するバイアス磁界は、前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれのフリー磁性層において、互いに逆向きであり、
前記磁気抵抗効果素子は、帯状に延在する複数の素子部が平行に配置され、隣接する素子部間が導電部により接続されてミアンダ形状に形成されており、
前記複数の素子部は、それぞれ延在方向において一対の前記ハードバイアス層により挟まれており、
前記一対のハードバイアス層は、前記素子部の延在方向に対して略直交方向に着磁されており、一方のハードバイアス層では前記各素子部の延在方向に対して平行な漏洩磁界を発生するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、他方のハードバイアス層では、前記各素子部からの漏洩磁界を吸収するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、前記各素子部に作用する漏洩磁界により前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加する電流センサであって、
前記複数の素子部毎に前記一対のハードバイアス層が設けられており、
前記一対のハードバイアス層は、平面視において円形に形成されており、一方のハードバイアス層では着磁方向における略前半部分が前記素子部の一端に隣接され、他方のハードバイアス層では着磁方向における略後半部分が前記素子部の他端に隣接されることを特徴とする電流センサ。 - ハーフブリッジ回路を形成するように同一センサチップ上に設けられており、磁化方向が固定された固定磁性層と外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層をそれぞれ有する一対の磁気抵抗効果素子と、
前記フリー磁性層に対してバイアス磁界を印加するハードバイアス層とを備え、
前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれの固定磁性層の磁化方向は互いに逆向きであり、
前記ハードバイアス層が印加するバイアス磁界は、前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれのフリー磁性層において、互いに逆向きであり、
前記磁気抵抗効果素子は、帯状に延在する複数の素子部が平行に配置され、隣接する素子部間が導電部により接続されてミアンダ形状に形成されており、
前記複数の素子部は、それぞれ延在方向において一対の前記ハードバイアス層により挟まれており、
前記一対のハードバイアス層は、前記素子部の延在方向に対して略直交方向に着磁されており、一方のハードバイアス層では前記各素子部の延在方向に対して平行な漏洩磁界を発生するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、他方のハードバイアス層では、前記各素子部からの漏洩磁界を吸収するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、前記各素子部に作用する漏洩磁界により前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加する電流センサであって、
前記複数の素子部毎に前記一対のハードバイアス層が設けられており、
前記一対のハードバイアス層が平面視において平行四辺形に形成されており、一方のハードバイアス層では前記素子部の一端に隣接する側面が着磁方向に向って当該一端から離れるように傾斜し、他方のハードバイアス層では前記素子部の他端に隣接する側面が着磁方向に向って当該他端に近づくように傾斜することを特徴とする電流センサ。 - ハーフブリッジ回路を形成するように同一センサチップ上に設けられており、磁化方向が固定された固定磁性層と外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層をそれぞれ有する一対の磁気抵抗効果素子と、
前記フリー磁性層に対してバイアス磁界を印加するハードバイアス層とを備え、
前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれの固定磁性層の磁化方向は互いに逆向きであり、
前記ハードバイアス層が印加するバイアス磁界は、前記一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれのフリー磁性層において、互いに逆向きであり、
前記磁気抵抗効果素子は、帯状に延在する複数の素子部が平行に配置され、隣接する素子部間が導電部により接続されてミアンダ形状に形成されており、
前記複数の素子部は、それぞれ延在方向において一対の前記ハードバイアス層により挟まれており、
前記一対のハードバイアス層は、前記素子部の延在方向に対して略直交方向に着磁されており、一方のハードバイアス層では前記各素子部の延在方向に対して平行な漏洩磁界を発生するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、他方のハードバイアス層では、前記各素子部からの漏洩磁界を吸収するように着磁方向に対して交差する側面が設けられ、前記各素子部に作用する漏洩磁界により前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加する電流センサであって、
前記複数の素子部に対して共有の前記一対のハードバイアス層が設けられており、
前記一対のハードバイアス層は、平面視において着磁方向に対して傾斜する長辺を持った平行四辺形に形成され、前記複数の素子部を挟んで向かい合う長辺どうしが平行となるように延在しており、
前記複数の素子部の両端と当該両端に隣接する前記一対のハードバイアス層の長辺との距離関係が、前記複数の素子部間で一定に形成されたことを特徴とする電流センサ。 - 前記一対の磁気抵抗効果素子によって形成される複数の前記ハーフブリッジ回路からなるフルブリッジ回路を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の電流センサ。
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