JP6520075B2 - 電流検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、導体を流れる電流によって発生する磁界を測定することによってその電流値を検出する電流検出装置に関する。

従来、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistive）効果を用いたＡＭＲ素子や巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive））効果を用いたＧＭＲ素子など磁気抵抗効果素子を用いた電流検出装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載の電流検出装置は、ＧＭＲ素子の測定対象磁界に直交する方向に、既知の大きさのバイアス磁界を発生させて、測定対象磁界とバイアス磁界との合成磁界が、測定対象磁界の方向に対して成す角度の正弦値に比例した電圧信号を測定することによって、測定対象磁界の強さを検出している。

特開２０１３−２００３０３号公報

特許文献１に記載の電流検出装置のように、バイアス磁界が存在することによって、電流検出装置を構成する磁気検出素子（ＧＭＲ素子）のヒステリシスを抑制することができ、その線形範囲を拡大することができる。一方、このバイアス磁界は強くなれば、強くなるほど検出感度を低下するという欠点を有する。また、バイアス磁界と同じ方向に、地磁気や他の機器から発生する磁界などの外部磁界が外乱として混入すると、その検出感度が変化するおそれがある。

そこで、本発明は、バイアス磁界方向に外部磁界など外乱が混入した場合でも検出感度の変化を抑制することのできる電流検出装置を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、固定層の磁化方向の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第１及び第２の磁気検出素子からなる、ハーフブリッジ構造の電流検出装置であって、前記第１及び第２の磁気検出素子に対して、大きさがほぼ同じで、前記磁化方向と略直交する方向に沿って、それぞれ反対方向となるようなバイアス磁界を印加するバイアス磁界生成手段を備えた、電流検出装置を提供する。

また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、固定層の磁化方向の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第１及び第２の磁気検出素子と、固定層の磁化方向の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第３及び第４の磁気検出素子と、からなるフルブリッジ構造の電流検出装置であって、前記第１乃至第４の磁気検出素子から選んだ任意の２つの磁気検出素子、及び残りの２つの磁気検出素子に対して、大きさがほぼ同じで、前記磁化方向と略直交する方向に沿って、それぞれ反対方向となるようなバイアス磁界を印加するバイアス磁界生成手段を備えた、電流検出装置を提供する。

本発明によれば、バイアス磁界方向に外部磁界などの外乱が混入した場合でも検出感度の変化を抑制することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る電流検出装置の概略構成を示す図である。 図１ＡのＡ−Ａ’線の断面を示す図である。 図１ＡのＢ−Ｂ’線の断面を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る電流検出装置で使用される磁気検出素子の磁気検出原理を示す図である。 図１Ａの電流検出装置に対応する回路構成を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る電流検出装置の概略構成を示す図である。 図３ＡのＣ−Ｃ’線の断面を示す図である。 直列接続されたハーフブリッジ構造の電流検出装置の各磁気検出素子における固定層の磁化方向とバイアス磁界との関係の組み合わせをそれぞれ示す図である。 本発明の第３の実施の形態に係る電流検出装置の概略構成を示す図である。 フルブリッジ構造の電流検出装置と同じ作用を実現するための各磁気検出素子における固定層の磁化方向とバイアス磁界との関係の第１の組み合わせ群をそれぞれ示す図である。 フルブリッジ構造の電流検出装置と同じ作用を実現するための各磁気検出素子における固定層の磁化方向とバイアス磁界との関係の第２の組み合わせ群をそれぞれ示す図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１Ａ乃至図２Ｂを参照して説明する。

図１Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る電流検出装置の概略構成を示す図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’線の断面を示す図である。図１Ｃは、図１ＡのＢ−Ｂ’線の断面を示す図である。図２Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る電流検出装置で使用される磁気検出素子の磁気検出原理を示す図である。図２Ｂは、図１Ａの電流検出装置に対応する回路構成を示す図である。

電流検出装置１０は、シリコンなどの基板上に形成されたＧＭＲ素子からなる磁気検出素子１１，１２及びバイアス磁石１３Ａ，１３Ｂを含んで構成される。電流検出装置１０を構成する磁気検出素子１１，１２は、図１Ａに示すように、左右両端部で交互に複数回折り返すように配置されたミアンダ形状をしている。

磁気検出素子１１，１２は、磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２の固定された固定層と、この磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２にそれぞれ略直交する方向に印加されるバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２と被測定磁界Ｂｍとによって磁化方向θ１，θ２のそれぞれ変化する自由層と、これら固定層と自由層を分離する非磁性層とが積層されて構成されている。被測定磁界Ｂｍは、被測定電流によって発生する磁界のことであり、磁化方向θ１，θ２は固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２を基準とした自由層の磁化方向の角度のことである。

図１Ａにおいて、磁気検出素子１１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、右向きである。一方、磁気検出素子１２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の左向きである。すなわち、磁気検出素子１１と磁気検出素子１２とでは、固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２及びバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２の方向がそれぞれ反対となるように構成されている。

図１Ｂ及び図１Ｃは、磁気検出素子１１，１２とバイアス磁界生成手段であるバイアス磁石１３Ａ，１３Ｂとの関係を示している。バイアス磁石１３Ａ，１３Ｂは、磁気検出素子１１，１２の上方に形成された平板状の磁石で構成され、図示のようなバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２を生成する。バイアス磁石１３Ａ，１３Ｂは、図１Ａに示すように、磁気検出素子１１，１２全体を覆うような長方形状をしている。バイアス磁石１３Ａ，１３Ｂは、同じ大きさのバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２を、磁気検出素子１１，１２に供給するように、同じ形状・材質のもので構成される。

バイアス磁石１３Ａ，１３Ｂは、その左右両端面部がそれぞれ磁極となるように着磁されている。バイアス磁石１３Ａでは、左側端面部がＮ極、右側端面部がＳ極であり、図１Ｂに示すように、左側端面部（Ｎ極）から右側端面部（Ｓ極）に向かう方向に沿ってバイアス磁界Ｂｂ１が生成される。一方、バイアス磁石１３Ｂでは、右側端面部がＮ極、左側端面部がＳ極であり、左側端面部（Ｎ極）から右側端面部（Ｓ極）に向かう方向に沿ってバイアス磁界Ｂｂ２が生成される。

磁気検出素子１１の上側のバイアス磁石１３Ａによって、バイアス磁石１３Ａの下方に位置する磁気検出素子１１には右向きのバイアス磁界Ｂｂ１が印加される。逆に、磁気検出素子１２の上側のバイアス磁石１３Ｂによって、バイアス磁石１３Ｂの下方に位置する磁気検出素子１２には左向きのバイアス磁界Ｂｂ２が印加される。すなわち、磁気検出素子１１，１２には、それぞれ大きさが同じで向きがそれぞれ正反対のバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２が印加される。

図２Ａは、磁気検出素子１１，１２の磁気検出原理として、磁気検出素子１１，１２に印加される被測定磁界Ｂｍと、固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２と、バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２と、合成磁界Ｂ１，Ｂ２との関係をそれぞれ示す。

図２Ａにおいて、被測定磁界Ｂｍの印加方向が固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２とほぼ平行である。合成磁界Ｂ１，Ｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２と被測定磁界Ｂｍとを合成したものである。合成磁界Ｂ１，Ｂ２の大きさは、図２Ａに示す通り、被測定磁界Ｂｍの二乗とバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２の二乗との合計値の平方根で表される。合成磁界Ｂ１，Ｂ２が固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２と成すそれぞれの角度θ１，θ２は、９０度よりも小さくなると、それに伴って固定層、非磁性層、自由層の積層方向の電流密度分布が広くなり、抵抗値Ｒも低くなる。逆に、角度θ１，θ２が９０度よりも大きくなると、それに伴って固定層、非磁性層、自由層の積層方向の電流密度分布が狭くなり、抵抗値Ｒも高くなる。

図２Ａでは、磁気検出素子１１が被測定磁界Ｂｍの印加方向が磁化方向Ｍｐ１と同方向で、角度θ１が９０度よりも小さい関係にある。一方、図２Ａでは、磁気検出素子１２が被測定磁界Ｂｍの印加方向が磁化方向Ｍｐ２と逆方向で、角度θ２が９０度よりも大きい関係にある。

すなわち、バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２と被測定磁界Ｂｍとの合成磁界Ｂ１，Ｂ２の方向に従って自由層の磁化方向が回転し、自由層の磁化方向の回転量に応じて磁気検出素子１１，１２の抵抗値が変化する。すなわち、この合成磁界Ｂ１，Ｂ２と被測定磁界Ｂｍとの成す角度θ１，θ２に応じて、磁気検出素子１１，１２の抵抗Ｒが決まる。

図２Ｂに示すように、電流検出装置１０の回路構成は、磁気検出素子１１と、これと同じ構造の磁気検出素子１２とを、固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２がそれぞれ反対方向（約１８０度異なる方向）となるように直列接続されたハーフブリッジ構造をしており、さらに、バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２もそれぞれ反対方向（約１８０度異なる方向）となっている。

磁気検出素子１１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、上向きであり、磁気検出素子１２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、これと正反対の下向きである。また、磁気検出素子１１の自由層に印加されるバイアス磁界Ｂｂ１は、右向きであり、磁気検出素子１２の自由層に印加されるバイアス磁界Ｂｂ２は、これと正反対の左向きである。なお、これらの矢印の向きは回路構成とは何ら関係なく、磁気検出素子１１，１２の固定層の磁化方向が逆向きに形成されていることを便宜上示したものである。

電流検出装置１０の磁気検出素子１１の第１の電極に電源電圧＋Ｖｃｃ／２（例えば約２．５Ｖ）が印加され、磁気検出素子１２の第２の電極に電源電圧−Ｖｃｃ／２（例えば約−２．５Ｖ）が印加される。磁気検出素子１１と磁気検出素子１２との接続部である磁気検出素子１１の第２の電極及び磁気検出素子１２の第１の電極から出力電圧信号Ｖｏｕｔが出力される。

このとき、磁気検出素子１１、１２の磁気抵抗変化率はほぼ同じとなるように構成する。ここで、磁気抵抗変化率は、ＧＭＲの構成及び組成によってそれぞれ決まるものなので、磁気検出素子１１、１２の構成及び組成がほぼ同じとなるようにする。

以上の構成とすることによって、外乱磁界による出力電圧信号への影響を抑制することができる。例えば、外乱磁界がバイアス磁界の約１％程度の大きさの場合、出力電圧信号の変動率は約０．５４％だったものが、この実施の形態によって、０．００３６％に改善される。また、外乱磁界がバイアス磁界の約１０％程度の大きさの場合、出力電圧信号の変動率は約５．２％だったものが、０．３６％に改善される。さらに、外乱磁界がバイアス磁界の約５０％程度の大きさの場合、出力電圧信号の変動率は約２２％だったものが、９．９％に改善される。

（第１の実施の形態の作用及び効果）
図１Ａに示すような磁気検出素子１１，１２のバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２の方向と平行な方向に点線矢印で示すような外乱磁界ΔＢｂが加わると、磁気検出素子１１，１２の各バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２が変化するので、外乱磁界ΔＢｂが存在しない場合と比較して各磁気検出素子１１，１２の抵抗がそれぞれ変化することとなる。これは、磁気検出素子１１，１２の感度が変化することに相当する。そして、磁気検出素子１１，１２のバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２の大きさが同じで、向きがそれぞれ正反対となるように構成してあるので、外乱磁界ΔＢｂの影響は打ち消され、外乱磁界ΔＢｂがある場合でも感度の変化が抑制されることとなる。

磁気検出素子１１，１２の磁気抵抗変化率を同じとし、磁気検出素子１１の第１の電極に電源電圧＋Ｖｃｃ／２を、磁気検出素子１２の第２の電極に電源電圧−Ｖｃｃ／２を、すなわち、大きさが同じで、正負の電圧を磁気検出素子１１，１２に印加することによって、外乱磁界ΔＢｂがある場合における感度の変化を抑制する効果を格段に向上させることができる。

磁気検出素子１１、１２の磁気抵抗変化率が同じであることによって、外部磁界など外乱が混入した場合でも検出感度の変化を抑制することができる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図３Ａ乃至図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る電流検出装置の概略構成を示す図であり、図１Ａに対応する。図３Ｂは、図３ＡのＣ−Ｃ’線の断面を示す図である。この第２の実施の形態では、図１Ａのバイアス磁石１３Ａ，１３Ｂに代えて、磁気検出素子１１Ａ，１２Ａにバイアス磁界を供給するバイアスコイル１３を設けるようにしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と共通である。以下、この違いの部分であるバイアスコイル１３の構成について重点的に説明し、第１の実施の形態について説明したものと共通する構成要素については、共通する符号を付して、その説明を省略する。

電流検出装置１０Ａは、同じくシリコンなどの基板上に形成されたＧＭＲ素子からなる磁気検出素子１１Ａ，１２Ａ及びバイアスコイル１３によって構成される。電流検出装置１０Ａを構成する磁気検出素子１１Ａ，１２Ａは、図１Ａのものと同様に、左右両端部で交互に複数回折り返すように配置されたミアンダ形状をしている。

図３Ａにおいて、磁気検出素子１１Ａの固定層の磁化方向Ｍｐ１は、上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、右向きである。一方、磁気検出素子１２Ａの固定層の磁化方向Ｍｐ２は、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の左向きである。すなわち、磁気検出素子１１Ａと磁気検出素子１２Ａとでは、固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２及びバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２の方向がそれぞれ反対となるように構成されている。

バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２は、磁気検出素子１１Ａ，１２Ａの上方に形成されたバイアスコイル１３によって生成される。このバイアスコイル１３は、磁気検出素子１１Ａ，１２Ａの製造工程と同じ薄膜プロセスによって形成される。バイアスコイル１３の一端はバイアス端子Ｉｂに、他端はアース端子ＧＮＤに接続され、図示していないバイアス電流源から、例えば、約１０ｍＡのバイアス磁界用のバイアス電流Ｉｂがバイアスコイル１３に供給される。

バイアスコイル１３には、図３Ｂに示すようなバイアス電流Ｉｂが流れる。すなわち、磁気検出素子１１Ａの上方のバイアスコイル１３には、紙面手前に向かってバイアス電流Ｉｂが流れる。これによって、バイアスコイル１３の周囲には、反時計回りの磁界Ｂｂ１が発生し、磁気検出素子１１Ａには右向きのバイアス磁界Ｂｂ１が印加される。一方、磁気検出素子１２Ａの上方のバイアスコイル１３には、紙面奥行き方向に向かってバイアス電流Ｉｂが流れる。これによって、バイアスコイル１３の周囲には、時計回りの磁界Ｂｂ２が発生し、磁気検出素子１２Ａには左向きのバイアス磁界Ｂｂ２が印加される。

磁気検出素子１１Ａ，１２Ａにおける被測定磁界Ｂｍと、固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２と、バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２と、合成磁界Ｂ１，Ｂ２との関係は、図２Ａと同じである。また、磁気検出素子１１Ａ，１２Ａからなる電流検出装置１０Ａの回路構成も図２Ｂと同じである。

（第２の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態について説明した効果と同様の効果が得られる。
なお、第１の実施の形態では、２つのバイアス磁石１３Ａ，１３Ｂによって反対向きのバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２を生成しているが、第２の実施の形態では、１つのバイアスコイル１３の両側に磁気検出素子１１Ａ，１２Ａを配置することによって、反対向きのバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２を磁気検出素子１１Ａ，１２Ａに供給しているので、磁気検出素子１１Ａ，１２Ａを並列に並べることができ、素子全体を小型することができる。

図４は、直列接続されたハーフブリッジ構造の電流検出装置の各磁気検出素子における固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２とバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２との関係の組み合わせをそれぞれ示す図である。

図４において、電流検出装置４０は、直列接続されたハーフブリッジ構造の磁気検出素子４０１，４０２から構成されるものであり、図１Ａの電流検出装置１０及び図３Ａの電流検出装置１０Ａにそれぞれ対応する。磁気検出素子４０１は、図１Ａの磁気検出素子１１及び図３Ａの磁気検出素子１１Ａに、磁気検出素子４０２は、図１Ａの磁気検出素子１２及び図３Ａの磁気検出素子１２Ａに、それぞれ対応する。

磁気検出素子４０１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、図１Ａの磁気検出素子１１及び図３Ａの磁気検出素子１１Ａと同じであって、上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、右向きである。磁気検出素子４０２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、図１Ａの磁気検出素子１２及び図３Ａの磁気検出素子１２Ａと同じであって、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の左向きである。

図４において、電流検出装置４１は、直列接続されたハーフブリッジ構造の磁気検出素子４１１，４１２から構成される。磁気検出素子４１１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、右向きである。磁気検出素子４１２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の左向きである。

この電流検出装置４１は、図１Ａにおける磁気検出素子１１と磁気検出素子１２との配置を入れ換えたものに対応する。また、図３Ａにおける磁気検出素子１１Ａと磁気検出素子１２Ａとの配置を入れ換えたものに対応する。

図４において、電流検出装置４２は、直列接続されたハーフブリッジ構造の磁気検出素子４２１，４２２から構成される。磁気検出素子４２１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、左向きである。磁気検出素子４２２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の右向きである。

この電流検出装置４２は、図１Ａにおけるバイアス磁石１３Ａとバイアス磁石１３Ｂとの配置を入れ換えたものに対応する。また、図３Ａにおけるバイアスコイル１３に流すバイアス電流Ｉｂの向きを逆向きにしたものに対応する。

図４において、電流検出装置４３は、直列接続されたハーフブリッジ構造の磁気検出素子４３１，４３２から構成される。磁気検出素子４３１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、左向きである。磁気検出素子４３２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の右向きである。

この電流検出装置４３は、図１Ａにおける磁気検出素子１１及びバイアス磁石１３Ａと、磁気検出素子１２及びバイアス磁石１３Ｂとをそれぞれ入れ換えたものに対応する。また、図３Ａにおける磁気検出素子１１Ａと磁気検出素子１２Ａとの配置を入れ換えると共にバイアスコイル１３に流すバイアス電流Ｉｂの向きを逆向きにしたものに対応する。

上述の電流検出装置４０〜４３は、直列接続されたハーフブリッジ構造の各磁気検出素子の固定層の磁化方向とバイアス磁界との関係が、大きさ同じでそれぞれの向きが反対となるように構成してある。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について、図５を参照して説明する。図５は、本発明の第３の実施の形態に係る電流検出装置の概略構成を示す図であり、図１Ａに対応する。この第３の実施の形態では、電流検出装置５０が４つの磁気検出素子５１〜５４のフルブリッジ構造で構成されているものであり、各素子の構成は第１の実施の形態と共通である。

磁気検出素子５１，５２は直列に接続されており、磁気検出素子５３，５４は直列に接続されている。磁気検出素子５１，５２の直列接続部と、磁気検出素子５３，５４の直列接続部とが、並列に接続されている。このような４つの磁気検出素子５１〜５４の接続構造体をフルブリッジ構造と呼ぶ。

磁気検出素子５１，５２の上方には、平板状のバイアス磁石５５Ａが形成されており、磁気検出素子５３，５４の上方には、同じく平板状のバイアス磁石５５Ｂが形成されている。バイアス磁石５５Ａは、図５に示すように、磁気検出素子５１，５２全体を覆うような長方形状をしており、バイアス磁石５５Ｂは、図５に示すように、磁気検出素子５３，５４全体を覆うような長方形状をしている。バイアス磁石５５Ａは、同じ大きさで同じ方向のバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２を、磁気検出素子５１，５２にそれぞれ供給している。バイアス磁石５５Ｂは、同じ大きさで同じ方向のバイアス磁界Ｂｂ３，Ｂｂ４を、磁気検出素子５３，５４にそれぞれ供給している。

４つの磁気検出素子５１〜５４のフルブリッジ構造からなる電流検出装置５０の磁気検出素子５１及び磁気検出素子５３の第１の電極に電源電圧＋Ｖｃｃ／２（例えば約２．５Ｖ）が印加され、磁気検出素子５２及び磁気検出素子５４の第２の電極に電源電圧−Ｖｃｃ／２（例えば約−２．５Ｖ）が印加される。磁気検出素子５１と磁気検出素子５２との接続部である磁気検出素子５１の第２の電極及び磁気検出素子５２の第１の電極からは出力電圧信号Ｖｏｕｔ１が出力され、磁気検出素子５３と磁気検出素子５４との接続部である磁気検出素子５３の第２の電極及び磁気検出素子５４の第１の電極からは出力電圧信号Ｖｏｕｔ２が出力される。フルブリッジ構造の出力は、出力電圧信号Ｖｏｕｔ１と出力電圧信号Ｖｏｕｔ２の出力の差Ｖｏｕｔとして出力される。電源の供給については、第１の電極に電源電圧＋Ｖｃｃ（例えば約５．０Ｖ）を印加し、第２の電極を接地端子に接続してもよい。この場合、接地端子側の磁気検出素子５２、５４の磁気抵抗変化率がほぼ同じとなるように構成することによって、外部磁界など外乱が混入した場合でも検出感度の変化を抑制することができる。

図５において、磁気検出素子５１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、左向きである。磁気検出素子５２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１と同じ大きさで左向きである。すなわち、磁気検出素子５１と磁気検出素子５２とでは、固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２の方向が反対となり、バイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ２の大きさと方向は同じとなるように構成されている。

一方、図５において、磁気検出素子５３の固定層の磁化方向Ｍｐ３は、下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ３は、右向きである。磁気検出素子５４の固定層の磁化方向Ｍｐ４は、磁化方向Ｍｐ３とは正反対の上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ４は、バイアス磁界Ｂｂ３と同じ右向きである。すなわち、磁気検出素子５３と磁気検出素子５４とでは、固定層の磁化方向Ｍｐ３，Ｍｐ４の方向が反対となり、バイアス磁界Ｂｂ３，Ｂｂ４の方向は同じとなるように構成されている。

すなわち、４つの磁気検出素子５１〜５４のフルブリッジ構造からなる電流検出装置５０の場合、直列に接続される磁気検出素子５１と磁気検出素子５２、及び磁気検出素子５３と磁気検出素子５４については、それぞれ固定層の磁化方向が逆方向となるように構成し、磁気検出素子５１と磁気検出素子５４の２つの磁気検出素子、及び磁気検出素子５２と磁気検出素子５３の２つの磁気検出素子については、それぞれバイアス磁界が逆方向となるように構成する。これによって、磁気検出素子５１と磁気検出素子５２が直列接続されたハーフブリッジ構造の感度が外乱磁界ΔＢｂによって変化（例えば減少）するため出力電圧信号Ｖｏｕｔ１が変化（例えば絶対値としてみれば減少）し、逆に磁気検出素子５３と磁気検出素子５４が直列接続されたハーフブリッジ構造の感度は外乱磁界ΔＢｂによって逆方向に変化（例えば増加）するため出力電圧信号Ｖｏｕｔ２が変化（例えば絶対値としてみれば増加）する。フルブリッジ構造全体としてみれば、結果的に出力電圧信号Ｖｏｕｔは外乱磁界ΔＢｂの影響が打ち消され、外乱磁界ΔＢｂがある場合でも感度の変化が抑制されることとなる。

図６及び図７は、上述のフルブリッジ構造の電流検出装置と同じ作用を実現するための各磁気検出素子における固定層の磁化方向Ｍｐ１〜Ｍｐ４とバイアス磁界Ｂｂ１〜Ｂｂ４との関係の第１及び第２の組み合わせ群をそれぞれ示す図である。

図６において、電流検出装置６０は、磁気検出素子６０１，６０２の直列接続部と、磁気検出素子６０３，６０４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造であり、図５の電流検出装置５０に対応する。磁気検出素子６０１は、図５の磁気検出素子５１に、磁気検出素子６０２は、図５の磁気検出素子５２に、磁気検出素子６０３は、図５の磁気検出素子５３に、磁気検出素子６０４は、図５の磁気検出素子５４に、それぞれ対応する。

磁気検出素子６０１の固定層の磁化方向Ｍｐ１は、図５の磁気検出素子５１と同じ上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ１は、左向きである。磁気検出素子６０２の固定層の磁化方向Ｍｐ２は、図５の磁気検出素子５２と同じであって、磁化方向Ｍｐ１とは正反対の下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ２は、バイアス磁界Ｂｂ１と同じ左向きである。磁気検出素子６０３の固定層の磁化方向Ｍｐ３は、図５の磁気検出素子５３と同じ下向きであり、バイアス磁界Ｂｂ３は、バイアス磁界Ｂｂ２とは正反対の右向きである。磁気検出素子６０４の固定層の磁化方向Ｍｐ４は、図５の磁気検出素子５４と同じであって、磁化方向Ｍｐ３とは正反対の上向きであり、バイアス磁界Ｂｂ４は、バイアス磁界Ｂｂ１とは正反対の右向きである。

図６において、電流検出装置６１は、磁気検出素子６１１，６１２の直列接続部と、磁気検出素子６１３，６１４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置６１は、各磁気検出素子６１１〜６１４の固定層の磁化方向Ｍｐ１〜Ｍｐ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１〜６０４とは逆向きにしたものである。

図６において、電流検出装置６２は、磁気検出素子６２１，６２２の直列接続部と、磁気検出素子６２３，６２４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置６２は、各磁気検出素子６２１〜６２４のバイアス磁界Ｂｂ１〜Ｂｂ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１〜６０４とは逆向きにしたものである。

図６において、電流検出装置６３は、磁気検出素子６３１，６３２の直列接続部と、磁気検出素子６３３，６３４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置６３は、各磁気検出素子６３１〜６３４の固定層の磁化方向Ｍｐ１〜Ｍｐ４の向き及びバイアス磁界Ｂｂ１〜Ｂｂ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１〜６０４とはそれぞれ逆向きにしたものである。

図７において、電流検出装置７０は、磁気検出素子７０１，７０２の直列接続部と、磁気検出素子７０３，７０４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置７０は、各磁気検出素子７０３，７０４の固定層の磁化方向Ｍｐ３，Ｍｐ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０３，６０４とは逆向きにすると共に磁気検出素子７０２，７０４のバイアス磁界Ｂｂ２，Ｂｂ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する磁気検出素子６０２，６０４とはそれぞれ逆向きにしたものである。

図７において、電流検出装置７１は、磁気検出素子７１１，７１２の直列接続部と、磁気検出素子７１３，７１４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置７１は、各磁気検出素子７１１，７１２の固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１，６０２とは逆向きにすると共に磁気検出素子７１２，７１４のバイアス磁界Ｂｂ２，Ｂｂ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する磁気検出素子６０２，６０４とはそれぞれ逆向きにしたものである。

図７において、電流検出装置７２は、磁気検出素子７２１，７２２の直列接続部と、磁気検出素子７２３，７２４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置７２は、各磁気検出素子７２３，７２４の固定層の磁化方向Ｍｐ３，Ｍｐ４の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０３，６０４とは逆向きにすると共に磁気検出素子７２１，７２３のバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ３の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１，６０３とはそれぞれ逆向きにしたものである。

図７において、電流検出装置７３は、磁気検出素子７３１，７３２の直列接続部と、磁気検出素子７３３，７３４の直列接続部とが、並列に接続されたフルブリッジ構造である。電流検出装置７３は、各磁気検出素子７３１，７３２の固定層の磁化方向Ｍｐ１，Ｍｐ２の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１，６０２とは逆向きにすると共に磁気検出素子７３１，７３３のバイアス磁界Ｂｂ１，Ｂｂ３の向きを電流検出装置６０のそれぞれ対応する各磁気検出素子６０１，６０３とはそれぞれ逆向きにしたものである。

上述の電流検出装置６０〜６３，７０〜７３は、フルブリッジ構造の４つの磁気検出素子から任意に選んだ２個の磁気検出素子と、他の２個の磁気検出素子のバイアス磁界が大きさ同じで反対向きとなるように構成してある。

（第３の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第３の実施の形態によれば、第１及び第２の実施の形態について説明した効果と同様の効果が得られる。

上述の第３の実施の形態では、バイアス磁界を生成する手段として、バイアス磁石５５Ａ，５５Ｂを例に説明したが、第２の実施の形態のように、磁気検出素子の上方に、磁気検出素子の製造工程と同じ薄膜プロセスによって、バイアスコイルを形成してもよい。この場合も１つのバイアスコイルの下方に４つの磁気検出素子を配置することによって、素子全体を小型することができる。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］固定層の磁化方向（Ｍｐ１，Ｍｐ２）の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第１及び第２の磁気検出素子（（１１，１２），（１１Ａ，１２Ａ），（４０１，４０２），（４１１，４１２），（４２１，４２２），（４３１，４３２））からなる、ハーフブリッジ構造の電流検出装置（１０，１０Ａ，４０，４１，４２，４３）であって、前記第１及び第２の磁気検出素子（（１１，１２），（１１Ａ，１２Ａ））に対して、大きさがほぼ同じで、前記磁化方向（Ｍｐ１，Ｍｐ２）と略直交する方向に沿って、それぞれ反対方向となるようなバイアス磁界（Ｂｂ１，Ｂｂ２）を印加するバイアス磁界生成手段（１３，（１３Ａ，１３Ｂ））を備えた、電流検出装置（１０，１０Ａ，４０，４１，４２，４３）。
これは、直列接続されたハーフブリッジ構造の電流検出装置において、固定層の磁化方向（Ｍｐ１，Ｍｐ２）の向きを反対向きにし、バイアス磁界（Ｂｂ１，Ｂｂ２）は大きさが同じで反対向きとなるように構成することによって、外乱磁界ΔＢｂの影響を打ち消し、外乱磁界ΔＢｂがある場合でも感度の変化を抑制できるようにしたものである。

［２］前記第１及び第２の磁気検出素子（（１１，１２），（１１Ａ，１２Ａ），（４０１，４０２），（４１１，４１２），（４２１，４２２），（４３１，４３２））に、大きさがほぼ同じ正負の電圧（±Ｖｃｃ／２）が、それぞれ印加される、前記［１］に記載の電流検出装置（１０，１０Ａ，４０，４１，４２，４３）。
これは、ハーフブリッジ構造の電流検出装置に、正負の同じ大きさの電圧（±Ｖｃｃ／２）を印加することによって、外乱磁界ΔＢｂがある場合における感度の変化を抑制する効果を格段に向上させるようにしたものである。なお、正負の電圧の大きさは同じであることが好ましいが、約±１０％程度までであれば大きさが異なっていてもよい。

［３］前記第１及び第２の磁気検出素子（（１１，１２），（１１Ａ，１２Ａ），（４０１，４０２），（４１１，４１２），（４２１，４２２），（４３１，４３２））の磁気抵抗変化率が同じである、前記［１］又は［２］に記載の電流検出装置（１０，１０Ａ，４０，４１，４２，４３）。
これは、磁気抵抗変化率をほぼ同じとすることによって、電流検出装置の感度の変化を抑制するようにしたものである。

［４］前記バイアス磁界生成手段（１３Ａ，１３Ｂ）は、基板（１０，１０Ａ）上の前記第１の磁気検出素子（１１，１１Ａ）の上方に設けられた第１のバイアス磁石（１３Ａ）と、前記基板上の前記第２の磁気検出素子（１２，１２Ａ）の上方に設けられた第２のバイアス磁石（１３Ｂ）と、を含んで構成される、前記［１］、［２］又は［３］に記載の電流検出装置（１０，１０Ａ，４０，４１，４２，４３）。
これは、バイアス磁界生成手段として、磁石を使用したものである。

［５］前記バイアス磁界生成手段（１３）は、基板上の前記第１及び第２の磁気検出素子の上方に設けられた１つのバイアスコイル（１３）で構成される、前記［１］、［２］又は［３］に記載の電流検出装置（１０，１０Ａ，４０，４１，４２，４３）。
これは、バイアス磁界生成手段として、バイアスコイルを使用したものである。１つのバイアスコイルの両側に磁気検出素子を配置することによって、反対向きのバイアス磁界を磁気検出素子に供給することができるので、素子全体を小型することができる。

［６］固定層の磁化方向（Ｍｐ１，Ｍｐ２）の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第１及び第２の磁気検出素子（（５１，５２），（６０１，６０２），（６１１，６１２），（６２１，６２２），（６３１，６３２），（７０１，７０２），（７１１，７１２），（７２１，７２２），（７３１，７３２））と、固定層の磁化方向（Ｍｐ３，Ｍｐ４）の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第３及び第４の磁気検出素子（（５３，５４），（６０３，６０４），（６１３，６１４），（６２３，６２４），（６３３，６３４），（７０３，７０４），（７１４，７１４），（７２３，７２４），（７３３，７３４））と、からなり、前記第１及び第２の磁気検出素子（（５１，５２），（６０１，６０２），（６１１，６１２），（６２１，６２２），（６３１，６３２），（７０１，７０２），（７１１，７１２），（７２１，７２２），（７３１，７３２））と前記第３及び第４の磁気検出素子（（５３，５４），（６０３，６０４），（６１３，６１４），（６２３，６２４），（６３３，６３４），（７０３，７０４），（７１４，７１４），（７２３，７２４），（７３３，７３４））とが並列接続されたフルブリッジ構造の電流検出装置（５０，６０，６１，６２，６３，７０，７１，７２，７３）であって、前記第１乃至第４の磁気検出素子（（５１，５２，５３，５４），（６０１，６０２，６０３，６０４），（６１１，６１２，６１３，６１４），（６２１，６２２，６２３，６２４），（６３１，６３２，６３３，６３４），（７０１，７０２，７０３，７０４），（７１１，７１２，７１３，７１４），（７２１，７２２，７２３，７２４），（７３１，７３２，７３３，７３４））から選んだ任意の２つの磁気検出素子、及び残りの２つの磁気検出素子に対して、大きさがほぼ同じで、前記磁化方向（Ｍｐ１，Ｍｐ２，Ｍｐ３，Ｍｐ４）と略直交する方向に沿って、それぞれ反対方向となるようなバイアス磁界（Ｂｂ１，Ｂｂ２，Ｂｂ３，Ｂｂ４）をそれぞれ印加するバイアス磁界生成手段（５５Ａ，５５Ｂ）を備えた、電流検出装置（５０，６０，６１，６２，６３，７０，７１，７２，７３）。
これは、直列接続されたハーフブリッジ構造の電流検出装置を、さらに並列に接続することによってフルブルッジ構造の電流検出装置を構成し、このフルブルッジ構造の電流検出装置において、直列接続された磁気検出素子同士の固定層の磁化方向の向きが反対向きとなるようにし、フルブリッジ構造の４つの磁気検出素子から任意に選んだ２個の磁気検出素子と、他の２個の磁気検出素子のバイアス磁界が大きさ同じで反対向きとなるように構成することによって、外乱磁界ΔＢｂの影響を打ち消し、外乱磁界ΔＢｂがある場合でも感度の変化を抑制できるようにしたものである。

［７］前記第１及び第３の磁気検出素子（（５１，５３），（６０１，６０３），（６１１，６１３），（６２１，６２３），（６３１，６３３），（７０１，７０３），（７１１，７１３），（７２１，７２３），（７３１，７３３））の接続部、及び前記第２及び第４の磁気検出素子（（５２，５４），（６０２，６０４），（６１２，６１４），（６２２，６２４），（６３２，６３４），（７０２，７０４），（７１２，７１４），（７２２，７２４），（７３２，７３４））の接続部に、大きさがほぼ同じ正負の電圧（±Ｖｃｃ／２）が、それぞれ印加される、前記［６］に記載の電流検出装置（５０，６０，６１，６２，６３，７０，７１，７２，７３）。
これは、フルブルッジ構造の電流検出装置に、正負の同じ大きさの電圧（±Ｖｃｃ／２）を印加することによって、外乱磁界ΔＢｂがある場合における感度の変化を抑制する効果を格段に向上させるようにしたものである。

［８］前記任意の２つの磁気検出素子、及び前記残りの２つの磁気検出素子のそれぞれペアの磁気抵抗変化率が同じである、前記［７］に記載の電流検出装置。
これは、任意に選択したペアの磁気検出素子同士の磁気抵抗変化率をほぼ同じとすることによって、電流検出装置の感度の変化を抑制するようにしたものである。

［９］前記第１及び第３の磁気検出素子（（５１，５３），（６０１，６０３），（６１１，６１３），（６２１，６２３），（６３１，６３３），（７０１，７０３），（７１１，７１３），（７２１，７２３），（７３１，７３３））の接続部に電圧が印加され、前記第２及び第４の磁気検出素子（（５２，５４），（６０２，６０４），（６１２，６１４），（６２２，６２４），（６３２，６３４），（７０２，７０４），（７１２，７１４），（７２２，７２４），（７３２，７３４））の接続部が接地される、前記［６］に記載の電流検出装置。
これは、フルブルッジ構造の電流検出装置の一方の電極を接地し、他方の電極に電圧（＋Ｖｃｃ）を印加して、出力電圧Ｖｏｕｔを出力するようにしたものである。

［１０］前記第２及び第４の磁気抵抗変化率が同じである、前記［９］に記載の電流検出装置。
これは、フルブルッジ構造の電流検出装置の一方の電極を接地し、他方の電極に電圧（＋Ｖｃｃ）を印加した場合、接地側の磁気検出素子の磁気抵抗変化率をほぼ同じとすることによって、電流検出装置の感度の変化を抑制するようにしたものである。

［１１］前記バイアス磁界生成手段（５５Ａ，５５Ｂ）は、基板上の前記第１及び第２の磁気検出素子の上方に設けられた第１のバイアス磁石（５５Ａ）と、前記基板上の前記第３及び第４の磁気検出素子の上方に設けられた第２のバイアス磁石（５５Ｂ）と、を含んで構成される、前記［６］乃至［１０］のいずれか１に記載の電流検出装置（５０，６０，６１，６２，６３，７０，７１，７２，７３）。
これは、バイアス磁界生成手段として、磁石を使用したものである。

［１２］前記バイアス磁界生成手段は、基板上の前記第１、第２、第３及び第４の磁気検出素子の上方に設けられた１つのバイアスコイルで構成される、前記［６］乃至［１０］のいずれか１に記載の電流検出装置（５０，６０，６１，６２，６３，７０，７１，７２，７３）。
これは、バイアス磁界生成手段として、バイアスコイルを使用したものである。１つのバイアスコイルの両側に４つの磁気検出素子を配置することによって、反対向きのバイアス磁界を磁気検出素子に供給することができるので、素子全体を小型することができる。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

なお、磁気検出素子の磁化方向とバイアス磁界とは、直交していることが好ましいが、直交方向から約±１０°程度までであれば傾斜していてもよい。
電流検出装置を構成する磁気検出素子同士の磁化方向は平行であることが好ましいが、約±２０°程度までであれば傾斜していてもよい。
電流検出装置を構成する磁気検出素子に供給されるバイアス磁界の大きさは、同じであることが好ましいが、約±１０％程度までであれば、その大きさが異なっていてもよい。

Ｂｂ１，Ｂｂ２，Ｂｂ３，Ｂｂ４…バイアス磁界
Ｍｐ１，Ｍｐ２，Ｍｐ３，Ｍｐ４…磁化方向
Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２…出力電圧信号
１０，１０Ａ…電流検出装置
１１，１１Ａ，１２，１２Ａ…磁気検出素子
１３…バイアスコイル
１３Ａ，１３Ｂ…バイアス磁石
４０〜４３…電流検出装置
４０１，４０２，４１１，４１２，４２１，４２２，４３１，４３２…磁気検出素子
５０…電流検出装置
５１，５２，５３，５４…磁気検出素子
５５Ａ，５５Ｂ…バイアス磁石
６０〜６３…電流検出装置、
６０１〜６０４，６１１〜６１４，６２１〜６２４，６３１〜６３４…磁気検出素子
７０〜７３…電流検出装置
７０１〜７０４，７１１〜７１４，７２１〜７２４，７３１〜７３４…磁気検出素子

Claims (8)

1. 固定層の磁化方向の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第１及び第２の磁気検出素子からなる、
   ハーフブリッジ構造の電流検出装置であって、
   前記第１及び第２の磁気検出素子に対して、大きさがほぼ同じで、前記磁化方向と略直交する方向に沿って、それぞれ反対方向となるようなバイアス磁界を印加するバイアス磁界生成手段を備え、
   前記第１及び第２の磁気検出素子に、大きさがほぼ同じ正負の電圧が、それぞれ印加される、
   電流検出装置。
2. 前記第１及び第２の磁気検出素子の磁気抵抗変化率が同じである、
   請求項１に記載の電流検出装置。
3. 前記バイアス磁界生成手段は、
   基板上の前記第１の磁気検出素子の上方に設けられた第１のバイアス磁石と、
   前記基板上の前記第２の磁気検出素子の上方に設けられた第２のバイアス磁石と、
   を含んで構成される、
   請求項１又は２に記載の電流検出装置。
4. 前記バイアス磁界生成手段は、基板上の前記第１及び第２の磁気検出素子の上方に設けられた１つのバイアスコイルで構成される、
   請求項１又は２に記載の電流検出装置。
5. 固定層の磁化方向の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第１及び第２の磁気検出素子と、
   固定層の磁化方向の向きがそれぞれ反対方向となるように直列に接続された第３及び第４の磁気検出素子と、
   からなり、前記第１及び第２の磁気検出素子と前記第３及び第４の磁気検出素子とが並列接続されたフルブリッジ構造の電流検出装置であって、
   前記第１乃至第４の磁気検出素子から選んだ任意の２つの磁気検出素子、及び残りの２つの磁気検出素子に対して、大きさがほぼ同じで、前記磁化方向と略直交する方向に沿って、それぞれ反対方向となるようなバイアス磁界を印加するバイアス磁界生成手段を備え、
   前記第１及び第３の磁気検出素子の接続部、及び前記第２及び第４の磁気検出素子の接続部に、大きさがほぼ同じ正負の電圧が、それぞれ印加される、
   電流検出装置。
6. 前記任意の２つの磁気検出素子、及び前記残りの２つの磁気検出素子のそれぞれペアの磁気抵抗変化率が同じである、
   請求項５に記載の電流検出装置。
7. 前記任意の２つの磁気検出素子は、前記第１及び第２の磁気検出素子であり、前記残りの２つの磁気検出素子は、前記第３及び第４の磁気検出素子であり、
   前記バイアス磁界生成手段は、
   基板上の前記第１及び第２の磁気検出素子の上方に設けられた第１のバイアス磁石と、
   前記基板上の前記第３及び第４の磁気検出素子の上方に設けられた第２のバイアス磁石と、
   を含んで構成される、
   請求項５又は６に記載の電流検出装置。
8. 前記バイアス磁界生成手段は、基板上の前記第１、第２、第３及び第４の磁気検出素子の上方に設けられた１つのバイアスコイルで構成される、
   請求項５又は６に記載の電流検出装置。

Images