JPH08201492A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH08201492A JPH08201492A JP7007409A JP740995A JPH08201492A JP H08201492 A JPH08201492 A JP H08201492A JP 7007409 A JP7007409 A JP 7007409A JP 740995 A JP740995 A JP 740995A JP H08201492 A JPH08201492 A JP H08201492A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 人工格子膜を用い信号磁界の印加方向または
印加量の検出が可能な高出力、高感度の磁気センサを実
現することを目的とする。 【構成】 強磁性層と非強磁性層とを交互に積層した人
工格子膜を用いた抵抗体パターン１と抵抗体パターン２
とを同一基板８上に同方向平行して直列に接続し、抵抗
体パターン１と抵抗体パターン２に逆方向のバイアス磁
界３および４を印加し、さらに信号磁界９を印加する。
抵抗値変化が起り、信号磁界９の印加方向または印加量
の検出が可能となり、優れた高出力、高感度の磁気セン
サが得られる。
印加量の検出が可能な高出力、高感度の磁気センサを実
現することを目的とする。 【構成】 強磁性層と非強磁性層とを交互に積層した人
工格子膜を用いた抵抗体パターン１と抵抗体パターン２
とを同一基板８上に同方向平行して直列に接続し、抵抗
体パターン１と抵抗体パターン２に逆方向のバイアス磁
界３および４を印加し、さらに信号磁界９を印加する。
抵抗値変化が起り、信号磁界９の印加方向または印加量
の検出が可能となり、優れた高出力、高感度の磁気セン
サが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果を有する人
工格子膜を用いた磁気センサに関するものである。
工格子膜を用いた磁気センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大きな磁気抵抗効果が現れること
が発見された人工格子膜は、抵抗値差が発生せず差動出
力としても取り出せないという問題点を解消するように
要望が高まってきている。
が発見された人工格子膜は、抵抗値差が発生せず差動出
力としても取り出せないという問題点を解消するように
要望が高まってきている。
【０００３】以下に従来の磁気センサについて説明す
る。図５は従来のホール素子、図６は従来の強磁性膜素
子の信号磁界の検出状態を示すものである。
る。図５は従来のホール素子、図６は従来の強磁性膜素
子の信号磁界の検出状態を示すものである。
【０００４】従来から、磁気センサとしてはホール素子
や強磁性薄膜抵抗素子等が知られている。図５に示すよ
うに、ホール素子は基板２１に垂直方向の信号磁界９を
検出するものである。これに対し、強磁性薄膜抵抗素子
は図６に示すように基板２２上の素子検出パターン２３
の長手方向に直角な信号磁界９を検出するものである。
これらの磁気検出方法の内、ホール素子は低磁界に対す
る感度が悪く２００（Ｏｅ）以下の低磁界の検出はでき
ない。
や強磁性薄膜抵抗素子等が知られている。図５に示すよ
うに、ホール素子は基板２１に垂直方向の信号磁界９を
検出するものである。これに対し、強磁性薄膜抵抗素子
は図６に示すように基板２２上の素子検出パターン２３
の長手方向に直角な信号磁界９を検出するものである。
これらの磁気検出方法の内、ホール素子は低磁界に対す
る感度が悪く２００（Ｏｅ）以下の低磁界の検出はでき
ない。
【０００５】これに対し、強磁性薄膜抵抗素子は１０
（Ｏｅ）〜５０（Ｏｅ）の低磁界の感度は良いが磁気抵
抗変化率が３〜５％と小さく外部ノイズの影響等で出力
の取り出しが困難になるという問題点があった。
（Ｏｅ）〜５０（Ｏｅ）の低磁界の感度は良いが磁気抵
抗変化率が３〜５％と小さく外部ノイズの影響等で出力
の取り出しが困難になるという問題点があった。
【０００６】これに対して最近、強磁性層と、非強磁性
層とを交互に積層し隣接する強磁性層の磁化が反平行に
なるようにカップリングした人工格子膜では、大きな磁
気抵抗効果が現れることが発見され、注目されている。
層とを交互に積層し隣接する強磁性層の磁化が反平行に
なるようにカップリングした人工格子膜では、大きな磁
気抵抗効果が現れることが発見され、注目されている。
【０００７】人工格子膜は、特開平４−３２９６８３号
公報等に示されているようにＮｉ・Ｆｅ・Ｃｏ等の強磁
性層とＣｕ等の非強磁性金属より成り、ＲＫＫＹ的磁気
結合により磁性層が反強磁性的に結合したとき、大きな
磁気抵抗効果を示す。
公報等に示されているようにＮｉ・Ｆｅ・Ｃｏ等の強磁
性層とＣｕ等の非強磁性金属より成り、ＲＫＫＹ的磁気
結合により磁性層が反強磁性的に結合したとき、大きな
磁気抵抗効果を示す。
【０００８】このような人工格子膜と従来の強磁性磁気
抵抗膜との違いは、その磁気抵抗変化率の大きさと、磁
気異方性と抵抗値変化の方向である。磁気抵抗変化率は
強磁性磁気抵抗膜の最大５％に対して人工格子膜では少
なくとも１５％以上である。また磁気異方性と抵抗値変
化をする方向に対しては、強磁性磁気抵抗膜は磁化され
た方向と電流方向が垂直の場合抵抗値が小さくなるのに
対し、人工格子膜ではこのような異方性はなく、磁化さ
れると等方的に抵抗値が小さくなる。このため、磁気抵
抗素子の飽和磁界を計算する際、必要な式は Ｈｋ＝Ｈａ＋４πＩｓ・Ｔ／Ｗ …… （１）式 Ｈｋ：素子の飽和磁界 Ｈａ：磁性膜本来の飽和磁界 Ｉｓ：飽和磁化 Ｔ／Ｗ：反磁界定数 で表されるが、強磁性膜の場合、図７に示すように素子
検出パターン２４の電流方向即ちパターン長手方向に対
し直角な信号磁界９を検出し、 Ｔ：膜厚、Ｗ：パターン幅 として上記（１）式が計算されるが、人工格子膜の場合
は、図７に示すように素子検出パターン２４の電流方向
即ちパターン長手方向に対し直角な信号磁界９も、図８
の素子検出パターン２５のように電流方向即ちパターン
長手方向に対し平行に印加された信号磁界９も検出し、 Ｔ：パターン幅、Ｗ：パターン長 として上記（１）式が計算される。
抵抗膜との違いは、その磁気抵抗変化率の大きさと、磁
気異方性と抵抗値変化の方向である。磁気抵抗変化率は
強磁性磁気抵抗膜の最大５％に対して人工格子膜では少
なくとも１５％以上である。また磁気異方性と抵抗値変
化をする方向に対しては、強磁性磁気抵抗膜は磁化され
た方向と電流方向が垂直の場合抵抗値が小さくなるのに
対し、人工格子膜ではこのような異方性はなく、磁化さ
れると等方的に抵抗値が小さくなる。このため、磁気抵
抗素子の飽和磁界を計算する際、必要な式は Ｈｋ＝Ｈａ＋４πＩｓ・Ｔ／Ｗ …… （１）式 Ｈｋ：素子の飽和磁界 Ｈａ：磁性膜本来の飽和磁界 Ｉｓ：飽和磁化 Ｔ／Ｗ：反磁界定数 で表されるが、強磁性膜の場合、図７に示すように素子
検出パターン２４の電流方向即ちパターン長手方向に対
し直角な信号磁界９を検出し、 Ｔ：膜厚、Ｗ：パターン幅 として上記（１）式が計算されるが、人工格子膜の場合
は、図７に示すように素子検出パターン２４の電流方向
即ちパターン長手方向に対し直角な信号磁界９も、図８
の素子検出パターン２５のように電流方向即ちパターン
長手方向に対し平行に印加された信号磁界９も検出し、 Ｔ：パターン幅、Ｗ：パターン長 として上記（１）式が計算される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の構成では、図７に示すような素子検出パターン２
４のパターン長手方向に対し直角な信号磁界９も、図８
に示すような素子検出パターン２５のパターン長手方向
に対し平行に印加された信号磁界９も検出する。したが
って、人工格子膜では同一基板上に作成された２個の抵
抗体に印加された信号磁界について強磁性薄膜抵抗素子
のようにパターン形状による抵抗値差が発生せず差動出
力としても取り出せないという問題を有していた。
従来の構成では、図７に示すような素子検出パターン２
４のパターン長手方向に対し直角な信号磁界９も、図８
に示すような素子検出パターン２５のパターン長手方向
に対し平行に印加された信号磁界９も検出する。したが
って、人工格子膜では同一基板上に作成された２個の抵
抗体に印加された信号磁界について強磁性薄膜抵抗素子
のようにパターン形状による抵抗値差が発生せず差動出
力としても取り出せないという問題を有していた。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、人工格子膜を用いた磁気センサにおいて、信号磁
界の印加方向または印加量の検出が可能な高出力、高感
度の磁気センサを提供することを目的とする。
ので、人工格子膜を用いた磁気センサにおいて、信号磁
界の印加方向または印加量の検出が可能な高出力、高感
度の磁気センサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、強磁性層と非強磁性層とを交互に積層し
た人工格子膜からなり、基板上に直列に接続した２個の
抵抗体パターンと、前記２個の抵抗体パターンの接続点
に設けた出力端子とを有し、前記抵抗体パターンにバイ
アス磁界を印加することにより、前記基板の表面にほぼ
平行な信号磁界の印加方向または印加量の変化に応じて
前記出力端子の電圧が変化することを特徴とするもので
ある。
に、本発明は、強磁性層と非強磁性層とを交互に積層し
た人工格子膜からなり、基板上に直列に接続した２個の
抵抗体パターンと、前記２個の抵抗体パターンの接続点
に設けた出力端子とを有し、前記抵抗体パターンにバイ
アス磁界を印加することにより、前記基板の表面にほぼ
平行な信号磁界の印加方向または印加量の変化に応じて
前記出力端子の電圧が変化することを特徴とするもので
ある。
【００１２】
【作用】このような構成により、人工格子膜のパターン
にバイアス磁界を印加すると、人工格子膜基板の面にほ
ぼ平行な信号磁界の印加方向または印加量の変化に応じ
て出力端子の電圧が変化し、信号磁界の印加方向または
印加量の検出が可能になり、高出力、高感度の磁気セン
サを提供することができる。
にバイアス磁界を印加すると、人工格子膜基板の面にほ
ぼ平行な信号磁界の印加方向または印加量の変化に応じ
て出力端子の電圧が変化し、信号磁界の印加方向または
印加量の検出が可能になり、高出力、高感度の磁気セン
サを提供することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１（ａ）、図２（ａ）および図３
（ａ）は本実施例における磁気センサを示すものであ
る。本実施例における磁気センサは、強磁性膜と非強磁
性膜とを交互に積層した人工格子膜を用いた抵抗体パタ
ーン１および抵抗体パターン２を、基板８上に平行に配
置かつ直列に接続し、抵抗体パターン１と抵抗体パター
ン２の接続点に出力端子を設けた構成と、抵抗体パター
ン１および抵抗体パターン２に印加されるバイアス磁界
３，４および５の方向とがそれぞれ示している。
しながら説明する。図１（ａ）、図２（ａ）および図３
（ａ）は本実施例における磁気センサを示すものであ
る。本実施例における磁気センサは、強磁性膜と非強磁
性膜とを交互に積層した人工格子膜を用いた抵抗体パタ
ーン１および抵抗体パターン２を、基板８上に平行に配
置かつ直列に接続し、抵抗体パターン１と抵抗体パター
ン２の接続点に出力端子を設けた構成と、抵抗体パター
ン１および抵抗体パターン２に印加されるバイアス磁界
３，４および５の方向とがそれぞれ示している。
【００１４】以上のように構成された磁気センサについ
て、図１〜図３を用いてその動作を説明する。図１
（ａ）は抵抗体パターン１と抵抗体パターン２に逆方向
のバイアス磁界３および４を印加した時の印加状態であ
る。磁気飽和点をＨｋとすると、抵抗体パターン１に
（Ｈｋ／２）程度のバイアス磁界３を、抵抗体パターン
２には抵抗体パターン１と逆方向に（Ｈｋ／２）程度の
バイアス磁界４をそれぞれ印加する。この時、抵抗体パ
ターン１と抵抗体パターン２とはそれぞれ図１（ｂ）の
波形図６、波形図７に示すような磁気抵抗変化の特性と
なる。
て、図１〜図３を用いてその動作を説明する。図１
（ａ）は抵抗体パターン１と抵抗体パターン２に逆方向
のバイアス磁界３および４を印加した時の印加状態であ
る。磁気飽和点をＨｋとすると、抵抗体パターン１に
（Ｈｋ／２）程度のバイアス磁界３を、抵抗体パターン
２には抵抗体パターン１と逆方向に（Ｈｋ／２）程度の
バイアス磁界４をそれぞれ印加する。この時、抵抗体パ
ターン１と抵抗体パターン２とはそれぞれ図１（ｂ）の
波形図６、波形図７に示すような磁気抵抗変化の特性と
なる。
【００１５】さらに、基板８に１周期λの信号磁界９を
印加すると、図１（ｂ）の波形図１０（抵抗体パターン
１）、波形図１１（抵抗体パターン２）のような抵抗値
変化が起こる。抵抗値変化の大きさは波形図１０、波形
図１１共に−ｒから＋ｒの大きさで変化する。その差動
電圧が図１（ｃ）の波形図１２に示す出力として得られ
る。この時の出力パルス数は１周期λの信号磁界に対し
て１周期の出力であり、出力の大きさは±２ｒの大きさ
となる。
印加すると、図１（ｂ）の波形図１０（抵抗体パターン
１）、波形図１１（抵抗体パターン２）のような抵抗値
変化が起こる。抵抗値変化の大きさは波形図１０、波形
図１１共に−ｒから＋ｒの大きさで変化する。その差動
電圧が図１（ｃ）の波形図１２に示す出力として得られ
る。この時の出力パルス数は１周期λの信号磁界に対し
て１周期の出力であり、出力の大きさは±２ｒの大きさ
となる。
【００１６】図２（ａ）は抵抗体パターン１のみにバイ
アス磁界５を印加した時の印加状態である。最大信号磁
界をｘ，磁気飽和点をＨｋとすると（Ｈｋ＋ｘ）以上の
バイアス磁界５を抵抗体パターン１に印加する。この
時、抵抗体パターン１と抵抗体パターン２はそれぞれ図
２（ｂ）の波形図１３、波形図１４のような磁気抵抗変
化の特性となる。
アス磁界５を印加した時の印加状態である。最大信号磁
界をｘ，磁気飽和点をＨｋとすると（Ｈｋ＋ｘ）以上の
バイアス磁界５を抵抗体パターン１に印加する。この
時、抵抗体パターン１と抵抗体パターン２はそれぞれ図
２（ｂ）の波形図１３、波形図１４のような磁気抵抗変
化の特性となる。
【００１７】さらに、基板８に１周期λの信号磁界９を
印加すると、図２（ｂ）の抵抗体パターン２のみに波形
図１５のような抵抗値変化が起こる。抵抗値変化の大き
さは波形図１５では０から−２ｒの大きさで変化する。
このように生じた、抵抗体パターン１と抵抗体パターン
２の差動が図２（ｃ）の出力１６として得られる。この
時の出力パルス数は１周期λの信号磁界に対して２周期
の出力が得られ、出力の大きさは−２ｒの大きさであ
る。
印加すると、図２（ｂ）の抵抗体パターン２のみに波形
図１５のような抵抗値変化が起こる。抵抗値変化の大き
さは波形図１５では０から−２ｒの大きさで変化する。
このように生じた、抵抗体パターン１と抵抗体パターン
２の差動が図２（ｃ）の出力１６として得られる。この
時の出力パルス数は１周期λの信号磁界に対して２周期
の出力が得られ、出力の大きさは−２ｒの大きさであ
る。
【００１８】図３（ａ）は抵抗体パターン１と抵抗体パ
ターン２にそれぞれ違う大きさのバイアス磁界３および
５を印加した時の印加状態である。最大信号磁界をｘ，
磁気飽和点をＨｋとし抵抗体パターン１には（Ｈｋ＋
ｘ）以上のバイアス磁界５を、抵抗体パターン２には
（Ｈｋ／２）程度のバイアス磁界３を印加する。この時
の抵抗体パターン２へのバイアス磁界は、抵抗体パター
ン１へのバイアス磁界と逆方向でも良い。この時は、抵
抗体パターン１と抵抗体パターン２はそれぞれ図３
（ｂ）の波形図１７、波形図１８のような磁気抵抗変化
の特性となる。
ターン２にそれぞれ違う大きさのバイアス磁界３および
５を印加した時の印加状態である。最大信号磁界をｘ，
磁気飽和点をＨｋとし抵抗体パターン１には（Ｈｋ＋
ｘ）以上のバイアス磁界５を、抵抗体パターン２には
（Ｈｋ／２）程度のバイアス磁界３を印加する。この時
の抵抗体パターン２へのバイアス磁界は、抵抗体パター
ン１へのバイアス磁界と逆方向でも良い。この時は、抵
抗体パターン１と抵抗体パターン２はそれぞれ図３
（ｂ）の波形図１７、波形図１８のような磁気抵抗変化
の特性となる。
【００１９】さらに基板８に１周期λの信号磁界９を印
加すると、抵抗体パターン２にのみ図３（ｂ）の波形図
１９のような抵抗値変化が起こる。抵抗値変化の大きさ
は波形図１９では−ｒから＋ｒの大きさで変化する。そ
の差動が図３（ｃ）の波形図２０に示す出力として得ら
れる。この時の出力パルス数は１周期λの信号磁界に対
して１周期の出力であり、出力の大きさは±ｒの大きさ
である。
加すると、抵抗体パターン２にのみ図３（ｂ）の波形図
１９のような抵抗値変化が起こる。抵抗値変化の大きさ
は波形図１９では−ｒから＋ｒの大きさで変化する。そ
の差動が図３（ｃ）の波形図２０に示す出力として得ら
れる。この時の出力パルス数は１周期λの信号磁界に対
して１周期の出力であり、出力の大きさは±ｒの大きさ
である。
【００２０】以上のように本実施例によれば、従来は、
人工格子膜では素子検出抵抗体パターン長手方向に対し
直角な信号磁界および素子検出抵抗体パターン長手方向
に対し平行に印加された信号磁界を検出し、同一基板上
に作成された２個の抵抗体パターンに印加された信号磁
界について差動出力として取り出せなかったが、本実施
例のように、人工格子膜の抵抗体パターンにバイアス磁
界を印加すると、人工格子膜基板の面にほぼ平行な信号
磁界の印加方向または印加量の変化に応じて出力端子の
電圧が変化し、信号磁界の印加方向または印加量の検出
を可能とすることができる。
人工格子膜では素子検出抵抗体パターン長手方向に対し
直角な信号磁界および素子検出抵抗体パターン長手方向
に対し平行に印加された信号磁界を検出し、同一基板上
に作成された２個の抵抗体パターンに印加された信号磁
界について差動出力として取り出せなかったが、本実施
例のように、人工格子膜の抵抗体パターンにバイアス磁
界を印加すると、人工格子膜基板の面にほぼ平行な信号
磁界の印加方向または印加量の変化に応じて出力端子の
電圧が変化し、信号磁界の印加方向または印加量の検出
を可能とすることができる。
【００２１】また、図１，図２および図３に示すバイア
ス磁界印加方法のそれぞれの利点としては、まず図１に
示す、抵抗体パターン１と抵抗体パターン２に逆方向の
バイアス磁界を印加した場合は、抵抗体パターン１およ
び抵抗体パターン２の差動が出力を取り出すため、出力
が大きくとれる。次に図２に示す抵抗体パターン１のみ
にバイアス磁界を印加した場合は、信号磁界９の０→＋
→０、０→−→０の２つの変化経路でそれぞれ１個ずつ
のピークが発生するため倍周波のパルスがとれる。さら
に、図３に示す、抵抗体パターン１と抵抗体パターン２
にそれぞれ違う大きさのバイアス磁界５および３を印加
した場合は、信号磁界９の＋，−によって、出力端子１
００からの出力電位が変わるため極性判定ができる。
ス磁界印加方法のそれぞれの利点としては、まず図１に
示す、抵抗体パターン１と抵抗体パターン２に逆方向の
バイアス磁界を印加した場合は、抵抗体パターン１およ
び抵抗体パターン２の差動が出力を取り出すため、出力
が大きくとれる。次に図２に示す抵抗体パターン１のみ
にバイアス磁界を印加した場合は、信号磁界９の０→＋
→０、０→−→０の２つの変化経路でそれぞれ１個ずつ
のピークが発生するため倍周波のパルスがとれる。さら
に、図３に示す、抵抗体パターン１と抵抗体パターン２
にそれぞれ違う大きさのバイアス磁界５および３を印加
した場合は、信号磁界９の＋，−によって、出力端子１
００からの出力電位が変わるため極性判定ができる。
【００２２】また、図４に示すように人工格子膜は面内
等方性であるため磁気抵抗変化が抵抗体パターン形状に
依存せず、工程に応じて、図４（ａ）に示す抵抗体パタ
ーン１と抵抗体パターン２を対向させて形成したもの、
図４（ｂ）に示す抵抗体パターン１と抵抗体パターン２
を直角に交差させて形成したもの、図４（ｃ）に示す抵
抗体パターン１と抵抗体パターン２を斜交させて形成し
たもの、図４（ｄ）に示す抵抗体パターン１と抵抗体パ
ターン２を斜めに並列させて形成したパターン形状のも
のなども、図１〜図４に示したものと同様のバイアス磁
界の印加によって上記と同様の動作によって同様な磁気
の検出が可能である。
等方性であるため磁気抵抗変化が抵抗体パターン形状に
依存せず、工程に応じて、図４（ａ）に示す抵抗体パタ
ーン１と抵抗体パターン２を対向させて形成したもの、
図４（ｂ）に示す抵抗体パターン１と抵抗体パターン２
を直角に交差させて形成したもの、図４（ｃ）に示す抵
抗体パターン１と抵抗体パターン２を斜交させて形成し
たもの、図４（ｄ）に示す抵抗体パターン１と抵抗体パ
ターン２を斜めに並列させて形成したパターン形状のも
のなども、図１〜図４に示したものと同様のバイアス磁
界の印加によって上記と同様の動作によって同様な磁気
の検出が可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなように
本発明は、磁気抵抗効果を有する人工格子膜を用いた磁
気センサにバイアス磁界をかけることにより、従来問題
としていた人工格子膜は温度係数が大きく１個の抵抗体
では出力の取り出しが困難であり、面内で等方性である
ため同一基板上に作成された２個の抵抗体について抵抗
値差が発生せず差動出力としても取り出せないという問
題を解決するもので、人工格子膜による磁界の印加方向
または印加量の検出を可能にすることによって、高出
力、高感度の優れた磁気センサを実現できるものであ
る。
本発明は、磁気抵抗効果を有する人工格子膜を用いた磁
気センサにバイアス磁界をかけることにより、従来問題
としていた人工格子膜は温度係数が大きく１個の抵抗体
では出力の取り出しが困難であり、面内で等方性である
ため同一基板上に作成された２個の抵抗体について抵抗
値差が発生せず差動出力としても取り出せないという問
題を解決するもので、人工格子膜による磁界の印加方向
または印加量の検出を可能にすることによって、高出
力、高感度の優れた磁気センサを実現できるものであ
る。
【図１】（ａ）本発明の一実施例における磁気センサに
バイアス磁界および信号磁界を印加した状態を示すパタ
ーン図 （ｂ）同磁気センサの磁界に対する磁気抵抗変化率特性
図 （ｃ）同磁気センサの外部磁界に対する出力特性図
バイアス磁界および信号磁界を印加した状態を示すパタ
ーン図 （ｂ）同磁気センサの磁界に対する磁気抵抗変化率特性
図 （ｃ）同磁気センサの外部磁界に対する出力特性図
【図２】（ａ）同磁気センサに他のバイアス磁界および
信号磁界を印加した状態を示すパターン図 （ｂ）同磁気センサの磁界に対する磁気抵抗変化率特性
図 （ｃ）同磁気センサの外部磁界に対する出力特性図
信号磁界を印加した状態を示すパターン図 （ｂ）同磁気センサの磁界に対する磁気抵抗変化率特性
図 （ｃ）同磁気センサの外部磁界に対する出力特性図
【図３】（ａ）同磁気センサに他のバイアス磁界および
信号磁界を印加した状態を示すパターン図 （ｂ）同磁気センサの磁界に対する磁気抵抗変化率特性
図 （ｃ）同磁気センサの外部磁界に対する出力特性図
信号磁界を印加した状態を示すパターン図 （ｂ）同磁気センサの磁界に対する磁気抵抗変化率特性
図 （ｃ）同磁気センサの外部磁界に対する出力特性図
【図４】（ａ）同実施例における磁気センサの抵抗体パ
ターン図 （ｂ）同実施例における磁気センサの抵抗体パターン図 （ｃ）同実施例における抵抗体パターン図 （ｄ）同実施例における抵抗体パターン図
ターン図 （ｂ）同実施例における磁気センサの抵抗体パターン図 （ｃ）同実施例における抵抗体パターン図 （ｄ）同実施例における抵抗体パターン図
【図５】従来のホール素子を示す斜視図
【図６】従来の強磁性薄膜抵抗素子の斜視図
【図７】従来の強磁性薄膜抵抗素子の抵抗体パターンの
直角方向に信号磁界を印加した状態を示す説明図
直角方向に信号磁界を印加した状態を示す説明図
【図８】従来の強磁性薄膜抵抗素子の抵抗体パターンに
平行方向に信号磁界を印加した状態を示す説明図
平行方向に信号磁界を印加した状態を示す説明図
１ 抵抗体パターン ２ 抵抗体パターン ３ バイアス磁界 ４ バイアス磁界 ８ 基板 ９ 信号磁界 １００ 出力端子
Claims (4)
- 【請求項１】 強磁性層と非強磁性層とを交互に積層し
た人工格子膜からなり、基板上に直列に接続した２個の
抵抗体パターンと、前記２個の抵抗体パターンの接続点
に設けた出力端子とを有し、前記抵抗体パターンにバイ
アス磁界を印加することにより、前記基板の表面にほぼ
平行な信号磁界の印加方向または印加量の変化に応じて
前記出力端子の電圧が変化することを特徴とする磁気セ
ンサ。 - 【請求項２】 基板上に接続した２個の抵抗体パターン
にそれぞれ逆方向のバイアス磁界を印加することを特徴
とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項３】 基板上に接続した２個の抵抗体パターン
の一方に信号磁界よりも十分に大きいバイアス磁界を印
加することを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項４】 基板上に接続した２個の抵抗体パターン
の一方に信号磁界よりも十分大きいバイアス磁界を印加
し、他方の抵抗体パターンには信号磁界と同程度のバイ
アス磁界を印加することを特徴とする請求項１記載の磁
気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007409A JPH08201492A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007409A JPH08201492A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201492A true JPH08201492A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11665077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7007409A Pending JPH08201492A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201492A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025371A1 (fr) * | 1998-10-26 | 2000-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif magnetoresistant et capteur magnetique le renfermant |
| US6184680B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Magnetic field sensor with components formed on a flexible substrate |
| JP2007064813A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 磁界検出装置およびそれを調整する方法 |
| JP2007085980A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 磁界検出装置およびその製造方法 |
| WO2012172946A1 (ja) * | 2011-06-13 | 2012-12-20 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
-
1995
- 1995-01-20 JP JP7007409A patent/JPH08201492A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007085980A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 磁界検出装置およびその製造方法 |
| US7733210B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic field detector and manufacturing method thereof |
| JP4508058B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2010-07-21 | 三菱電機株式会社 | 磁界検出装置およびその製造方法 |
| WO2012172946A1 (ja) * | 2011-06-13 | 2012-12-20 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
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