JP5846639B2 - 分析素子 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の実施例に係る分析素子100の概略構成を示す。図1に示される分析素子100は、テーパー導波路領域11、直線導波路領域12a、及び曲線導波路領域12bで構成された検出光導波路10を含む。テーパー導波路領域11の導波路部分は、埋め込み領域15によって埋め込まれており、テーパー導波路領域11は、直線埋め込み導波路領域41、第1のテーパー埋め込み導波路領域42、及び第2のテーパー埋め込み導波路領域43で構成される。
10 検出光導波路
11 テーパー領域
12a 直線導波領域
12b 曲線導波領域
13 光入射端面
14 光出射端面
15 埋め込み領域
21 基板
22 下部クラッド層
23 コア層
24 上部クラッド層
25 マスク
41 直線埋め込み導波路領域
42 第1のテーパー埋め込み導波路領域
43 第2のテーパー埋め込み導波路領域
44 導波領域
Claims (3)
- 光導波路のコア層及びクラッド層が共にSiO2系材料から構成されるSiO2系導波路を光検出導波路として使用する分析素子であって、
前記光導波路は、少なくとも、光の入出射端面部分に設けられた埋め込み構造のテーパー導波路領域と、前記テーパー導波路領域と接続されたハイメサ構造の直線導波路領域とを有しており、
前記コア層と前記クラッド層との比屈折率差が2.5%であり、
前記光導波路の前記直線導波路領域の導波路幅が2.5μm以下であることを特徴とする分析素子。 - 前記光導波路の前記直線導波路領域の導波路幅が2.1μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の分析素子。
- 前記光導波路が、曲線導波路領域をさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の分析素子。
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