JP2005061904A - 光導波路型センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
検出領域には、シリコン細線コア105と、シリコン細線コア105の両脇を埋めるように形成されたクラッド層106が形成され、導波路が構成されている。シリコン細線コア105は、断面の寸法が約1μm角程度となっている。また、シリコン細線コア105の基板部111側の下面と両側面は、酸化シリコンに覆われ、上面は、露出した状態の導波路となっている。シリコン細線コア105は、断面寸法が1μm角程度としてあるので、導波路は、波長4μm以下の光がシングルモードで伝搬する。
【選択図】 図1
Description
また、ATR法により、採血やセンサを埋め込むことなどを必要とせずに、人体の血中のグルコースの濃度を簡便に測定する分析システムなども開発されている(特許文献1参照)。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、より小型な分析システムが構築できるようにすることを目的とする。
このセンサは、コアからしみ出した光が、コアの露出した面に接触している分析対象物により吸収されることを利用したものである。
図1は、本発明の実施の形態における光導波路型センサの構成例を示す平面図である。
このセンサの構成について説明すると、まず、入射側の光ファイバー200の端部が固定されるV字状の溝101、出射側の光ファイバー300の端部が固定されるV字状の溝102が設けられている。溝101,102は、一般に市販されているSOI基板の基板部111に形成されている。
まず、SOI(Silicon on Insulator)基板を用意する。SOI基板は、埋め込み絶縁層(埋め込み酸化層)の上のシリコン層(単結晶シリコン層)が、高抵抗p形あるいは高抵抗n形であればよい。また、シリコン層は、所望の厚さより薄い高抵抗p形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコンを結晶成長させて所望の厚さとしたものでもよい。同様に、シリコン層は、所望の厚さより薄い高抵抗n形の単結晶シリコン層の上に、ノンドープの単結晶シリコンを結晶成長させて所望の厚さとしたものでもよい。
図9,10に示す光導波路センサでは、まず、シリコン細線コア105による導波路の入射端の側に半導体レーザなどの発光素子210を配置し、発光素子210より出射する光が、スポットサイズ変化部212を介してスポットサイズ変換コア103よりなるスポットサイズ変換部の入射端に結合されるようにする。発光素子210は、ドライバICチップ211により駆動される。
図9,10の光導波路センサでは、図1に示した光導波路センサのファイバー固定領域を溝などを形成することなく平坦な状態とし、この領域に、発光素子210,ドライバICチップ211,スポットサイズ変換部212,受光素子310,プリアンプICチップ311を配置する。
Claims (5)
- 下部クラッド層と、
この下部クラッド層の上に形成されて少なくとも一部の面が露出したシリコンを含む材料からなるコアと、
このコアから構成された導波路の光入射端と、
前記導波路の光出射端と
を少なくとも備え、
前記導波路は、シングルモード導波路であり、
前記コアの露出した面に分析対象物が接触する
ことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項1記載の光導波路型センサにおいて、
前記光入射端に光結合して配置された第1光ファイバーと、
前記光出射端に光結合して配置された第2光ファイバーと
を備えたことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項2記載の光導波路型センサにおいて、
前記第1光ファイバーの出射端と前記光入射端との間に配置され、前記第1光ファイバーより出射された光の径を小さくする第1スポットサイズ変換部と、
前記第2光ファイバーの入射端と前記光出射端との間に配置され、前記光出射端より出射された光の径を大きくする第2スポットサイズ変換部と
を少なくとも備えたことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項3記載の光導波路型センサにおいて、
前記コアは、前記光出射端及び光入射端において、端部に近いほど幅が狭く形成されている
ことを特徴とする光導波路型センサ。 - 請求項1記載の光導波路型センサにおいて、
前記光入射端に設けられた発光素子と、
前記光出射端に設けられた受光素子と
を備え、
前記発光素子の発光光は、前記光入射端に光結合し、
前記光出射端より出射する光は、前記受光素子に受光される
ことを特徴とする光導波路型センサ。
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