JP5836028B2 - プロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の製造方法は、樹脂微粒子に放射線を照射する工程(照射工程)を含む。樹脂微粒子は、高分子電解質膜の基材となる樹脂材料により構成される。樹脂微粒子を構成する樹脂材料は、放射線グラフト重合を適用しうる材料である限り限定されない。電気化学的な安定性および機械的強度が高い高分子電解質膜を製造しうることから、樹脂微粒子は、芳香族炭化水素系高分子、オレフィン系高分子およびフッ素化オレフィン系高分子から選ばれる少なくとも1種の高分子を含むことが好ましい。樹脂微粒子は、当該少なくとも1種の高分子からなりうる。
本発明の製造方法では、照射工程の後に、放射線が照射された微粒子に対してグラフト重合を実施する(グラフト重合工程)。具体的には、スルホン酸基前駆体を有するビニル化合物をモノマーとして、当該ビニルモノマーAを、照射工程において放射線が照射された樹脂微粒子にグラフト重合させる。これにより、樹脂微粒子と、当該微粒子に結合した、ビニルモノマーAの重合鎖(グラフト鎖)とを含む、微粒子状のグラフト重合体を得る。このグラフト重合は、固液二相系において実施される。固液二相系は、ビニルモノマーAおよび当該モノマーの溶媒を含む液相と、樹脂微粒子を含む固相により構成される。液相において、ビニルモノマーAは当該溶媒(重合溶媒)に溶解している。固液二相系におけるグラフト重合の一例は、重合溶媒(第一の溶媒)にビニルモノマーAを溶解して得られるモノマー溶液に、放射線照射された樹脂微粒子を分散させた状態で実施される。グラフト重合工程は、照射工程と同様に、酸素の存在による反応阻害を抑制するため、できる限り低い酸素濃度雰囲気下で実施することが好ましい。
本発明の製造方法では、グラフト重合工程の後に、グラフト重合体のキャスト膜を形成する(キャスト工程)。キャスト膜の形成には、キャスティング法と一般に呼ばれている製膜方法を適用する。例えば、グラフト重合工程において形成した、微粒子状のグラフト重合体をキャスト溶媒(第二の溶媒)に溶解させて、キャスト溶液を調製する。次に、調製したキャスト溶液を適切な支持体に塗布して、キャスト膜を形成する。形成したキャスト膜を、後の乾燥工程において乾燥して(具体的には、キャスト膜中のキャスト溶媒を蒸発させて)、フィルムが得られる。
本発明の製造方法では、乾燥工程の後に、当該工程により得られたフィルムにおけるスルホン酸基前駆体をスルホン酸基に変換する(変換工程)。
微粒子状のポリフッ化ビニリデン(PVDF:クレハ製、KFポリマーW#1100、平均粒子径約200μm)50gを、バリアフィルムを有する酸素遮断性の袋に投入した。この袋内に、脱酸素剤(三菱瓦斯化学製、エージレス)を投入し、袋をヒートシールして密閉した。これを一昼夜保管することにより、袋内の酸素を脱酸素剤に十分吸着させた。このようにして、放射線を照射する前の脱酸素を実施した。
実施例1と同様にして、微粒子状のグラフト重合体を得た。このグラフト重合体のグラフト率を、後述する方法により測定した。次に、得られた当該グラフト重合体を用い、キャスト溶液を塗工する際のギャップ厚さを240μmとした以外は実施例1と同様にして、プロトン伝導性高分子電解質膜を得た。
実施例1と同様にして、微粒子状のグラフト重合体を得た。このグラフト重合体のグラフト率を、後述する方法により測定した。次に、得られた当該グラフト重合体を用い、キャスト溶液を塗工する際のギャップ厚さを240μmとし、キャスト膜の乾燥の条件を80℃で2時間とした以外は、実施例1と同様にして、プロトン伝導性高分子電解質膜を得た。
市販のイオン交換膜(デュポン製、Nafion112)を、比較例1とした。
市販のイオン交換膜(デュポン製、Nafion115)を、比較例2とした。
市販のイオン交換膜(デュポン製、Nafion117)を、比較例3とした。
実施例1と同様にして、微粒子状のグラフト重合体を得た。このグラフト重合体のグラフト率を、後述する方法により測定した。次に、得られた当該グラフト重合体を用い、キャスト膜の乾燥の条件を、PVDFの融点を超える温度である200℃において15分間とした以外は、実施例1と同様にして、プロトン伝導性高分子電解質膜を得た。
実施例1と同様にして、微粒子状のグラフト重合体を得た。このグラフト重合体のグラフト率を、後述する方法により測定した。次に、得られた当該グラフト重合体を、ラボプラストミル(東洋精機製)により220℃で20分間、溶融混練した後、220℃、約20MPaで熱プレスして、フィルムを形成した。このフィルムに対して、実施例1と同様に変換工程(加水分解処理)を実施して、プロトン伝導性高分子電解質膜を得た。
グラフト率G(%)は、下記式(1)により定義される。
G:グラフト率[%],W1:グラフト反応前の樹脂材料の重量[g],W2:グラフト反応後の樹脂材料の重量[g]
Mw:EtSSモノマーの分子量,n(酸基)obs:試料が有する酸基のモル量[mmol]
電解質膜の膜厚は、尾崎製作所製ダイヤルシックネスゲージG−6C(1/1000mm、測定子直径5mm)を用いて、温度25±2℃、湿度65±20%RHの雰囲気下で測定した。
電解質膜のイオン交換容量(IEC)は、式(3)により定義される。
IEC:イオン交換容量[mmol/g],n(酸基)obs:試料が有する酸基のモル量[mmol],Wd:試料の乾燥重量[g]
電解質膜のプロトン伝導度は、専用の膜抵抗測定セル、ポテンショスタット(北斗電工製、HABF−5001)および電圧計(北斗電工製、HE−104)を使用して測定した。最初に、2つの白金電極が備えられたセルに、濃度1モル/Lの硫酸水溶液を満たして室温に置いた。次に、当該2つの白金電極に電流を印加し、印加する電流値を変えて測定した時の各電極間の電位差を測定することにより、この電極間に面積Smの試料膜を置いたときの抵抗値R1と、試料膜を置かないときの抵抗値R0とを求めた。R1とR0との差分から試料膜の抵抗値Rmを求め、下記式(4)により、試料膜のプロトン伝導度σを算出した。
σ:プロトン伝導度[S/cm2],Rm:試料膜の抵抗値[Ω],Sm:試料膜の面積[cm2]
開口部および密栓可能な注入口を有するガラス容器を2つ用意した。試料膜を隔壁として狭持するように、2つの容器の開口部同士を合わせて連結した。容器内に狭持されている試料膜の面積をDとした。容器の注入口を介して、片方の容器内を濃度2モル/Lのメタノール水溶液で満たし、もう片方の容器内を蒸留水で満たした。これをウォーターバスにより60℃で保温した。蒸留水側の容器の水溶液を、適当な経過時間ごとにサンプリングし、ガスクロマトグラフ法により分析した。標準メタノール水溶液と、ガスクロマトグラムにおけるピーク面積との関係から作成した検量線を用い、サンプリング液中のメタノール濃度を求めた。さらに、各サンプリング液中のメタノール濃度を、保温の経過時間に対してプロットしたときの傾きtを求めた。プロットの傾きtと試料膜の面積Dとを式(5)に代入することにより、メタノール透過流速Fmを算出した。
Fm:メタノール透過流速[mmol/(cm2・hr)],t:プロットの傾き[mmol/hr],D:試料膜の面積[cm2]
選択透過性指標Sindexは、式(6)により表され、プロトン伝導度σをメタノール透過流速Fmで除した数値である。この数値が高い方が、メタノールに対してプロトンを選択的に透過させる度合いが大きく、電解質膜の性能が良いと判断できる。
Sindex:選択透過性指標[(S・hr)/mmol],σ:プロトン伝導度[S/cm2],Fm:メタノール透過流速[mmol/(cm2・hr)]
Claims (6)
- 樹脂微粒子に放射線を照射する照射工程と、
前記照射工程の後に、スルホン酸基前駆体を有するビニルモノマーを、固液二相系において、前記照射工程において放射線が照射された樹脂微粒子にグラフト重合させて、前記樹脂微粒子および前記ビニルモノマーの重合鎖を含む、微粒子状のグラフト重合体を得るグラフト重合工程と、
前記得られたグラフト重合体のキャスト膜を形成するキャスト工程と、
前記形成したキャスト膜を、前記樹脂微粒子の融点以下の乾燥温度で乾燥して、フィルムを得る乾燥工程と、
前記得られたフィルムにおけるスルホン酸基前駆体をスルホン酸基に変換する変換工程と、を含み、
前記固液二相系が、前記ビニルモノマーおよび当該モノマーの溶媒を含む液相と、前記樹脂微粒子を含む固相により構成される、プロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。 - 前記固液二相系の液相に含まれる前記溶媒が、芳香族化合物である請求項1に記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記キャスト工程において、
前記グラフト重合体を溶解するキャスト溶媒に非プロトン性極性溶媒を用いて前記キャスト膜を形成する、請求項1または2に記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。 - 前記乾燥工程において、
前記キャスト膜を、当該膜の乾燥に要する時間が6時間となる温度以上、かつ前記樹脂微粒子の融点よりも10℃低い温度以下、の乾燥温度で乾燥して、厚さ10μm〜70μmの前記フィルムを得る、請求項1〜3のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。 - 前記樹脂微粒子が、ポリスチレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、芳香族ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、およびテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1〜4のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
- 前記ビニルモノマーが、スチレンスルホン酸の、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、ブチルエステル、シクロヘキシルエステル、フェニルエステル、およびナトリウム塩から選ばれる少なくとも1種である請求項1〜5のいずれかに記載のプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
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