JP5831206B2 - 光スイッチ素子、光復調器、光復調方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 198
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04J—MULTIPLEX COMMUNICATION
- H04J14/00—Optical multiplex systems
- H04J14/02—Wavelength-division multiplex systems
- H04J14/0201—Add-and-drop multiplexing
- H04J14/0202—Arrangements therefor
- H04J14/021—Reconfigurable arrangements, e.g. reconfigurable optical add/drop multiplexers [ROADM] or tunable optical add/drop multiplexers [TOADM]
- H04J14/0212—Reconfigurable arrangements, e.g. reconfigurable optical add/drop multiplexers [ROADM] or tunable optical add/drop multiplexers [TOADM] using optical switches or wavelength selective switches [WSS]
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- H—ELECTRICITY
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- H04J14/00—Optical multiplex systems
- H04J14/02—Wavelength-division multiplex systems
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/311—Cascade arrangement of plural switches
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
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- G02—OPTICS
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- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/58—Arrangements comprising a monitoring photodetector
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/101—Ga×As and alloy
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
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- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/15—Function characteristic involving resonance effects, e.g. resonantly enhanced interaction
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/58—Multi-wavelength, e.g. operation of the device at a plurality of wavelengths
-
- G—PHYSICS
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/58—Multi-wavelength, e.g. operation of the device at a plurality of wavelengths
- G02F2203/585—Add/drop devices
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Description
図1は第1の実施形態による光スイッチ素子20の構成を示すブロック図、図2は前記光スイッチ素子20の一部を詳細に示す平面図、図3は図2中、線A−A’に沿った断面図、さらに図4は前記図2に示すリング共振器の周方向に沿った断面図を示す。
図19は、第2の実施形態による光スイッチ素子20Aの構成を示す平面図、図20および図21は、それぞれ図19中、線B−B’およびC−C’に沿った断面図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図22は、第3の実施形態による光スイッチ素子20Bの構成を示す平面図、図23は、図22中、線D−D’に沿った断面図である。
図25は、第4の実施形態による光スイッチ素子20Cの構成を示す平面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図27は、第5の実施形態による光スイッチ素子20Dの構成を示す。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図31は、前記図1の光スイッチ20と同じ構成の光スイッチ201,202,・・・20Nを使ったWDM信号の復調器30の概略的構成を示す図である。
20,20A〜20D 光スイッチ素子
20AG 溝部
21 リング共振器
21G 領域
21H ヒータ
21Ha,21Hb ヒータ端子
21HB 始動電源
22,23 光導波路
22in 光入力ポート
22out,23out 光出力ポート
24 フォトダイオード
24Eb 下部電極
24Et 上部電極
24I 光吸収層
24N n型シリコンエピタキシャル層
24P p型シリコンエピタキシャル層
25 トランスインピーダンス増幅器
25F 低域フィルタ
26 リミティング増幅器
27 線形増幅器
37 非線形増幅器
41 シリコン基板
41G 溝部
42 下部クラッド層
43A,43B,43R シリコンコア
44 上部クラッド層
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に形成されたリング共振器と、
前記基板上に形成され、WDM信号を導波し、前記リング共振器と光学的に結合する第1の導波路と、
前記リング共振器中の光信号成分を検出する光検出器と、
前記光検出器の出力信号に応じて駆動され、前記リング共振器の温度を変化させる温度制御装置と、
を備え、
前記リング共振器は、前記WDM信号を構成する一の光信号成分の波長に対応する共振波長を有し、
前記リング共振器と前記光検出器と前記温度制御装置とは、前記リング共振器の共振波長を前記WDM信号中の前記光信号成分の波長に対してロックさせるフィードバック制御系を構成し、
前記温度制御装置は、前記リング共振器を加熱するヒータと、前記ヒータを駆動する駆動電源と、操作されることにより前記光検出器の出力と前記駆動電源の一方を選択して前記ヒータに供給する始動スイッチとを含み、
前記始動スイッチが前記駆動電源を選択した場合、前記駆動電源は前記リング共振器を前記ヒータにより、前記リング共振器の共振波長が前記一の光信号成分の波長よりも長波長になる温度まで加熱することを特徴とする光スイッチ素子。 - 前記リング共振器が、前記リング共振器の共振波長が前記一の光信号成分の波長よりも長波長になる温度まで加熱された後、前記始動スイッチが前記光検出器の出力を選択することにより、前記リング共振器の波長が前記光信号成分の波長に対してロックされることを特徴とする請求項1記載の光スイッチ素子。
- さらに前記光検出器の出力信号を処理する信号処理装置を備え、前記信号処理装置は前記光検出器の出力信号を、電流信号から電圧信号に変換する電流−電圧変換素子を含み、前記温度制御装置は前記電流−電圧変換素子により変換された電圧信号により駆動されることを特徴とする請求項1または2記載の光スイッチ素子。
- 前記温度制御装置は前記光検出器の出力信号から高周波成分を除去する低域フィルタを含み、前記温度制御装置は前記高周波成分を除去された前記光検出器の出力信号に応じて駆動され、前記リング共振器の温度を変化させることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の光スイッチ素子。
- 前記温度制御装置は前記光検出器の出力信号を増幅する増幅器を含み、前記温度制御装置は前記増幅された前記光検出器の出力信号に応じて駆動され、前記リング共振器の温度を変化させることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の光スイッチ素子。
- 前記増幅器は前記光検出器の出力信号を、前記リング共振器の温度が、前記リング共振器の共振波長と前記光信号成分の波長とが一致する温度を超えて昇温するように増幅することを特徴とする請求項5記載の光スイッチ素子。
- 前記増幅器は線形増幅器であることを特徴とする請求項5記載の光スイッチ素子。
- 前記増幅器は非線形増幅器であることを特徴とする請求項5記載の光スイッチ素子。
- 前記信号処理装置は前記光検出器の出力信号に対してしきい値処理を行う比較器を含み、前記温度制御装置は前記比較器の出力信号により駆動されることを特徴とする請求項3記載の光スイッチ素子。
- さらに前記基板上に形成され、前記リング共振器と光学的に結合し、前記WDM信号の一信号成分を導波する第2の導波路を備え、前記光検出器は、前記第2の導波路に光学的に結合されていることを特徴とする請求項1〜9のうち、いずれか一項記載の光スイッチ素子。
- 前記基板上において前記リング共振器は溝部で区画された第1の領域に形成され、前記光検出器は前記第1の領域の外の第2の領域に形成され、前記第2の導波路が、
前記溝部の切れ目において前記第1の領域から前記第2の領域まで延在することを特徴とする請求項10記載の光スイッチ素子。 - 前記光検出器は、前記リング共振器中に、前記リング共振器の一部として形成されていることを特徴とする請求項1〜9のうち、いずれか一項記載の光スイッチ素子。
- 基板と、
前記基板上に形成され、一端に供給されたWDM信号を他端まで導波する導波路と、
前記基板上に、前記導波路に沿って順次形成された複数の光スイッチ素子と、
を含み、
前記複数の光スイッチ素子の各々は、前記導波路に光学的に結合し、前記WDM信号中の一の光信号成分に対応した共振波長を有するリング共振器と、
前記リング共振器中の光信号成分を検出する光検出器と、
前記光検出器の出力信号を処理し、前記光信号成分に対応した電気信号を形成する信号処理装置と、
前記光検出器の出力信号に応じて駆動され、前記リング共振器の温度を変化させる温度制御装置と、
を備え、
前記リング共振器と前記光検出器と前記温度制御装置とは、前記リング共振器の共振波長を前記WDM信号中の前記光信号成分の波長に対してロックさせるフィードバック制御系を構成し、
前記温度制御装置は、前記リング共振器を加熱するヒータと、前記ヒータを駆動する駆動電源と、操作されることにより前記光検出器の出力と前記駆動電源の一方を選択して前記ヒータに供給する始動スイッチとを含み、
前記始動スイッチが前記駆動電源を選択した場合、前記駆動電源は前記リング共振器を前記ヒータにより、前記リング共振器の共振波長が前記一の光信号成分の波長よりも長波長になる温度まで加熱することを特徴とする光復調器。 - 前記リング共振器が、前記リング共振器の共振波長が前記一の光信号成分の波長よりも長波長になる温度まで加熱された後、前記始動スイッチが前記光検出器の出力を選択することにより、前記リング共振器の波長が前記光信号成分の波長に対してロックされることを特徴とする請求項13記載の光復調器。
- 基板と、前記基板上に形成され、一端に供給されたWDM信号を他端まで導波する導波路と、前記基板上に、前記導波路に沿って順次形成された複数の光スイッチ素子と、を含み、前記複数の光スイッチ素子の各々は、前記導波路に光学的に結合し、前記WDM信号中の一の光信号成分に対応した共振波長を有するリング共振器と、前記リング共振器中の光信号成分を検出する光検出器と、前記光検出器の出力信号を処理し、前記光信号成分に対応した電気信号を形成する信号処理装置と、前記光検出器の出力信号に応じて駆動され、前記リング共振器の温度を変化させる温度制御装置と、を備え、前記リング共振器と前記光検出器と前記温度制御装置とは、前記リング共振器の共振波長を前記WDM信号中の前記光信号成分の波長に対してロックさせるフィードバック制御系を構成し、前記温度制御装置は、前記リング共振器を加熱するヒータと、前記ヒータを駆動する駆動電源と、操作されることにより前記光検出器の出力と前記駆動電源の一方を選択して前記ヒータに供給する始動スイッチとを含み、前記始動スイッチが前記駆動電源を選択した場合、前記駆動電源は前記リング共振器を前記ヒータにより、前記リング共振器の共振波長が前記一の光信号成分の波長よりも長波長になる温度まで加熱する光復調器を使った光復調方法であって、
前記始動スイッチにより前記駆動電源を選択し、前記リング共振器を前記ヒータにより、前記リング共振器の共振波長が前記光信号成分の波長よりも長波長になる温度まで加熱する第1の手順と、
前記導波路にWDM信号を供給する第2の手順と、
前記第1および第2の手順の後、前記導波路に前記WDM信号が供給されている状態において、前記始動スイッチにより前記光検出器の出力を選択し、前記リング共振器の波長を前記光信号成分の波長に対してロックさせる第3の手順と、
を含むことを特徴とする光復調方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011280574A JP5831206B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 光スイッチ素子、光復調器、光復調方法 |
US13/613,297 US9184865B2 (en) | 2011-12-21 | 2012-09-13 | Optical switch, optical demodulator, and optical demodulation method having feedback control of temperature regulator based on optical detector output |
TW101134229A TWI542912B (zh) | 2011-12-21 | 2012-09-19 | 多工解訊器及光學多工解訊方法 |
CN201210376811.2A CN103176327B (zh) | 2011-12-21 | 2012-10-08 | 解复用器和光解复用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011280574A JP5831206B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 光スイッチ素子、光復調器、光復調方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013130738A JP2013130738A (ja) | 2013-07-04 |
JP5831206B2 true JP5831206B2 (ja) | 2015-12-09 |
Family
ID=48636297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011280574A Active JP5831206B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 光スイッチ素子、光復調器、光復調方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9184865B2 (ja) |
JP (1) | JP5831206B2 (ja) |
CN (1) | CN103176327B (ja) |
TW (1) | TWI542912B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9419412B2 (en) * | 2013-11-13 | 2016-08-16 | Agency For Science, Technology And Research | Integrated laser and method of fabrication thereof |
US9983420B2 (en) * | 2013-12-09 | 2018-05-29 | Oracle International Corporation | Wavelength-locking a ring-resonator modulator |
WO2015100629A1 (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-09 | 华为技术有限公司 | 一种环形光移位器及光信号的移位方法 |
WO2015100636A1 (zh) | 2013-12-31 | 2015-07-09 | 华为技术有限公司 | 一种环形光缓存器及光信号存入和读取方法 |
US10615566B2 (en) * | 2014-02-24 | 2020-04-07 | Purdue Research Foundation | Mode-locked and wavelength tunable optical frequency comb generation through dynamic control of microresonators |
JP6249837B2 (ja) | 2014-03-17 | 2017-12-20 | 富士通株式会社 | 光素子の制御方法 |
JP2015191068A (ja) | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | 光変調器の出力モニター方法および出力モニター装置 |
JP6427992B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-11-28 | 富士通株式会社 | 光伝送システム、送信機、受信機、及び、光伝送方法 |
US9405070B1 (en) | 2015-05-15 | 2016-08-02 | Alcatel Lucent | Optical buffer with a signal-switching capability |
US10408775B2 (en) * | 2015-05-26 | 2019-09-10 | Agency For Science, Technology And Research | Sensor arrangements and methods of operating a sensor arrangement |
US9740080B2 (en) * | 2015-10-30 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Waveguide switch with tuned photonic microring |
TWI607263B (zh) * | 2016-12-27 | 2017-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
US10644808B2 (en) * | 2017-08-23 | 2020-05-05 | Seagate Technology Llc | Silicon photonics based optical network |
CN109802743B (zh) * | 2017-11-17 | 2020-08-07 | 海思光电子有限公司 | 一种上下载滤波器和光分插复用器 |
FR3080924A1 (fr) * | 2018-05-03 | 2019-11-08 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif electro-optique integre |
US11101912B2 (en) * | 2018-07-12 | 2021-08-24 | Ayar Labs, Inc. | Electro-optical interface module and associated methods |
JP2020038241A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-12 | 国立大学法人東京工業大学 | 全光スイッチ及び光学装置 |
US11409045B2 (en) * | 2019-07-02 | 2022-08-09 | Lightmatter, Inc. | Photonics stabilization circuitry |
US10845544B1 (en) * | 2019-10-15 | 2020-11-24 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Optical source testing |
US11815721B2 (en) * | 2021-05-12 | 2023-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photonic integrated circuit having redundant light path and method of using |
US11726264B2 (en) * | 2022-01-18 | 2023-08-15 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Optical device having waveguide integrated modulator and light monitoring avalanche photodiode |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8522821D0 (en) * | 1985-09-16 | 1985-10-23 | British Telecomm | Frequency referencing system |
JPH0435330A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光受信方式 |
JPH05203825A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Nippondenso Co Ltd | 光リングフィルタ |
JP3499605B2 (ja) | 1994-09-07 | 2004-02-23 | 株式会社東芝 | 光外部強度変調器 |
JPH10209970A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Fujitsu Ltd | サージ出力を低減した光増幅器 |
JP2002072260A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光スイッチ素子及び波長ルータ |
MXPA04000186A (es) | 2001-07-03 | 2004-10-27 | Univ Brown Res Found | Metodo y aparato para procesar senales opticas con superrejillas. |
US6845117B2 (en) | 2001-11-02 | 2005-01-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier using the device or module |
AU2003253727A1 (en) | 2002-06-27 | 2004-01-19 | Brown University Research Foundation | Method and apparatus for detecting multiple optical wave lengths |
EP1810285A4 (en) | 2004-10-19 | 2010-01-06 | Inc Sioptical | OPTICAL DETECTOR CONFIGURATION AND USE AS ASSISTANCE IN MONOLITHIC INTEGRATED OPTICAL AND ELECTRONIC DEVICES |
US7605391B2 (en) * | 2004-12-12 | 2009-10-20 | Burns David W | Optically coupled resonator |
JP4678191B2 (ja) | 2005-01-11 | 2011-04-27 | 日本電気株式会社 | 多重共振器の設計方法 |
JP4945907B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2012-06-06 | 日本電気株式会社 | 波長可変レーザ |
WO2007029647A1 (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Nec Corporation | 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ |
JP4973399B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-07-11 | 日本電気株式会社 | 波長可変光源、その制御方法及び制御プログラム、並びに光モジュール |
CN101726801B (zh) * | 2008-10-28 | 2011-11-02 | 华为技术有限公司 | 一种光开关装置的控制方法和光开关装置 |
JP2010175743A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Hiroshima Univ | 光スイッチ装置およびそれを備えた光集積回路装置 |
US7977622B2 (en) * | 2009-02-09 | 2011-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tuning an optical resonator using a feedback signal representing an average DC balanced coding |
US8139281B1 (en) * | 2009-02-17 | 2012-03-20 | Lockheed Martin Corporation | Tunable optical filter apparatus and method |
JP2010224189A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Nec Corp | 光モジュールとその制御方法 |
JP2011085735A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Nec Corp | 光デバイス及び光デバイスの制御方法 |
US8897606B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-11-25 | Kotura, Inc. | Ring resonator with wavelength selectivity |
-
2011
- 2011-12-21 JP JP2011280574A patent/JP5831206B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-13 US US13/613,297 patent/US9184865B2/en active Active
- 2012-09-19 TW TW101134229A patent/TWI542912B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-08 CN CN201210376811.2A patent/CN103176327B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9184865B2 (en) | 2015-11-10 |
TWI542912B (zh) | 2016-07-21 |
JP2013130738A (ja) | 2013-07-04 |
TW201326934A (zh) | 2013-07-01 |
CN103176327A (zh) | 2013-06-26 |
US20130161496A1 (en) | 2013-06-27 |
CN103176327B (zh) | 2016-05-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5831206 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |