JP5825259B2 - 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法 - Google Patents

光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5825259B2
JP5825259B2 JP2012525421A JP2012525421A JP5825259B2 JP 5825259 B2 JP5825259 B2 JP 5825259B2 JP 2012525421 A JP2012525421 A JP 2012525421A JP 2012525421 A JP2012525421 A JP 2012525421A JP 5825259 B2 JP5825259 B2 JP 5825259B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor particles
light conversion
bonding layer
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012525421A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012011522A1 (ja
Inventor
将嗣 市川
将嗣 市川
佐野 雅彦
雅彦 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2012525421A priority Critical patent/JP5825259B2/ja
Publication of JPWO2012011522A1 publication Critical patent/JPWO2012011522A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5825259B2 publication Critical patent/JP5825259B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/007Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/48Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase having a specific function
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、蛍光体粒子を有する光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法に関するものである。
従来、発光素子からの光と、その光により発光する蛍光体粒子を有する光変換部材からの光と、を混合させて発光させる発光装置が検討されてきた。光変換部材の形成方法としては、例えば、ガラス粉体と蛍光体粒子とを混ぜた後に焼結させて形成する方法(特許文献1)や、樹脂に蛍光体粒子を混ぜたものを発光素子に塗布等した後に当該樹脂を硬化させる方法(特許文献2)が知られている。
特開2003−258308 特開2004−128393
しかしながら、ガラス粉体を用いる方法においては、焼結した後にガラス粉体同士が接着するように蛍光体粒子に比較してガラス粉体の量を多くして、ガラス粉体と蛍光体粒子を混合していた。樹脂を用いる方法においても、適当な流動性を保つために蛍光体粒子に比較して樹脂の量を多くして、蛍光体粉体と樹脂を混合していた。つまり、従来の方法ではバインダーとなるガラス粉体又は樹脂に比較して蛍光体粒子の量が少なく設定されていたため、膜厚方向及び平面方向において蛍光体粒子を均一に分布させることが困難であり、結果として色ムラが生じる恐れがあった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、蛍光体粒子を均一に分布させることが可能な光変換層の形成方法、蛍光体粒子を均一に分布させることが可能な光変換部材の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、色ムラの少ない発光装置を製造することができる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る光変換層の形成方法は、蛍光体粒子を準備する工程と、基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、前記結合層を硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
本発明に係る光変換部材の製造方法は、前記基体は基板であり、本発明に係る光変換層の形成方法により、前記基板の一方の主面に光変換層を形成することを含み、前記基板と前記光変換層とを含むことを特徴とする。
本発明に係る発光装置の製造方法は、前記基体は発光素子であり、本発明に係る光変換層の形成方法により、前記発光素子の発光面に光変換層を形成することを含み、前記基板と前記光変換層とを含むことを特徴とする。
本発明に係る光変換層及び光変換部材の形成方法は、蛍光体粒子を準備する工程と、基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、前記結合層を硬化させる工程とを含んでいるので、結合層に蛍光体粒子を均一に分布させることが可能になる。
また、本発明に係る発光装置の製造方法によれば、色ムラの少ない発光装置を製造することができる。
図1は、一実施形態の光変換部材の製造方法を説明するための一模式図である。 図2は、一実施形態の光変換部材の製造方法を説明するための他の模式図である。 図3は、結合層近傍の拡大断面図である。 図4は、一実施形態の発光装置の断面模式図である。 図5は、他の実施形態の発光装置の断面模式図である。
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置及び光変換部材の製造方法を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
<実施の形態1>
本発明に係る実施形態1は光変換部材の製造方法に係るものである。当該製造方法により作製される光変換部材100は、基板5の上に蛍光体粒子4を含有させた結合層6が形成されてなり、例えば、発光装置に用いられる。基板5は、例えば、透光性を有する基板であり、例えば、サファイア基板からなる。
以下、本発明に係る実施形態1に係る光変換部材の製造方法について工程順に説明する。
(蛍光体粒子準備工程)
図1に示すように、蛍光体粒子4を準備する。蛍光体粒子4は後に準備される発光素子13(図4参照)からの光により発光するものであればよく、その材料は限定されない。例えば、発光素子が青色発光する場合は、黄色に発光するYAG系蛍光体粒子、TAG系蛍光体粒子、ストロンチウムシリケート系蛍光体粒子等とすることで、発光装置全体として白色光を得ることができる。
本実施形態では、筐体1の底面に蛍光体粒子4を配置する。本発明では、比較的粒径の大きい蛍光体粒子4を選択的に結合層に結合させることができ、これにより、粒径がより揃った蛍光体粒子を結合層に含有させることができるが、よりいっそう粒径が揃った蛍光体粒子を結合層に含有させることができるように、蛍光体粒子4は、その粒径がある程度一定であることが好ましい。蛍光体粒子4の平均粒径は0.5μm以上50μm以下、好ましくは1μm以上30μm以下、より好ましくは10μm以上25μm以下とする。これにより、筐体1内で蛍光体粒子4を容易に対流させることができる。また、最終的に光変換部材としたときに発光効率及び光取り出し効率のよい蛍光体粒子とすることができる。
なお、蛍光体粒子自体に静電気が生じ、隣接する蛍光体粒子が密着して凝集している場合がある。このような場合は、既存の静電気除去器により、蛍光体粒子に生じた静電気を除去すればよい。これにより、蛍光体粒子4を個々に分離することができ、再現性よく蛍光体粒子を対流させることができる。
ここでは一種の蛍光体粒子を準備しているが、二種以上の蛍光体粒子が混ざったものを準備してもよい。
(結合層形成工程)
次に、結合層6を準備する。ここでは、基板5上に結合層6を形成している。
結合層6は樹脂よりなり、蛍光体粒子結合工程の際に蛍光体粉体4を内部に取り込むことができ(蛍光体粉体4を含有することができ)且つ結合層硬化工程の際に硬化できるものであればよく、その材料は限定されない。結合層6の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。結合層6の形成方法としては、ポッティング、スプレー、スピンコート等を利用することができる。塗布する際の樹脂の粘度は、蛍光体粉体4を容易に樹脂内部に取り込むために、好ましくは、5000cp以下、より好ましくは1000cp以下、より好ましくは100cp以下に設定する。また、樹脂の粘度の下限は、例えば、水より大きい粘度であればよい。
基板5は、その上面に結合層6を形成することができればよく、その材料は限定されない。基板5としては、例えば、ガラス、サファイアを使用することができる。
蛍光体粒子を含有させる前の結合層6の膜厚は、3μm以上100μm未満、好ましくは5μm以上70μm未満、より好ましくは10μm以上50μm未満とすることができる。
本実施の形態では、基板5は支持台3上に配置される。図1及び図2に示すように、支持台3には上下方向に貫通する貫通口が設けられていることが好ましい。後に説明する蛍光体粉末結合工程で結合層6の上方に送られた蛍光体粉体4が貫通口を通って再び下方に送られるので、蛍光体粒子4を効果的に利用することができるからである。
(蛍光体粒子結合工程)
次に、蛍光体粒子4を結合層6の上方で対流させることにより、蛍光体粒子4を結合層6に結合させる(蛍光体粒子4は、結合層6との濡れ性やそれ自体の重さにより結合層6の内部に取り込まれる(充填される)。)。本明細書において、「蛍光体粒子を・・・対流させる」とは、蛍光体粒子4を風により相反する方向(図1における上下方向)に流動させることをいう。
蛍光体粒子4を対流させる手法は限定されないが、例えば、蛍光体粒子4を結合層6の下方から吹き上げることにより蛍光体粒子4を結合層6の上方で対流させることができる。以下、詳細に説明する。
本実施の形態では、筐体1内において、支持台3の下方であり筐体1の側面から離れた位置に送風部2が設けられている。送風部2は、下方(筐体1の底面方向)に風を送ることができ、図2に示すような風の流れを形成することができる。つまり、送風部2から下方に風が送られ(ステップ1)、その風が筐体1の底面の存在により外側に向かい(ステップ2)、筐体1の側面に沿って上方に送られ(ステップ3)、筐体1の上面の存在により内側に向かい(ステップ4)、再び下方に送られる。そしてステップ1〜4が繰り返されることにより、送風部2からの風は筐体1内を循環することになる。そして、筐体1の底面には蛍光体粒子4が配置されているので、蛍光体粒子4も送風部2からの風に乗って筐体1内を循環する。図2には、筐体の一断面において平面的に示しているが、実際には、送風部2から送られた風は筐体1の底面において蛍光体粒子4を巻き込んで放射状に側面に向かい側面全体に沿って上昇して、筐体1の上面によって再び筐体の中央部に集められて循環する。このような風の流れを考慮すると、筐体一内における安定した風の流れを得るために、筐体1の側面は円筒形であることが好ましく、送風機2が吹き出す風の中心が筐体1の円筒側面の中心軸に一致するように送風機2を筐体1内に設置することが好ましい。また、送風機2は、上方から落ちてきた蛍光体粒子4が送風機2内を通っても損傷を受けない程度に駆動することが好ましい。
ここで、種々の粒径を含んだ蛍光体粒子4のうち、ある程度粒径の大きい(大粒径)蛍光体粒子4は、それよりも粒径の小さい(小粒径)の蛍光体粒子4よりも、優先的に筐体1内を循環し、結合層6に結合される。その理由は明らかでないが、小粒径の蛍光体粒子が風に乗って一旦上方に送られたとしても、小粒径であり軽量であるが故に筐体1の隅部等で滞留しやすく、結合層6まで到達しにくいためであると考えられる。さらに、一般に、蛍光体粒子は小粒径になればなるほど粘着力(凝集力)が大きくなる傾向にあるので、小粒径の蛍光体粒子は風に乗って上方に送られにくいためであると考えられる(小粒径の蛍光体粒子は、一定重量あたりの表面積が大きくなるので、その表面に水分が吸着されやすいためと考えられる)。したがって、大粒径の蛍光体粒子4を優先的に結合層6に取り込み得る本実施形態の光変換層では発光効率の向上が期待できる。
一般に、光変換部材に用いられる蛍光体粒子としては、小粒径のものよりも大粒径のものの方が好ましいとされている。例えば、小粒径及び大粒径の蛍光体粒子をそれぞれ所定の厚さで堆積させる場合を想定する。この場合、小粒径の蛍光体粒子では、大粒径の蛍光体粒子に比べて、厚さ方向に蛍光体粒子が多く存在することになるので、蛍光体粒子の表面(界面)での光反射が多くなり、厚さ方向への光の取り出し効率が低下するという問題がある。一方、大粒径の蛍光体粒子では、小粒径の蛍光体粒子に比べて、厚さ方向に蛍光体粒子がより少なく存在することになるので、蛍光体粒子の表面での光反射が少なくなり、厚さ方向への光の取り出し効率は向上する。さらに、蛍光体粒子の表面は結晶が歪んでいることから、蛍光体粒子の表面では効率よく発光することができないと考えられる。よって、小粒径の蛍光体粒子だと、一定重量あたりの表面積が大きくなるので、発光効率が低くなる。一方、大粒径の蛍光体粒子だと、一定重量あたりの表面積が小さくなるので(結晶の歪が抑制された表面内側の体積割合が大きくなるので)、効率よく発光させることができる。このような理由により、小粒径の蛍光体粒子の混入を抑制し、より大粒径の蛍光体粒子を優先的に用いて、光変換部材を形成することが重要である。
最終的に結合層6に含有される蛍光体粒子の量は、結合層6の膜厚により制御することができる。すなわち、結合層6に含有させることができる蛍光体粒子の最大量(結合層6によって基板に固定され得る蛍光体の最大量)は、結合層6の膜厚が薄いほど少なく、結合層6の膜厚が厚いほど多くなる。その膜厚における蛍光体粒子の最大量を超えて結合層6の上に堆積された蛍光体粒子は、結合層6によって結着されないので簡単に除去できる。つまり、結合層6の膜厚が薄ければ、結合層6の内部に取り込まれる蛍光体粒子4の量も必然的に少なくなり、結合層6の膜厚が厚ければ、結合層6の内部に取り込まれる蛍光体粒子4の量も必然的に多くなること、その膜厚における蛍光体粒子の最大量を超えて結合層6の上に堆積された蛍光体粒子は簡単に除去できることを利用すると、結合層6に取り込まれる蛍光体粒子4の量を容易に制御することができる。
本蛍光体粒子結合工程においては、結合層6に充填されなくなった余分な蛍光体粒子4が結合層6に堆積する程度に、蛍光体粒子4を結合層6に過剰に供給することになる。換言すると、本実施形態では、一定条件の下所定の膜厚の結合層6が本来含有できる量以上の蛍光体粒子4を供給している。その結果、比較的均一の厚さに形成された結合層4はその全域で可能な限り蛍光体粒子4が充填された状態となるので、従来の手法と比較して、膜厚方向及び平面方向において蛍光体粒子4の分布がより均一にできる。その結果、発光装置に用いられた際、色ムラをより抑制することができる。
ここでは、蛍光体粒子を対流させることにより結合層6に蛍光体粒子4を結合させる場合について説明したが、蛍光体粒子を対流させず単に結合層6に蛍光体粒子4を結合させることもできる。例えば、単純に結合層6の上方から蛍光体粒子を散布することにより、蛍光体粒子4を結合層6に含有させることもできる。この場合、小粒径の蛍光体粒子4を積極的に排除することはできないが、色ムラ抑制の効果は同様に得られることは言うまでもない。
(結合層硬化工程)
次に、結合層6を硬化させる。例えば、従来の樹脂を用いる方法であれば、バインダーとなる樹脂と蛍光体粒子を混合してから、それを発光素子等の他の部材に塗布等して硬化するが、本実施形態では結合層6に蛍光体粒子結合を結合させてから両者を混合せずにそのまま硬化するので、よりシンプルな工程で光変換部材を形成することができる。硬化の手法は限定されないが、結合層6が熱硬化性樹脂の場合は、結合層6を過熱することにより、結合層6をその内部に含有された蛍光体粒子4と共に一体的に硬化させ、基板5、結合層6及び蛍光体粒子4からなる光変換層10とする。
結合層6に取り込まれず結合層6の上に積もった過剰な蛍光体粒子は、例えば結合層硬化工程の後で洗い流す等して除去することができる。
図3に、本工程により得られる結合層近傍の拡大模式図を示す。尚、本明細書において、蛍光体粒子を含有する硬化後の結合層6を光変換層10と表示する。図3に示すように、光変換層10において、結合層6の表面からは、蛍光体粒子4が部分的に露出している。これは、先に堆積した蛍光体粒子4が結合層6に既に取り込まれているため、後から堆積した蛍光体粒子4が結合層6に完全に取り込まれなかったためであると考えられる。ここでは、結合層6が最上層となるように構成したが、例えば結合層6の表面を平滑にするために、結合層6上にさらに蛍光体粒子を含まない透光層を形成してもよい。
作業効率の点から比較的大面積(例えばウエハ)の光変換部材を形成することが好ましい。さらに、従来の方法であれば大面積になるほど蛍光体粒子の分布に偏りが生じる傾向があるが、本実施形態に係る方法であれば大面積の場合であっても蛍光体粒子の分布の偏りを比較的容易に抑制することができる。結合層6の膜厚を均一にするだけで、蛍光体粒子の分布を制御することができるからである。
さらに、本実施形態によれば従来の方法に比較して蛍光体粒子4の回収効率が高い。結合層6に取り込まれなかった蛍光体粒子4を再利用することができるので原則として無駄になる蛍光体粒子4が生じないからである。
<実施の形態2>
本発明に係る実施形態2の発光装置は、実施の形態1で得られた光変換部材と発光素子とを用いて構成したものである。
図4に示すように、実施形態1で得られた光変換部材100と発光素子13とを組み合わせて、発光素子13からの光と、光変換部材からの光と、を混色させることができる発光装置とすることができる(発光装置形成工程)。
具体的には、本実施形態の発光装置は、基部12a及び側壁12bからなるパッケージ12と、パッケージ12の外周に添って設けられた一対のリードフレーム11と、側壁12bにより形成される凹部底面に露出した一方のリードフレームに設けられた発光素子13と、発光素子13の各電極(図示せず)とそれぞれに対応するリードフレームとを電気的に接続するワイヤー14と、側壁12bによりなる凹部の上方に設けられた基板5及び結合層6(蛍光体粒子4を含む)からなる光変換部材100と、を有する。ここでは、基板5が観測面側となるように、基板5を外側に結合層6を内側にしている。光変換部材100は、シリコーン樹脂等からなる接着剤を介してパッケージ側壁12bと結合することができる。
発光素子13としては公知のものを用いることができ、例えば青色発光や緑色発光が可能なGaN系半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)からなるLEDとすることができる。
本実施形態2では、光変換部材100として基板5をそのまま含む構成としたが、基板5は必要に応じて薄くしたり除去したりしてもよい。例えば、スピンコートにより基板5上に結合層6を形成する場合、結合層形成工程においては、基板5はある程度の厚みを有する必要がある。しかし、発光装置形成工程においては、基板5の厚みが作業の妨げになることもあるので、このような場合には基板5を薄くしたり除去したりすることが好ましい。
<実施の形態3>
本発明に係る実施形態3の発光装置は、結合層6を発光素子13に直接形成することにより光変換層を発光素子と一体で構成したことを特徴としている。結合層6に蛍光体粒子4を含有させる方法は実施形態1と同様である。つまり、基板5ではなく発光素子13に結合層6を直接形成し(結合層形成工程)、結合層6に蛍光体粒子4を結合させて発光装置としている。
例えば、図5に示すように、対向する一対の主面を有する発光素子13の一方の主面側に一対の電極13c及び13dが設けられている場合、発光素子13の一主面と反対側の他方の主面に蛍光体粒子を含有する結合層6からなる光変換層を設けることができる。図5に示す発光装置は、例えば、一方の主面側を下側にしてリードフレーム等の導電性部材に実装することができる(フェイスダウン実装)。
ここでは、発光素子13は、成長基板13a、半導体部13b、n電極13c及びp電極13dから構成される構成としているが、発光素子13の構造はこれに限定されないことは言うまでもない。例えば、互いに対向する一対の主面を有する発光素子の一方の主面にn電極が設けられ他方の主面にp電極が設けられている場合であっても、いずれかの主面において電極以外の領域に光変換層を設けることもできる。
発光素子上に結合層6を形成する際は、作業効率の点から、発光素子がウエハ状であることが好ましい。係る場合、結合層硬化工程の後でウエハを分断することで、個々の発光素子とすることができる。
<実施の形態4>
実施の形態1から3において結合層硬化工程の後に、さらに次の工程を実施することにより、複数層の結合層を有する光変換部材を形成することができる(図示せず)。
まず、蛍光体粒子4(第1蛍光体粒子)と異なる第2蛍光体粒子を準備する(第2蛍光体粒子準備工程)。次に、実施の形態1の硬化した結合層6(第1結合層)の上面に第2結合層を形成する(第2結合層形成工程)。次に、第2蛍光体粒子を第2結合層の上方で対流させることにより、第2蛍光体粒子を第2結合層に結合させる(第2蛍光体粒子結合工程)。次に、第2結合層を硬化させる(第2結合層硬化工程)。
つまり、蛍光体粒子準備工程、結合層形成工程、蛍光体粒子結合工程及び結合層硬化工程を複数回繰り返すことにより、第1蛍光体粒子を含有した第1結合層と、第2蛍光体粒子を含有した第2結合層と、が積層された光変換部材とすることができる。特に、本実施の形態では、第1結合層の上面まで第1蛍光体粒子を含有させることができるので、第1結合層及び第2結合層において第1蛍光体粒子及び第2蛍光体粒子が実質的に連続して設けることができる。これにより、第1蛍光体粒子と第2蛍光体粒子との間に実質的に隙間がなくなるので、光取り出し効率を向上させることができる。
光変換部材に複数層の結合層を設ける場合、発光素子側から順に、長波長の光を発光する蛍光体粒子(第1蛍光体粒子)を含有する結合層(第1結合層)、短波長の光を発光する蛍光体粒子(第2蛍光体粒子)を含有する結合層(第2結合層)とすることが好ましい。これにより、多段励起が抑制されるので、発光効率を向上させることができる。例えば、第1蛍光体粒子を赤色発光とし第2蛍光体粒子を黄色発光とすることにより、第1蛍光体粒子からの発光による第2蛍光体粒子の発光を抑制することができる。
筐体、送風機及び支持台は、実施の形態1と同様のものを使用できる。また、原理も実施の形態1と同様であるので、その説明は省略する。
<実施の形態5>
実施の形態1の結合層形成工程において、基板の所望の領域に結合層を形成する以外は同様にして、光変換部材を形成する。基板上に結合層を選択的に形成することにより、光変換部材を容易にパターニングすることができる。
<実施の形態6>
実施の形態3の結合層形成工程において、発光素子の表面に選択的に結合層を形成する以外は同様にして発光装置を形成する。これにより、発光素子の発光面の表面に選択的に光変換層を形成することができる。
本発明に係る光変換部材又は発光装置の製造方法は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の光源に利用することができる。
1・・・筐体
2・・・送風部
3・・・支持台
4・・・蛍光体粒子
5・・・基板
6・・・結合層
10・・・光変換層
11・・・リードフレーム
12・・・パッケージ
13・・・発光素子
14・・・ワイヤー
100・・・光変換部材

Claims (7)

  1. 蛍光体粒子を準備する工程と、
    基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、
    前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、
    前記結合層を硬化させる工程と、を有し、
    前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程において、前記準備された蛍光体粒子を前記結合層の下方から吹き上げて前記結合層の上方で対流させることにより前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させることを特徴とする光変換層の形成方法。
  2. 前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程において、前記結合層が含有し得る最大量の蛍光体粒子を含有させる請求項1記載の光変換層の形成方法。
  3. 前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程の後に、該結合層に含有されることなく前記結合層上に付着した過剰の蛍光体粒子を除去する工程を含む請求項2記載の光変換層の形成方法。
  4. 前記基体は基板であり、
    請求項1〜のうちのいずれか1つに記載の光変換層の形成方法により、前記基板の一方の主面に光変換層を形成することを含み、
    前記基板と前記光変換層とを含む光変換部材を製造する光変換部材の製造方法。
  5. 前記光変換層を形成した後に、前記基板を除去することを含み、
    前記光変換層を含んでなる光変換部材を製造する請求項記載の光変換部材の製造方法。
  6. 請求項4又は5に記載の光変換部材の製造方法により、光変換部材を作製することと、
    発光素子を準備することと、
    前記発光素子と前記光変換部材とを組み合わせて発光装置とすることとを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  7. 前記基体は発光素子であり、
    請求項1〜のうちのいずれか1つに記載の光変換層の形成方法により、前記発光素子の発光面に光変換層を形成することを含み、
    前記基板と前記光変換層とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2012525421A 2010-07-22 2011-07-21 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法 Active JP5825259B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012525421A JP5825259B2 (ja) 2010-07-22 2011-07-21 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010164410 2010-07-22
JP2010164410 2010-07-22
JP2011101301 2011-04-28
JP2011101301 2011-04-28
PCT/JP2011/066544 WO2012011522A1 (ja) 2010-07-22 2011-07-21 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2012525421A JP5825259B2 (ja) 2010-07-22 2011-07-21 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012011522A1 JPWO2012011522A1 (ja) 2013-09-09
JP5825259B2 true JP5825259B2 (ja) 2015-12-02

Family

ID=45496940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012525421A Active JP5825259B2 (ja) 2010-07-22 2011-07-21 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8889443B2 (ja)
JP (1) JP5825259B2 (ja)
TW (1) TWI537133B (ja)
WO (1) WO2012011522A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50216Y1 (ja) * 1970-11-09 1975-01-07
GB1468175A (en) 1973-04-19 1977-03-23 Shell Int Research Inlet system including a fuel vaporizing device for internal combustion engines
JPS5029277A (ja) * 1973-07-20 1975-03-25
US4990371A (en) * 1989-08-01 1991-02-05 Gte Products Corporation Process for coating small solids
JP3091001B2 (ja) * 1991-11-21 2000-09-25 大日本印刷株式会社 蛍光面形成方法
US5601468A (en) 1991-10-14 1997-02-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display panel and method for forming fluorescent screens of the same
JP2007242624A (ja) 2000-12-27 2007-09-20 Mitsubishi Chemicals Corp 発光構造体、発光方法及び照明体
JP4158012B2 (ja) 2002-03-06 2008-10-01 日本電気硝子株式会社 発光色変換部材
JP3910517B2 (ja) 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ledデバイス
US7679097B2 (en) 2004-10-21 2010-03-16 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP4615981B2 (ja) * 2004-12-08 2011-01-19 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP4315162B2 (ja) * 2006-03-10 2009-08-19 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2009141051A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Stanley Electric Co Ltd シリコーン樹脂を用いた発光ダイオード装置
JP4889663B2 (ja) * 2008-02-07 2012-03-07 株式会社セイシン企業 気流式ふるい分け方法および装置
JP2010006850A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置ならびに照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201213122A (en) 2012-04-01
US20130122620A1 (en) 2013-05-16
US8889443B2 (en) 2014-11-18
WO2012011522A1 (ja) 2012-01-26
TWI537133B (zh) 2016-06-11
JPWO2012011522A1 (ja) 2013-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10290607B2 (en) Method for manufacturing light emitting device including light emitting element and color conversion material layer
TWI289942B (en) Semiconductor light emitting device
TWI458134B (zh) 具有磷光膜之封裝發光二極體及相關之系統和方法
JP2010532929A (ja) 発光素子パッケージ
JP2013175531A (ja) 発光装置
JP2013033833A (ja) 波長変換膜及びそれを用いた発光装置並びに照明装置
JP2008288410A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2003234511A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2009016689A (ja) 照明装置
US20120194067A1 (en) Led device
JP6524624B2 (ja) 発光装置
JP2005332951A (ja) 発光装置
JP5825259B2 (ja) 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2015211058A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
CN102244179B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2014063832A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP6447557B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6005958B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2014029894A (ja) 発光装置の製造方法
US20220020733A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
CN110970544A (zh) 发光装置以及发光装置的制造方法
TW201344989A (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
CN103840057B (zh) 发光二极管及其制造方法
JP6739527B2 (ja) 発光装置
JP2015111626A (ja) 発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150518

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150915

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5825259

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250