JP5808562B2 - 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池、及び太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5808562B2 JP5808562B2 JP2011083184A JP2011083184A JP5808562B2 JP 5808562 B2 JP5808562 B2 JP 5808562B2 JP 2011083184 A JP2011083184 A JP 2011083184A JP 2011083184 A JP2011083184 A JP 2011083184A JP 5808562 B2 JP5808562 B2 JP 5808562B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- light absorption
- absorption layer
- layer
- iiib
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 478
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 171
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 83
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 65
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims description 61
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 60
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 claims description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 35
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 680
- 239000010408 film Substances 0.000 description 182
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 96
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 91
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 91
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 86
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 63
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 50
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 46
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 41
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 39
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 29
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 28
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 27
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 20
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 10
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- -1 CuxSe Chemical class 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
j0 :5.11x10−8(A/cm2)、RP:185(Ω・cm)、
VOC:0.400(V)、JSC:33.5(mA/cm2)、
FF:0.603、η:8.08(%)
j:電流密度
j0:逆方向飽和電流密度
jph:光電流密度
e:電気素量
V:電圧
A:理想ダイオード因子
kB:ボルツマン定数
T:温度
RS:直列抵抗
RP:並列抵抗
で表したとき1<k<2であることが好ましい。これにより本発明の効果は顕著となる。
図2に示すように、本実施形態に係る太陽電池4は、ソーダライムガラス6と、ソーダライムガラス6上に形成された裏面電極層8と、裏面電極層8上に形成された第一のp型光吸収層10と、第一のp型光吸収層10上に形成された第二の光吸収層12と、第二の光吸収層12上に形成されたn型バッファ層14と、n型バッファ層14上に形成された半絶縁層16と、半絶縁層16上に形成された窓層18(透明導電層)と、窓層18上に形成された上部電極20(取り出し電極)と、を備える薄膜型太陽電池である。
で表したとき 、kは1<k<2であることが好ましい。
本実施形態では、まず、ソーダライムガラス6上に裏面電極層8を形成する。裏面電極層8は、通常、Moから構成される金属層である。裏面電極層6の形成方法としては、例えばMoターゲットのスパッタリング等が挙げられる。
縦10cm×横10cm×厚さ1mmのソーダライムガラスを洗浄、乾燥した後、Mo単体から構成される膜状の裏面電極をDCスパッタリング法によりソーダライムガラス上に形成した。裏面電極の膜厚は1μmとした。
第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比が1.25になるようにフラックスを設定した。また第二の光吸収層は設けなかった。
第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比が0.90となるようにフラックスを設定した。また異相除去処理を行わなかった。
第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比が表1に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表3に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表3に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表5に示す材料を用いた。
p型光吸収層として表5に示す材料を用いた。
第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。
第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。
第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。
第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。
第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。表7に示す組成になるように各元素のフラックスを設定した。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表7に示す値になるようにフラックスを設定した。
その後基板を200℃まで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。
第二の光吸収層形成工程におけるIn、Gaの各フラックスの比を、第二の光吸収層における組成比Ga/(In+Ga)が0.3になるように設定した。
第一のp型光吸収層として表9に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表9に示す値になるようにフラックスを設定した。複数のIIIb族元素の比が表9に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表11に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表11に示す値になるようにフラックスを設定した。
その後基板を200℃まで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。
第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表15に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表15に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表15に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表15に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層をスパッタリング法およびそれに引き続く熱処理により形成した。以下に詳細を示す。
第一のp型光吸収層を比較例12と同様にスパッタリング法およびそれに引き続く熱処理により形成した。
第一のp型光吸収層として表17に示す材料を用いた。p型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表17に示す値になるようにフラックスを設定した。
第一のp型光吸収層として表17に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表17に示す値になるようにフラックスを設定した。
参考例1、実施例2〜5、参考例6、実施例7〜29、参考例30、実施例31〜35、参考例36、実施例37〜54、および比較例1〜12の各太陽電池の特性を表19および表20に示す。
Claims (6)
- 第一の光吸収層と、第二の光吸収層と、n型半導体層と、を有し、
前記第一の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、前記Ib族元素と前記IIIb族元素の組成比が1.0であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が最も狭くかつ前記半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層であり、
前記Ib族元素と前記IIIb族元素の前記組成比はエネルギー分散型X線分光法によって測定され、
前記フォトルミネッセンススペクトルまたは前記カソードルミネセンススペクトルが10Kの温度で観測されるものであり、
前記第二の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、前記Ib族元素と前記IIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満であり、前記第一の光吸収層の光入射面に重なっており、
前記第二の光吸収層の厚さが1nm以上100nm以下の範囲であり、
前記n型半導体層は、前記第二の光吸収層に重なっている、
ことを特徴とする太陽電池。 - 前記第二の光吸収層に含まれるIb族元素およびIIIb族元素が第一の光吸収層に含まれるIb族元素およびIIIb族元素と同一であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第一の光吸収層および第二の光吸収層に含まれるIb族元素がCuであることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池を製造する方法であって、
Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含みかつ前記Ib族元素と前記IIIb族元素の比が1.0より大きい膜を形成した後に、異相であるIb族−VIb族化合物を前記膜から除去することにより前記第一の光吸収層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池を製造する方法であって、
前記第二の光吸収層を真空蒸着法、スパッタリング法の中から選ばれる一種の方法により形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池を製造する方法であって、
前記第二の光吸収層を真空蒸着法、スパッタリング法の中から選ばれる一種の方法に加え、続く工程で熱処理を施すことにより形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011083184A JP5808562B2 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
PCT/JP2012/059125 WO2012137793A2 (en) | 2011-04-04 | 2012-03-28 | Solar cell, and process for producing solar cell |
US14/008,821 US20140020738A1 (en) | 2011-04-04 | 2012-03-28 | Solar cell, and process for producing solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011083184A JP5808562B2 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012222006A JP2012222006A (ja) | 2012-11-12 |
JP5808562B2 true JP5808562B2 (ja) | 2015-11-10 |
Family
ID=45955068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011083184A Expired - Fee Related JP5808562B2 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140020738A1 (ja) |
JP (1) | JP5808562B2 (ja) |
WO (1) | WO2012137793A2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6687915B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2020-04-28 | 株式会社村田製作所 | 発光体、発光体の製造方法、及び生体物質標識剤 |
KR102024978B1 (ko) | 2016-05-23 | 2019-09-24 | 주식회사 엘지화학 | 유무기 복합 태양전지 |
US10079321B2 (en) * | 2016-06-30 | 2018-09-18 | International Business Machines Corporation | Technique for achieving large-grain Ag2ZnSn(S,Se)4thin films |
US10361331B2 (en) * | 2017-01-18 | 2019-07-23 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic structures having multiple absorber layers separated by a diffusion barrier |
JP7217674B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-02-03 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 並列抵抗計算装置、太陽電池制御システム、並列抵抗計算方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04243169A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | CuInSe2 薄膜の形成方法 |
JPH07258881A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Yazaki Corp | CuInSe2 膜の製造方法 |
JPH08111425A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法 |
JPH08195499A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | カルコパイライト化合物薄膜の製造方法 |
US6344608B2 (en) * | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
GB0127113D0 (en) * | 2001-11-10 | 2002-01-02 | Univ Sheffield | Copper indium based thin film photovoltaic devices and methods of making the same |
US20050271827A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-08 | Malle Krunks | Solar cell based on CulnS2 absorber layer prepared by chemical spray pyrolysis |
US8110428B2 (en) * | 2008-11-25 | 2012-02-07 | Sunlight Photonics Inc. | Thin-film photovoltaic devices |
US8969719B2 (en) * | 2008-12-19 | 2015-03-03 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Chalcogenide-based photovoltaic devices and methods of manufacturing the same |
JP4550928B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-09-22 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、及びこれを用いた太陽電池 |
KR20110023007A (ko) * | 2009-08-28 | 2011-03-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 태양 전지 및 이의 제조방법 |
JP5421752B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-02-19 | 株式会社カネカ | 化合物半導体太陽電池 |
-
2011
- 2011-04-04 JP JP2011083184A patent/JP5808562B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-28 US US14/008,821 patent/US20140020738A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-28 WO PCT/JP2012/059125 patent/WO2012137793A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012137793A2 (en) | 2012-10-11 |
US20140020738A1 (en) | 2014-01-23 |
JP2012222006A (ja) | 2012-11-12 |
WO2012137793A3 (en) | 2013-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7632701B2 (en) | Thin film solar cells by selenization sulfurization using diethyl selenium as a selenium precursor | |
Moholkar et al. | Studies of compositional dependent CZTS thin film solar cells by pulsed laser deposition technique: An attempt to improve the efficiency | |
US8012546B2 (en) | Method and apparatus for producing semiconductor films and related devices | |
JP5003698B2 (ja) | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 | |
US20110240123A1 (en) | Photovoltaic Cells With Improved Electrical Contact | |
JP5709662B2 (ja) | Czts系薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP5808562B2 (ja) | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 | |
JP2005228975A (ja) | 太陽電池 | |
US20110232762A1 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element and thin-film solar cell | |
KR20150051181A (ko) | CZTSSe계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 CZTSSe계 박막 태양전지 | |
Kim et al. | Effect of Na-doped Mo layer as a controllable sodium reservoir and diffusion barrier for flexible Cu (In, Ga) Se2 solar cells | |
US20100210065A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
US20150027538A1 (en) | Compound semiconductor solar battery and method of manufacturing light absorption layer of compound semiconductor solar battery | |
CN109904255B (zh) | 一种Cr-Se共掺杂硫化锌太阳能电池缓冲层薄膜材料的制备方法 | |
JP6297038B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 | |
Chander et al. | Nontoxic and earth-abundant Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film solar cells: A review on high throughput processed methods | |
KR101708282B1 (ko) | CZTSe계 박막을 이용한 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
US20150087107A1 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion device | |
US20130316490A1 (en) | Solar cell and solar cell production method | |
KR102015985B1 (ko) | 태양전지용 cigs 박막의 제조방법 | |
KR102057234B1 (ko) | Cigs 박막 태양전지의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 cigs 박막 태양전지 | |
Sood et al. | Electrical barriers and their elimination by tuning (Zn, Mg) O composition in Cu (In, Ga) S2: Systematic approach to achieve over 14% power conversion efficiency | |
Dhere et al. | Fabrication and characterization of cd1-xmgxte thin films and their application in solar cells | |
JP2003179237A (ja) | 半導体薄膜の製造方法および太陽電池 | |
JP2013229506A (ja) | 太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150210 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150511 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150610 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5808562 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |